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TUTTI I DIRITTI RISERVATI


La riproduzione totale e parziale dei testi, dei disegni, delle
caratteristichegenerali e particolari del presente manuale
rigorosamenteproibita per tutti i paesi'
Copvrisht 1960 in the ITALY
and SISTEMA PRATrco
rllustnATA
';-ATCMI
via T. Tasso 18 IIIOLA (Ilologna)'
Atl riets reservecl.This handbook or any parts thereof may
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ieservados para todos los pase.s.tambien parcial de los, textos,. grabados'
l;";;;;;Ar-.in
;tbr;;;'ciactnstlcas dc la presente obra' est rigurosamende brohibiclo y ser perseguidopor la Ley'
0

Trlb.

Autorlzz,

2.846

Dlrttore

Responsablle

Bologoa
MONTUSCHI

GIUSEPPE

Coop,

Tip,

Galeatl

'rmola

_ 1960

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:

fl <<Manual Transistor b che si aggtunge oggi alla lunga collana di pubblicae " Sistema
ed,ite d,alle rwiste < La Tecnica lllustrata,
zioni tecrnco-d,ioulgatiue
Praticor,
1rttr,a giusta ragone, considerarsi unlco al mondo nel suo genere.
La neeessit urgente di tutti i, tecllic, protessionisti o d,llettanti, di, po'ssedi, cottsulrtazione rapi.da e sreu,ra, stto a fornire qu,alstasi nod,ere un gtonhtuno
mondiale,
taia rcLati.aa a tutti tipi d,i tronsi,stori, oggi prod,o'tti dall'industria
arnptamere giustrficata dalle miglaia, d'i lettere gi,unte, in proposito, alln nostro redazi,one.
Con parttcol4;re motitso di, orgoglio, ad opera conclusa, ri'teniamo dn essere t'
pnim o po"ter contribuire, con successo, ad una.parte del.le-esigenze tecnt'che athnli e a colmare altres una lacuna che s trascina ormai, d,a anni,
IL lungo e difficile lauoro di' indagini' e ri'cerche, che ha seueramente impegrwto Vopero dei nostrt, tecnr.c pe un peri,odo di tre anni, si stsolto attraaerso
un cammino irto di difti'col;t ed' impreuisti.
Nom sempre presso Le industrie strani,ere d,ei pL lantani, paest si ri,usci,ti ad
ottenere d,ati sicurt. e definitiui, per essere alcuni ti,pi di transistori, ancora'mella
tase sperimentale; pur tuttaui,a ri,teniarno che i d,ati' essenzi.ali, i,n ogni, caso, siano
cunpresi nel presente manuale e che essx possol?,o mettere iL tecnico nelle condtogni problema s rli, superare ogni euentuale diffcolt relazioni d,i potemisoloere
th:a ai tronsistori, ed al, Loro impiego,
Tronsistor " co'rnprende:
II "Manual
31
-

Una parle descriftiva generale sulla tecnica e sull'impiego dei transislori,


ampiamente corredafa di disegni ed illustrazioni.

41
v

Una lunga serie di tavole figurafive in cui appaio,nodisegnati, nel loro aspet
to esteriore, tutti i transistori esistenti ed i loro collegamenfi.

O
Itrl
v

sGquenza di tabelle recanti lufle

te caraiterisfiche fecniche dei

il:r,|;::,:
Una serie di favole di comparazione ed equivalenza fra tutti i fipi di transi.
slori americrni, europei e giapponcsi, in modo da permellere al tecnico una
rapida e sicura sosiiluzione di un tipo con allro pi comunemente reperibile
sul mercafo nazionale.

AVVENTO DEL TRANSISTORE

i
I

La parola < Transistore > corre oggi sulla


bocca di molti.
Il profano che voglia vantare il suo apparecchio radio si limita a dire: < Il. mio un
apparecchio a transistori, e con tutta probabilit ignora il significato di tale parola o, tuttalpi, sa che il transistore un qualchecosa
ehe sostituisce le valvole nei circuiti radio.
E non solo il profano, ma anche una buona
parte di tecnici continua acl ignorare oggi I'ingtesso ufficiale e trionfale del transistore nel
campo della radiotecnica.
E' una questione di pregiudizi? Forse.
I\Iolti tecnici temono infatti, nell'awicinarsi
a questo nuovo rappresentan'tedell'elettronica,
di doversi sottoporre a chissa quali studi o prove sperimentali difficili ed oscure prima di poter acquistare, con il transistore, quella fami-

L.*-.-.....:--.,--..

- 1 -

::-::..

liarit che, in anni di studi e prove, hanno acquisito, con la valvola termoionica.
Ma se pensiamo per un momento che iI tran.
sistore soltanto un insieme di tre o quattro
pezzettini di uno speciale cristallo, ai quali sono
uniti tre o quattro conduttori che costituiscono
i <<
terminali > del transistore stesso e lo confrontiamo con una valvola termoionica, cos
cornplessa nella sua struttura e cos esigente
nel suo impiego, verr da sorridere a chiunque.
Si pu dire che il transistore un'opera
della natura, mentre Ia valvola termoioniea il
frutto di una lunga serie di elucubrazionidella
della mente dell'uomo.
Ed anche questa volta la natura ci -stata
maestra di semplicit e ci ha rivolto un invito
che vale la pena di accettaree di seguire asso'
lutamente,

T
L'INVENZIONEDEL TRANSISTORE
Si pu affermare, senza tema di smentita,
che I'invenzione clel transistore dovuta solamente ad un caso fortuito.
Fu nell'anno 1948 che, dopo la scopertadel
germanio, fte scienziati americani: Bardeen,
Brittain e Shockley si accorsero ehe i cristalli
di germanio potevano comportarsi in modo simile alle valvole amplificatrici.
Essi erano intenti a misurare la resistenza
ohmmica sulla superficie di un cristallo di germanio quando si accorseroche, awicinando il
puntale positivo di un ohmmetro al. puntale negativo di un altro ohmmetro e premendo gli

altri due puntali degli strumenti in due punti


della superfiee del cristallo, la corrente che
circolava tra i puntali di uno stesso strumento
passava ne4'altro notevolmente amplificata.
L'amplificazionerisultava tanto pi sensibiie
quan'uopi vicini venivano mautenuti i due
puntali.
I tre scienziati americani si erano resi con
to che ci ehe awiene nell'alto vuoto delle
valvole, cio I'amplificazione di una corrente
elettronica, si verifica, bench in maniera assai
diversa, anche nell'interno dei cristalli di germanro.

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Y
l!
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GERMANIO <P> F GERMANIO (ND


Il germanio un metallo raro scoperto nel
1938. Se esso si trova allo stato perfettamente
puro un isolante, quando invece vengono aggiunte ad esso delle tracee di <<impurit >, come possono essere delle particelle di antimonio,
arsenico, alluminio o indio, il germanio diventa
un <<semiconduttore >. Le impurit quindi lo
rendono capace di lasciar passare la corrente
elettrica. senza farlo diventare un vero conduttore. come i metalli: esso himane una via di
mezzo tra gli isolanti ed i conduttori, da cui
la parola < semieonduttore >.
Si era constatato per che, a seconda del
tipo di impurit aggiunta, il cristallo presentava
delle caratteristiche elettriche ben diverse. Infatti se aI germanio puro venivano aggiunte
delle particelle di alluminio o indio, il cristallo
assumeva conduttivit positiva. Ci significa
che se il germanio viene inserito in serie ad
un contluttore a corrente alternata, attraverso
nd es.so passano soltanto le semionde positive,
funzionando quindi come un raddrizzatore di
corrente. In virt di questo fatto appunto il cri

stallo di germanio, recante tracce di alluminio


o indio venne chiamato <<Germanio P >.
Quando invece al cristallo puro venivano aggiunte particelle di antimonio o arsenico era
possibile constatars che il germanio acquistava
condutiivit negativa. Ci significa che se questo tipo di germanio viene posto in serie ad un
conduttore a coruente alternata, attraverso ad
esso passano soltanto le semionde negallve.
Riassumendo perci quanto detto dobbiamo
ricorclare che:

I
I
=i

In
il

-ti

GERMANIO <<P >r: il germanio recanle lracce


di alluminio o indio. E' detfo germanio
< P >r perch presenta una carenza di elet.
troni liberi ed quindi a conduttivit
positiva.
GER|vIANIO <<N >r: il germanio recanie tracce
di antirnonio o arsenico. E' delto germa.
nio < N >: perch presenla un eccesso di
elettroni liberi ed quindi a condulfivif
negaliva.

ELETRICA
L ' U N I O N ED E I D U E T I P I D I G E R M A N I OE L A C O R R E N T E
STRUMENINO
Unendo tra di loro due pezzetti di germaN >>,
nio, uno del tipo < P >>ed uno del tipo <<
si ottiene una eellula raddrizzatrice capace di
far luire la corrente in un solo senso.
Per quanto abbiamo detto a proposito dei
clue tipi di germanio, possiamoben comprendere ora come la corrente erogata da una pila
possa fluire attraverso questa cellula raddriz'
zatrice solo se iI morsetto positivo viene colleP > ed il morsetto negativo
gato al germanio <<
al germanio<N> (fig. 1)'
Invertendo i morsetti della pila, la corrente
incontrerebbeuna grande resistenzae non riuscirebbe a passare.
In questo modo riteniamo di aver interpretato il fenomeno della semicontluttivitdei cristalli.
- 2 -

tt

I
l

IL TRANSISTORE
Il transistore altro non ehe uua sovrapposizione di tre pezzetti di cristallo di germanio, due dello stesso tipo ed uno di tipo opposto. Awemo in tal modo la possibilita di costruire due tipi diversi di transistori: il PNp
ed il NPN (fig. 2 e fig. 3).

placca e per tale ragione alla placca viene sempre applicata tensione positiva, mentre sul collettore del transistore (che considereremoquale
placea) saremo in presenzadi conduttivit rositiva o negativa a seconda della disposizioe
degli strati dei cristalli N e p.

PNP: oltenuto con uno sfraio di germanio po.


sitivo, uno strato negafivo ed uno sfralo
posilivo (fie. 2).

NPN: otlenufo con uno slralo di germanione.


gafivo, uno slrato positivo ed uno strafo
negativo,(fiC'.3).

Fig, 2
A ciascunodei tre strati di cristallo collegato un conduttore che costituisce il terminale
al quale va saldato il collegamentosecondolo
schema elettrico di impiego del transistore.
Risulta cos possibile disporre di transistori
a conduttivit positiva (PNP) e di transistori a
conduttivit negativa (l{PN), il che ci porta a
considerare un'ulteriore differenza esistente fra
valvole termoioniche e transistori.
Una valvola infatti non pu risultare che a
conduttivit negativa; infatti gli elettroni ven.
gono sempre emessi dal catodo e attirati dalla

Se il transislore risulta NpN (conduttivit


negativa)il collegamentoawerr come nel caso
di una valvola e precisamente:
- emittore aI negativo della pila; collettore
al positivo della pila stessa (fig. I a destra).
Se il transistore risulta PNp (conduttivit
positiva)il collegamentorisulter inverso e cio:
- emiftore inserito al positivo della pila;
colettore al negativo della stessa (fig. I a
sinistra).
Il funzionamento di un transistore PNP e
di un transistore NPN risulta identico.

I TERMINALI DI UN TRANSISTORE

Le valvole termoioniche sono dotate di pie.


dini ai quali sono collegati, internamente alla
valvola, i vari elettrodi (plaeca, catodo, griglia,
ecc.). Qualdo ci troviamo alle prese con ilia
valvoia sconosciuta,di cui non conosciamola
disposizione degli elettrodi rispetto ai piedini
dello zoecolo,facciamo ricorso ai prontuari per
valvole. Dal prontuario possiamosapere a quale
piedino corrisponde la placca, a quale la gfiglia, ecc.
I
La stessa cosa avviene anche per i transi.
stori, ma in maniera assai pi semplice. In.
tanto, per essere i transistori sprowisti di filamento, le cose sono molto pi semplificate
in quanto vengono gi a mancare due condutto.
ri. Nella maggioranzadei casi i transistori sono
dotati di soli tre terminali (esistono peraltro,
- 3 -

. . -:...,^.t

..

come vedremo in seguito, transistori speciali


provvisti di quattro terminali).
I tre terminali prendono il nome di:
-

Elyt-i-TTORE(paragonabile al catodo della


valvola).

BASE (paragonabile alla griglia della valvola).

COLLETTORE(paragonabilealla placea della valvola - vedi fig 4).

L'Emitiore cos chiamato perch svolge


il compito di < emettere > le cariche elettriche che poi vanno a formare la corrente di
base e quella di collettore.
L'emittore quindi pu essereconsidertto co.
me un distributore di corrente. un elemento
cio comune aI funzionamento degli altri due.

COLLETTORE

Esso paragonabile al catodo della valvola


termoionica che emette elettroni.
ll collettorc cos chiamato perch racooglie la corrente amplificata del transistore e
potrebbe essere paragonato alla placca della
valvola, sia che ad essosi applichi tensione positiva (Tipo NPN) che tensione negativa (Tipo PNF).
La base. che costituisce I'elemenito intermedio del transistore, cos chiamata perch su
di essa basato il funzionamento del transistore; infatti la corrente amplificata nel collettore dipende esclusivamente dalla corrente di
base.
Essa pu venire paragonataalla griglia della
valvola termoionica,

r"

EMTTTOSE

GRIGLIA

Fis. 4

I TERMINALI
COME RICONOSCERE
E (emittore)- B (Base)' C (collettore)
Se non si conoseeun sistemadi classificazione a vista per la determinazionedella categoria NPN o PNp, esiste per un metodo pratico
che ci permette la facile individuazionedei tre
terminali E, B, C.
Suli'involucro esterno di ogni transistore
appare un puntino colorato, corriE)ondentemente al quale viene a trovarsi il collettore,per cui
- considerato come al centro dei tre risulti
sempre la base - I'opposto al colleftore risulter I'emittore (fig. 5).
Ncl caso sull'involucro non esistessetraccia
del puntino colorato di riferimento, terremo
presente come - cousiderandoin ogni caso il
terminale centrale quale base - il pi distante
da quest'ultimo risulti iI colleltore ed evidentemente il pi vicino sia I'emilfore.
Transistori di tipo speciale e di potenza di
BF, presentanodisposizionedi terminali diversa

da quella presa in considerazione, pe,r cui ritenemmo opportuno e utile riportare le zoccolature. al fine di facilitare al Lettore il ricono'
scimento dei terminali (fig. 5).

I
'

Fig. 5

TIPo PNP oaI


COME DISTINGUERE PRATICAMENTE UN TRANSISTORE

TIPO J{PN

Ogni transistore porta impresso nel suo in- SE lL TRANSISTOREE' DEL TIPO PNP: collegando il puntale positivo dell'ohmmetro
volucro esterno una sigla caratteristica. Me'
alla base del transistore e il purtale negadiante questa sigla, facendo uso delle tabelle
tivo prima in uno e poi nell'altro terminale
incluse nel nostro manuale, possibile conodel transistore. si dovr misurare una bassa
scere se il transistore del tipo PNP o NPN.
resistenza(fig. 6).
Nel caso, tuttavia, che la sigla non fosse
leggibile, oppure non _si abbia sottomanoil n0Se invece si collega il puntale negativo
stio manual, si potr ricorrere ad un metodo
del'hommetro alla base ed il puntale Xrosiempirico, assi semplice,per stabilire il tipo di
tivo agli altri due terminali si dovr leggere
transistore in esame.
sullo strumento una resistenzaelevala.
Il procedimento illustrato a figg. 6 e 7.
L'ohmmetro chLr si deve usare dovr avere SE lL TRANSITOREE' DEL TIPO NPN: eoluna pila possibilmente da 1,5 volt, in quanto un
legando il puntale positivo dello strumento
voltaggio superiore potrebbe comprom-ettereper
alla base del transistore ed il puntale nesempi il buon rendimento del transistore.
gativo prima in uno e poi nell'altro trmiQuesto genere di controllo consiste nel minale del transistore, si dovr leggere sullo
surare la iesistenza esistente tra la base del
strumento una resislenza elevala Gig. 7).
transistore e gli altri due terminali.
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Fig.

E - 8 s A S s AR [ : t s e
TN ZA

NPN

. E - B A L T AR [ s t s T r N Z A

B - C A L T AR T S I S T E N Z A
Fig. 7

- 5 -

Se invece si collega il puntale negativo del- transistore del tipo PNP; se invece la freccia
lo strumento alla base ed il puntale positi- rivolta verso l'esterno,cio oppostaalla base,si
vo agli altri due terminali del transistore tratta di un transistore del tipo NPN (fig. 8).
si dovr leggere sullo strumento una bassa resistenza.
Negli scherni elettrici la distinzione fra i
transistori di tipo PNP e NPN molto sem@_e
plice. Il simbolo elettrico del transistore costituitc da un piccolo disco dentro il quale appaiono tre trattini. Il trattino pi grosso sta
ad indicare la base, il trattino semplice indica
I'emittore ed il trattino recante la freccia inNPN
.PNP
dica il collettore. Se la freccia di questo terzo
Fig. 8
trattino rivolta verso la base si tratta di un

COME SI PROVANO I TRANSISORI


Come per le valvole esiste uno strumento
chiamato provavalvole capace di segnalare Io
stato di.efficienza della valvola esaminata,cos
ancheper i transistori esisteuno strumento analogo capa.cedi segnalarelo stato di efficienza
di un transistore. Se questo strumento non
esistesseancora sul mercato nazionale all'atto
della pubblicazionedel presente manuale, con-

sigliamo il Lettore di ricorrere al N, 1, anno


1960, detla rivista < Sistema Pratico >>.In ques,to numero della rivista viene ampiamente illustrato questo tipo di strumento sotto il nome
> ed il Lettore,
Transistometro-Diodometro
di <<
segrrendol'articolo illustrativo ed i relativi schemi riportati molto chiaramente, sar in grado
di potersi autocostruireIo strumento.

IMPIEGO DE! TRANSISTORI NEI CIRCUITI

Il Lettore, giunto a questopunto, si sar chiesto per quale motivo esistono questi due tipi
di transistori, quando si deve usare I'uno e
quando I'altro e quali differenze esistono
tra i due.
Per tali domande non esiste una risposta
tecnica.
La differenze fra i dne tipi comporta solamente un diverso collegamentodella pila nei
circuiti in modo da far giungere la tensionepo
sitiva al colettore se iI transistore del tipo

Fig. l0
NPN e tensionq negativa se il transistore del
tipo PNP. L'impicgo clel transistore nei eircuiti
radio risulta molto semplice.In fig. 9 rappresentatc lo schema di impiego del transistore
tipo PNP, mentre in fig. 10 rappresentato
quello del tipo NPN.
Come si osservain entrambe le figure.il segnale da arnplifieare vifne applicato alla'base
del transistore ed esce amplificato dal collettore.

Fis. 9
- 6 -

1J
ii
j
I

ilIORME DA OSSERVARE NELL'IMPIEGO DEI TRANSISTORI


Nel caso si applichi ad un transitore polarit diversa dalla richiesta. il medesimo facilmente andr fuori uso, per cui effettueremo con
attenzione e cognizione di causa i collegamenti
dcll'emittore e collettore del transistore ai terminali della pila.
I transistori vengono danneggiati se investiti da calore eccessivor cos. nel caso dobbiate procedere alla saidatura dei terminali,
eviterete di ridurre gli stessi in lunghezza cio non li accorcerete come visibile a fig. 11 o, nel caso I'accorciamento si rendesse necessario, opererete in maniera tale che il saldatore
non abbia a permanere a lungo a contatto del
terminale (fig. 12); un sistema razionale da usare nel corso di saldatnra dei terminali sar
quello di stringere i terminali stessi fra i becchi di una pinza, s che il calore venga assorbito e disperso dai becchi della pnza medesima (fig. 13).
Nel corso di funzionamento, il transistore
\ra soggetto a riscaldarsi, raggiungendo anche
i 40-50" centigracli. Terremo presente al proposito come pi il transistore si riscalda, ,mi'sar
ore risulti il suo rendimento, per cui
gli
comfra
altri
affogarlo
nostra cura non
ponenti il complesso, bens sistemarlo in maniera che I'aria ne lambisca I'involucro.
Nel caso speclfico di transistori di potenza,
che a volte raggiungono temperatttre dell'or'

dine di 100" centigradi, useremo l'acco,rtezzadi


applicarli su basette metalliche, al fine di consentire ed anzi favorire la dispersione del calore.

T R A N S I S T O RA
E PUNTE
Il transistore a punte appartiene ormai alla
storia. Esso stato superato ormai dalla tecnica
e costiuisce soltanto un ricordo dei primi transistori costruiti subito clopo la scoperta della
serniconduttivit del germanio. Il transistore
a punte . stato il primo transistore costruito
e messo in ccmmercio. Era costituito da un
pezzetto di germanio sul quale poggiavano due
punte di tungsteno (fig. 14);il pezzetto di germanio corrispondeva alla base del moderno transistore, mentre le due punte metalliche funzionavano rispettivamente da emittore e collettore.
L'amplificazione con tale transistore era assai
bassa ed il transistore stesso si presentava fragile
ed instabile. Questi fatti conclussero i fisici
allo studio di un transistore pi compatto e

piu sensjhile. Pcrci Ie due punt-e metalliche


venncro in scguito soslituite con due plastrlne
di germanio P ecl N rispettivamente'

TRANSISTORE
A GIUNZIONE
Abbiamo visto precedentementecome sta:
to possibile ottenere due tipi diversi di cri"
stalli di germanio: il tipo P quando al germanio venivano associatetracce ,di alluminio
o indio ed il tipo N quando le impurit aggiunte erano antimonio od arsenico.
Le impurit di alluminio o indio aggiunte
al germanio hanno la facolt di captare elettroni dal germanio che, risultandone in tal modo impoverito, acquista teoricamente una carica
positiva.
Le impurit di arsenico e antimonio aggiunte al germanio hanno la facolt di cedere
al cristallo puro degli elettroni, conferendogli
in tal modo teoricamente una carica negativa.
Non si pensi assolutamenteche i due tipi
di germanio costituiscano singolarmente due
cariche elettriche, altrimenti sarebbe possibile
con essi costruire nna pila.
La verit che I'aggiunta di impurit al cristallo provoca solamente,in seno ad esso,una

separazione di eariehe positive e negative che


sommate tra di loro si neutralizzano.
Il transistore a giunzione costituito da
due blocchetti di germanio della stessa qualit con interposto un altro blocchetto di qualit opposta. I tre blocchetti sono uniti tra di
loro mediante un procedimento chimico.
. La piastrina di germanio posta al centro
costituisce la base di questo transistore. Con
questo procedimento quando la piastrina interposta del tipo" N ed i due cristalli laterali
sono del tipo P si ha un transistore a giunzione del tipo PNP (fig. 2 pag. 3).
Quando invece la piastrina interposta del
tlpo P ed i due cristalli laterali sono del tipo N
si ha un transistore a giunzione del tipo NPN
(fig. e pag. 3).
Questi transistori appartengono al tipo pi
diffuso ed utilizzato e trovano largo impiego sia
nei circuiti di bassa frequenza che in quelli
di media frequenza.

TRANSISTOR.E
A BASE SOTTILE
(surface barrier)
I transistori a giunzione ora descritti, pur
essendomalto pi stabili e pi robusti dei transistori a punte, presentano un piccolo inconveniente e cio la loro frequenzalimite molto
bassa; ci significa che un transistore a giunzione non pu funzionare in circuiti ad alta
frequenza perch non riesee acl amplificare segnali di frequenza elevata.
Assottigliando la base succede per che i
due strati che costituiscono l'emittore ed il
collettore, awieinandosi considerevolmente,si
comportano come Cue placche di un condensatore. Una capacit troppo elevata tra emittore e collettore riduce di molto il potere amplificatore del transistore alle frequenze elevate. Per diminuire questa capacit,molto dannosa per le alte frequenze, oltre che ridurre
lo srtrlessore
della base, necessario diminuire
le dimensioni degli strati che costituiscono'l'emittore ed il collettore.
Un transistore a base sottile costituito
quindi, come si vede in fig. 15, da uno strato,
che costituiscela base, assottigliatoal eentro,
e sopra il quale si trovano due depositi molto
ridotti di germanio del tipo P ed N, che costituiscono I'emittore ed il collettore. uniti me- 8 -

diante processo elettrochimico e sufficienti a


ricevere le connessionidi un terminale.
In questo modo i due strati che costituiscono I'emittore ed il collettore, risultando di
dimensioni molto ridotte, riducono di molto la
capaeitdel transistore, il quale riesce ad amplificare segnali ad alta frequenza sia nelle
onde corte come nelle cortissime.

I.

I
D

Fig. 15

I
J

rY
{
rl
t,

IRANSISTORE A STRATO AGGTUNTO(drifr)


. E' stato detto precedentemente che con: il
glto qon le lettere S, M o I (strato aggiunto o
transrstore a base sottile si riesee ad amplifi_ massa).
eare.segnali.a freqgenzeelevate in quantoGso
In questo tipo di transistori pertanto com_
possrecfe
.tutte quelle caratteristiche-necessarie pare. u! quarto terminale. La successionedei
p-er lunzronare
da amplificatore di segnali ad ternrinali quasi
sempre: E-B-S-Calta frequenza.
I transistori a stratb aggiunto possono
-l;
-.
am.
qqesto
transistore presenta un incon- plificare_
$oqhe
il"veniente. Infatti disponendo i u" tiii niito quenzg fa.eilmente, a senda df
delt'ordine di 60, 100, 400 MIIz. uesti
sottrle non Io si pu far lavorare con tensioni tl1l1*!oTi
-come
rransts[orl pertanto vengono
vengon impiegati come
supenort
.pertantoiori- ai 20.volt.
Z0 volt. pertanto, qualora si vovo
amplifieatori
per l,alta frquenza e"omeicitglia usufruire di tensioni supriri i zO-vtt
-*,
'iii
taton nei circuiti radio FM ed
ouelli ner
ed in quelli
per
cio vo,lendo
cio,
vo'lendo lavorare
lavorare con ?orii
iorti teroioii
ten.sio"i
televisione.
collettore (superiori ai B0 volt), il;-;;
;o_
I
transistori
sfrurre un transistore speciale, un transistore s.ercsia del-tlno a strato aggiunto possono eseWe ffig. 16I che del tipo NpN
c.he, pur disponendo di una base mii-lt(trg. 17).
trle. non presenti una elevatacapacitatra emit_ PNSP e Nel primo caso il transistoie sar
nel seondocaso fSll.
tore e collettore. Partendo da u-n transistore a
far presente per che i transistori
_O.-ccorre
giunzio_ne in_terpostotra la ptaca i-Use
< clnft > vengono scmpre e solamente indicati
_sie queila clel collettore uno strato neutro, in
con PNP e NPN, tralsciandoIa lettera S.
mo-doda allontanare tra di loro U fiJriA'if
. In molti schemi americani lo strato agsiunto
collettore.
viene indicato con la lettera t e pertito si
Questo_,stratoaggiunto non altro ehe un possono
pezzetto di.germalio puro (fig. 16) collesato
_trovare. sigle del tipo pNfp o NpIN;
cr rrcorderemo
ad un terminale che nirmah-nte iiene-p-oiro rero alle presein tal modo, quando ci trovecon tali transistori, che essi
a massa.In molti casi questo strato viene-indi_ sono del
tipo <<
Drift > o <<
Strato ggiunto>.

8 S

8 S

TRANSISTOREETRODO A GIUNZIONE
Nella parte deserittiva generale abbiamo valvole con un maggior
considerato il tra'sistore. analogamente ad una r[r]o, t-e.iioa,pentodo, numero di elettrodi
ecc.).
valvola triodo. Per risaput come esistano
Cosi anctr'per i transistori si costruito

-q
PLACCA

GRIGLIAE

GRIGLIAl

CATODO
- 9 -

I
Anche qtlesto tt'ansistore, come i tipi pre'
un tipo a giunzione munito, di un quarto elet'
trodo. Questo quarto elettrodo pu essere pa- ceCenti, pu essei'e del tipo PNP o NPN.
ragonato alla griglia schermo della valvola ter'
moionica (fig. 18) e, come questa, esso riceve
unicamenteuna tensione di polarizzazionefissa
e non svolge alcuna azione di comando.
Con tale accorgimentosi ottiene in definitiva una riduzione della resistenza di base e
della capacit tra emittore e collettore,-conferenclo al transistore quelle caratteristiche tali
da poterlo far fu:rzionare come amplificatore
ner le alte frequenze.
I transistori tctrodi dispongono di quattro
elettrodi denominati E-81-C-82(fig. 19). La base 2 (82) costitni'sceil quarto elettrodo che ri
ceve la polarizzezionefissa e che corlisponderebbe all griglia schermo di una valvola eletFie.19
tronica.
I transistori tetrodi servono come arnplifi
nl
catori di alta e media frequenza,per onde me'
die e corte.

T R A N S I S T O RAI D O P P I AB A S E
(unigiunzione)

In molti tipi di circuiti, nele calcolatrici


elettror:iehe,negli interruttori a tempo, in rel
elettronici. necessario uno speciale transistore, costituito sclamente da due strati PN
o NP. Gli elettro<ii di questo speciale transistore sono sempl'c tre. In luogo di emittorebase-collettore,com' per i normali transistori,
troviamo come tel'minali un emittore, una ba'
se 1 ed una base 2
Per una migtiore comprensioneprendiamo
il transistore tetrodo di fig. 19 e togliamo ad
sso lcr strato che costituisce il collettore: il
rlsultato sar quello di ottenere un transistore
unigiunzione (fig. 20).

FOTOTRANSISTORE
Un'altra propriet interessantedel germanio
quella di esseresensibilealla luce. I fototransistori si comportanoin modo diverso dalle cellule fotoelettriche.Infatti, mentre le cellule fotoelettriche quando vengono colpitg dalla luce
eroganocorrente, il fototransistore,colpito dalla
Iuce, fa variare solamentela sua resistenzainterna che diminuisce.
In altre parole iI fototransistore si com'
oorta come una resistenza di valor.'eelevato
h", u" colpita dalll luce, diminulsce di valore
lasciandosi attraversare facilmente dalla corrente.

Ccme si vede I'influenzadella luce ha una


granCe importanza per i transistori e questo
pure il motivo per cui essi vengonocostruiti
con una protezione metallica, oppure ricoperti
da una speciale vcrnice nera che li protegga
dalla luee.
Nei fototransistori invece, pure esseniloricoperti da una spr:cialevernice nera, viene lasciata srcopertauna piccola parte che co$ituifinestra'> Ccstinata a ricevere le vasce la <<
riazioni di luce.

-10-

I
Fig.

Fig.

2l

22

PNP

NPN

PNP

B zF i s ,
24

NPN

PNP

Rappresentazioni simbolche

dei ?R,4NSISTORI

PNP

l\\

Fis'
27

usate negli schem radioelettrc

PNP
Fig.
- 2l - Rappresentazionesimbolica del transistore a giunzioneo a punte tipo PNP. Nella figura
si n-otacome, per il tipo PNP, il trattino indicante I'emitiore porti, alla sua estremit
una freccia rivolta verso la base.
Fig.
- 22 - Rappresentazionesimbolica del trasistore a giunzioneo a punte tipo NPN. Nella ffgura
si n-otacome,per il tipo NPN, il trattino indicanteI'emiflore porti, alla sua estremit,una
freccia diretta verso I'esterno.
simbolica del transistore a sfraio aggiunlo. In figura si nota il quarto
Fig. 23 - Rappresentazione
cogamento,indicato con la lettera S; in molti schemi questo collegamentoviene talvolta volontariamente omesso(molte volte la lettera S sostituita con la lettera I). I1
tipo rappresentato il PNP, come si vede dalla freccia posta nel trattino dell'emittore
e rivolta verso la base.
Fig.
- 24 - Rapprewrtazione simbolica del transistoreletrodo. Con 81 si indica la base di controllo
mentre con 82 si indica la base d polarizzazione. Il transistore tetrodo si pu distinguere pure con la sua sigla che quasi sempreprecedutadal numero 3 (esempio:3N23A
aNZS - 3N30, ecc.). In figura rappresentatoil tipo NPN come si pu facilm,elte notare dalla frccia posta nel trattino dell'emittore e rivol,ta verso I'esterno del dischetto
nero.
Fig,
- 25 - Rappresentazionesimbolica del transistore lefrodo che si differenzia da quella tappreprsentatain figura 24 soltanto per il tipo che PNP come del resto si pu,facilmente
notare dalla frccia indicatrice posta nel trattino dell'em.iftore che rivolta verso la
base.
In questo
unigiunzione_>.
Fig.
- 2 - Rappresentazionesimbolica del transistore< a doppiabase>>o <<
tipo- di transistore manca il collettore ed i tre elettrodi sono costituiti dall'emittore e
da due basi.
- Rappresentazionesimbolica del fototransistore.La rappresentazione ar?aloga3 Suetl-q
Fig.27
de[ iransistore a giunzione;l'unica differenza, come si nota in figura, I'aggiunta di
una o pi frecce nella paite esterna e dirette verso il cerchietto nero:_queste frecce
stanno ad indicare il fascio di raggi luminosi che vanno ad eccitare il fototransistore.

I
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-11 -

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26

B2 F i g .
25

- :

GUIDA ALLA LETTURA DELLE TABELLE RELATIVE ALLE


DEI TRANSISTORI

CARATTERISTIC}IE

Le tabelle relative alle caratteristiche dei


transistori sono divtse in dodici colonne.

Appl.
Elettr. Transistore adatto per bassa fre'
quenza,ma costruito specificatamenteper le
calcolatriei elettroniche.

l" Colonna

Appl. Varie. Transistore adatto per bassa frequenza ehe pu servire per diversi scoai;
ad esempio come oscillatore di BF, AF'.MF
a secondadella sua frequenza limite di lavoro.

Nella prima colonna sono eleucate' i4 ordine numrieo ed alfabetieo,le sigle di identi'
ficazione di tutti i transistori.
?" Colonna

MlX. Transistore da utilizzate come miscela'


Nella secondacolonna indicato il tipo di
tore nello stadio convertitore di una sup+
reterodina; questo transistore funziona an'
transisto,re (PNP - NPN). La conoscenzadi tlueche ottimamnte come amplificatore di AF.
sto elemento fondamentale agli effetti del
polarit
dell'alimentatore.
colljegamentodelle
per AF costruito per essere
Praticamente nel tipo PNP il coilettore va MF. Transistore
impiegato qual amplificatore di media frepila
I'emitpolo
e
della
negativo
collegato al
qunr in n circuito supereterodina.
tore al positivo; nel tipo NPN invece il collettore va collegato al polo positivo e I'emittore COMM. Transistore adatto per calcolatrici eletal polo negativo.
troniche che pu servire in molti casi come
amplificatore di BF ecl oscillatore di BF3' Colonna
BF al silicone. Transistore adatto per BF e
Nella terza colonna indicata la destina'
norrnalmente usato come transistore di pozione di impiego del transistore. Viene indi
tenza. Questo tipo di transistore anzich
cato cio se il transistore adatto per l'alta
al germanio costruito al silicio. Ha il van'
frequenza oppure per la media o per la bassa
taggio di poter sopportare temperature su'
periori anche ai 1000 C.
frequenza, oppure se destinato ad usi speciali.
Le abbreviazioniindicate sono le seguenti:
FOTOTRANSISTORE.E' un transistore sensi
bile alla luce. Viene utilizzato in luogo di
AF. Transistore adatto a funzionare in eircuiti
cellule fotoelettriche.
atl alta freqttenza, come anrplifieatore ed
oscillatore.
VHF. Transistore adatto come amplifieatore ed
oscillatore per freqtlenze utr,tragorte {norOX . OSC. Transistcre adatto ad essereimpieimpiegato nei ricevitori TV ed
malmente
gato com oscillatore in alta frequenza; pu
FM).
anche peraltro funzionare quale amplifica'
Oscill. Sincr. TV. Transistore molto utilizzato
tore in alta frequenza.
nei circuiti di sincronismoTV'
BF. Transistore praticamente ttsato per tutti
Eleftr. AV. Tlansistore utilizzato nelle
quei montaggi tlove occorra amplificare una Calc.
calcolatrici elettroniche. Pu essere anche
tensione a basse frequenza.
utlizzato nei circuiti a bassa frequenza.
BF-preannplif.Transistore da usare in preva' Confatore AV - Transistore costruito per cal'
colatrici elettroniche che pu anehe essere
lenza come prearlplificatore di bassa freusato in BF.
quenza in quanto dotato di basso nrmore
di fondo.
Comm. Conf. HV. Transistore per calcolatrici
elettroniche.
BF finale. Transitoreper circuiti a bassa frequenzadi meilie potenzada rrsarecome am- 4' Colonna (tensionemassima al collettore).
In questa colonna viene indicato il valore
plificatore finale singolo od in circuiti in
massim della tensione che si pu applicare
controfase (push-pull).
al collettore. Esso costituisce il valore della
di punta mentre in normali eondizioni
tnsione
di
ero'
BF
cspace
di
Transrslore
BF.potenza.
la-tensione da applicars al eollettore
lavoro
di
gare una elevata potenza di uscita e da
dow superare la met del valore da noi
impiegare quale amplificatore ffnale sin- non
in questa colonna.
golo od in circuiti in controfase (push-pull). indicato
5" Colonna (eorrente massimaal collettore)BF-militare. Transistore di bassafrequenza imNella qriinta colonna indicato il valore
picgato dalle fcrze armate.
massimo dila corrente di collettore; anche in

questo caso occorre dire che in normal condi_


zioni di lavoro la corrente di co,llettore noradovr superare la met del valore indicato in
questa colonna.

esprimono in mIV la potenza d'uscita. in bassa


frequenza, di un transisto.re. Con qiesti dati
ci si pu rendere conto se un transistore dotato di potenza sufficiente a pilotare un altro
" Colonna (dissipazionein milliwatt del col_ transistore o a far funzionare- un altoparlante.
In molti casi essendotroppo picco,la l misura
lettore).
fatta in milliwatt si - preferito esprimere
Tutti i numeri indicati in questa
colonna
indican,o in milliwatt il valore della potenza la potenza in watt. Cos ad esempio
-watttiovando
scrittg bW si deve intendere b
e non
dissipata in calore dal collettore. Nei ^.asi
-iilein
5
milliwatt.
cui la potenza dissipata assume valore
vante, accanto al numero riportata la let_
tera W' che sta ad indicare la rnisura in watt, ll' Colonna (connessionidel transistore)
Normalmente si crede che le connessioni
Le potenze indicate si riferiscono ad una
temperatura ambiente di 2b" e ad una appl_ dei transistori siano tutte disposte nello stesso
Le concazione corretta dei transistori. euesti.'' se ordine lr-B-C- (emittore-base-collettore).
sprovvisti di aleite di raffreddament, dovran_ nessioni di molti transistori sono disposte inno essere applicati sopra piastre di raffredda_ vece in modo diverso tanto da potel creare
mento e, in ogni caso, sia le alette che le pia- co-nfusionenon solo al principianfe ma anche
all'esperto.
stre non dovranno mai superare i 80..
Il numero indicato in questa colonna corSono esclusi cla questi accotgimenti i tran- risponde
allo zoccolo figurato nelle tabelle.
sistori al silicio che possono funzionare a tem_
In certi casi per si leggeranno due nuperature anche superiori ai 100o.
meri affiancati. Questi due numeri si riferi7" Colonna.(Frequenzalimite di lavoro in MIIz). scono a due transistori, con relative connesIn questa colonna espressala frequenza sioni, disegnati uno di fianco all'altro nelle
massima di lavoro alla quale si pu fai fun- tabelle, i quali, pur avendo la stessa sigla di
riconoscimentoe pur presentandole stessecazionare il transistore per ottener da esso,il
massimo rendimento. euesto elemento molto ratteristiche, sono costruiti da case diverse e
importante ai fini di impiego del transistore presentano quindi una conformazione esteriore
diversa, un involucro, cio, di forma non stanspecialmenteper i tipi ad tta frequenza. In
Dassa rrequenza questo dato acquista
impor. dardizzata.
-amplificaiori
In molti casi in questa colonna stato o
ta-nzape-r_la _progettazionedegli
messo il numero di conispondenza con le taad alta fedelt.
vole. Ci dovuto al fatto-che le case costrut8" Colonna (coefficente di amplificazione).
trici non ci hanno inviato il disegno. Tuttavia
questa
In
colonna
indicat il coeffiente il Lettore, avendo sottomano il tiansistore di
_
di amplificazione dei transistori. Tale dato cui vuol conoscerele connessioni.
scorrendole
molto im.portante ai fini delle progettazioni de- tavole figurative, potr essere dicuro
di tro.
gli amplificatori di bassafreqenla per sapre vare la flgura
del suo transistore, e le ref,ase un transistore amplifica pi di un altro-.
tive connessioni. Nelle tavole figurative infatti
sono 4isegnati tutti indistintamente i transi9" Colonna (guadagnoin decibel).
I numeri indicati in questa colonna espri- stori di produzione mondiale.
l2n Colonna (casa costruttrice),
mono in decibel il rapporto tra la tensioae el
In questa colonna sono indicate le sigte
segnale. di bas,safrequenza alla sua uscita e
la tensrone del segnale di alta frequenza alla corrispondenti alla casa costruttrice del trnsistore.
sua entrata.
Ques,to- dato, che a tutta prima potrebbe
Nel caso di fonorivelatori, per tensione di
semDraredi relativa importanza,costituisceinentrata-s'intende quella a bassafrequenza fnr
nita dal fonorivelatore stesso. euest rapporto vece un motivo, di grande interesse, Volendo
prende il nome di guadagno dell'apparecchi infatti possedereun determinato tipo di transistore, di cui l'abituale fornitore 3ia sprwi_
radlo.
sto, oppure dovendo sostituire un traniistore
10" Colonna (potenza d'uscita in milliwatt).
con uno identico, conoscendoI'indirizzo della
Tutti i numeri indicati in questa colonna casa costruttrice, lo si po,trsempre richiedere.

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BF

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BF

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Western Elec.

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pnp

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CBS - Trans,
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Philco

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Clevite - Trans.
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Westinghouse

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Westinghouse

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Westinghouse

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Westinghouse

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pnp

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25 1500 2W

0,4 23

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Pnp

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pnp

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Westinghouse

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pnp

Commutazione

50

200

0,1

Westinghouse

2N75

pnp

Comnnufazione

20

200

0,1

Westinghouse

2N7

PNP

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20

10

150

0,1 34

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Comnrutazione

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25 400

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Westinghouse

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14-53 Fivre RCA GE

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RCA

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2N82

pnp

BF

20

15

35

0,4 60

25

CBS - Hytron

2N83

pnp

BF Potenza

60 1,54

0,4

30 900

Transitron

2N83A

pnp

BF Polenza

a,4

18 900

Transitron

2N84

p{tp

BF Pofenza

0,4 t2

32 400

Transitron

2.184A

pn'p

BF Potenza

10w
60 1,54 10w
56 1,54 10w
56 1,54 10w

0,4

18 400

Transitron

2N85

pnp

BF

4A

100

750

0'8 40

30

Transitron

2N8

Pnp

BF

60

100

750

0,8 20

26

Transitron

2N87

pnp

BF

30

100

750

0,8 20

26

Transitron

2N88

pnP

BF

t2

10

25

0,5 25

36

Transitron

2N89

pnp

BF

L2

10

25

0,5 25

36

Transitron

2N90

pnp

BF

t2

10

26

0,5 40

26

Transitrn

2N90C

pnp

BF

20

N,9t

pnp

Applic. Elett.

15

2N9IA

pnp

Applic. Eletf.

20

2N92

pnp

Applic.

Elet"t.

25

2N924

Pnp

Applic.

Elel"t.

20

2N93

npn

MIX.AF-OX

25

10

50

3,5

2N94

npn

AF-OX-tvllx

2A

30

2N94A

npn

AF.OX"MIX

20

2N95

npn

BF Potenza

.)R

GE

Transitron
10

5@

Transitron

0,? 26

Transitron
10

500

Transitron

0,7 30

Transitron

1500

30
2W

Radio RecePtor

32 100

Sylvania

25

35 100

Sylvania

a,4 23

23 750

32

Sylvania

25

-22-

iI

t"-

)LLE]
Tra

Tipo I Funzionamento

o
c
o +
o O

c >
o

.TORE

l s|t

3
e
o'= E =
dro

l o' 6 =
=
|

le

I Max.

35
l e ---o
| '5Frg $ = 's-.9
5't

o
c
o

6 8
: ?
J

n 5 . 9 E (,
l E
L

{
6 E

'=o
o o(,
.=
Y : g

qR

Fabbricanfe

5r

t o

65

9 G

2N9

pnp

BF

30

20

50

0,5

2N97

npn

MF

30

10

50

0,5 38

38

7t

Germanium

2N974

npn

MF

40

50

0,5 38

3B

7t

Germanium

2N98

npn

MF

40

10
10

50

0,8 47

47

7L

Germanium

2N98A

npn

MF

40

10

50

O,B 47

7l

Germanium

2N99

npn

MF

40

10

50

3,5

tf

47

7L

Germanium

2Nt00

flrp|1

MF

40

10

50

53

53

2N101

pnp

BF Potenz

25 l,5A

1W

0,4 23

23 750 7t-73 Sylvania

2NI(N

npn

tsF

25 1,5A.

1W

n4

23 750

77

Sylvania

2N103

npn

MF

35

10

50

35

71

Germanium

2Nt04

pnp

BF

30

50

150

v,l

33

4t

27

RCA

2Nt05

pnp

t5F

25

15

0,?l 42

42

72

RCA

2N106

pnp

tsF Preamplif.

20

10

35
100

0,8 28

36

7L

Raytheon

2N!07

pnp

BF

12

L0

0,6 20

3B

2Nr08

pnp

BF Finale

20

15

2NI09

pnp

BF

25

2 N tr 0

pnp

Commutazione

50

70
50

2NIII

pnp

MF

2NIIIA

pnp

MF

L5

2NiIt2

pnp

2Nil2A

RCA

23

4,7! 33

50
50

71-73 Germanium

5L-L4 GE

0,7

150

30

33

7L

CBS Hytron

27

Syl.-RCA-GT

2@

1,5

15 200

150

33

200

150

33

MF

15 200

150

35

pnp

MF

15

200

150

35

2Nll3

pnp

U I F .A F

100

10 33

35

7L

2 N tt 4

pnp

MIX AF. omm.

100

20

33

7L

2Nt r5

pnp

BF Potenzo

32 1,54

2W

0,4

2Nil

pnp

BF

2A

10

40

2 N II 7

npn

BF

30

25

150

2 N lt 8

npn

BF

30

25

2Nl l9

npn

BF

30

2Nr20

npn

8F

45

2N123

pnp

AF - MF -Comm.

15

2Nr24

npn

A F . M F . B F

2N125

npn

2Nt26
2N127

AF

7L

65

30

35

'Western

Electr.

Clevite - Rayth,
Clevite - Rayth.

35

Clevite - Rayth.

Raytheon
heon-Trans.
Raytheon GT

AmpereX
6

CBS- Hytron

Texas

150

25

150

Texas

25

150

Texas

125

150

30

10

50

40

71

A F . M F . g F

10

50

40

7l

npn

AF

10

50

00

7l

Texas

npn

AF.&TF"BF

10

50

7l

Texas

MF

BF

0,7 1 8

34

r+7 GE
Texas

'ORE
col .LET]
"
l o - l
b

Tipo

o + l
o O l

Funzionamento

5 oE E }
C r
I
o8
+ 5 5 '5'F
6 . 9 ii !s )! 0 r " E
'
rC
gt
I

3ll,

c >l
4 r lo

le

-l

O T

o=

gE

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tt:

Max'l Mr*

r'9 ?
oo. 3

r i C

(,

N.-

5u

i3

'=o
o o
. = 9
q u

iR

Fabbricanle

tro
o=
9r!

2NI28

pnp

AF-MF

10

30

65

73

Philco

2Nt29

pn'p

AF

4,5

30

30

73

Philco

2N130

pnp

BF

22

10

85

0,6 39

71

General T?ans.

AF-BF

40

100

100

4,7 40

7I

Haytneon u'

pnp

BF

30

10

85

0,8 41

3tA

pnp

BF

30

100

100

O,B 42

2N132

pnp

BF

t2

10

85

1,3 42

2NI3OA pnp
2NI3I

2Nr32A
2Nr33

39
4t
42

44

Raytheon

Raytheou

Raytheon

Ral'15*ott

Raytheon

Raytheon

pnp

AF

2A

100

100

pnp

BF Preamplif.

15

10

85

0,8 36

BF

20

100

100

0,8 38

AF-MF

20

50

100

29

29

t4-7

GE - Fivre

D1

31

14

GE - Fivre

33

33

t4

Fiwe

30

30

50

71

Raytheon

50

'ir

Raytheon

2 N l 3 3 A ,pnp
pnp
2{I35
2{t3

pnp

AF.MF

20

50

100

2{ I 37

pnp

AF.MF

10

50

100

2N138

pnp

tsF Finale

L2

20

50

t q

36

30

2 N I 3 8 A pnp

BF Finale

30 100

150

r,3

29

2 N l 3 8 B pnP

BF Finale

30

100

100

29

RCA

2N39

pnp

M F - A F

'tA

15

Raytheon

80

0'

30

30

27

27

30

27

RCA

2Nt40

pnp

Mtx-AF-OX

16

15

35

2Nt4l

pnp

BF Potenza

60

800

4W

0,4 18

26

31

Sylvania

2Nr42

npn.

BF Pofenza

60

800

4W

0,4 26

26

31

Sylvania

2N143
2!I44

pnp
nPn

BF Foenza
BF Fofenza

60
60

800

4W

o 4 . 26

26 600 31-73 Sylvania

800

4\il

0,4 28

26 600

31

Sylvania

30

30

Texas

2N145

npn

MF-AF-MIX

2A

65

2Nt4

nPn

MF-AF"MIX

20

65

r,

33

35

Texas

2N147

npn

MF 'AF . MIX

20

65

36

36

Texas

2NT48

npn

MF-AF

16

65

0,5 32

7L

Texas

2NI48A

nPn

MF-AF

32

65

0,5 32

71" Texas

2N149

npn

MF-AF"MIX

16

65

0,5 35

7l

exas
Texas

2 N l 4 9 A npn

AF-MF-MIX

32

65

0,5 35

7t

2N150

npn

AF-!!tF"Mlx

16

65

0,5 38

7T

Texas

2rt504

npn

MF

32

65

0,5 3B

1L

Texas

2Nrl5t

pnp

BF

20

10

2hr152

pnP

8F Fofenza

2NI53

pnp

BF Fofenza

r4

IlIallory

30

0,1

Mallory

30

0,1

Mallory

-24-

c()L!-E'rTORE
Tipo

Funzionamenlo

o
o +
o o
s >
c,
F
Max

| 5t
I

l =

l(,

2NT54

pnp

BF Po enza

30

Pn,p

BF Pertenza

30

2NT5

pnp

BF Potenza

2Nn57

pnp

BF Pofenza

2B{157A pnp

BF Potenza

90

3 A B,5W

Pnp

BF Potenza

60

2N,t58A pnp

BF Pcienza

80

3 A B,5W 0,15 37
A
8,5W 0 , 1 5 36

pnp

Comrnutazione

50

pnp

Appl. Elett.

30

npn

fvlF

2 N l 6 0 A npn

; !
l

,9(,

. = 9

go

E=

2N155

2Nt59

E= o o

E'

'i5

IE

gu

t'F

L ,

.t

e Eo

x s

rul

gR

5u

t.f

33 2 A

39

Fabbricanle

Mallorv

3 A 8,5W 0,15 30
3 0 3 A g,5w n 1 R 33
60 3 A B,5W 0,1 20

33 2 A

Sylv. - CBS

cBs
CBS

o 1 20

CBS

37 2 A

CBS
llRs

10

80

40

25

150

.Jlt

71

,54

7l

Germ.anium

7L

Germanium

7l

Germanium

Sprague
Sprague

MF

40l

25

r50

npn

AF

40

25

150

npn

AF

40

25

150

npn

AF

4A

25

150

2rt2A- n p n

38

Germanium

AF

40

25

150

3B

Germanium

npn

AF

40

25

150

40

2 N l 6 3 A npn

Germanium

AF

40

25

150

40

1.3

20

65

15

20

65

5 lsz
,n

Germanium

npn

MIX

25{I5

npn

MF.AF

2Nr

npn

AF . Cemrnufaz.

20

2!t

npn

AF - Conn*nufaz.

30

'tc

65

npn

MF

15

20

55

28

npn

F{tr!X-A:.0X"fE{F 1,5

20

65

28

npn

rF.Rtv.tsF

15

20

65

27

npn

BF

15

20

65

.),

npn

M F - B F

20

25

22

npn

MF. AF . OX

16

oa

22

22

pnp

BF Polenza

60 1 3 4

4W

40

Delco

pnp

BF Poienza

BO 1 3 4

4W

39

2Nt74A

Delco

pnp

8F Pefenza

80 1 5 A

85W

z$tI 75

pnp

BF

10

Pn'P

BF Pofenza

40

3A

pnp

BF Fofenza

40

3A

50
10\ry
10w

pnp

BF Pofenza

4A

60

?Nt9

2N172
?t{I73

2N178

A F - MF

_25_

39

25

36

25
25
65

Germaniu

Germanium
72

1+3 GE

32

GE
GE

26

t4
t4

GE

29

L4

GE RCA

22

14

j,85

GE

u.Ei

exas

- GE

Delco

43

43

27

RCA

25

35 2W

30

Il{otorola - Svl

30 2W

39

&fotorola

32 300

Motorola

--T

ru

ol

l c o l l e r r o n s l . .s5l o

5'E
I
"'* Funz'namen"
gl
3l
I
I *l
I

E3

c
' 6 . 9 1 o6 e O o E
i;=l 9 !

Tr

E."
*-o
I

2Nr80

pnp

BF Finale

20

25

150

0,7 50

34

10

2 N I8 T

pnp

9F Finale

30

38

250

0,7 34

37

65

2NI82

npn

'Fo
o o
. - g

3 9

gx

Fabbricanfe

q o

9 o

7L

CBS

7r

CBS
CBS

Commutazione

25

10

100

2,5 25

7L

10

100

40

71

CBS l{ytron
CBS

2htI83

npn

Cornmutazione

25

2N184

npn

Comrnufazione

25

10

100

10 60

7l

2Nt 85

pnp

BF Finale

20

150

150

0,4 26

2NI8

Pnp

BF Finale

25

200

100

0,8 28

28

51

0,8 28

30

L4

2Nl86A

pnp

BF Finale

25

200

200

2Nr87

pnp

BF Finale

25

200

100

30

30

t4

2Nl87A

pnp

EF Finale

25

200

200

30

32

14

2NI88

pnp

BF Finale

25

200

100

t,2 32

32

2 N I 8 8 A pnp

BF Finale

25

200

200

32

34

t4

90

t4

Texas
GE - Thomson
GE - Thomson
GE - Thomson
GE - Thomson
GE - Thomson
GE - Thomson

2Nr89

pnp

BF

25

50

'tD

0,8 37

87

14

2N190

pnp

BF

25

50

75

39

39

L4

2NI9I

pnp

BF

25

50

75

L,2 4L

4L

14

GE - Thomson
GE - Thornson
GE - Thomson

2NI92

pnp

BF

25

50

76

1,5 43

43

t4

GE - Thomson

2N193

npn

OX-MF.AF

1 F

50

50

'tc

Sylvania

Sylvania

Sylvania

2NI94

nPn

MIX-MF.AF

15

50

50

15

2Nt94A

npn

ndF

20

100

50

20

2N195

pnp

BF

t2

30

200

Transistor

2Nl9

pnp

BF

25

30

200

Transistor

2F,ll97

pnp

EF

25

30

200

Transistor

2ilr198

pnp

BF

25

30

200

Transistor

2hrl99

pnp

BF

25

30

200

Transistor

2N200

pnp

BF

25

30

350

Transistor

2N204

pnp

BF,MF

25

100

350

Transistor

2r205

pnp

15 100

350

Transistor

AF.MF
BF-MF

30

50

'ID

EF-MF

L2

20

50

?N2O7A pnp

EF

t2

20

2N2078

Pnp

tsF

t2

2t{21I

npn

OX.&lF.AF

2N2t2

npn

MIX . AF

?f92I3

npn

Rtr

2N20

pnp

2N207

pnp

15

7L

RCA

73

Philco

50

73

Philco

20

50

73

Philco

10

50

40

10

50

50

22

40

100

50

o 1 39

O,B 47

35

Sylvania

10
22

Sylvania

Sylvania

-26I
!

L^

Transislon

I rpo

Funzionamenlo

o O

tr>
o
F

5<
i E

(,o

2N214

npn

2N2t4M Pnp

2r{2t5

25
BF Finale
BF

'i' oF g
a t

)a)

O G

r.E

' 6 . 9 o|
-g !o
x:q

i-9

o, L
otr

L E

]t5 e

qtr,

Max M*

2 N 2 1 3 A pnp

sc ' F5 o

40

100

150

10 3B

40

'to

125

0,6 26
0,6

40

ta

t25

30

COI.LETTORE
o

()

Is

iE
E g

8,.

5r

'=o
o o
' = 9
vJ9

Fabbricanfe

6 9
c - c o

C,=
(JrE

o.

Sylvania

Sylvania

Sylvania

26 200

Pnp I B F
npn
B F - A F . M F

50

150

2N2I6

15

50

2N217

pnP

:5

70

50
50

2N2l8

pnp

MF

15

80 6.80 3 0

2N2t9

pnp

MIX . AF

A E

15

80

10

2N220

pnp

BF

10

50

0,8 43

2N222

pnp

Appl. Varie

30

2N223

pnp

EF

1B 150

200

0,6

73

Philco

2N224

Pnp

BF Finale

9E

150

250

0,5

73

Philco

2N225

pnp

BF Finale

25

150

250

0,5

73

Philco

2N226

pnp

BF Finale

30

150

250

0,4

73

Philco

2N227

pnp

BF Finale

JU

150

250

0,4

2N228

npn

BF Finale

40

50

50

0,6 23

2N229

n,pn

BF AF

12

40

50

2N230

pnp

BF Folenza

30

2A

15W

2N231

pnp

AF

45

2N2gl

pnp

AF

45

2N233

npn

AF.MF

10

50

50

AF

10

50

50

pnp

BF Polenza

30

3A

25W

25

Bendix

2N234A pnp

BF Pofenza

30

3A

25W

25

Bendix

2N235

pnp

BF Pofenza

40

3A

25W

2N235A pnp

BF Potenza

40

3A

25W

40

2N2358 p n p

BF Pofenza

40

3A

25W

60

2N233A npn
2N234

2N236

pnp

EIF

26

0,7

.1t,

?t

RCA
Sylvania

27

RCA

27

RCA

27

RCA

27

RCA

BF Po,tenza

40

3A

25W

40

3A

25W

2t237

pnp

BF Pofenza

2N23S

pnP

BF Pafenza

20

2N240

pnp

Somrnutazione

2r{24I

pnp

BF Finale

2N24tA

pnp

BF

20

1"50

Philco

zts 100

15

Sylvania

Sylvania

0,1

BF Fsienza

Mallory

20
30
4,5

73

Philco

73

Philco

Sylvania

Sylvania

ilendix

Bendix
39

Bendix - Sylv.
Bendix

60
0,5 42

50

0,4

15

30

50

25

200

qR

200

27
26

General Trans.

2N23B pnp

Finale

0,7 33
2

.5 I

Bendix
7l

Marvelco

Texas

73

PhiIco

100

JD

L4

GE

200

t,

t4

GE

Transistorc Tlpo I

Funzionamento

cor-!*ETT(}eF
at
g

'oFi g

tr>
F

Et
(,
o

o"=

Max

Max.

2A

20w

9 4
o 6

q E ,

6 t

sl
E'
| cgt
'u.e
" 96 l

3 E ' =I| .YE!


g

S - l

lL5

o o.l
0
IJ

3El()

4,7 30

2N242

pnp

BF Pofenza

41

2h{?43

npn

BF

dl

Silicone

60

60

750

20

30

?h{a44

npn

BF

cl

9ilicone

60

60

750

4A

2v4247

pnP

.AF - MF

t2

10

BO

JU

?ry

2N24S

pnp

BF

30

50

2r{249

pnp

AF

350

0.4

200

2N!250

pnp

SF Pofenza

30

2^

12W

t1

2r{251

pnp

BF Fefenza

60

2A

12W

0.1

2F{?52

pnp

N1IX . MF

16

${253

n'pn

ftAF - MlX

T2

2r{?54

npn

MF . MIX

?N255

pnp

2N25

pnp

Fabbricanle

{rl

33 500

39

Sylvania

71, Texas
40

7l

Texas

15

RCA

Texas
Texas

60

39

Texas

39

Texas
Texas

30

28

65

32

Texas

20

65

Texas

tsF Fefenza

15

3A

1500

BF Polenza

30

0,2

iu

32

27 2W

2W

0,7 60

3 0 5W

pnp

EF Potenza

40

?N258

pnp

AF

.L5

2N260

pnp

BF

10

50

200

I , B 38

pnp

tsF

30

50

200

1 R

'tD

50

200

2A

24 1W

1500

2N257

2{?04

E
*:I.!,*

3S

CBS - Sylvania
CBS

39
4

Clev. - Sylvania
Fhilco

77

Philco Clevite

7l

Philco Clevite

1,8 36

77

Clevite

38

2N2l

pnp

BF

2N262

pnp

bF

10

50

200

40

71

Clevite

2N?2A pnp

BF

30

50

200

40

7l

Clevite

2N23

AF

40

20

!25

100
45

npn

GE - Thomson

7L

Clevite - RCA

28

32

Ctrevite- RCA

20

32

Clevite - RCA

72

RCA

7T

RCA

7l

R.aytheon
Raytheon

pnp

BF

25

50

2N267

pnp

.rt E

t2

10

80

2{268

pnp

BF Fofenza

BO

2N2684 pnp

EF Fotenza

60

Commufazione

24

100

120

12

BF Finale

OR

150

250

25

AF

1 0 200

150

1t| 2S

2Fr?69

pnp

2$,1?70 Bnp
2N271

pnp

2W
2W

30
At^z ^

Texas
14

2N265

'lc

35

*3

34

60

2Nr27lA pnp

IVIF

IU

200

150

10

{o

2N272

pnp

,gF

JT

100

150

12

7t
7t

2rs?73

pnp

AF

30

100

150

29

7l

Raytheon

2N274

pnp

AF

35

10

80

+c

73

RCA

2N277

pnp

BF Fotenza

40 1 2 4

?ha278

pnp

EF Foienza

55\ry
1 2 4 55\ry
-28-

30

Raytheon

0,5 34

Delco

0,5 34

Delco

Tipo

Funzionamenfo

o
o r

le | 6t

?N281

cl
'5
6 . '! [

6 i

iigft ' F g a *
{,
o (

J (

l o
ltJ
,.1Mr"-

2N279

0t-t-E'rTORE
i'
l o -

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t.eE

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t o

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0 a

r
o
o
SE
Ht

3Eo

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rl 5*
.i*|
"rl
o o

;l

'El UI
I.Sl R i

Fabbricante
Feblrricanle

pnp

BF

20

10

125

0,3

7l

Amperex

pnp

BF

20

10

725

0,3

71

pnp

Amperex

BF

16

50

0,35 34

7t

Amperex

10

50

167 0,35 23

7T

Arnperex

20

10

r25

0,5

71

Amperex

pnp

3B
390

pnp

BF

pnp

Q9

L25

t25

0,35

71

Amperex

pnp

ox
ox

60

125

L25 0,35

71

pn,p

Amperex

BF Fotenza

40

300 25W

pnp

tsF Fofenza

40

300 25W

pnp

RF Pofenza

70 t 2 A

pnp

EF

25

200

npn

MF.AF

15

20

65

npn

MF

AF

15

20

65

pnp

BF

25

200

300

pnp

Potenza BF

60

2A

25W

pnp

BF Pofenza

50

5A

35W

BF Pofenza

50

5A

35W

pnp

AF

4,t

20

90

pnp

AF

4,a

20

85

pnp

BF Pofenza

40

2A

1lW

33

3. 2,7\{

pnp

BF Pofenza

40

2A

1lW

33

32

pnp

Varie

60

2A

11\4/

2N'303

pnp

Varie

1 0 200

150

2N306

npn

tsF

15

pnp

EF Pofenza

35

1A

50
10w

?N3O7A pnp

BF Pofenza

35

2A

r.7w

2N308

pnp

f\,lF - MIX

20

2N3(}9

pnp

MF.MIX.AF

20

2N310

pnp

MF . MIX

30

2 N 3 lI

pnp

Comrnufazione

15 20(

2N3I2

npn

Comrnufazione

15

2N3I3

npn

MF

2N3r4

npn

MF.AF

pnp

Commufazione

2N290
21,1292

2N297

2N297A pnp
2N300

AF
15
|

15

20{

Bendix
Kc 38

55W

2-

180

fta

31

Bendix

0w 5W

Deico

50 500 7r-6 Texas

t55

36

22

GE

28

30

22

GE

6
0,4 30

Texas
29

5Kc

Svlvani

Clevite

0,5

Clevite

20

.i n'a\

74

Phileo

74

Phileo

39 iCA
39

RCA

7L

RCA

14

7l

RCA - Ravfh

0,6 34

- Rsvfh

Svlveni

r.5w 39

vlvania

22

39

Sylvania

30

39

Texas

so-

4L

Texas

30

28

37

Texas

25

72

GT - Motorola

72

Sytrvania- GT

0,3 3 0
n 9

. J

.ID

2C

65

20

65
100

2A

50
B

36

GE

39

39

GE
72

GT

coL!EII ORE
-o

rl
c
rans

Tipo

Funzionamenio

t "
o + l
o c l
E > l

r f l' ; =

9 I,
**[-

i
I

9 Eo
E r
6'E
o
*
B

,F5
.j! .0

H
t6T

: e

t 6 !

FE
L C

qf,

lL=

vfax.

E!

q
(9
'4
f

P I

ielg R
.o= ou
9 0

o cl

Fabbricante

$rl
c o

9(o

10 200

100

t2

12

GT

200

100

20

72

GT

Foto Transisfori

t2

2A

50

0,75

24

GT

BF

2 0 , 200

240

2N316

pnp

Cornmutaz!one

2N317

pnp

Commuiazione

2N318

pnp

2N319

pnp

33

30

50 52-56

31

50

52

32

50

52

GE

20

200

.-)n

200

2,5 48
48
240' ;t

100

140

70 48

52

GE

to

100

r40

O K

90

80

52

GE

BF

16

100

140

80

95

52

GE

pnp

BF Po?enza

35

2A

12W

2N32

pnp

BF Potenza

35 2 A

7W

0,2

3B

2N327

pnp

tsF

50

335

0,3 30

72

Raytheon

0,2

72

Raytheon

72

Raytheon

2ilr320

pnP

6F

2N321

pnp

EF

2N322

pnp

EF

2N323

pnp

BF

2P'I324

pnp

2N325

240

100

Sylvania
Sylvania - CBS

2r{3274

pnP

BF

'U

100

350

2N328

pnP

SF Potenza

35

100

335 0,35

?!{028A

pnp

BF

50

100

350

0,3 30

72

Raytheon

2N329

pnp

BF

30

100

335

0 , 6 34

72

Raytheon

2N3294

pnp

BF

100

350

0,5

72

Raytheon

2N330

pn,p

tsF

45

50

335

0 , 5 30

72

Raytheon

2N3304

pnp

BF

50

100

350

0,5 34

72

Raytheon

2N331

pnp

BF

30

200

200

AA

72

RCA

2N332

npn

25

2N333

npn

BF-Commutazione 45
BF-Comnnutazione 4.5

2N334

npn

!F

?N335

npn

EF

?"t336

at

150

I
I

l4

54-64 GE Texas

25

150

t4

54-64 GE Texas

25

150

13

4r5

25

150

npn

EF-Commufazione 45

25

150

15

?hr337

npn

BF

45

20

125

?N338

npn

Comrnulazione-BF

45

20

2N339

npn

BF Fofenza

DD

2N'340

npn

BF

2[1341

npn

BF

2N342

npn

2N343

54

GE Texas

13

72

Texas GE

12142

54

GE Texas

1 0 55

72

GE Texas

125

2A 99

72

GE Texas

60

1W

15

30

72

GE Texas

85

50

3 0 1 3 0 300

72

GE Texas

125

40

30

72

GE Texas

EF Fsfenza

60

60

1W
1W
1W

30

72

GE Texas

npn

BF Pofenza

60

60

1W

30

72

GE Texas

2N344

pnp

AF. MF

40

50

73

Philco

2{345

pnp

AF-MF

40

50

73

PhiIco

-30-

l_
l
I

42

coller
I cqLLErroRE

ransi

l!

i
Funzi.namen"
j g=,$l
lrrlsrl
E=
iulgr
ll3 I E
(,

Tipo

o
dt

sEl
E:
Ed
f

2t{346

Irno.luo"|I i$
I| "*.1**

pnp

AF-MF

pnp

AF.MF

40

3A
3A

40

95

10w 0,5 30
1Ory 0.5

'E-eI

.=
It

'oEo 3I l

E '
6 l
R.'

5u

5r

g Ri

Fabbricante

t r o l
o = l :

t"l

1B

13

Philco

3 1 4\M

39

Texas

2N351

pnp

BF Polenza

40

2N352

pnp

BF Polenza

40 2 A

25W

0,1 3U 2,5r1 lC\

pnp

40

Philco

EF Polenza

40

2A

30tr/

0,7 30

40

Philco
':hilco

QO

33

- Motnr

4'w 39

5W t 0\4i

2N354

pn,p

BF

25

50

150

2N,355

pnp

73

BF

10

50

150

78

npn

ilhilco - Texas

Commulazione

1a 100

L20

72

GT-RCA-Sv

npn

Commtriazione

15

100

r20

30

72

npn

GT-RCA-Syl.

Commufazione

12

100

120

30

pnp

72

GT - RCA

BF

20

400

168

1r,

100

72

Raytheon

pnp

BF

40 400

160

1 t

50

72

Raytheon

nPn

BF

30

50

150

2,5

2N35

72

Texas

npn

BF

30

50 |

150

2N36

72

Texas

npn

BF

30

50

150

3,5

72

Texas

Pnp

BF

30

50

150

0,7

72

Texas

pnp

BF

30

50

150

4,4

2N39

72

Texas

pnp

BF

30

50

2N370

pnp

AF

24

30

150 | 1,3
80 3 0 3 1

2N371

pnp

ox - Mtx

24

20

80

pnp

ox . Mtx

241 20

80

pnp

Mtx

24

10

BO

pnp

MF

24

10

80

pnp

Commutazione

BO 3 A

45W

pnp

BF Pofenza

40 3 A

1o\ry 5Kc

npn

Cornmutazione

20 | 200

pnp

BF Pofenza

40

5A

50\4/

5Kc

Tung Sol

pnp

BF Pofenza

BO 5 A

Tung Sol

EF Pofenza

60

5A

50w
50w

5Kc

pnp
pnp

BF Finale

25

200

200

pnp

BF Finale

25

20(

200

1 , 5 33

pnp

BF Finale

25

20c

200

pnp

BF-VI.IF.VAF

30

10

2N357
2N32

2N373
2N375

2N378

2N382

npn lComrnutazione I ZS

150

120
150

32 4W

72

Texas

7l

RCA

7T

RCA

30 2,5

7l

RCA

30

40

71

RCA

3 0 40

7t

RCA

39

Motorola

39

Motorola - RCA

30

J,()

0,10
35 4W

72

Tung SoI

/llc

31

500

100 15

60

Tung Sol
Tung Sol

ctr

Sylvania

60
34

Tung Sol
RCA

72

Sylvania

c o L LETTCIRE
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Trans

Funzionamenio

t lpo

I '
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G'

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Fabbricante

:xx

5u-

#Jo

g o
(Jrd

2N386

pnp

BF Finale

60

3A

12W

0,7

40

Philco

2N387

pnp

tsF Finale

BO 3 A l

12W

0,6

40

Philco

2N388

npn

!omnnufazlone

2A 200|

150

72

Sylvania

49

Texas

2N389

npn

BF Finale

?$,t392

pnp

BF Finale

2h{393

Pnp

Commulazione

?N394

pnp

Ccmmutazione

2AI BsW
60 5 A l ? 0 w

60

501

Delco

0,6
40

50

150

5,5

1 0 2001 150

73

Philco

52

GE
GE

150

52

2001 150

52

GE

1 5 2501 150

10

52

GE

Cornmutazione

10i 1101 50

60

52

RCA

pnp

EF Pofenza

40

3Al 25rtr

6Kc

2hr400

pnp

BF

50

Bendix

2N4004

pnp

BF

40

Bendix

2N40t

pnp

SF

40

?N4(n

pnp

BF

20

25W | 0,8 30
37
6
150 180

2hr403

pnp

BF

20

200

2N404

pnp

Commutazione

24

1001 r20

2!{405

pnp

BF Psfenza

18

35

150 0,65 43

27

RCA

20t40

pnp

tsF Potenza

1B

35

150 u , 6 5 43

27

RCA

2N407

p " pl a r

?hr395

pnp

Conrnnutazione

1 5 200

2N396

pnp

Comrnufazione

20

?N397

pnp

ommutazione

2N398

pnp

2N399

z h r + o el p n p l n r

3 Al

l 1 B 70
I 1Bl 70

?{409 I pnp liur


| 13 I D
pnp lmr
2{410
I 13 I D
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2M4't2 pnp lzuttx- AF - ox
2rq413 pnp lar
I i8 | 2oo
?hr4t3A p n p I M F

fN4'17

lPnP

72

Westingnouse
GE RCA

150

65

33

21 I RCA

150

65133

27 lRcA

80

6,7I 38
e 1
3B

27 | RCA

80
80

5,10

80

2? I RCA

at

2? IRCA

32

27

RCA

150

t 6

33

72

Raytheon

150

2 , 5 33

72

Raytneon

Raytheon

16

200

150

2 , 5 33

72

Raytheon

200

150

35

72

Raytneon

AAF

10 200

150

1 0 30

12

Raytneon

12

200

150

10 20

12

J{F

AF

2A

150

2A 27

18

Raytheon
Kaytn. - rung,

pnp IOSC
pnp

Westinghouse

MF

2N416

72

150

2 N 4 1 4 4 pnp
? N 4 1 5 A pnp

ao

Eendrx - l'YrY

200

AF

?ht4l5

180 0,85

39

72

pnp

?B{414

1 5 200

Bendix

33

1 R

10

-32-

C t) L L E ' ITORE I
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Tipo

IEE
iFE

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Funzionamenlo

l5

Max

ET

l El " : . :

lM*

2N49

pnp

Potenza

40 3 A 12W

2N420

0,3 4

pnp

Commutazione

trsaro;

40

0,5 45

pnp

Commutazione

25

pnp

Commufazione

25

pnp

BF

20

2N422
2N424

l r !
t +

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5A

25W

gt
a

Er

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39

50
50
100

150

Fabbricante

o
o=

lxrt
l{ro

Sylvania

39

Ravtheon

O,B 38

72

Raytheon

20

npn

BF Potenza

30 2 A

4W

49

pnp

Texas

Commulazione

30

1A

150

2,5

72

Ravfh

2N42

pnp

Commufazione

30

1A

150

2N427

pnp

72

Ravth-

- Mnfnr

Commufazione

30

1A

150

2N428

pnp

72

Ravth. - Mofor

Commutazionc

30

1A

150

10

72

n,Pn

Applic. varic

Rayth. - Motor.

10

30

100

25

72

Rayth.

npn

AF . B F

30

30

100

23

72

CBS

2N431

npn

AF - B F

30

30

100

25

2N433

npn

AF . BF

30

30

npn

AF . B F

30

30

100
100

28

2N434

20

npn

Corrmutazione

25

100

2,5

2N438A npn

Applic. varie

25

150

25

2N439

Appl. varie

20

100

2A

150

25

100

npn

2N439A npn Commufazione


2N440
npn Commulazione

2N447
2N449

2N454

150

30

72

cBs

72

cRs
GT

10

72

npn

Commutazione

cBs

25

150

10

npn

72

GT

Commutazione

25

120

0,5

npn

Commutazione

20

100

r,

npn

72
72

GT

Commutazione

20

100

npn

72

GT

Commufazionc

16

100

72

npn

GT

MF

15

20

65

23

npn

GE

MF

15

20

65

24

pnp

gommulazione.AF

GE

30

30

150

25

t4

GE

npn

BF Potenza

oo

5A

B5W

0,4 4

npn

56

GE

BF Potenza

65

2A

B5W

0,4 2,5

npn

56

BF Pofenz.6

GE

OD

2A

85Iry

0,4 6

npn

56

BF Pofenza

GE

40

5A

0,4

pnp

56

BF Potenza

GE

60

5A

50w
50w

39

Texas

39

Texas

pnp IBF pofenza

8 0 15 A l o o w

10

GT

Mofnn

,ORE
o

**,,,"rl
Tipo

Funzionamenlo

lp . 5
H
E

I
B.-r
l3 l

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r l E T5 t
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Y

Fabbricante

c o
o=
(,ru

39

Texas

0,5

400

50
50
200

t,2 34

72

Tung SoI

45

400

200

t,2 37

Tung Sol

Commufazione

40

200

150

0,5

75

Philco

pnp

BF Potenza

60

5A

37W

2N464

pnP

BF

40 100

150

0r7

40

18

Wesferh E[ec.
Rayth. - Motor.

2N45

pnp

BF

30 100

150

0,8 42

18

2N4

pnp

BF

20

100

150

18

2N467

pnP

BF

15

100

150

7 , 2 45

18

Rayth. - Motor.
Rayth. - Motor.
Rayth. - Motor.

2N49

pnp

Pholo transistore

15

72

GT
Raytheon

2N458

pnp

BF Potenza

60 5 A

2N459

pnp

BF Potenza

60

5A

2N40

pnp

BF Potenza

45

2N4l

pnp

BF Potenza

2N42

pnP

2N43

50

Tung Sol

2N481

pnp

osc.

t2

20

150

72

2N492

pnp

MF

t2

20

150

3'5

72

Raytheon

2N493

pnP MF

12

20

150

5,5

Raytheon

2N484

pnp

MF

12

20

150

10

72
72

2N485

pnp

OX.AF

L2

10

150

7,5

72

Raytheon

t2

72

Raytheon

Raytheon

2N48

pnp

OX

t2

10

150

2N489

nPn

o5c.

45

?0

450

0,9

55-64 GE

2N490

npn

60

70

600

0,7

55-64 GE

2N49t

npn

60

50

npn

60

50

2N494

npn

60

50

350 0,8
350 0,?
350 0,65

55-64 GE

2N492

osc.
osc.
osc.
osc.

2N495

pnp

AF.OX

25

50

150

15

2N49

pnp

Commutazione

10

50

150

15

55-64 GE
55-64 GE
150 64-55 Philco
72

Philco

72
72
72

Texas - Philco
Texas - Philco
Texas - Philco

500

72

Philco

50

300

72

Philco

50

70

200

72

Philco

20

50

26

100 1 1

Fhilco

25

50

50

50

72
73

BF

40

100

50

0,6

7L

Sylvania

BF

40

100

50

0,6

7t

Sylvania

100 200

4W
4W

50

75

60

200

2N497

npn

BF Finale

2N498

npn

BF Finale

2N499
2N50()

pnp

OX.AF.VHF

Pnp

VHF

20

50

76

2N50t

pnp

ComJrutazione

15

50

2N502

pnp

VHF

20

2N503

pnp

VHF

2N504

pnp

AF

2N50

pnp

2N507

pnp

ox

MF

1B

-34-

10

100

35

Philco

C O L L E 'rTORE
Tipo

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Funzionamenlo

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Fabbricanle

c o

2N508

pnp

BF Finale

16

100

14t0

3,5

2N509

pn'p

AF

30

40

225

750

npn

MF

18

10

23

npn

Svlvania

MF

1B

10

50
50

25

npn

Sylvania

MF

1B

10

50

27

pnp

Sylvania

Appl. varie

t2

725

150

11

2N519

pnp

Commufazione

15

100

2N520

pnF

Commutazione

L2

100

pnp

Commulazione

10

100

pnp

Commutazione

18

100

pnp Commufazione

16

100

pnp

BF

+5

500

225

pnp

BF

45

500

225

2,5

pnp

BF

45

500

225

pnp

52

BF

GE

45

500

225

3,3

52

GE

2N5t6
2N5t8

2N525

2N529

ZN5JZ

2N533

2Ns35A

2N540
2N544

62

GE

72

W'estern EIec.

72

GT

72

GT

72

GT

15

72

GT

2l

72

52

GE

52

GE

pnp

BF

15

100

2,5

BF

72

GT

PnP

15

100

pnp

BF

72

GT

15

100

3,5

pnp

BF

72

GT

15

100

pnp

72

BF

GT

15

100

4,5

pnp

BF

25

25

pnp

BF

72
T3

GT

50

20

20

50

pnp

BF

20

20

50

pnp

BF

20

20

50

pnp

Commufazione

20

30

50

73
73
73
73

Philco
Philco
Philco
Philco
Philco

pnp

BF Pofenza

BO

10w

0'8

pnp

BF Pofenza

80

10w

0,8

pnp

BF Potenza

80

Minneanol

BF Potenza

80

10w
10w

0,7

pnp

0,7

Minnoqnnli

Minneaoolis

pnp

BF Potenza

BO

1oltr

0,6

pnp

BF Potenza

80

10w

0,6

pnp

AF

24

10

npn

Comm.-OX-BF

30

500

pnp

BF

BO 4 A

80

30

Minneannli

30,4

71

72
12W

-35-

0,8 20

RCA
Transitron
Delco

eTr

" e e;;I
l
O + l

rans

Tipo

Funzionamento

l (

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2N554

pnP

EF

20

3 A 40w

0,8 20

2N555

pnp

BF

40

3A

40w

0,8 34

2F.r55 npn

coLLETTO R E

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f F
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l.l

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o
o-

. 9st9
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Fabbricante

g o
o=
(J r

Motorola
35 2W

39

Motorola
Sylvania

Cornmufazione

25

200

100

50

7Z

2N557

npn

Cornmutazione

2Q

20c

100

30

72

Sylvania

2N558

npn

Connmutazione

15

20t

100

30

72

Sylvania

2N559

pnp Commufazione

15

5(

150

72

Western Elec.

2N5l

pnP

BF Potenza

bU

5A

50w

2{53

pnp

EF

25

30t

150

0,8

7L

GT

2N564

pnp

BF

25

30(

120

0,8

72

2N55

pnp

, 30(

150

2t

30(

RCA

0,5 24,6

7L

GT

t20

I
I

72

GT

2N56

pnP

tsF
tsF

2N57

pnp

BF

25

30(

150

1,5

7t

GT

2N568

pnp

BF

25

30(

t20

1 , 5 120

72

GT

2N59

pnp

BF

2{

30(

150

t.

7L

GT

72

GT

7L

GT

72

GT

2N570

pnp

BF

2Q

30(

t20

2N571

pnP

BF

10 30(

150

2?t572

pnp

BF

30(

120

2N574

pnp

BF Potenza

6C 154

25W

0,6

ivLrnneapous

2N5744 pnp

EF Pofenza

BO 154

25W

0,6

Il[inneaPolrs

2N575

pnp

BF Potenza

60 L5A

25W

0,5

lv1inneapofis

2N5754

pnp

&F Potenza

BO 154

25W

0,5

lrnneapous

npn

Cornmufazione

20

40c

200

72

Sylvanla

2N57

2t

40(

200

72

Sylvania

2t

u,

7l

2N5764 npn Commutazione


pnp Photo lransisfore
?N577

26

7Z

RCA"

72
'2

RCA

12

RCA.

14

72

RCA

2A 40t

L20

t4

40(

t20

srnvnuiazione

t4

40(

L20

t5

pnp

Cemmufazione

10(

80

2N582

pnp

Comrnuiazione

A A
I:

10c

120

2N583

pnp

Commulazione

l5

20(

150

2ht584

pnp

Commutazione

t4

100

120

L4

72

RCA

2N585

npn

Conrmutazione

24

20(

120

72

RCA

2N58

pnp

ommulazione

45

25(

260

7L

RCA

2N587

npn

Commutazione

20

72

Sylvania

2r.t578

pnp

2N579

pnp Commutazione

2580

pnp

2hr58l

Commutazione

150

RCA

7'

30

-36--

Transislo

I rpo

Funzionamenio

COLLETTORE
-l
o
tr*

.9s

O +

To.=g I s.: E E
i 3 ( ,

g ;
o

Mu,

Max.

2.{588

pnp

VHF

2N589

pnp

BF Fotenza

2N59t

pnp

2N59?

s 5 o '9= '--o oo
'5
o .'9Fgot 0 = F ' 8 3
lH=
o#

tl"
("t c

t L c
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t

('

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g.E

*tt
goo
o
a.

Fabbricanfe

e o

3;

ao I zoo

2A

50

i00

3A

EF

32

20

pnp

Ccrnmulazione

20

2N593

pnp

Cemrnutazione

30

125 | 0,4
125 | 0,6

2N594

pnp

ornmufazione

20

100 | 1,5

GT

2ht595

pnp

Comrnutazione

15

pnp

f emmutazione

10

10013
10015

GT

2N596

2N597

pnp

e cmnrulazione

40

400

250

72

Philco

2ru598

pnp

Commutazione

40

400

250

72

Philco

?N599

pnp

Connmufazione

3 0 400

250

1B

72

Philco

2il!600

pnP

e arnmulazione

20 400

750

pnp

Commufazione

20

720

72
72

Philco

?t",r602
2N603

pnp

Cosnmurtazione

20

r20

72

GT

2f.!604

pnp

Com.rnulazione

20

120

72

GT

2N05

37Wle
50 | o,? 41

73

Philco

40

Philco

72
72

RCA
GT
GT

GT

GT

pnp

AF

15

12A

20

72

GT

pnp

AF

15

120

25

2hl607

72

GT

pnp

AF

15

120

30

2N08

72

pnp

/\F

15

120

35

72

GT

pnp

BF Finale

20

200

180

30

72

Westinghouse

pnp

BF Finale

20

200

180

28

72

pnp

Westinghouse

BF Finale

20

200

180

26

72

Westinghouse

pnp

BF

20

150

180

0 , 6 37

72

Westinghouse

2NIO

npn

BF Finale

2A 200

180 0,85 32

72

pnP

Westinghor.rse

MF

15

150

125

.J

26

2NI5

pnp

Mf

72

Westinghouse

1 5 150

t25

34

72

2NI6

Westinghouse

pnp

BF

t2

150

r25

20

2r{617

72

Westinghouse

Pnp

nF

1 2 150

r25

7 . 5 30

72

Westinghouse

pnp

BF. Commufaz.

80

3A

45W

0,5

39

Motorola

npn

BF

40

100

337

0,2

Raytheon

2N20

npn

SF

30

100

337 0,35

Raytheon

2N2I

npn

BF

20

100

2N622

npn

Raytheon ,

2A

100

2N623

pnp

337 c,50
337 4,25 34
40 200

AF.OX.TV

30

15

72

Raytheon

72

Texas

f-:

col-LET'rORE

Tipo

Funzionamento

E:I
'H r I

(l
E r

EIo
.Fl

HI

#l
2N624

pnp

BF

10

2N625

npn

Commutazione

30

2N626

npn

BF Potenza

30

2N627

npn

2N28

t ol

O E

M"*

10

o '

oto
9 !
D

(,

100 12,5 20
2,5W

50

3A

10w

0,7

BF Pofenza

40 104

50w

nPn

EF Potenza

60 10A' 50\M

2N629

npn

tsF Pofenza

2N30

npn

BF, Potenza

50w
100 104 50w

2N3I

pnp

8F Finale

'=o

r 'o6 o8

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E l
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g
g'

IE

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N

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;
o

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Fabbricanfe

E?
72

Sylvania

72

Sylvania
RCA

Motorola

BO 104

39
39
39

Motorola

50

1,5 35

39
72

Raytheon

20

170

Motorola
Motorola
Raytheon

2N632

pnp

BF

24

50

150

25

72

2N33

pnp

BF Finale

30

50

160

0,8 25

72

Raytheon

2N634

npn

Connmulazione

20

300

150

GE

2N35

npn

Commutazionc

20

300

150

10

52
52

2N3

npn

Commutazione

20

300

150

15

52

GE

2N637

pnp

BF Pofenza

40

5A

25W

45

Bendix

2N37A pnp

BF Pofenza

70

5A

25W

45

Bendix

2N378 Pnp
pnp
2N638

BF Potenza

BO

5A

25W

45

Bendix

BF Potenza

40

5A

25W

30

Bendix

2N384

pnp

BF Pofenza

70

5A

25W

30

Bendix

2N388

pnp

BF Pofenza

80

5A

25W

30

Bendix

2N639

pnp

BF Potenza

40

5A

25rw

23

Bendix

2N394 pnp

BF Potenza

80

5A

25W

23

Bendix

25W

43

Bendix

GE

2N398

pnp

Commutazione

BO

5A

2N640

pnp

AF

34

10

80

42

28

7L

RCA

2N47

pnp

AF

34

10

80

42

28

71

RCA

2N42

pnp

osc.

29

100

120

20

2N43

pnp

Commulazionc

29

100

120

20

72 RCA
1ia RCA

2N44

pnp

Commufazione

29

100

t20

60

RCA
RCA"

RCA

2N45

pnp

Commutazione

29

100

t20

54

72

2N47

pnp

BF

10

50

100

54

72

2N49

pnp

BF

80

5A

25W

2N50

pnp

BF

25

250

250

RCA

23
42

18

Motorola
Motorola

2N5I

pnp

BF

25

250

200

2,5

18

2N52

Pn'P

BF

25

250

200

46

18

Motorola

2N53

pnp

BF

15

250

200

42

18

Motorola

COLLETORE
T

I rpo

Funzionamento

o
O +
!!o
F >

et

fi<

M.*

F
o

Max.

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I
0

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'o8o3

G
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N

c
o
o
o-

Fabbricanfe

c o

3;

2N54

pnp

BF

1 5 250

200

, r

44

18

2N55

pnp

BF

15 250

200

46

2N56

18

npn

BF

60

10

2!U57

Texas

npn

BF

4W
4W

T4

2N58

Texas

pnp

Commutazione

16

1A

175

2,5

2N59

72

Raytheon

pnp

Commulazione

t4

1A

1?5

pnp

72

Raytheon

Commutazione

20

1A

175

10

pnp

72

Raytheon

Commufazione

19

1A

175

15

2N662

pnp

72

Raytheon

Comnrutazione

20

1A

175

72

Raytheon

2N5

pnp

EF Pofenza

BO

5A

35W

pnp

BF Polenza

40

3A

10w

pnp

BF

40

2A

300

pnp

BF Potenza

40

2A

1W

0,5

2N672

pnp

BF Polenza

25

2L

300

0,6

2N677

15

75

40

2N677A

pnp lAppl. varie


pnp Appl. varie

1 5 t26

40

2N6778

pn'p

Appl. varie

1 5 250

40

Appl. varie

15

250

40

pnp

Appl. varie

2N678A pnp

Appl. varie

76
1 5 r25

75

2N788

pnp

App!. varie

15

75

2N78C pnp

l\ppl. varie

15 250

2N679

npn

Commulazione

20

2N95

pnp

Commutazione

15

2N700

pnp

VHF. AF . OX

30

2N705

pnP

Interruflore

15

50

2Nl0t0

npn

BF

10

2A

2NI0l7

pnp

ommutazione

1 0 400

150

2Nt02l

pnp

BF Pofenza

100 5 A

2Nt022

pnp

BF Pofenza

r20 5 A

50w
50w

2Nlt43

pnp

AF

15

50

2Nt05

pnp

Commutazione

50

300

240

0.5

GE

2Nr057
2Nr058

pnp

Commutazione

+D

300

24A

0.5

GE

npn

osc.

20

50

50

2N670

2N677C pnp
2N678

200

100 200

0,20

2W

0,6

39

Motorola

72
4t

Philco
Philco
Philco

ID

250

ID

150
20

Motorola

Delco
40

_tD

Motorola

50
50

600

72

Sylvania

61

Motorola

61

Motorola

ID

52
72

RCA

15

72

Raytheon
Texas
Texas

18

22,5

7L

Sylvania

coLLET'roREI
r l ;_=I- g *
l
|

{
c
O+l

Tipo

Funzionamento

,tt
e 5 oc '3EF = .'o=8oo3
5 ' E.oto
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E*

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:EE
I
M*l o - I

l
o
l

o . = l

Ma:r.

,**,

n'pn B F F i n a l c

15

100
500

180

5W o,75

2Nt07

npn

BF Pofenza

30

2Nr08

npn

BF

30 1,5A'

1o\ry 0,5

2Nt069

npn

BF

45

50w

4A
4A

50w

6.=
N

9s.

iq
o
q.

: f
; N

Fabbricante

c o

E;
72

Sylvania

72

RCA

RCA

0,5

RCA

0,5

RCA

2N1070 npn

BF

40

2Nr086 npn

osc.

10

20

65

24

GE

2N

npn

05c.

10

20

65

24

GE

2Nt087

npn

osc.

10

20

65

72

GE

Cornmufazione

1 5 400

120

tct

72

RCA

Cornmulazions

L2

400

t20

20

72

RCA

BF

30

500

2W 0,75

72

RCA

2N1090 npn
2Nt09l

n,Fi

2N1092 npn
2Nt097

pnp

BF Finale

26

100

140

GE

2Nr098

'pnp

BF Finale

20

100

t40

GE

2 N tI 0 l

npn

BF Finale

25

100

180 0,10

100

180 0,10

2Nlt(n

npn

BF Finale

25

2 N II 2 l

npn

MF

1"5

20

65

Commulazione

40

400

750

pnp

BF Finale

26

100

140

pnP

BF Finale

26

100

140

2[.ll123 pnp

2Nr144
2NI r45

7L

Sylvania
Sylvania

GE

O,B
72

Philco

GE
GE
DLC

BF Foienza

50

5A

45W

0,10 37

2 N I 1 9 8 npn

Commulazione

25

'lD

65

1,5

2'49

npn

AF . MIX

15

29

Giappon

2T50

npn

tvlF

15

29

Giappone

2T5l

npn

BF

20

29

Giappone

2T52

npn

Comm. Cont. HV

15 200

29

Giappone

2T63

n'ptr

AF.BF

20

29

Giappone
Giappone

2 N tI 8

pnp

100

GE

2T64

npn

AF

15

29

265

npn

BF

20

29

Giappone

2T66

npn

M F - A F

15

29

Giappone

273

npn

AF

15

29

Giappone
Giappone
Giappone

2T76

npn

MF

15

29

2T201

pnp

AF . MIX

15

29

_40_

40 25

!aE
t

I
I

COLLETTORE
lr

I rpo

Funzionamento

a,
t
O +
12o

E >
Max.

2T5t9

npn

fi<

F
o
IJ
Max.

.E

o
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O

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6 E

8.8
L C

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3

3 3
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15

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E
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5u

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gg

Fabbricante

c o

3;
29

Giappone

3Nl8

pnp

AF

30

Sylvania

3Nt9

pnp

AF

30

Sylvania

3N20

pnp

AF

30

3N2l

pnp

Commutazione

60

3N22

npn

AF

15

15

3N23

npn

A F . V I D E O . O } 30

50

L4

L2

Germanium

3Nr23A

npn

A F - V I D E O . O } 30

50

35

12

T4

Germanium

3N238

npn

A F - V I D E O . O X 30

50

20

11

15

Germanium

3N23C

npn

AF . VIDEO

30

50

70

r7

Germanium

3${25

pnp

AF . VHF

15

26

200

Texas

3N25/

pnp

AF . VHF

15

25

200

Texas

3N29

npn Tetrodi AF

16

2A

50

40

10

3N30

nrpn

Tetrodi AF

16

20

50

80

3N3I

npn

Tetrodi AF

16

20

50

3N32

npn

AF Tetrodo Silic

30

10

125

4,3

20

72

Texas

3N33

npn

AF Tefrodo Silic

30

10

L25

L2

18

72

Texas

3N34

npn

AF

30

20

125

100

16

72

Texas

3N35

npn

AF

30

20

L25

150

72

Texas

3N3

nPn

AF

16

20

50

57

GE

3N37

npn

AF

16

20

90

57

GE

3N300

npn

VIDEO

30

30
30
50

o)

S1'lvania

100

Sylvania
Western Elee-

10

GE

10

10

GE

BO 1 0

10

GE

t7

4JDIA3

BF

30

10

200

0,5

4JDI45

Commulazione

30

10

200

0,5

4JDIA

BF

45

10

IC

0,5

NF

45

155

0,5

4JDIAI

pnp

4JDI83

pnp

Appl. varie

45

20

200

0,9

L4

GE

4 J D I8 3

pnp

Commulazione

30

1A

200

O,B

14

GE

4JDI84

pnp

.Appl. varie

45

20

200

0,8

14

GE

4JDI84

pnp

Commulazione

30

1A

200

0,8

14

GE

15

Transisfore ipo

5
<
E

Funzionamento
I

o
E *
.- a

o#

i5-

lg.li

H=
f O

8.:
.EE ]t'J
o=

L T

'=o
'o6o3
fto

Fabbricanle

l o

3?

4J04A4

GE

4J04AS

GE

30Tt

Thomson

3lTt

Thomson

32TI

Thomson

33Tl

Thomson

34Tl

Thomson

35Tl

Thomson

36Tl

Thomson

37l

Mlx-AF.OX

Thomson

988T1

BF Finale

Tho,mson

99lTt

Thomson

8tR

GT

I09R

GT

200

Texas

201

Texas

202

Texas

204A.

Texas

206

Texas

207

BF

Texas

208

BF

Texas
Texas

2t0

220
221

MF

Texas

MF

Texas

222

Texas

223

Texas

224

Texas

225

Texas

227

Texas

228

Texas

229

Texas
Texas

-42-

I
C t) L L E ' rTORE
o
l
o
c
I E *
.9 I

Is-

Transislorr Tipo

Funzionamenlo

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F
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E;

.=
X
Eu

o ;
( J

25

30 35

:to
x
E O

Fabbricante

235

pnp

MF-AF

10

100

3@

pnp

BF

30

10

100

0,5 70

30r

pnp

BF

30

10

100

0,5 70

20

38

27

Texas

302

pnp

BF

30

10

100

u,b 70

20

38

27

Texas

3r0

Pnp

BF.AF

20

10

100

1 '

90

42

38

27

Texas

320

npn

MF

20

Nucleonic

330

pnp

BF

20

Nucleonic

340

pnp

BF

20

Nucleonic

350
352

pnp

BF

20

Texas

pnP

BF Potenza

30

10

50

0,5 70

20

38

27

Texas

353

pnp

BF Polenza

20

10

50

0,5 70

20

38

27

Texas

354

pnp

tsF Poienza

30

20

40

30

355

npn

BF

20

440CE

pnp

BF Potenza

25

1A

16W

DD

I\lallory

44rCE

pnp

BF Polenza

30

2A

16\ry

20

1\(allory

442CE

pnp

BF Pofenza

25

500

3W

35

Mallory

501

npn

AF.OX-MIX

15

700

npn

BF

20

Texas

721

pnp

BF

20

Raytheon

722

pnP

BF

20

Raytheon

725

pnp

BF

20

Raytheon

727

pnp

BF

20

Raytheon

751

pn,p B F

20

Raytheon

759

pnp

AF

20

Raytheon

70

pnp

AF

20

760R

pnp

BF

20

10

7IR

pnp

EF

20

10

782

npn

AF-OX.MIX

15

800

npn

Fofo - Transistore

20

830

npn

Mtx. AF. Ox

20

10

45

903

nPn B F

30

25

150

13

904

npn

BF

30

25

150

25

9044

npn

BF

30

25

150

40

905

npn

BF

30

25

150

50

Iexas

20

38

Texas

27

Texas

50

Texas

2W

Texas

250

Texas

Raytheon

720
65

Texas

r.00 42

Texas

4A

2l

Texas

Iexas

Iexas

Iexas

15

l c cI!.LETTORE
@

l1 .r9t=;l5 <l |
I

ransistorel Tipo I

Funzionamento

|l Ff;slI

t r 1
o
l
( J l

nr*-l
l"*.1
30

9t0

npn

BF

925

npn

AF

ox

15

926

npn

AF-OX

30

25

.ei

'a=
F

ct
150

3-r:lE:l
l
Ehl5*i
5l
s=ltla
6

Texas
Texas

30
10

Fabbricante

Texas

725

Texas

951
q52

npn

BF Pofenza

50

60

750

t7

npn

tsF Poie'nza

BO

50

750

17

Texas

953

nPn

BF Pofenza

120

4C

750

40

Texas

970

npn

BF Fotenza

120 14C

8W

20

1033

pnp

I 034
't035
'I03

BF Potenza

26

1t

Texas

50

0,5 1 A

20

38

,n

20

3B

27

Clevite

Clevite

pnp

BF Potenza

26

50

0,5 'tu

pnp

BF Po*enza

26

50

0,5 70

20

3B

27

Clevite

pnP

BF Potenza

26

50

0 , 5 70

38

27

Clevite

r 320

pnP

BF Polenza

26

1t

50

7A

20
,(r

3B

q4

r 330

pnp

BF Potenza

26

1(

DU

0 , 5 70

20

38

.tn

Clevite

r 340

pnp

EF Potenza

26

1(

50

0 , 5 70

2A

38

27

Clevite

I 350
't30

pnp

tsF Fotenza

26

50

0,5 7{)

20

38

27

Clevite

pnp

BF Polenza

26

1(

50

0,5

20

38

r 390
r400

pnp

AF

15

20

40

50

2t

Clevite

pnp

AF-MF

ID

_tt

20

40

50

2l

Clevite

14t0

pnp

AF.MF

20

4A

50

2t

Clevite

r 609

npn

pnp

BF

1l

AA

pnp

BF

AAA

pnp

BF

IO

AO

pnp

BF

ID

0,4

Nat. Aicraft

AI

pnp

BF

15

4,4

Nat. Aicraft

A2

pnp

SF

15

0,4

Nat. Aicraft

35

35

Clev. Intermet.

rza

MF

Clevite

Clevite

AOt

pnp

NRF-OX.MIX

At98

pnp

Appl. varie

10(

AR5

pnp

BF Polenza

3(

AR6

pnp

BF Fotcnza

3(

TE-KA-DE

-44i,i

COLLETTORE I
O
I
t,, I olrq#|95

'F=' : o
G

lgl
*L+l
+
li

r,- ,un,,on"",,"*o
I

' F
! r!.=
x

;5r ou
o

'o8o3
t:, o
E N
tro

Fabbricanle

3;

Bll3
Bl78
Bt79

l4inneapolis

Minneapolis
lVlinneapolis

BF di Potenza

Minneapolis
CKIS

cKl4
cKl6
cKtT
BF l-ow Noise

cK25

Appl. varie

cK25

Appl. varie

cK27

Appl. varie

CK4

cK65
CK

cK67

25 | 101

80 | 0,4

.B

col.LETlroRE I

Tipo

E
I
O + l

Funzionamenfo

l e

M*l' M * l

iI

t
t

g E og .

r+ |
g
.H EfI tf;g
I =
EI
EE

o T

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g I

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6
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12!

t o
9

O -

L T

|J.5 9

'g= ' = o
-DE

a F
(!.=

9lr

'oaO3

R
c o

Fabbricenta

o=
(ro

10

30

1,2 90

42

Raytheon

16

10

30

0,8 25

36

Raytheou

B F (AF)

30

10

L,2 t4

23

50

pnp

tsF

10

100

100

pnp

AF-MF

10

10

20

25

30

50

cK725

pnp

BF di Potenza

20

cK726

Pn,P

BF

25

cK727

pnp

BF Preamplif.

CK75I

pnp

cK754
cK759

Raytheon

1,2 00

2l

Raytheon

cK70

pnp

AF . MF. OX

10

100

40

35

Raytheon

cK7l

pnp

10

35

Raytheon

pnp

10

100
100

10 45

cK762

AF . MF. OX
&1tx - AF

65

36

Raytheon

cK766

pnp

AF

10

10

45

10 45

2l

Raytheon

cK766A

pnp

AF

10

10

1D

10 45

2l

Raytheon

cK78

pnp M I X . M F . A F

15

100

150

2,6 20

cK780
cK781

pnp

BF

10

0,7

pnp

BF

10

0,7

cK782

pnp

Preamplif. BF

10

0,7

cK783
cK784

pn.p

BF di Pofenza

20

0,4

pnp

Freampl. BF

10

0,7

cK785

pnp

BF di Folenza

10

20

Raytheon

0,4
0,4 L4

Raytleon

0,6 24

Raytheon

Raytheon

cK790

pnp

BF

20

200

200

cK79l

pnp

BF

20

200

200

cK792

pnp

BF

20

cK793

pnp

BF

20

200

200

0'B 1 6

Raytheon

cK870

pnp

BF

20

150

130

0,5 L2

Raytheon

cK87l

pnp

BF

1 5 150

130

0,6 20

Raytheon

cK882

pnp

AF. BF

15

50

cK888

pnp

BF Pofenza

20

10

cQt

pnp

BF

40

75
25
150

1 t

90

t,4 .20
30

0,5

2t

Raytheon

?f,.

Raytheon
Naz. Marvelco

d i Potenza

40

0,1

Clevite

cTPl003 pnP

BF di Potenza

40

0,1

Clev. Intermet.

cTPl004 pnp

BF di Potenza

40

8A

2W

0r1

40

Clev. Intermet.

cTPl005 pnp

BF di Potenza

40

8A

2W

0,1 40

Clev. Intermet.

CTPT006pnp

BF di Pofenza

4A B A

2W

I o,r 40 I

cTPl002 pnp B F

-46-

COLLETTORE

'l
s'

Md.lMd. I i5

BF di Poienza

;lei
Fabbricanle

Intermetall

BF di Potenza

Intermetall
Intermetall
Intermetall

BF di Poienza

BF Appl. varie

Tung Sol I

_47 _

F
fi

COLLETTORE

rl
fl

Funzionamento

: E EI 5

DRIOI

DRI09
DRI29

DRI30
DRISI

DRT32
DRI,{
DRl49
DRI50

BF di Potenza

DRI54
DR.l55

EW5I

EW53
EW58
EW59

Gt0
GII

GIIA

BF di Potenza

40

Fabbricante

coL L E TTORE
o

Tr

Tipo

Clr

Funzionamenlo

9 0

b >

GA52609 npn

E!E

GA52829 pn'p

BF

G452829 pnp

o +
Ff E
5
o.=
o

(,

Ma.

Mu,

'Hr ' : o
'E

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; E '6
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gg

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dl

'o8o3
R
so :;t E r p . S g
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ftr

EI

3 O

s.o A ('
L C

u"5

o E

5u.
; d

(,E

Fabbricante

3;

2A

0,4

20

o4

A,ppl. varie

20

0,4

G452837 pnp

Appl. varie

2A

0,4

G452996 p n p

Appl. varie

2A

GETI

pnp

B F di Potenza

12

20

50

GET2

pnP

EF di Potenza

30

150

200

0,5 42

GETS

pnp

tsF di Potenza

30

250

150

pnp

FF di Poienza

30

250

150

GET5

pnp

BF di Pofenza

40

350

300

a,g

UU

GET

pnp

tsF di Potenza

1 5 250

150

CE

&ET7

pnp

BF di Potenza

15

BA

2W

40

GETS

pnp

BF di Fofcnza

30

8A

2W

40

GETIO

pnp

eommutazione

40

500

300

1,1

GETI5

pnp

EF Finale

1 5 350

300

0,9 60

2t

GETI

pnp

EF Finale

30

350

300

0,9 60

23 200

69

Gec

GET2O

pnp

BF.Commutazione 30

500

300

1 . 1 55

29

69

-iec

G E T I 0 2 pnp

&F

30

150

200

0,5 42

BO

GETl03 pnp

BF Fe*enza

30

254

150

55

2BI60

GETI04 pnp

EF Fofenza

30

250

150

55

G E T T 0 5 pnp

EF Fotenza

40

350

300

0,s

BF

15

250

150

G E T I I O pnp

Cernn'luazione

40

500

300

rrr

G E T IT 3 pnp

BF Finale

15

150

200

G E T I I 4 pnp

EF Poienza

1.5 250

150

GETlO

pnp

Wesfern

Western Elec.
Western Elec.
Western Elec.

0,5

Gec
BO

65

55

28

60

oa

Gec

55

2S

60

65

Gec

200

69

Gec

65

Gec

28

Gec

Gec
Gec

69

r00 60
60

GEC
Gec

GEC

oc

Gec

29160

OD

Gec

23 200

69

Gec

55

28

65

Gec

69

Gec

65

Gec

55

80

25

60

65

Gec

G E T II 5

pnp

BF Finale

15 350

300

0,9 60

27 200

69

Gec

GETI

pnp

EF Finale

30

350

300

0,9 60

23 200

69

Gec

G E T I 2 0 pnp

B F.om.mutazione

30

500

28

60

69

Gec

BF di Potenza

16

3A

300
10w

1.1

GET57I pnp

?w

39

Gec

GEf572

tsF ,i

Polenza

32

800

10w

39

GET573 pnp

Gec

tsF di Potenza

60

500 10w

GET87I p n p

4W

39

Gec

AF-Commufazione 1 5

25

DD

65

GET872 pnp

Gec

AF-Commr.rfazione L2

25

10 60

65

Gec

pnp

EI

a3

COLLETORE

"rr,*.*l
Tipo

Funzionamento

o
E
O +
9 0
E >
o

fi ;E<
I

Mar.

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O{t
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C

6 E

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L

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3

19

s ?' 6l E
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o o

r"=l
N

gR

Ehl

o
o.

Fabbricante

c o
o=

l 9 o
I

GET873 pnp

M F . A F

12

10

DD

35

35

65

Gec

GT874 pnp

OX . MIX. AF

L2

10

55

1 0 40

20

65

Gec

42

GFT2O

pnp

BF

10

10

26

0,3

GFT2I

pnp

BF

15

10

50

0,3 90

GFT26

pnp

EF Folenza

12

GFT32

pnp

EF Potenza

16

10

50

GFT44

pnp

ox-Mlx-AF

15

10

GFT45

pnp

BF Potenza

15

GFT2OOpnp

BF Poienza

L2

2A

4W

GFT4OI2 p n p

BF Pofema

30

rlA

12W

TE - KA. DE
2L

TE-KA-DE
1]E-KA-DE

0,1
0,5

42

TE-KA-DE

15

40

TE-KA-D.U

TE-KA-DE

40

25

TE-KA-DE

0,1

TE - KA.

50

DIj

LZ5, o,4 28

36

General Trans.

90

0,4 28

36

General rans.

100

100

0,4 45

40

General Ttans.

50

90
30

0,4 42

40

General Trans.

0,4 45

36

General TTans.

100

125

0,6 15

34

General Trans.

200

150

10

32

General rans.

GTI4

pnp

BF

25

100

GTT4H

pn,p

tsF Miniatura

L2

50

GT2O

pnp

BF

25

GT20H

pnp

BF Miniatura

L2

GT24

pnp

BF

GT34

pnp

BF

25

GT34HV Pnp

Commulazione

50

GT34HV pnp

Appl. varie

20

GT34N

pnp

Neon Luce

GT34S

pnp

R.iv. BF

GT35

npn

GT38

General rans.

0,4

General

100 200

t25

18

40

200

L2

15

32

General rans.

Ltr

45

200

t26

0,4 40

40

General rans.

pnp

tsF

2A

GT

pnp

Fototrans

t2

20

GTV4

pnp

25

100

Gf75

pnp

25

100

BF

General

0,4
24

General

ITanS'

'rrans.

r00

42

t25

0,4 ' t c

42

General rans'

t25

0,4 50

44

General rans.

'JO

42

General rans.

50

0,4

GTSI

pnp

EF

25

100

L25

GTSIH

pnp

BF Miniatura

t2

50

90

0,4 BO

42

General Trans'

GTSIHS

PnP

BF

pnp

BF

150
125

0,4 .20

GT82

25 200
25 100

0,4 50

46

General rans'
General Taans'

GT83

pnp

Conlafore BF

25

200

0,4 35

40

General Trans.

GT87

pnp

Coniatore BF

25

200

125
t25

0,5 28

36

General Trans.

GT88

Pnp

SF

25

200

t25

65

42

General Trans.

COLLETTORE
o

Transistore T i p o

Funzionarnenlo

O +
q o
E >
U
{f*,

'EFtg

5f

o
I

c.=

Max.

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tr
o
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56'
L

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'E=

o
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q @
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ftr

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G.=
N

5lL
4
o

{9

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o

iio
Y

Fabbricante

tro
U

r,5w

NT.K.R.

0,4

10

20w

0,4 20

2A l,5W

1\{.K.R.

5W

0,4 1 6

L7

1W

M.K.R.

800 80w

FII

pnp

EF Fotenza

60

*42

pnp

BF Fotenza

60 1,44

r-{3

pnp

tsF Fotenza

60

350

${34

Pn,P BF Polenza

60

Hi[

pnp

tsF Pstenza

60

H4A

60

H5

Pnp BF Fotenza
pnp EF Potenza

60

8A

20w

0,1 L4

1 6 2,5\4

M.K.R.

H6

pnp

BF Fofenza

60

8A

20w

0,1 t4

16 2,5\

M.K.R.

F{7

pnP

BF Fotenza

60

8A

20w

0,1 14

16 2,5W

!4?00E

pnp

BF Fotenza

28

40

CBS Nat. CRA

37

CBS Nat. CF'A

M.K.R.

0,1
500

5W

0,4 2L

M.K.R.

20

M.K.R.

0,1

t000

t"tAl

pnp

triF

20

10

50

a,4 40

.t42

Bnp

$tr

20

10

0,4 30

F{43

pnp

EF

20

L2

HAE

pnp

BF

20

10

50
50
50

{1,4 40

40

CBS l{at. CRA

HA9

pnp

EF

20

10

50

0,4 30

37

CBS Nat. CR^A

HAlO

pnp

BF

20

L2

50

n4

CBS tIat. CRA

0,4 35

CBS Nat. CIIA

35

BF

20

0,4

Hughes

E{As{XD nPn B F

20

0,4

Hughes

HA5003 nrPn E F

20

0,4

Hughes
Hughes

HA500l

npn

!{A501|

nFn

SF

2A

0,4

HA50l4

nFn

BF

20

0,4

Hughes
Hughes

E{A75OI pnP

BF Silicone

60

100

500

0,5

500

${A7502 pnp

RF 5i!icone

60

100

500

0,9

t00

Ilughes

t-tA7503 pnp

BF Silicone

110 100

500

0,5

500

Ilughes

!-tA7505 pnp

f,iF Siliconc

500

0,5

500

Hughes

500

Hughes

20

500

F{A7506 pnp

EF Silicone

500

500

0,5

F{i7508 pnp

EF

60

100

500

0,5

F{A7507 pnp

EF Silicone

20

100

500

1,5

10

50

F|cl

pnp

Commutazione

20

$.rDt97

pnp

SF Potenza

30

!-lFl

pnp

AF

15

50

Hughes

500

Ilughes

0,1

c.B.s.
c.B.s.

Marvelco

0,7 45

40

COLLETTORE
o

Transistore

Funzionamenlo

5
<
F
(or _
Ms.

o
g

o r
.FE
q=
O E

i:i,ts
hls=*

Fabbricanla

National C.R.A"
National C.R.A.
National C.R.A.

r-ts4

National C.R.A.

!{JT5

r-iJt7D

*F

Finala

{IX.OX-AF

rFl
tF2

Nat. Mal.-Aicraf

Nat. Mal.-Aicraf
Nat. Mal.-Aicraf

Malvelco-Aicraf
Nat. Malvelco
Nat. Mal.-Aicraf

Nat. Mal.-Aieraf

COLLETTORE
o
g

Tipo

Funzionamenlo

O +
t40

F >
M*

fi<
tr
(,o

o
C *

'oF+ g
=
o E

e 3o

'5
d .'eEtg'g ! q
g

!a'u

t g ot
L'C

t:l'gr
rl5*

Fabbricante

L5t08

Philco

L 5 II 3 L

Philco

L 5 II 4 L

Fhilco

L5il

Phileo

L5T2I

Philco

L5122

Philco

LTst4

CBS

LT5I5L

cBs
cBs

LT5t5

Mistral - Microf.
Nlistral - Microf.
Mistral - Microf.

Mistral - Microf.

ox.Mtx.MF

Mistral - Microf.
Mistral - Microf.

Mistral - Microf.

ll{o'torola
Mo'torola
Motorola
Motorola
Mc.torola

COLLETTORE
o
tr

I rpo

Funzionamenlo

O +
6 o
r >
o
F
M*

HEIet

Fabbricante

Motorola
Motorola
Motorola
]\tlotorola
l\{otorola

ll{otorola
Motorola
MN32

Motorola

MN48

Motorola
Motorola

4NBL
Mll9

NPN3

Philips

oc7

Philips

ocl0
ocil
oct2

Philips

Philips

oct5

Miniwatt

Philips

Philips
OCIG

oct9

Radiotechnique

Philips-I\{iniw.
- c b -

c(, L L E l.TORE
I o

Is
.9
a,

Tipo

Funaionamenlo

9 0

ts>
M"*

ac26

pnp

AF

oc27

pnp

tsF Pelenza

oc28
ac29

pnp

crnmufazione

pnp

oc30
oc32
oe33
oc34

i Et

s oc

E ';5 'sFg 6

I El ':F g FE 3 g
a O

l =

l o
lc,

I-i-r.* l . : E

'H= =
6

L C

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t,

9t

('

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gl

F
r! .-_
H

: ! o
g N

l.u
;!o
o

3;

Fabbricante

10

50

3,54

12W

0,4 90

39

Philips-Miniw.

6A

12\4r

50

39

Philips-Miniw.

Comnnu*azicne

60

6A

12W

60

39

Philips-Miniw.

pnp

BF Pofenza

30 1,4A'

2W

36

39

Philips-Miniw.

pnp

BF

30

pnp

BF

20

10

50

4,2

29

Nucleonics-Int.

pnp

BF

20

10

50

8,2

42

Nucleonics-Int.

Csffirnutazionc

30

6A

12W

6A

12W

20

0,2

Philips

30 1W

oc35

pnp

oe36
oc37

ptlp

Comn'lutazionc

30

pnp

.App9,varie

zfr

oc44

pnp

,alx-AF-ox

l5

10

45

15

oc45

pnp

AF.MF

15

10

20

oc4
oc47

pnr9

e crnrnu. rapide

20

100

pnp

eommuf. rapide

2A

100

oc50

pnp

ocsr

pnp

A.ppl; varie

oc57

pnp

EF &liniatr.rra

oc58
oc59

pnp

EF ldnialura

oc0
oc5

pnp

SF Miniafura

pnp

oc6

pnp

oe 70

pnp

$F

c7'!

pnp

BF

20

IU

25

n !

ac72
oc73
oc74

pnp

&F Potenza

30

10

50

u , a 70

pnp

FF

10

65

0,5

pnp

RF Felenza

30

300

550

oc75

pnp

BF

30

50

'IO

ocv6

pnp

Conrmsi, Fleftr.

32

ac77

pnp

Cornnrut, Elcftr.

20t
60 20c

oc80

pnP

eonntrrufazione

30

600

oI39

npn

Caleo!. F!eft. AV

20

oct40

npn

Caleol" Eleff. AV

20

West.-Interrnet.

39

Philips

39

Philips

0,1

20

125

10

t20

It)

Philips
40

40

2L

Phitrips-Miniw.

50

21

Philips-Miniw.

2L

Philips-Miniw.

2L

Fhilips-Miniw.
Ampefes

q 6

Amperes

10

u , a 50

2B

Amperes-Miniw.

l0

0.{ 70

28

Amperes-Miniw.

10

n ( 100

28

Ampere-Miniw.

l"o

10

0 , 1 100

28

Amperes-Miniw.

BF.

16

10

0,3 30

RF Mlniafura

16

f,0

30

3
3

0,3 30

2l

Philips-Amper.

2L

Philips-Amper.

27

Philips-Amper.

pnp

94

IL.,

47
2A

3B

Amperes
Amperes

Valv. dmperes
100

I20

27

Philips

0 , ? 90

21

Philips

100 0,1: 70

27

AmperesValu

200

u, 70

2T

lWiniw.-Philips

550

100

27

Miniw.-Philips

200

21

Miniw.

204

26

Miniw,-Philips

I
t,

Trensislo

Tipo

Fu nzicli:i n':ents

ITOR
l-- o
| 6t

JLLg

t_
l o

l o
l

6 c
g t
{i}
t-

t64
l b g

E'Fso
'trg a oi '::.9
Jro
f

l o
l(J
t . e
Max . l M " ; t t 3

oct4l
0c!70

oc22l

npn

Calco!" Eteft. AV

20

200

pnp

Oscill. frlX

20

10

pnp

Oscill. MIX - VHF

20

10

60

pnp

Oscill. fuilli " \r,l-lF

20

60

pnp

IJF

pnp

BF

pnp

EJF

20

Pnp

RF di P*fenza

30

Pnp

BF

10

10

10

10

Ia'

oe430

oc02s
l

oc04

oc6t3

Fabbiicante

g o l

o = i

r!

e * l

25
70

Miniw.-Fhil

15
l5

Min

phiri

0,4

20

Intermetall
lnt.

25

2l

0,3

2L

lntennetall

27

Intermel.all

2l

Intermpf

pnp

tsF d! Fofenza

10

10

DR

0,3

pnp

tsF di Miniafure

16

10

50

0,4

pnp

SF di Miniafura

l0

ln

25

0,4 30

Pnp

SF di Mniafura

10

rtt

fiA

pnp

30

BF di Miniafura

10

n4.

50

pnp

AF-MF

15

10

20

pnp

AF-MIX-OX

15

10

pnp

AF

1 ;

'!n

pnp

BF

16

pnp

BF

2A0

100

II

0,3 30

Cornm. Eleffr.

0 , 1 '70
A'
t l

20

3B

ell

27

27
40

40

40

2t

45

40

30

2l

Intermetall

45

1 0 40

20

2l

[ntermetall

l0

50

n4

70

15

38

2't

Intermetail

16

10

50

4,4 70

15

3B

EF

27

Intermetall

60

200

200

4,4 70

pnp

15

BF

16

10

50

4,4 70

pnp

15

3B

BF

27

lnterrnpf.:ll

16

10

50

pnp

0,4 70

15

EF

3B

27

Intermetall

20

20

50

0,3

pnp

35

BF

9n

2A

50

0,5

pnp

42

EF

Telefunken

20

20

100

U.D

42

Telefunken'
Telefunken

28

pn,p

Preamplif. BF

20

50

iJ,5

pnp

42

RF

20

20

50

0,7

48

BF Potenza

2A

300

550

EF

20

0c604s pnp
0c05

isi

H'lt

*a

pnp

pnp

20

pnp

oc400

F E E

' o= ao l I
!?s I

-5t

L <
t
u . . - _4q0t .r ()

o
'i=
.E -: I^ t

.E o

E I

pnp

1,5 100

27

f prmof cll

Telefunken

Telefunken
120

27

Telefunken
Telefunken

pnp

AF.MIX.MF

20

30

35

AF . MIX

Telefunken r

Pnp

15

10

45

4A

l'np

BF

2C

20

25 1 0,5

42

Telefunken
Telefunken

COLLETTORE
!,
l *

o *

. - 6

Transislore

Funzionamento


.;;
o E

'9=
, F
t6.=
N

5lL
Ero
o
o-

'=o
o o

'6u
r|o

Fabbricanle

c o
o=

( ) c

Telefunken

PiA

PIB
PID
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PlG
PIV

Pts
PII

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Rr734
RD3I7

l lrunzionumenro
lt,*f
RD3I7A

o#

e3
6'F

s.:Eg
IE
t o

L C
1,L..

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.oFoE
:io
:

Fabbricanle

c o

E.
Germania
Gerrnania
Germania
Germania

Germania
Germania
Germania
Germania
Germania
Germania

Germania
Germania
Germania
Germania

Germania
Germania
Germania
Germania
Gennania
Radio R R

Radio R R

Radio R R
Radio R R
Radio R R
Radio R R
Radio R R
F*'io Transisfer

Radio R R

Radio R R
Radio R R
Radio R R
Radio R R

'ORE

cot

,.""arr*.r"
I
I rFo

Funzlonamento

RRTI7

pnp

TAF

RR'I25

pnp

8F

'E=
r1g

':o I
'8e lo
6 l B T l - . c! =4l g9o IIi
E
'6F& g
3e'
6.=
R i Fabbricanle
F ; g l *N5*u - E
o l
tt.J EI.B
o9,
3?l
ql

E I
O + l

H3l

t s l

6 f

Max, I

o.

50

25

Radio R R

60

Radio R R

^4

Radio R R

50

12

R.Rr0

Radio R R

RR1

pnp

MIX. AF " GX

12

i0

50

15

2L

RR.t2

pnp

f'.{tx.AF - OX

ti

10

50

1 E

2L

Radio R R

RR.JI4

pnp

BF

10

50

28

2L

Radio R R

10

50

4,5

2L

Radio R R

10

50

0,3 l 5

2l

Radio R R

20

0 , 5 28

28

Radio R, R

20

0,5

28

Radio R R

10

20

0,3 1 0

Radio R R

20

0.5

r.0

28

Radio R R

10

40

90

73

Fhilco
Philco

seRJ20

pnp

RRJ34

pnp

RRJX4

pnp

BF I\4!niatura

16

RRJZ2O pnp

BF Minieture

16

F{R.JZ34 p n P

EF

16

R{J238 pnp

BF Miniatura

10

8RF-F$IX-AF

16

58100

pnp

94

BF

5R'l0I

pnp

AF

5810?

pn,p

AF " T"4F

s8103

pnp

AF-MF

ss200
soI

pnp

AF . VFIF

M.F

30

40

50

73

40

5*

73

Philco

20

?3

Philco

4,5

10

IJ

I E

f R

95
22

1B

73

0,1

Nat. Aircraft

0,1

Nat. Aircraft

pnp

Appl. varie

pnp

Appl. varie

514

pnp

SF

20

0,3

100

Russia

slF

pnp

BF

20

0,3

50

Russia

stD

pnp

BF

20

0,3

50

Russia

5'EG

pnp

A F . M F

20

0,3

50

Russia

s'!v

pnp

AF.MF

20

0,3

100

Russia

c"

pnp

ABpl. varie

20

52

pnp

Mtx " ox

30

10

100

S?A

pnp

10

0,3

100

Russia

s2B

pnp

AF.MF

10

0,3

50

Russia

s2ts

pnp

SJlIX OX

20

50

1,5

Russia

5AG

pnp

iltx-ox

20

50

1,5

Russia

0,1

l{at. Aircraft

0,5

Russia

OLI.E'TTORE

le

CI

Transistor, Tipo

Funz!onamenfo

"g!

Mu,

ptp

MIX . OX

52V

pnp

AF

sFTt0t

pnp

BF

sFt02

pnp

MF

Max,

5 d

s.:

l . s E
t

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6b:
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(,

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. !0

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6 -

t
(9

13E
E

o.5

.oEo U
g R

Err

c o

IE

o
A.

Fabbnicanle

20

50

10

0,3

50

24

150

100

30

30

csF

24

150

100

50

30
30

CSF

OX

Russia
iussia

5 F T T 0 3 pnp

BF

150

100

80

5FTt04

pnp

BF

150

100

BO

5FTl06

pnp

MF

1B

AF

l *

l =

l3

'Er ' F O
a

g i

'c .l

I . F E r t E '6E ,'Ii
iIE

O +

s2v

50

80

sFTt07 pnp M F
sFTt08 pnp ftXF. AAIX

18

50

B9

1B

50

50

10

S F T Ii 3

pnp

EF di Potenza

30

3A

25W

o r Pafenza

60

3A

25W

30

CSF
CSF

30

30

CSF

50

30
30

csF

80

CSF

40

40

36

CSF

4A

40

36

CSF
CSF

50

s F T tl 4

pnp

#r

s F T tl 5

npn

A4F-AF.OX

40

10

120

30

60

30

s F T tt 6

pnp

tvlF.AF-OX

24

10

LzA

30

60

sFTlt7

30

CSF

npn

OX.MF

24

10

r20

30

60

CSF

S F T TI 8

npn

$,4rx. ox

30

24

10

120

30

60

30

CSF

sFTtt9 npn
sFTr20 npn

T"'1F- AF

24

10

L20

30

60

30

CSF

MIX. AF

24

10

L20

30

60

30

CSF

5FTt2t

Pnp

BF Finale

24

250

150

30

30

csF.

5FTl22

pnp

DF Finale

2 4 250

150

50

30

CSF

30

csF

sFTl23

pnp

3F Finale

24

250

150

80

5FT!24

pnp

BF Pofenza

,A

500

350

30

sFTl25

pnp

EF Polenza

500

350

70

CSF

sFTl26

pnp

AF

250

30

sFT!27

pnp

AF-MF

24

250

50

SFTI28

pnp

AF-MF

qA

250

1 0 BO

sFTl30

pnP

BF Potenza

24

500

550

30

25

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Pnp

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45

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MF

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Sprague

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Sprague

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Sprague

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Sprague
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National Un.

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National Un.

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National Un.

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National Un.

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National Un.

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National Un.

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Philco

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Philco

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Philco

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Philco

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AF

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40

Philco

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MF

TV

40

Philco

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Ampiif. Video

40

Philco

T1594

pnP

Ampl. Fin. Video

40

Philco

Tr 595

pnp

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40

Philco

Tt59

pnp

Separafr. 5incr.T\

40

Philco

T1597

Pn'P

OX-TV

40

Philco

Tt598

pnp

Discrim,in. suono

40

Philco

Tr599

pnp

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Philco

Tr00

pnp

MIX. TV

40

Philco

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40

Philco

T1602

pnp

Finale TV

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Philco

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Siemens

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Siemens

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TF75

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pnp

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Siemens

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Siemens

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F di Potenza

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Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.

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AMPEREX ELETRONIC CORP. (Abbr. Amperex)


AMERICA: 230, Duffy Ave. Hicksvill, L. I.,
N. Y.
BENDIX AVIATION CORP. (Abbr. Bendix)
AMERICA: Red. Banck Div.. 201. Westwocd
Ave., Long Branch, N. J.
CBS HYTRON (Abbr. CBS)
AMERICA: 100, Endicott St. Danvers, l'fass.
ITALIA: Via Durini 1 - Milano.
CLEVITE TRANSISTOR PR.ODUCTS (Abbr.
Clev.-Clevite)
AMERICA: 241, Crescent Street, Waltharn 54,
Mass.
C . S . F . - S . F " R( A
. bbr. CSF)
FRANCI.A: 14, rue Anatole France, Punteau-r,
Seine.
ITALIA: Microfarad - Via Dersanino 18.20 Milano

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CECOSLOVACCHIA: V.U.P.E.F. - Prasa.


DELCO
AMERICA: Kokomo, Indiana.
EDISON -SWAN SIEMENS Lfd. (Abbreviazione
Ediswan)
INGHILTERRA: 155 Charins Cross Road W.
C. 2. London.
FIVRE
ITALIA: Via Guastalla 2 - Milano.
G E N d E R A LE L E T R I C C o . ( A b b r . G E )
AMERICA: Elettronics Parck, N. Y.
ITALIA: Eme, Via Annunziata 31 Milano.
GENERAL ELETRIC Co. (Abbr. Gec)
INGHILTERRA: Magnet House, Kingsway,
London W. C. 2.
ITALIA: Martansini, Via 1,,{ontebello 30 Milano.
TRANSISTOR CORP. (.Abbr. General
GENERAL
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Trans.-GT)
AMERICA: 130, 90th Ave, Richmond Hill 18,
N. Y.
GERMANIUM PRODUCTS CORP. (,Abbr. Germanium)
AMERICA: 26, Cornelison Ave, Metuchen,
N. J.
HITACHI
GIAPPONE: 4, 1 Chome Marunonchl-Chiryoda-ku Tokio.
INTERMETALL (^Abbr. lntermet.)
GERMANIA: Dusserdolf, Flingerstr 3.
ITALIA: Via Donizzett 3? - Milano.
MALLORY & CO. (Abbr. Mallory)
AMERICA: 42, S. Gray St. Indianapolis 6,
Ind.
MARVFLCO ELETROI{lCS (Abbr. Marve!co-M.7
AMERICA: 3411 Tulare Av.. Burbanck. Calif.
MINNEAPOLIS HONFYWELI- REGULATOR
CO" (Abbr. Minneapolis)
AMERICA: 2753, Fouth Ave. South, Minneaoolis B. Minn.

Ml.JIWATT"RADIO (Abbr. Miniwatt)


FRANCIA: 130, Av. Ledru-Ro1lin, paris 11.
MISTR.AL
ITALIA: Sermoneta Oatina).
MOTOROLA lNC. (Abbr. Motor.)
AMERICA: 5005, E. Mc. Dowell Rd. Phoenix,
Arizona.
P H t L e O C O R P .( A b b r . P h i t c o )
AMERICA: 4700, Wissarickon Ave., philadelphia 44, Penn.
Ii!'ALIA: Pzza Cavour 1 - Milano.
P{ILIPS
trTALIA: Piazza IY Novembre 3
Milano.
RADIO CORFoRATIoN OF A|{ERICA (Abbr.
RCA)
AMERICA: Somerville N. J.
ITALIA: Silverstar I-td., Via Visconti di
Modrone 21 - Milano
RADIO RECEPTOR CO. (Abbr. Radio R R.)
AMERICA: 251, West 19th St. New York.
RAYTHEON MAN. CO. (Abbr. Rayth.)
AMERICA: 55 Chapel St. Newton 58 Mass.
ITALIA: Sirples, C.so Venezia 3?
Milano.
SAF
GERMANIA: Nuremburs.
SIEMENS
GERMAMA: Halske A. G. - Berlin.
ITALIA: Via Fabio Filzi 29 - Milano.
SPRAGUE
AL{ERICA: Marshall St., North Adams.
ITALIA: Via Pantigliata 5 - Milano.
SYLVANIA ELECTRIC PROD. (Abbr. SylvaniaSyl.-Sylv.)
AMERICA: 1740 Brodway New York 19.
ITALIA: Traco S p A , Via llonte di Piet
18 - Milano,
TEXAS INSTRUMENTS LtC. (Abbr. Texas-Tex.)
INGHILTERRA: Dallas Road Beldfort.
TE-KA DE
GERI{ANIA: Nuremburg 2.
TELEFUNKEN
GERITANIA: Um Donau.
ITALIA: Ple Bacon:3 - Milano.
THOMSON-HOUSTON(Abbr. Thomson-Thom.)
FRANCIA: N41 rue L'Admiral-Mouchez. Paris
13.
TRANSITRO.,!CORF. (Abbr. Transifron-Transil..
Trans,)
AMERICA: a03-407l,{ain St. Melrose 76 Mass.
TUNG"SOL (,Abbr. Tuns-S.)
AMERICA: 35 8th Avenue Newark 4. N. J.
W E S T F R N E L E C T R . I CC O .
AMERICA: 195 Brodwav. New York.
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WESTINGHOUSE
AMERICA: New York.
ITALIA: Neon Scolari - \ria San Zeno B Milano.

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(zsistente,ft'a esi4lenza d,i rich,iesta e inpreparoeone di oJJbrta. - I calti d,'irtdttstria
necessitano di specialiat e di qualficati,
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aol,ot'o in posst:sso del, m,inimo di istruaione
necessaria o rnatrtenersi ctlpasso col costante
er;ol,xet's.irlella teotiru. - fn Italia le sole pubblitnziotri a itrlit'i:zo
leorico-cul,tut,ale che
si,atzorrllu portdta dcll'olteruio, d.ell,oshtrlente,
ilell,'impieguto e del teanir:o souo rytcll,e elite a
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in rnnniera fattivt nlftl dilTusiouc di quclla cultura
t e c r r i r : ac h e s i i s p i r n l l l e e s i g e n z o i l e l n v i t a
- Ilisulta pertnnto incliipetsabile a ehi
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