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FIEI - UNFV
EXPERIMENTO N 4
TRANSISTOR: POLARIZACION Y ESTABILIZACION
I.-OBJETIVO:
-Comprobar experimentalmente el funcionamiento de la polarizacin del transistor
bipolar para un punto de operacin (punto Q) determinado.
-Analizar el comportamiento para las variaciones del hfe con respecto a los cambios de
temperatura.
-Comprobar las especificaciones tcnicas del transistor dadas por el fabricante as como
sus respuestas y graficas respectivas. Y sus pruebas de funcionamiento.
II.- EQUIPOS Y MATERIALES:
-1 Osciloscopio.
-1 generador de funciones. -Fuente de alimentacin doble. - Multmetro digital.
- 1 Transistor NPN BC548
- 9 Resistencias (W) : 1K, 3.9K, 5.6K, 6.8K, 10K, 22K, 100K, 1M, 1.5M.
- 1 Foco de 12Vdcy/o cautn 30 w.
- Tablero de conexin.
- Alicate
-
III.-MARCO TEORICO:
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una
seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin
en ingls de transfer
resistor
(resistor de
transferencia). Actualmente se encuentra prcticamente en
todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores
de
audio
y
video, relojes
de
cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres
partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los
recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo,32 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de
la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs
de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule
la carga por elcolector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se
grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor,
tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones)
bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y
base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta
y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin apl icada
entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en
la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la tensin presente entre la
compuerta y la fuente, de manera anloga al funcionamiento del trodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala
disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos
de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
TRANSISTORES PNP-NPN
Comparamos los transistores npn y pnp:
EJERCICIO: Vamos a hacer el problema de antes pero con el equivalente en pnp. Se deja todo
igual excepto la pila.
Despreciamos IB para hacer los clculos y cambiamos de sentido IR1 y IR2 para no andar con
negativos:
Malla de salida:
La intensidad de base no suele importar el signo, solo tenemos que saber para este caso que es
saliente. Convenio: "Coger siempre el convenio de los transistores npn".
Tener cuidado con esto, para el ejemplo que hemos hecho saldrn negativos. Solo hay que
cambiar el criterio en las corrientes. Este circuito tiene un problema.
No suelen abundar las F.A. negativas. Para usar una F.A. positiva se suele hacer esto:
Pero es muy caro poner 2 fuentes de alimentacin por eso se suele modificarse el circuito de tal
forma que solo se usa una fuente de alimentacin.
Como se ha dicho ahora nos ahorraremos una fuente de alimentacin.
Ahora se mueve lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10 V en los dos lados se pueden
unir:
Y as nos hemos ahorrado una fuente de alimentacin, este es el "Circuito de polarizacin por
divisin de tensin".
Anlisis aproximado
As despreciamos IB:
Tiene que funcionar bien para los tres valores del catlogo.
CATLOGO:
Malla de entrada:
Malla de salida:
Grficamente:
Para ms adelante ser importante que el punto Q est centrado (lo veremos ms adelante).
Si el punto Q no saliese centrado, se podra cambiar la colocacin del punto Q variando los
valores de las resistencias y de las pilas como veremos ms adelante.
malla de entrada:
IB es muy ESTABLE. V BE vara con la T, disminuye 2 mV por cada grado centgrado (-2
mV/C), pero como no disminuye mucho que se supone I B = cte.
Y la IC sera:
IC es muy INESTABLE porque la bcc vara mucho con la temperatura. Por lo tanto tenemos:
IB MUY ESTABLE
IC MUY INESTABLE
Como Q depende de IC, el circuito anterior es muy malo porque el punto Q es INESTABLE.
CIRCUITO DE POLARIZACION CON REALIMENTACION DE EMISOR
En este circuito la resistencia de realimentacin es R E.
A este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llama realimentacin, la
salida afecta a la entrada, se auto corrige. Adems se le llama "Realimentacin negativa" porque
un aumento supone una disminucin. Si un aumento supusiera otro aumento sera una
"Realimentacin positiva".
En amplificadores es muy importante la realimentacin, como se ver ms adelante. Seguimos
analizando el circuito. Malla de entrada:
RC = 910 W
RB = 430 W RE = 100 W
V BE = 0,7 V
Recta de carga:
Cuanto menor sea este resultado, mejor ser el circuito, esto sirve para comparar circuitos. Para
mejorar el circuito se puede hacer:
No se cumple. R E debera ser R E = 430 kW. Pero poner R E = 430 kW hace que casi toda la tensin
de V CC vaya a RE y la V CE es pequea, y el circuito entra en saturacin y no funciona como
amplificador, el remedio es peor.
Si los comparamos:
Para que se mueva lo menos posible, el b tiene que afectar lo menos posible, interesa que
RC influya ms que R B/b, para eso:
Que debera hacer para que Q estuviera centrado? Para que esto ocurra:
Y se compensa en parte la IC, se mueve pero menos. Es un circuito muy bueno, la compensacin
no es total pero casi, es una compensacin muy buena. Este circuito es el qu e se utiliza
mayoritariamente por ser bueno, barato y efectivo.
Lo analizaremos como siempre de 2 formas: Anlisis aproximado y exacto.
Aproximado (ideal).
Primeramente modificaremos un poco el circuito:
El punto Q es estable. Tenemos lo ideal, no est la b. Lo nico que vara algo es la V BE, pero es
una variacin pequea respecto a V TH, entonces es casi constante la IC.
Exacto
Aprovechamos lo calculado anteriormente:
Interesa que RTH/b influya poco respecto a R E. Hacemos RE 100 veces mayor que R TH/b.
Para que esto funcione correctamente hemos dicho que se tiene que cumplir lo siguiente:
Pero si pongo R 2 muy pequeo, la IR2 es grande y es aproximadamente IR1 y esa intensidad va a
la F.A., entonces el condensador y los diodos de la F.A. tienen que resistir mucha intensidad y
podra dar problemas.
Otro problema se da en alterna:
Cuando amplificamos la onda es muy importante la impedancia de entrada (Z i) y tiene que ser
de un valor concreto. Su valor es:
No se puede hacer la Z i todo lo pequea que se quiera y eso es una pega, se estropea la Z i en
alterna. Hay 2 pegas:
El consumo
La Zi
Para resolver eso los diseadores cogen en vez de 0,01R Bb suelen coger un poco mayor,
0,1REb.
EJERCICIO:
Vemos que el punto Q vara muy poco para distintos valores de b. Esto lo vemos con la
variacin de IC.
Para ver la estabilidad del circuito estudiaremos el caso ms crtico, que es el valor ms
pequeo de b, si se cumple para este valor se cumple en todos los dems casos, porque es el
peor caso.
Es bastante estable porque se cumple la ecuacin, esto quiere decir que esta bastante bien
diseado el circuito.
Pero el problema es que si R C y RE son muy grandes el valor de V CE tiene que ser pequeo y
puede llegar a saturacin, por eso no se puede hacer todo lo grande que se quiera.
2.
4.
VE= 3.38 V
VC = 5.82 V
VBE= 0.68 V
VCE= 3.38 V
Fig. 4-4
VE= 0V
VBE= 0.656 V
IE= 2mA
5.
VC =1.8 V
VCE=1.256 V
IC = 2mA
Fig. 4-5
VE= 1.6 V
VBE= 0.656V
IE= 2mA
VC = 6.324 V
VCE= 1.137 V
IC = 1mA
LABORATORIO DE ELECTRONICA I
6.
EXP.4
Fig. 4-6
VE= 1.460 V
VBE= 0.656 V
IE=1.5mA
7.
V C =5.748 V
V CE=1.852 V
IC = 1.5mA
Fig. 4-7
VE= 0.724V
VBE= 0.655V
IE= 1.23mA
VC= 4.23V
VCE= 4.95V
IC= 1.23mA
DESARROLLO EXPERIMENTA L
LABORTATORIO DE ELECTRONICA I
FIEI - UNFV
CUESTIONARIO:
1
Haga el anlisis terico de la fig. 4-1 y compare con los valores experimentales y
grafique La recta de carga y los puntos Q.
Los valores experimentales se ven directamente relacionados con las tolerancias que
se pueden ejercer tanto en las resistencias como la polarizacin de los transistores as
como el tiempo de funcionamiento de estos dispositivos
2.
3.
Razone porqu las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de carga para
El amplificador emisor comn.
La razn se puede observar debido a que las condiciones de corte y saturacin
determinan la recta de carga es que estas regiones de corte y saturacin son las ms
allegadas a los ejes coordenados de las x y de los y, respectivamente y es en estas
condiciones donde un par de puntos para definir la recta son ms fciles de calcular.
Para el caso de las condiciones de corte se toma el valor de Ic=0 y se obtiene
coordenadas en x, mientras que para las condiciones de saturacin, se toma el valor de
VCE=0 y se obtiene la coordenada en y. De esta recta trazada se obtiene el punto de
trabajo Q del transistor y dicho punto pertenece adems a la curva caracterstica del
transistor
utilizado
en
el
circuito.
4.
Indique el tipo de polarizacin que ofrece la mayor y peor estabilidad del punto de
reposo frente a variaciones de y temperatura.
La polarizacin ms estable de las configuraciones es la red de polarizacin con divisor
de voltaje de la figura 1.5. Si se satisface la condicin b R E>>10R1 , el voltaje Vb
6.
7.
8.
9.