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Engenharia Elétrica – Eletrônica TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi Prof. Alvaro
Engenharia Elétrica – Eletrônica TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi Prof. Alvaro

Engenharia Elétrica – Eletrônica

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi

Prof. Alvaro

Engenharia Elétrica – Eletrônica TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi Prof. Alvaro
Engenharia Elétrica – Eletrônica TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi Prof. Alvaro
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ ou BJT) • São
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ ou BJT) • São

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ ou BJT)

São controlados pela variação da corrente de base (na maioria das aplicações)

Prof. Alvaro
Prof. Alvaro
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ ou BJT) • São
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Do inglês Field
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Do inglês Field

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

Do inglês Field Effect Transistor

• São controlados pela variação da tensão

Prof. Alvaro
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) FET MOSFET JFET J
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) FET MOSFET JFET J

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

FET

MOSFET JFET J – Junction ou Junção INTENSIFICAÇÃO DEPEÇÃO
MOSFET
JFET
J – Junction ou Junção
INTENSIFICAÇÃO
DEPEÇÃO
  • MOS Metal Oxid Semiconductor Semicondutor de Metal Óxido

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) FET MOSFET JFET J
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) FET MOSFET JFET J
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • FET Canal N
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • FET Canal N

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

• FET Canal N

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Contato ôhmico

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • FET Canal N
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • FET Canal N
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • FET Canal N

Dreno (D)

Canal N

Porta (G)

Gate

Região de Depleção

Fonte (S)

Source

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • FET Canal N
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento portanto não conduz.
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento portanto não conduz.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

portanto não conduz. V GS = 0V e V DS > 0V Se V G ficar
portanto não conduz.
V GS = 0V e V DS > 0V
Se V G ficar mais negativo, mais
aumentará a região de depleção.
V DD +
V G = 0 V
Não passa corrente do Gate
para Dreno.
Prof. Alvaro
região
portadores
Depleção
possui
livres,
não
de
A
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • No diodo
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • No diodo

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

• No diodo a polarização reversa faz aumentar a região de depleção. • A corrente que passa através da Porta (Gate) I G = 0 A. Característica relevante do FET.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • No diodo
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • No diodo

• • G D e G S proporcionam alta impedância de entrada.

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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • No diodo
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • No diodo
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Variação dos
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Variação dos

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

• Variação dos potenciais reversos de polarização através da junção p - n de um JFET de canal N.

25 a 75% dos potenciais reversos do FET ficam na região de depleção Prof. Alvaro
25 a 75% dos potenciais reversos do
FET ficam na região de depleção
Prof. Alvaro
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Mantendo o
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Mantendo o

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

• Mantendo o V GS = 0V e • Se aumentar V DS , aumenta também a região de depleção. • A corrente I D subirá até um determinado nível:

• Limitado pela redução do canal; • Causando aumento da resistência do canal

Redução do Canal Aumento da Região de Depleção Aumento de V DS Prof. Alvaro
Redução do Canal
Aumento da Região de Depleção
Aumento de V DS
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento redução do •
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento redução do •

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

redução do • a A um canal corrente levará a nível de DSS Prof. Alvaro Aumento
redução do
a
A
um
canal
corrente
levará a
nível de
DSS
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Aumento da Resistência devido
ao Estreitamento do Canal
Nível de Saturação para V GS = 0V
P
V
saturação.
Resistência do Canal
I
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Os dois
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Os dois

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

Os

dois

parâmetros

observados

saturação quando V GS = 0V

V P

I DSS

devido

ao

nível

de

• São parâmetros dos FETs que aparecem nos data sheets.

Prof. Alvaro
Prof. Alvaro
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento I D =
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento I D =

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

I D = I DSS Pinch-off ou Constrição • I DSS S (Saturation) • V P
I D = I DSS
Pinch-off ou Constrição
• I DSS S (Saturation)
• V P (Pinch-off)
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • I é
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • I é

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

I DSS é a máxima corrente de dreno para um JFET e

• É definida pela condição V GS = 0 V e V DS > |V P |

V GS = V P O valor de V GS para I D = 0 mA
V GS = V P
O valor de V GS para I D = 0 mA é definido por V GS = V P
Para o canal P V P é Positivo
Para o canal N V P é Negativo
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Lugar Geométrico
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Lugar Geométrico

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

• Lugar Geométrico dos Valores de Pinch-off

Região de Saturação Região Lugar Geométrico dos Valores de pinch-off ôhmica Prof. Alvaro
Região de Saturação
Região
Lugar Geométrico dos Valores de pinch-off
ôhmica
Prof. Alvaro
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Resistor controlado
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento • Resistor controlado

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento

• Resistor controlado do tensão.

Região

r d

=

r

O

1 −
1 −

V

GS

  • V P

2

ôhmica

r O = É a resistência apresentada por V DS x I DSS

r Prof. Alvaro Controle da resistência pela tensão pode ser empregado em controle automático de r
r
Prof. Alvaro
Controle da resistência pela tensão pode
ser empregado em controle automático de
r d = É a resistência apresentada na região
ôhmica para um determinado valor de V GS
ganho.
1
1
1
V
V
V
I
I
I
r
=
r
d
d
d
d
dss
DS
DS
O
P
=
=
=
=
=
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • SIMBOLOGIA FET canal
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • SIMBOLOGIA FET canal

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

• SIMBOLOGIA

FET canal N Prof. Alvaro
FET canal N
Prof. Alvaro
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • SIMBOLOGIA FET canal

FET canal P

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • SIMBOLOGIA FET canal
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Curva Característica de
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Curva Característica de

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

• Curva Característica de Transferência

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Curva Característica de
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Curva Característica de

No TJB é:

  • I C

= f

(

I

B

)

= βI

B
B

Variável de Controle

Constante

No FET é:

Variável de Controle

Constante

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO V P , I D = 0 mA D • Prof.
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO V P , I D = 0 mA D • Prof.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

V P , I D = 0 mA D • Prof. Alvaro I Os Transistores Efeito
V P , I D = 0 mA
D
Prof. Alvaro
I
Os Transistores Efeito de Campo (FET)
Quando V GS =
Quando I D = I DSS , V GS = 0 V
• Curva Característica de Transferência
1
V
V
I
GS
DSS
2
P
=
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Ex.1: Dado V
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Ex.1: Dado V

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

Ex.1: Dado V P = 4V e I DSS = 8 mA

Calcule V GS = ? para I D = 4,5 mA

  • I

    • D I

DSS

=

1

  • V GS

  • V P

2

4,5

 

=

8

V

GS

2

4

1

0,5625

=

1

+

× V

GS

2

 

4

GS

V

2

GS

V

 

+

+

16

2

GS

V

2

+

8

GS

V

+

=

7

0

e

V

'= −1 e 7

GS

Prof. Alvaro

V

GS

0,4375

  • volts

+

16

=

0

2
2
+ 16 = 0 2

V

GS

  • V GS = 1volt é válido

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Ex.1: Dado V
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Ex.1: Dado V

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

Ex.1: Dado V P = 4V e I DSS = 8 mA

Calcule V GS = ? para I D = 4,5 mA

  • I

    • D I

DSS

GS

V

V

=

P

1

2

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+ V GS 0,75 4 + 1 = = (0,75 −1)4 V GS 4 = =
+
V GS
0,75
4
+
1
=
= (0,75 −1)4
V GS
4
=
=
2
2
GS
GS
V
1
V
− 4
1
8
0,5625
4,5
  • V GS = −0,25× 4 = −1

volt

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Ex.1: Dado V
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) • Ex.1: Dado V
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo (FET) 2 • Ex.2: Dado
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (FET)
2
Ex.2: Dado V P = −4V e I DSS = 8 mA
V
GS
I
=
I
1
Calcule I D = ? para V GS = − 2V
D
DSS
V
P
2
2
I
=
8
1
D
− 4
2
1
I
=
8
1
D
2
2
1
1
I
= 8
=
8
×
= 2
mA
D
2
4
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (FET)
2
• Relações interessantes de V GS × I D
V
GS
I
=
I
1
D
DSS
V
P
I
D
V GS
I D
I
DSS
0
I Dss
0,3 V P
I Dss /2
I
DSS /2
0,5 V P
I
I Dss /4
DSS /4
V
GS
0 mA
V P
V
0,3V P
P
0,5V P
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Depleção)

 

O corte;

A saturação e

I DSS

Do JFET é semelhante ao MOSFET tipo Depleção;

 

A diferença está nas curvas características:

• Se estendem até a polaridade oposta para V GS .

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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Depleção)

Funcionamento

 
Prof. Alvaro
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Espessa camada de Material tipo P

O terminal SS pode ser conectado ao terminal FONTE ou não.

Quando o terminal SS não é conectado ao terminal FONTE o dispositivo é fabricado com 4 terminais

FONTE e DRENO são conectados através de contatos metálicos à regiões n dopadas do tipo n

As

regiões

n

dopadas

do

tipo

n

são

interligadas entre si por um canal n.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Depleção)

Funcionamento

 
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A PORTA (GATE) permanece isolada do canal n por uma fina película de Óxido de Silício SiO 2 . SiO 2 é um dielétrico pois estabelece campos elétricos opostos quando submetidos a um campo externo aplicado. Não há ligação elétrica entre o gate e o canal n.

Se não há ligação elétrica entre o gate e o canal n, então não existe corrente.

A impedância de entrada é exageradamente alta.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Depleção)

Funcionamento

 
Prof. Alvaro
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Para V GS = 0V, não existe campo elétrico

Elétrons

DRENO.

percorrem

da

FONTE

para

o

O sentido convencional da Corrente é de DRENO para a FONTE.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO V GS negativo = modo depleção V GS positivo = modo
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO V GS negativo = modo depleção V GS positivo = modo

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

V GS negativo = modo depleção V GS positivo = modo intensificação Prof. Alvaro • Os
V GS negativo = modo depleção
V GS positivo = modo intensificação
Prof. Alvaro
Os
Transistores
Efeito
de
Campo
(MOSFET
tipo
Depleção)
Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Depleção)

Funcionamento

 
Prof. Alvaro
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O que acontece com o Canal n quando o V GS é positivo?

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Depleção)

Simbologia

 
Prof. Alvaro
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Depleção )
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

Não existe a parte de Depleção.

Prof. Alvaro
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Por onde passará a corrente

entre o Dreno e a FonteI D ?

O SiO 2 é isolante e portanto o

Gate é isolado do Substrato

que é isolado da Região tipo n

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

• Símbolo MOSFET – Canal n I D = 0A Fonte (S) da Fonte (S) Substrato
Símbolo
MOSFET – Canal n
I D = 0A
Fonte (S)
da Fonte (S)
Substrato desligado
Substrato ligado à
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

de

Campo

(MOSFET

tipo

Intensificação)

 

Características

O controle de corrente para esse dispositivo de canal n é

realizado por uma tensão V GS positiva.

MOSFET depleção possui canal

• MOSFET intensificação não possui canal (Inexistência de

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Canal).

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

Características

Para V DS positivo, V GS = 0V e SS ligado à Fonte (Source), equivale a:

• duas junções p-n reversamente polarizadas entre • as regiões dopadas tipo n e os substratos p • que se opõem a qualquer fluxo significativo entre o dreno e a fonte.

I D = 0A Prof. Alvaro
I D = 0A
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação) Funcionamento

Alimentação de V DS e V GS

positiva em relação à Source

Corrente de Gate é 0A e independe do valor de V GS Prof. Alvaro
Corrente de Gate é 0A e
independe do valor de V GS
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação) Funcionamento

Prof. Alvaro
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V GS

pressiona

as

lacunas

(cargas iguais se repelem) para

o substrato p por toda a

extensão da camada de SiO 2

O potencial positivo do Gate

repele as lacunas.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação) Funcionamento

Prof. Alvaro
Prof. Alvaro

Limite de esvaziamento da

região de portadores tipo p

Atração dos

elétrons

para

a

porta

devido

ao

potencial

positivo.

O resultado é

uma região de

depleção

próxima

à

camada

isolante

de

SiO 2

livre

de

lacunas

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação) Funcionamento

o

aumento

de

V GS

é

Região de Depleção

Região de Depleção

Com

intensificado a concentração de

elétrons próximo à superfície

O negativo é a fonte de elétrons

É intensificado até um nível que

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação ) Funcionamento

a região induzida tipo n possa

suportar o fluxo entre o Dreno e

Prof. Alvaro a Fonte
Prof. Alvaro
a Fonte
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

Funcionamento

Início de Pinch-off

O nível de V GS que produz um

aumento significativo da

corrente de dreno é chamado de

tensão de limiar.

 

A

tensão

de

limiar

é

representado por V T ou V GS(Th)

Th Threshold = limiar

Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito Intensificação ) • Tem o MOSFET de
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito Intensificação ) • Tem o MOSFET de

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os

Transistores

Efeito

Intensificação)

Tem o MOSFET

de

Campo

(MOSFET

tipo

que tem o canal e

• o que não tem o canal

• Ambos

são

de

intensificação,

porém

o

nome

de

intensificação foi dado ao último pois é o único modo de

operação.

Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito Intensificação ) • Tem o MOSFET de
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito Intensificação ) • Tem o MOSFET de
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

Quando V GS aumenta após o limiar,

aumenta a corrente de dreno (I D ). Se V GS for mantida e aumentar V DS ;

I D atinge um nível de saturação por constrição.

V DG = V DS V GS

DG D V G S V DS Prof. Alvaro
DG
D
V
G
S
V DS
Prof. Alvaro
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( MOSFET tipo Intensificação )

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

V DG = V DS V GS

S G D V DS V DG
S
G
D
V DS
V DG
  • V DG

• Se V GS = 8V e V DS for aumentado de 2V para 5V; Então V DG cairá de – 6V para – 3 V; V DG = 2V – 8V = – 6V; V DG = 5V – 8V = – 3V; • Se V DS aumenta, V DG fica menos positivo; Reduz as forças atrativas para os elétrons provocando

a redução da largura do canal;

O

canal

é

reduzido até

(PINCH-OFF)

a

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condição de saturação

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Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

V DG sat = V DS V T Para valores de V GS < V T , I D(MOSFET intensificação) = 0 mA

V T = Nível de Limiar

S V DG G D V DS
S
V DG
G
D
V DS
  • V DG

Lugar Geométrico de V DS sat V GS = V T = 2 V Prof. Alvaro
Lugar Geométrico de V DS sat
V GS = V T = 2 V
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Os

Transistores

Efeito

Intensificação)

de

Campo

(MOSFET

tipo

Curvas características de Dreno de um MOSFET V T = 2V e k = 0,278 × 10 3 A/V 2

Lugar Geométrico de V DS sat V GS = V T = 2 V Prof. Alvaro
Lugar Geométrico de V DS sat
V GS = V T = 2 V
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Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

Constante k (A/V 2 ) É dado pelos valores de V GS (Ligado) e I D (Ligado) São valores fornecidos pelo fabricante

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  • V T

V T
V T

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Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

De posse do valor de V GS (Ligado) e de I D (Ligado) Encontra-se k pela fórmula

k =

I D (Ligado)

(V GS (Ligado) V T ) 2

I D =

k (V GS V T ) 2

Para qualquer valor dado de V GS , pode-se encontrar I D

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desde que k seja conhecido.

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Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

Curva característica de transferência

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Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificação)

 

Manuseio

 

Alta impedância de gate;

associada à fina camada do isolante SiO 2 ,

Eletricidade estática acumulada:

• no corpo humano ou • qualquer outro material isolante Pode romper a camada de isolante e danificar o componente.

 

Maiores detalhes de manuseio, consultar manual do fabricante ou livro pag 196.

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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO • Os Transistores Efeito de Campo ( VMOS tipo Intensificação )
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (VMOS tipo Intensificação)

Compensa a baixa potência limitante do MOSFET;

V do VMOS é devido à estrutura vertical de crescimento do canal;

Maiores velocidades de chaveamento.

Leitura complementar opcional livro pag 197.

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