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Electrnica Fsica

Programa de:

Electrnica Fsica
UNIVERSIDAD NACIONAL DE CRDOBA
Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales
Repblica Argentina
Cdigo: 7207
Carrera: Ingeniera Electrnica
Escuela: Ingeniera Electrnica y Computacin.
Departamento: Electrnica

Plan: 281-05
Carga Horaria: 72
Semestre: Cuarto
Carcter: Obligatoria

Puntos: 3
Hs. Semanales: 4,5
Ao: Segundo
Bloque: Tecnologas Bsicas

Objetivos:

Lograr que los alumnos obtengan un conocimiento terico- prctico de los dispositivos utilizados en electrnica.

Programa Sinttico:
1. La fsica de las partculas portadoras de carga.
2. Fsica de los semiconductores
3. La unin PN.
4. El transistor bipolar.
5. El transistor por efecto de campo : JFET y MOSFET.

Programa Analtico: de foja 2 a foja 6.

Programa Combinado de Examen (si corresponde): de foja
Bibliografa: de foja 6 a foja 6.
Correlativas Obligatorias:
Fsica II

a foja .

Correlativas Aconsejadas:
Rige: 2005
Aprobado HCD, Res. 383-HCD-2006 y Res. HCS 418
Sustituye al aprobado por Res.: 500-HCD-2005
Fecha: 19-05-2006
Fecha: 02-09-2005
El Secretario Acadmico de la Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales (UNC) certifica que el programa est aprobado
por el (los) nmero(s) y fecha(s) que anteceden. Crdoba,
/
/
.
Carece de validez sin la certificacin de la Secretara Acadmica:

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Electrnica Fsica

PROGRAMA ANALITICO
LINEAMIENTOS GENERALES
Esta asignatura tiene por objetivo general que el alumno logre los conocimientos referidos a los
fundamentos fsicos de los dispositivos electrnicos de estado slido y su funcionamiento en circuitos
simples de aplicacin.
Sus objetivos especficos:
*Alcanzar la comprensin y aplicacin de las leyes que gobiernan la dinmica de las particulas
cargadas en la red cristalina de los semiconductores.
*La utilizacin de las caractersticas tensin- corriente para el diseo de los circuitos elementales de
aplicacin.
METODOLOGIA DE ENSEANZA
El dictado de la signatura se desarrolla mediante clases tericas y prcticas en una proporcin
adecuada para el logro de los objetivos propuestos.Las clases tericas se estructuran con abundancia
de ejemplos y adecuando la forma al nivel de conocimientos previos de los alumnos, teniendo en cuenta
que la misma se fundamenta en mecnica cuantica y mecnica estadstica.
EVALUACION
Condiciones para la promocin de la materia
1.- Tener aprobadas las materias correlativas.2.- Asistir al 80% de las clases tericas y prcticas.3.- Aprobar todos y cada uno de los temas de cada parcial con nota no inferior a
cuatro ( 4 ).4.- Se podr recuperar un solo parcial siendo condicin para rendir este haber aprobado al menos uno
de los dos parciales.
5.- Presentar y aprobar los trabajos que se exijan durante el desarrollo de los trabajos prcticos.-

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CONTENIDOS TEMATICOS
Unidad 1. Fsica de las partculas portadoras de carga
Introduccin sobre redes cristalinas. Semiconductores. Teora de las bandas de energa en los slidos
cristalinos. Red peridica. Modelo de Kroning-Penney. Funciones de onda de los electrones libres.
Diagramas de energa-vector de onda (E-K). Masa eficaz de los electrones en los cristales- sentido
fsico- consecuencias. Concepto de laguna o hueco. Masa eficaz de una laguna-comparacin con el
electrn. Efecto Hall. Determinacin de la constante de Hall en metales y semiconductores.
Estadstica de Fermi- Dirac- hiptesis bsicas. Funcin de ocupacin. Densidad de estados y
concentracin de partculas en la banda de conduccin y la banda de valencia. Calor especfico de un
gas de electrones. Comparacin entre las estadsticas de Fermi-Dirac y Maxwell- Boltzmann.
Generacin de pares electrn-laguna. Recombinacin. Procesos bsicos para el anlisis: Aplicacin de
un pulso de luz a un semiconductor e irradiacin de una placa. Tiempos caractersticos. La ecuacin de
difusin. Resolucin para un caso unidimensional.
Unidad 2. Fsica de los semiconductores.
Semiconductores intrnsecos y dopados tipo N y P. Aplicacin de la estadstica de Fermi-Dirac a los
semiconductores. Determinacin del nivel de Fermi. Estructura de bandas de una unin PN. Barrera de
energa. Polarizacin directa e inversa. Unin PN altamente dopada. Efecto tunel- anlisis a partir de la
mecnica cuntica y de la estadstica de Fermi-Dirac.
Unidad 3. La unin PN
Ecuacin de tensin-corriente para un diodo de unin. Obtencin a partir de la resolucin de la
ecuacin de difusin. Corriente de difusin y corriente de conduccin. Corriente inversa de saturacin.
Dependencia con la temperatura. Modelo lineal del diodo. Resistencia directa,resistencia inversa y
resistencia dinmica. Capacidad de transicin y de difusin. Tiempos de conmutacin. Circuitos bsicos
con diodos. Funcionamiento del diodo con tensin de polarizacin inversa. El diodo Zenner aplicaciones. El diodo tunel caracterstica tensin corriente aplicaciones.
Unidad 4. El transistor bipolar
Distintas configuraciones para su polarizacin. Ecuacin fenomenolgica del transistor. Obtencin de la
caracterstica tensin-corriente a partir de la resolucin de las ecuaciones de difusin en las distintas
zonas del dispositivo. Ecuaciones de Ebbers- Moll. El alfa y beta del transistor Interpretacin
microscpica a partir de las ecuaciones de Ebbers Moll. Dependencia del alfa y beta con la corriente de
colector. Estudio detallado de las corrientes en un transistor. Distintas configuraciones: base comn,
emisor comn y seguidor de emisor. Amplificacin de tensin y de corriente.
Unidad 5.Transistor por efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET). Caracterstica tensin corriente. Amplificador
polarizacin. Distintas configuraciones. Transistor de puerta aislada (MOSFET). Comparacin con el
JFET. Amplificador polarizacin. Distintas configuraciones.
1. LISTADO DE ACTIVIDADES PRACTICAS Y/O DE LABORATORIO
Actividades Prcticas
1.- Fsica de las partculas portadoras de carga

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Desarrollo de problemas referidos a la dinmica de las partculas en una red cristalina semiconductora,
tiempos de establecimiento y relajacin. Resolucin de la ecuacin de difusin.
Preguntas conceptuales.
2.- Fsica de los semiconductores.
Desarrollo de problemas referidos a lograr por parte del alumno la comprensin de los conceptos de
mecnica estadstica aplicada a las partculas cargadas (Estadstica de Fermi Dirac) y en
semiconductores. Barreras de energa.
3.- La unin PN
Desarrollo de problemas destinados a afianzar los conceptos; al clculo de circuitos elementales con
diodos de estado slido y a la utilizacin de la caracterstica tensin-corriente y la recta de carga. Se
utilizar la caracterstica real y el modelo lineal del diodo.
Unidad 4. El transistor bipolar
Desarrollo de problemas destinados a afianzar los conceptos; al clculo de circuitos amplificadores en
distintas configuraciones, y a la utilizacin de la caracterstica tensin corriente y la recta de carga. Se
utilizar el modelo lineal del transistor.
Unidad 5.Transistor por efecto de campo
Desarrollo de problemas destinados al clculo de circuitos amplificadores, con JFET y MOSFET en
distintas configuraciones, a la utilizacin de la caracterstica tensin corriente y la recta de carga. Se
utilizar el modelo lineal para los dispositivos.
Actividades de laboratorio
Se prevee el desarrollo de actividades de laboratorio referida a la medicin de los parmetros de los
dispositivos electrnicos, y utilizacin de software para el diseo de circuitos elementales.

2. DISTRIBUCION DE LA CARGA HORARIA

ACTIVIDAD
TERICA
FORMACIN
PRACTICA:

HORAS
42

o FORMACIN EXPERIMENTAL
o RESOLUCIN DE PROBLEMAS

8
22

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o ACTIVIDADES DE PROYECTO Y
DISEO
o PPS
TOTAL DE LA CARGA HORARIA

72

DEDICADAS POR EL ALUMNO FUERA DE CLASE

ACTIVIDAD
PREPARACION TERICA
PREPARACION
PRACTICA

HORAS
60

o
o
o
o

EXPERIMENTAL DE LABORATORIO
EXPERIMENTAL DE CAMPO
RESOLUCIN DE PROBLEMAS
PROYECTO Y DISEO
TOTAL DE LA CARGA HORARIA

8
25
93

3. BIBLIOGRAFA
Unidades 1 y 2

C. Kittel Introduccin a la fsica del estado slido Ed.Revert.

J. B. Roldan y F. J. Gmiz Dispositivos electrnicos Alfa Omega Grupo Editor.
Van der Ziel Fsica del estado slido Ed. Prentice Hall.
R.B. Adler; A.C. Smith y R.L. Longini. Introduccin a la fsica de los semiconductores (Manuales
del S.E.E.C.). Ed. Revert.

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J.I. Pankove. Optical proceses in semiconductors Ed. Dover.

J.S. Blakemore.Semiconductor statistics Ed. Dover.

Unidades 3, 4 y 5.

J.Millman y C. Halkias Dispositivos y circuitos electrnicos Ed.Pirmide

J.Millman y C. Halkias Electrnica Integrada Ed.Pirmide.
A.R. Hambley. Electrnica. Ed.Prentice Hall.
J.A. Walstun y J. Miller. Transistores, circuito y diseo (Texas Instruments). Ed. CECSA.