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EL SEMICONDUCTOR
N = gV ( E )dE
(1)
0
donde gv(E) es la densidad de estados por unidad de volumen en la banda de valencia. Al ser
1 la probabilidad de ocupacin de todo estado de energa inferior a Ev, no hay que introducir
ninguna funcin de distribucin estadstica. Por el contrario, a T 0 K, la probabilidad de que
los estados de la banda de conduccin estn ocupados es no nula y hay que introducir la
funcin de distribucin de Fermi-Dirac:
Ev
(2)
Ec
Ev
Ev
(3)
Ec
o, lo que es lo mismo:
Ev
(4)
Ec
1-f(E) es la probabilidad de que el estado o estados a energa E estn vacos, luego el primer
miembro de la ecuacin 4 es en realidad la concentracin de estados vacos en la banda de
valencia, a los que llamaremos huecos. Como el segundo miembro es la concentracin de
electrones en la banda de conduccin, la ecuacin 4 se reduce a:
n=p
(5)
que indica, simplemente, que por cada electrn que pasa a la banda de conduccin, aparece
2
1 f(E) = 1
1
1+ e
E EF
kT
E EF
kT
E EF
kT
= e
1+ e
1
1+ e
(6)
E EF
kT
La ecuacin 6 muestra que 1-f(E) tiene la misma estructura que f(E), por lo que puede
considerarse como funcin de distribucin de una partcula, a la que llamaremos hueco, cuya
energa se mide en sentido contrario a la de los electrones, por lo que podemos considerarlos
como partculas con carga positiva. Definamos las siguientes nuevas variables:
Ee = E - Ec ......
Eh= -(E-Ev)
EFe=Ec - EF.......
EFh=EF - Ev
(7)
g (E ) 1+
V
Ev
1
e
E h E Fh
kT
dEh = gC (Ee )
0
1
1+ e
E e E Fe
kT
dE e
(8)
g ( E )e
v
Ev
+
E
h E Fh
kT
+
E
e E Fe
( dE )= g ( E )e
h
kT
dE e
(9)
p e
E Fh 0
E
h
kT ( dE h )=
(
)
g
h
E
e
v e
kT
E Fe
kT
Ev
Ee
g c( E c )e kT dE e n
(10)
N V = g v( E h )e dE h N C = g C ( E e )e dE e
E
h
kT
Ee
kT
(11)
la ecuacin 10 queda:
E Fh
E Fe
p = N V e kT = N C e kT = n
(12)
np = N V N C e
E Fe+ E Fh
kT
Eg
= N V N C e kT = ni 2
(13)
g c,v ( E e,h ) =
3
* 2 1
e,h
2
e ,h
2
1 2m
(
)E
2
2
(14)
3
* 2 1
e,h Ee,h 2
kT e,h e,h
2 2
0
3
* 2 1 1
e,h 2 x
2
2 2
0
1 2m
1 2m
N C,V = ( ) e E dE = ( ) kT e x dx
2
2
(15)
3 g
kT
* * 2
(
)
( m e m h ) e kT
n =4
2 2
2
i
kT 2 * * 3 2 kTg
(
) ( me mh )4 e
ni = 2
2 2
(16)
Volviendo ahora a la ecuacin 12, podemos calcular la evolucin del nivel de Fermi en funcin
de la temperatura:
N V E c+ E v = 2 E F
e kT
e kT
NC
*
kT
kT
N
m
E
E
C + EC
C + EV
V
+ ln(
)=
+ 3 ln( *h )
EF =
2
2
2
4
NC
me
p = N V e
E F Ev
kT
= N C e
Ec E F
kT
=n
(17)
banda , especialmente si se trata de una banda ancha. Por el contrario, en en estado localizado,
que en principio podra estar ocupado por dos electrones de spin diferente, la repulsin
electrosttica entre ellos es del mismo orden que el campo culombiano atractivo, por lo que
estado con dos electrones tiene una energa muy diferente de estado con un solo electrn. En
la mayora de los casos, dicho estado se encontrar a una energa mucho mayor, confundido
con los estados de la banda de conduccin. En niveles mas profundos y localizados, la
presencia de un segundo electrn puede originar una reestructuracin completa del entorno de
la impureza dando lugar a lo que se llama un centro U, con energa de enlace mas grande. Para
calcular el nmero promedio de electrones en dichos niveles localizados partimos pues de la
hiptesis de que solo un electrn puede ocuparlos. Apliquemos la frmula de Gibbs:
E j N j
kT
j
< n >=
N e
(18)
E j N j
kT
donde la suma se realiza respecto a todos los estados electrnicos posibles. E j es la energa del
estado, Nj el nmero de electrones en el estado y el potencial qumico, es decir, en nuestro
caso, el nivel de Fermi. Tendramos tres estados posibles:
- Nivel vaco: N1=0, E1=0
- Nivel ocupado por un electrn: N2=1, E2=ED
- Nivel ocupado por un electrn de spin opuesto: N3=1, E3=ED
Sustituyendo en la ecuacin 18:
< n >=
2 e
EDEF
kT
1 + 2 e
=
ED EF
kT
1
1 ED EF
e kT + 1
2
(19)
(20)
ecuacin que indica que un electrn en la banda de conduccin solo puede provenir de la
banda de valencia, en cuyo caso parecer un hueco en dicha banda, o de una impureza, que
quedar ionizada. Por otra parte, siempre debe cumplirse la ecuacin 12, np = n i2. Junto con
la ecuacin 20, esta ltima nos permite obtener n en funcin de la temperatura.
En general, no es necesario incluir todos los trminos de la ecuacin 20, ya que, segn
el rango de temperaturas, predominan unos u otros. As, como la energa de ionizacin de las
impurezas dadoras es mucho mas pequea que la banda prohibida, hasta temperaturas
moderadamente altas, podemos despreciar la concentracin de huecos en la banda de
valencia,y la ecuacin de neutralidad quedar:
n= ND
ND
1
e
2
ED EF
kT
+1 2e
D
EF ED
kT
(21)
+1
Ne
ND
2e
EC E D
2 kT
2N C x e
EF ED
kT
+1
EC
kT
ED
N C x e (2 xe kT + 1) = N D
1 ED ND
N C x e N D 0 x x e kT e
2
2 NC
EC
kT
EC E D
kT
(22)
(23)
Teniendo en cuenta que x es necesariamente positivo, solo la solucin positiva tiene sentido,
por lo que la variacin del nivel de Fermi con la temperatura viene dada por:
ED
1 ED
8
EF = kT ln e kT ( 1 + N D e kT 1 ) (24)
NC
4
En esta expresin, dado que x debe ser positiva por definicin, hemos prescindido de la
solucin correspondiente al signo menos. Consideremos ahora dos casos lmite:
a) A temperaturas muy bajas, para las que ND >> NC , y por tanto podemos despreciar el 1 en
la raz y fuera de la raz:
1 ED 8 N D ED
e kT
e 2kT
4
N
C
E F = kT ln
EF =
E C + E D + kT ln( N D )
2
2
2NC
(25)
n = N C e
EC E F
kT
N C N D ED
e 2kT
2
(26)
ED N D ED
ND
e kT = E C + kT ln
E F = kT ln e kT
NC
NC
(27)
En ese rango de temperaturas el nivel de Fermi baja y tiende a acercarse al centro de la banda
prohibida. Al sustituir en la expresin de n , es fcil ver que se obtiene n= N D, es decir, en este
rango de temperaturas la concentracin de electrones permanece constante, lo que
corresponde al hecho de que todas las impurezas estn ionizadas, pero la concentracin de
electrones excitados desde la banda de valencia es an despreciable.
A partir de ese rango de temperaturas, puesto que todas las impurezas estn ionizadas,
el incremento de la concentracin de electrones solo puede provenir de la excitacin de estos
desde la banda de conduccin. La ecuacin de neutralidad ser ahora:
n = p + ND
y, teniendo en cuenta la ecuacin 13,
(28)
n = ni + N D
n
4
n = N D (1 + 1 + n2i )
2
ND
n NDn n = 0
2
2
i
(29)
donde se ha prescindido de la solucin con signo menos por carecer de sentido fsico. El nivel
de Fermi ser ahora
ND
4 ni2
=
+
KT
ln
(1
+
1
+
E F EC
2
2 NC
ND
(30)
E
EC
ED
EF
EV
T1
5)
EFECTO
COMPENSACIN
T2
DE
LA
ln ND
ND
2e
EF ED
kT
+1
= NA
ND -nD =NA
N D N A = EF ED
e kT
2NA
E F = E D + kT ln
ND N A
2NA
(32)
El nivel de Fermi se sita ahora justo en la energa del nivel de impureza para T
tendiendo a cero. Por otra parte, utilizando las ecuaciones 12 y 32, obtenemos la variacin de
n con la temperatura:
n=
Nc( N D N A ) E D
e kT
2NA
(33)
dEF = k ln N D kT 1 dNC
dT 2 2 NC 2 NC dT
(34)
10
T dN C
ln N D =
(35)
2 N C N C dT
Recordando la expresin de NC para bandas parablicas, obtenemos:
dN C = 3 N C
dT 2 T
3
ln N D =
2 NC 2
NC =
ND
(36)
2e2
3
2
2 ( m kT 2max ) = N D3
2
2e2
T max =
2
3
D
2
3
2 N
*
me k 4 e
2
(37)
E Fmax =
2
3
D
2
3
EC + E D + 3
EC + E D + 3 N
kT max =
2
4
2
2 m*e 4 e
2
(38)
Esta expresin nos permite calcular la concentracin crtica, que es aquella a la cual
EFmax coincide con el borde de la banda:
EC =
2
3
D
2
3
EC + E D + 3 N
2
2 m*e 4 e
2
3 m
2
ED
N DCri = ( ) 4 e 2
3
*
e
2
3
2
3
2
(38)
Esta condicin puede escribirse de otra manera, que permite mostrar su significado
fsico. La distancia promedio entre impurezas ser d=(ND)-1/3, de manera que, la distancia
promedio correspondiente a la concentracin crtica ser:
1
3 1 1 2 2
d Cr = ( N DCri ) = ( e ) 2 1 *
2
4 3 me E D
Sustituyendo en esta expresin el valor de la energa de ionizacin de una impureza
hidrogenoide,
4 *
E D = e 2m 2 2
32
se obtiene
-
1
3
3 1 1 32 3 4 2 2 3 1 2 *
=
(
e ) 2 1
= ( ) 2 1 a0 1.2 a*0
d Cr
*2 4
2
e 43
4 3 me e
La concentracin crtica resulta ser aquella para la cual la distancia media entre
impurezas es del orden del radio de Bohr efectivo. Para esas concentraciones, las impurezas
no pueden ya considerarse como aisladas, existe interaccin entre ellas y se pasa de estados
localizados degenerados en energa a una banda que se superpone con el fondo de la banda de
conduccin. El semiconductor, incluso a baja temperatura tiene un comportamiento metlico.
Se produce lo que se llama una transicin de Mott (aislante-metal).
11
df(E)
0 (E)f(E)dE = (E)f(E) 0 0 (E) dE dE
(39)
(E)f(E)dE = (0) ( E
(40)
12
21 2
(E) = g (E) = ( m ) E (E) = ( m ) E
2
3 2
(41)
1
3
2 m*e
3
2
) ( E F E C )2
(42)
NC
0.25 e
12
EC E F
kT