UNIVERSIDADE REGIONAL DE BLUMENAU

CENTRO DE CINCIAS TECNOLGICAS

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

AVALIAO DE FIO CIRCULAR ESMALTADO SUBMETIDO a

TENSO PULSADA RETANGULAR

CEZAR ARMANDO CUNHA VARNIER

Prof. Dr. Romeu Hausmann Orientador

Blumenau, 29 de julho de 2016

EVOLUO TECNOLGICA

EVOLUO TECNOLGICA

EVOLUO TECNOLGICA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

JUSTIFICATIVA

TIPOS DE FIOS ESMALTADOS

CORPO DE PROVA

CORPO DE PROVA
Par Torcido (Twisted Pair)

ENSAIO DE TENSO DE
RUPTURA DO DIELTRICO
Par Torcido (Twisted Pair)

ENSAIO DE DEGRADAO
ACELERADA DO DIELTRICO
Par Torcido (Twisted Pair)

DESCARGAS PARCIAIS
Externa

Interna

ANLISE DO DIELTRICO
Linhas de potencial eltrico entre 2
fios esmaltados encostados.

ANLISE DO DIELTRICO
Campo eltrico entre 2 fios
esmaltados encostados.

ANLISE DO DIELTRICO
Linhas de potencial eltrico entre 2 fios
esmaltados separados por camada de ar.

ANLISE DO DIELTRICO
Campo eltrico entre 2 fios esmaltados
separados por camada de ar.

ANLISE DO DIELTRICO
Linhas de potencial eltrico entre 2
fios esmaltados encostados e com
reduo da camada de esmalte.

ANLISE DO DIELTRICO
Campo eltrico entre 2 fios
esmaltados encostados e com
reduo da camada de esmalte.

ANLISE DO DIELTRICO
Linhas de potencial eltrico entre 2
fios esmaltados encostados e com
bolha de ar no esmalte.

ANLISE DO DIELTRICO
Campo eltrico entre 2 fios esmaltados
encostados e com bolha de ar no esmalte.

PROPOSTA
Par Torcido (Twisted Pair)

PROPOSTA

Ajuste de frequncia;
Ajuste da largura de pulso;
Ajuste do rise time;

TOPOLOGIA
Half-Bridge

ETAPAS DE OPERAO

Etapa 1

Etapa 2

Etapa 3

Etapa 4

PROJETO

CARACTERSTICAS DO HIPOT

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Etapa 1

Etapa 2

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

BRAO DE IGBTs

CARACTERSTICAS DA CARGA
MW 16-C

MW 35-C

20

Capacitncia (pF)

15

10

0
0

10

20

30

40

50

frequncia (kHz)

60

70

80

90

100

BANCO DE CAPACITORES

BANCO DE CAPACITORES

BANCO DE CAPACITORES

SIMULAO

SIMULAO

EXECUO
Circuito de Potncia

EXECUO
Circuito de Proteo

EXECUO
Layout do Circuito de Potncia e de Proteo

EXECUO
Circuito de Potncia e de Proteo Executados

EXECUO
Circuito de Comando

EXECUO
Layout do Circuito de Comando

EXECUO
Circuito de Comando Executado

EXECUO

TESTE DA FONTE
Tenso no Hipot

TESTE DA FONTE
Tenso no Banco de Capacitores

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (120Hz)

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (2,4kHz)

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (largura de 25%)

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (largura de 50%)

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (largura de 75%)

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (rise time de 85ns)

TESTE DA FONTE
Tenso nas amostras (rise time de 785ns)

RESULTADOS
Efeitos do rise time na degradao do Par Torcido
t (minutos)

Amostra

Senoidal

Pulsada

819

814

826

824

888

847

891

945

896

955

914

---

925

---

931

---

935

---

10

965

---

Mdia

899

877

RESULTADOS
Efeitos da largura do pulso na degradao do Par Torcido
t (minutos)

Amostra
25%

50%

75%

64

50

65

69

59

67

72

63

69

74

68

71

74

70

72

Mdia

71

62

69

RESULTADOS
Efeitos da frequncia na degradao do Par Torcido
1000
900
800

t(f) = 82271f-0.941
R = 0.9932

tempo (minutos)

700
600
500
400
300
200
100
0
0

500

1000

1500

frequncia (Hz)

2000

2500

RESULTADOS
Comparao entre fios MW 16-C e MW 35-C

MW 16-C

MW 35-C

RESULTADOS
Comparao entre fios MW 16-C e MW 35-C
Tenso de Ruptura do Dieltrico (kV)
Amostra

Tenso Retangular
MW 16-C

MW 35-C

11,8

9,4

10,9

8,7

12,6

10,5

11,7

9,8

13,2

10,6

12,6

10,6

11,2

8,4

13,0

10,5

Mdia

12,1

9,1

Mnimo

10,9

8,4

CONSIDERAES FINAIS
A fonte de tenso retangular permitiu
que fossem avaliados todos os
parmetros desejados;
O rise time no influncia na degradao
da isolao do par torcido;
A largura de pulso no influncia na
degradao da isolao do par torcido;

tempo (minutos)

RESULTADOS
A relao da frequncia com o tempo
de degradao no linear;
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000

10000

frequncia (Hz)

FUTUROS TRABALHOS
Desenvolvimento de uma nova fonte
com IGBTs para alta tenso, podendo
ser mais lentos (maior rise time) e com
capacitncia menor.
Estudo dos efeitos de variao do nvel
de tenso na degradao da isolao
dos fios esmaltados.
Construir uma base de dados que
permita executar avaliaes de fios com
diferentes tipos de esmalte.

Muito Obrigado!