CORRIENTE ELECTRICA

Es el fenmeno fsico que consiste en el movimiento de los portadores de carga

(electrones, iones positivos y iones negativos) en medios diversos y el vaco, por causas
mecnicos o por campos elctricos.

+ + +
+
+ + +

+ + +
+
+ + +

V ++
+ ++ +
++

+
+

Las cargas pueden ser:

a) En los metales los portadores son los

electrones
b) En los semiconductores los portadores
pueden ser electrones o huecos
c) En los electrolitos los portadores pueden
ser iones positivos o iones negativos
d) En los gases los portadores pueden ser electrones o iones
INTENSIDAD DE CORRIENTE ELECTRICA ( I ).- Esta dada por la cantidad de carga

Q
Coulomb

Ampere
t
segundo

elctrica (Q) que atraviesa una seccin A en la unidad de tiempo (t).

Las cargas que atraviezan la superficie positivas, negativas o de ambos signos

SENTIDO DE LA CORRIENTE.- Por convencin esta dada por el de la velocidad de los
portadores de carga positivos o del vector densidad de corriente J.
Cargas positivas

Instante: t

Instante: t+t

de las cargas positivas

Sentido de la corriente

Cargas negativas

Instante: t +t
Instante t
Sentido de la corriente de las cargas negativas

DENSIDAD DE CORRIENTE ( J ).- Es un vector cuyo modulo representa la rapidez del

transporte de carga a travs de la unidad de rea normal a la corriente, cuya direccin esta
dada por el de la velocidad de los portadores de carga positivos

r
I
Amper
n q vd
A
metro 2

Relacin entre J y la velocidad de los portadores de carga

Si se define la carga neta contenida en un volumen V como Q = n q V

donde n es el nmero de portadores mviles por unidad de volumen y q la magnitud de
carga de cada portador.
Y

La figura muestra el
volumen V = x A
y los portadores de carga
elctrica.

Remplazando en:

Q
n qV
nq x A

nqv A
t
t
t

I nqv A

Siendo v la velocidad promedio de las cargas.

J

I
A

J nqv

Si los portadores de carga son + , v es + , J es positivo

Si los portadores de carga son - , v es - , J es positivo.
La corriente para un movimiento de portadores de carga positivas y portadores de carga
negativas es:
I = n (+q) (+vd) A + n (-q) (-vd) A
La direccin de la corriente es el del vector densidad de corriente J, que es la direccin del
flujo de cargas positivas.

LEY DE OHM
Esta ley no es aplicable a todos los medios o materiales, pero se cumple para muchos
metales a una determinada temperatura constante.
El cociente de la diferencia de potencial ( V ) entre la corriente que pasa por un alambre es
constante.

Vab
R
I

MATERIALES OHMICOS Y NO OHMICOS.-

MATERIALES OHMICOS.- Son elementos donde la resistencia no depende ce la diferencia

de potencial ni de la intensidad de corriente. La pendiente de la grafica es constante.

MATERIALES NO OHMICOS.- Son aquellos elementos donde la resistencia depende de la

magnitud de la intensidad de corriente. No cumple con la ley de Ohm. Para elementos
semiconductores y para electrolitos las pendientes de estas graficas no son constantes.

RESISTENCIA ELECTRICA ( R ).
Representa la dificultad que un medio ofrece al paso de la corriente. Se define como el
cociente de la diferencia de potencial (V) a la cual es sometido el medio y la intensidad de
la corriente ( I ) que la atraviesa .

V
I

voltio ( V )
ohm
ampere ( A )

( )

MODELO DE CONDUCCION ELECTRICA.

El modelo considera que los conductores metlicos son arreglos regulares de tomos,
que contiene una gran cantidad de electrones libres.

Los electrones libres se mueven aleatoriamente como lo hacen las molculas de un gas
contenido en un recipiente, con una rapidez media del orden de 10 6 m/s.

Si no hay campo elctrico el flujo neto de carga o electrones libres a travs de una
determinada seccin es nulo.
E

Trayectoria promedio aleatoria de un

electrn, cuando no hay
campo elctrico E = 0

Trayectoria aleatoria de un electrn

modificado por el campo elctrico ( F
= Eq )

(a)

(b)

Cuando el conductor es sometido a un campo elctrico (E), los electrones modifican sus
movimientos aleatorios siendo arrastrados en sentido opuesto al campo elctrico E, con
una velocidad de arrastre vd del orden de 10 4 m/s.

El campo elctrico E entrega a los electrones libres se pierde en choques inelsticos con
los ncleos o iones incrementando la energa trmica de los tomos.

El campo elctrico acelera a los electrones libres de masa m que por los constantes
choques con los iones o ncleos, podemos considerar una velocidad media de arrastre
de los electrones vd y el tiempo entre choques
a

vd v m

F
qE
a
v vo a t
m
m

1
at
2

vd

qE
2m

: tiempo entre choques

vd

q
E
2m

Pero:

J n q vd

2
n q

2 m

n q 2
m

conductividad ( propiedad microspica del material )

J=E

Remplazando

En la relacin

q
m

J nq

2
n q
m

si n y son independientes del campo elctrico

entonces son independientes de de la conductividad elctrica y esta ser constante y el

conductor obedece a la ley de ohm
J

RESISTIVIDAD ( ) En el modelo de conduccin se pone en evidencia que la resistividad

depende del arreglo molecular del medio, de las impurezas, de la vibracin molecular y
otros factores. Es una caracterstica particular de cada medio

La resistividad del conductor metlico se define

m
n q2

RESISTENCIA DE UN CONDUCTOR METALICO.

Depende del material ( caractersticas microscpicas: ) y las caractersticas geomtricas.
J

I
A

A
I

Si:

V
I

L
R
A

L L

J
A

L
A

L = Longitud recorrida por la corriente ( m ).

A = rea de seccin por el cual pasa la corriente ( m 2)
= Resistividad del material ( .m )

L
I

VARIACIN DE LA RESISTENCIA CON LA TEMPERATURA

La resistencia del medio por el cual pasa la corriente depende de varios factores. Para
determinados conductores metlico su resistividad aumenta con la temperatura creciente.
COEFICIENTE TERMICO DE LA RESISTIVIDAD ( t )
t

0 T

1
C

1
K

0 = resistividad a una temperatura referencial T0

T T To

Remplazando

= 0 ( 1 + t T )
Tabla de resistividad y coeficiente trmic0:
Sustancia

Resistividad a 20C

Coefi. Trmico

Cobre

1,69 x 10 8

3,9 x 10 9 /C

Plata

1,59 x 10 8

3,8 x 10 9 /C

Aluminio

2,83 x 10 8

4,0 x 10 9 /C

Silicio

2,30 x 10

-5,0 x 10 4 /C

Despreciando los efectos de la dilatacin del material, puede considerarse que la resistencia
(R) es proporcional a la resistividad ():

R = R0 ( 1+ t T )

Resistencia en :
CONDUCTORES METALICOS.- Su resistividad aumenta al aumentar la temperatura
SEMICONDUCTORES.- Su resistividad disminuye al aumentar la temperatura y al

disminuir la temperatura su resistividad aumenta

SUPER CONDUCTORES.- Su resistividad disminuye al disminuir su temperatura, pero al

llegar a cierta temperatura critica Tc, su resistividad cae sbitamente a cero

experimentando el fenmeno de la superconductividad

( .m)

( .m)

Conductor
metlico

Semiconduct
or

T (K)

T (K)

( .m )

Sper conductor

T (K)

ASOCIACION DE RESISTENCIAS .
RESISTENCIA EQUIVALENTE (Req).- Es aquella resistencia entre dos puntos ( a y b ) capaz
de remplazar o sustituir a un conjunto de resistencias, permitiendo el paso de la misma
corriente a la misma diferencia de potencial

b
Conjunto de n resistencias
Resistencia equivalente
a

RESISTENCIA EN SERIE.- Es aquella disposicin ente dos puntos (a y b) el la cual la

corriente que atraviesa por cada resistencia es la misma e igual a la que atraviesa por la
resistencia equivalente.

R1

R2

R3

b
RE
a

Propiedades de n resistencias en serie:

I1 = I2 = I3 = ..................... = In = IE

V1 + V 2 + . . . . . . . . . . . . . + V n = V E

Req = R1 + R2 +. . . . . . .+ Rn

Req

Ri

RESISTENCIAS EN PARALELO.- Es aquella disposicin de resistencias entre dos puntos (a

y b), en la cual la diferencia de potencial en cada una de ellas es la misma que es igual a la
diferencia de potencial de la

R1

a
a

R1

R2
a

R3

Req
R2
b

R3

Req
a

b
b

Propiedades de n resistencias en paralelo:

V1 = V2 = . . . . . . . . . .. Vn = VE

I1 + I 2 + .. . . . . . . .. .+ In = I E

1 / RE = 1/R1 + 1/ R2 + . . . . . . . . .. . . . 1 / Rn
1

R eq

1
R

Para n resistencias iguales: RE = R / n

Para dos resistencias R1 y R2 :

R/2

R eq

R 1 R2
R1 R2