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TIRISTORES Y

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

JAIME ALBERTO ORTIZ DELGADO

FUNDACION UNIVERSITARIA UNISANGIL


FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS
ELECTRONICA DE POTENCIA
SAN GIL
2016

TIRISTORES Y
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

JAIME ALBERTO ORTIZ DELGADO

JORGE LUIS CORNEJO

FUNDACION UNIVERSITARIA UNISANGIL


FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS
ELECTRONICA DE POTENCIA
SAN GIL
2016

Los Tiristores

Los tiristores son dispositivos semiconductores con una estructura pnpn con tres
uniones pn, tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta; y una seccin recta
de tres uniones pn; los tiristores son elaborados por difusin. Cuando el voltaje del
nodo se hace positivo con respecto al ctodo, algunas uniones del dispositivo
tienen polarizacin directa o positiva, se dice entonces que el tiristor est en
bloqueo directo o estado desactivado.
Por otro lado dado que las uniones pn del semiconductor tienen polarizacin
directa, se generara un movimiento libre de portadores atreves de tres uniones
que provocara una gran corriente directa del nodo, se dice entonces el dispositivo
est activado.
El dispositivo regresara a la condicin de bloqueo cuando, la corriente del nodo
es menor a la corriente de enganche, la corriente de enganche IL es la corriente
mnima del nodo requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin. Si
el tiristor est activado se comporta como un diodo de conduccin y no se podr
controlar, un tiristor se puede activar aumentando el voltaje aplicado sobre el mas
all del voltaje de ruptura directa pero el problema de activarlo de esta forma es
que el dispositivo puede ser destruido.
Tipos de tiristores:
Los tiristores se fabrican por difusin, la corriente del nodo requiere de un tiempo
finito para dispersarse por toda el rea de la unin, para controlar el di/dt, el
tiempo de activacin y el de desactivacin del tiristor, los fabricantes utilizan varias
formas de compuesta, los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras.
1. Tiristores de control de fase (SCR): opera en frecuencia de lnea, y se
desactiva por computacin natural, tambin se les conoce como tiristores
convertidores, dado que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado
y fabricado en silicio, tambin se conoce como rectificador controlado de
silicio (scr).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR): son utilizados en aplicaciones
de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada, tienen un
tiempo corto de desactivacin dependiendo del rango de voltaje, la
desactivacin rpida y el di/dt alto son muy importantes para reducir el
tamao y el peso de los componentes de conmutacin o reactivos de
circuito.
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO): este tiristor al igual
que el (SCR) puede activarse mediante una seal positiva de compuerta,
por lo tanto se puede desactivar con una seal negativa de compuerta, un
GTO es un dispositivo de enganche se puede construir con
especificaciones de corriente similares al (SCR).

4. Tiristores de trodo bidireccional: llamado TRIAC puede conducir en


ambas direcciones y normalmente se utiliza en el control de fase de
corriente alterna, se puede considerar como si fueran dos SCR conectados
en anti paralelo, no es posible identificar sus terminales como nodo y
ctodo.
5. Tiristores de conduccin inversa: en este tiristor se produce un cambio
de caractersticas del dispositivo y requisito del circuito puede considerarse
como un tiristor con un diodo anti paralelo conectado, se conoce tambin
como tiristor asimtrico, el voltaje de bloqueo varia de 400 a 2000 v y la
especificacin de corriente llega hasta 500 A.
6. Tiristor de induccin esttica: este tiristor es muy similar a un MOSFET.
Por lo general este tiristor es activado al aplicrsele un voltaje negativo a su
compuerta, es un dispositivo con muy pocos portadores. Como
consecuencia esto con lleva a que el tiristor tenga una baja resistencia en
estado activo as como una baja cada de potencial y se puede fabricar con
especificaciones de voltaje y corriente ms altas.
7. Rectificadores controlados de silicio activados por luz: este dispositivo
se activa debido a una radiacin provocada por luz sobre el disco de silicio
los pares de huecos-electrones que se crean debido a la radiacin
producen la corriente de disparo mediante La influencia de un campo
elctrico.
8. Tiristores controlados por FET: este dispositivo es la combinacin de un
mosfet y un tiristor conectado en paralelo, si a la compuerta del mosfet se le
aplica un voltaje de 3 v se genera una corriente interna de disparo para este
tiristor, este dispositivo tiene una alta velocidad de conmutacin un di/dt alto
y un dv/dt alto. este dispositivo se puede activar con tiristores
convencionales pero no se puede desactivar por control de compuerta.
9. Tiristores controlados por MOS: este tiristor al igual que el anterior es
una combinacin en este caso combina las caractersticas de un tiristor
regenerativo de cuatro capaz y una estructura de compuerta MOS.

En conclusin debido a diferencia de caractersticas de tiristores del mismo tipo,


las operaciones en serie y en paralelo requieren de redes para la reparticin de
voltaje y corriente para protegerlo bajo condiciones de regmenes permanente y
transitorio; es obligatorio un procedimiento para separar la parte de potencia de
los circuitos de compuerta.

Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier)


Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposicin pnpn Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y
Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de

puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico),


conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin


al ctodo no circular la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la
puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar hasta que no se remueva la
tensin en el nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.
Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido
del SCR.

Operacin controlada del rectificador controlado de silicio


Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de
silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido
a sus capacidades de alta temperatura y potencia.
La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos
capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En
la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a
0.1
La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms. Un SCR acta a
semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de
flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un
interruptor cerrado. Cuando est apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente
del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida.
Caractersticas de la compuerta de los SCR
Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta.
Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo,
y sale del SCR por la Terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta
necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para
dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1
y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la
compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser
ligeramente mayor a 0.6 V.
Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de
corriente de compuerta. Mientras la corriente continu fluyendo a travs de las
terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la
corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo de un valor mnimo,
llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto
normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su regin
negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de
10 mA.