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UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERAS FISICAS


Y FORMALES
PROGRAMA PROFESIONAL INGENIERA
MECNICA, MECNICA-ELCTRICA Y
MECATRNICA

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Jefe de Prcticas:
Ing. Christiam G. Collado Oporto

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS I


CARACTERSTICAS DEL DIODO
Apellidos y Nombres:

Cdigo:
Semestr
e:
Grupo:
Lab. N:

FECHA:
01

OBJETIVOS

Obtener las caractersticas de un diodo de silicio y germanio.


Analizar las caractersticas tcnicas de un diodo.

MARCO TERICO
DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo de dos termnales que tiene el smbolo y las caractersticas siguientes:

Proporciona una base comparativa respecto de las caractersticas de un dispositivo real. En forma ideal un diodo conducir
corriente en la direccin definida por la fecha en el smbolo, se comporta como circuito cerrado para la regin de conduccin, y
actuar como un circuito abierto al intentar establecer corriente en direccin opuesta. Para el diodo ideal:

Rdirecto = 0 (corto circuito)


Rinverso = (circuito abierto)

DIODO SEMICONDUCTOR
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la regin de conduccin se combinarn, dando como resultado una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones positivos y
negativos recibe el nombre de regin de agotamiento por ausencia de portadores en la
misma.
La aplicacin de un voltaje implica tres posibilidades:
No hay polarizacin (VD = 0v)
Polarizacin directa (VD > 0v)
Polarizacin inversa (VD < 0v)

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Lab. CE1

JP: Ing. Christiam G. Collado


Oporto

SIN POLARIZACIN
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la
regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as
como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar hacia el rea ms all de la regin de agotamiento del material
tipo p. Sin embargo el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habr un
pequeo nmero de portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para pasar a travs de la regin de
agotamiento y llegar al material tipo p. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado el flujo neto de carga en cualquier
direccin para un diodo semiconductor es cero.

CONDICIN DE POLARIZACIN INVERSA


Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y la terminal negativa conectado al
material tipo p, eI nmero de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo n, aumentar debido al mayor
nmero de iones libres arrastrados hacia el potencial positivo. El nmero de iones negativos se incrementar en el material
tipo p. El efecto es un ensanchamiento de la regin de agotamiento que establece una barrera demasiado grande para que
los portadores mayoritarios puedan superarla reduciendo el flujo de los mismos.

CONDICIN DE POLARIZACIN DIRECTA


O condicin de encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al
material tipo n. El VD presionar a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para
recombinar con los iones cerca de la frontera y reducir el ancho de la regin de agotamiento. El flujo resultante de
portadores minoritarios de los electrones del material tipo p hacia el material tipo n no cambia de magnitud ( el nivel de
conduccin se controla por el nmero limitado de impurezas en el material); la reduccin en el ancho de la regin de
agotamiento resulta en un denso flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin: Al aumentar el valor de la
polarizacin, la regin de agotamiento disminuir su ancho hasta producir un desbordamiento de electrones, resultando
en un incremento exponencial en la corriente. El voltaje a travs de un diodo polarizado directamente ser menor a 1 V.

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Oporto

Las caractersticas de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la figura # 1. Note el cambio en la
escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la regin de polarizacin inversa la comerte de saturacin inversa
es justamente constarte de 0 V al potencial Zener.

En la regin de polarizacin directa la corriente crece realmente

rpidamente cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva est subiendo casi verticalmente a un
voltaje de polarizacin directa de menos de 1 V.
La comente del diodo en polarizacin directa se limitar solamente por la red en que el diodo es conectado o por la mxima
comento o por el valor de potencia del diodo.

CARACTERSTICAS DE DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO


La resistencia de DC o Esttica de un diodo en un punto de la curva caracterstica est determinada por la proporcin del
voltaje del diodo en ese punto, dividido por la comente del diodo. Esta es:

Rd =

VD
ID

La resistencia de AC o Dinmica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser determinada usando una lnea
tangente dibujada como esta en la figura #1. El resultado del voltaje (
ser determinado siguiendo la ecuacin aplicada:

R rd =

V
I

) y corriente (

de desviacin puede

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EQUIPO Y MATERIALES:
Fuente: DC , DMM
Resistores 1/4W : 1K, 1M,
Diodos : Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60

PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo

Escala de prueba de diodos del DMM


Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condicin de cada diodo.

CONEXIN DIRECTA

TEST
DIRECTO
INVERSO

SI:

SI:

GE:

Tabla 1. Condicin de los diodos

Escala de resistencia del DMM


Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condicin de cada diodo.
TEST
DIRECTO
INVERSO

SI:

SI:

Tabla 2. Condicin de los diodos

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Oporto

GE:

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Oporto

PARTE 2: Caractersticas del diodo en polarizacin directa

Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.


R
1k
V

D
Rmedido = _______________

Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V


Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 segn el tipo de diodo.
Obtener datos suficientes para dibujar las curvas caractersticas del diodo de silicio y germanio.

DIODO _________ (Si)


VR (V)
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

VR (V)
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)

Tabla 3.

DIODO _________ (Ge)


VR (V)
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

VR (V)
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)

Tabla 4.

PARTE 3: Polarizacin Inversa

Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

R
1M
20 V

Rmedido = _____________

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CARACTERSTICAS DEL DIODO

Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturacin inversa con la ecuacin

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Oporto

I D=

VR
R med R m

Rm es la resistencia interna del DMM (10M)

(Si)

(Ge)

Rm
VR
ID

MEDIDO
CALCULADO

Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuacin.

R DC =

V V R
ID
RDC(Si ______) =
RDC(Ge ______) =

PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas caractersticas de los diodos, determine el voltaje de diodo en los niveles de corriente indicados en la tabla
6, 7 y 8
Diodo ________ (Si)
ID (mA)
0,2
1
5
10

VD

RDC

Tabla 6.

Diodo ________ (Ge)


ID (mA)
0,2
1
5
10

VD

Tabla 7.

RDC

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Oporto

CUESTIONARIO FINAL

1. Cmo podra identificar los terminales de un diodo que no est marcado?


2. Qu es la resistencia directa del diodo? Cules son los valores para los diodos
analizados en laboratorio?
3. Qu es la resistencia inversa del diodo? Cules son los valores para los diodos
4.

analizados en laboratorio?
De la ficha tcnica de los diodos, anote los valores ms importantes y/o usuales a
consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en general.
Anote los valores de acuerdo a la eleccin hecha.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado.


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