UNIVERSIDAD DE LA COSTA

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA APLICADA

REA DE LABORATORIO DE ELECTRONICA BASICA
FACULTAD DE INGENIERA

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO JFET

Presentado por: Alvaro Charris Garcia
Resumen
En la siguiente experiencia se dio a conocer el funcionamiento y comprobacin del transistor JFET, el
cual su operacin activa es utilizada como una fuente de corriente controlada por el voltaje. Su
funcionamiento se basa cuatros zonas que son, hmica, saturacin, corte y ruptura. se logr graficar las
caractersticas ideales del JFET.
Palabras claves: JFET, Zonas de operacin, Caractersticas ideales, Puerta, Drenaje, Fuente.

1.

Introduccin

El transistor de efecto campo (Field-Effect

Transistor, en ingls) es un transistor que se
basa en el campo elctrico para controlar la
forma y, por lo tanto, la conductividad de un
canal que transporta un solo tipo de portador de
carga, hecho de un material semiconductor, por
lo que tambin suele ser conocido como
transistor unipolar. Posee tres terminales,
denominados puerta (gate), drenaje (drain) y
fuente (source). La puerta es el terminal
equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction
Transistor), de cuyo funcionamiento se
diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado
entre la puerta y la fuente controla la corriente
que circula en el drenaje. As como los
transistores bipolares se dividen en NPN y PNP,
los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P,
dependiendo del material del canal del
dispositivo.
Podemos distinguir dos grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo Metal xido - Semiconductor: MOSFET

Transistor de Efecto de Campo de
Unin: JFET

Para el caso de los transistores JFET la relacin

entre las variables de entrada y salida es no
lineal debido a la ecuacin de Shockley.
2. Fundamentos Tericos
2.1. Transistor.
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor de tres terminales, el cual puede
emplearse como amplificador, oscilador y otros

fines, como en los tubos de vacos. El material

base para la fabricacin de estos dispositivos
son los elementos semiconductores, como lo son
el germanio y el silicio.
2.2. Transistor De Efecto De Campo JFET.
El JFET (Junction Field-Efecto Transistor, en
espaol transistor de efecto de campo de juntura
o unin) es un tipo de dispositivo electrnico de
tres terminales que puede ser usado como
interruptor
electrnicamente
controlado,
amplificador o resistencia controlada por
voltaje.
A diferencia del transistor de unin bipolar el
JFET, al ser un dispositivo controlado por un
voltaje de entrada, no necesita de corriente de
polarizacin. La carga elctrica fluye a travs de
un canal semiconductor (de tipo N o P) que se
halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una
tensin elctrica inversa al terminal de puerta, el
canal se "estrecha" de modo que ofrece
resistencia al paso de la corriente elctrica. Un
JFET conduce entre los terminales D y S cuando
la tensin entre los terminales G y S (VGS) es
igual a cero (regin de saturacin), pero cuando
esta tensin aumenta en mdulo y con la
polaridad adecuada, la resistencia entre los
terminales D y S crece, entrando as en la regin
hmica, hasta determinado lmite cuando deja
de conducir y entra en corte. La grfica de la
tensin entre los terminales D y S (VDS) en el
eje horizontal contra la corriente del terminal D
(ID o corriente de drenaje) es una curva
caracterstica y propia de cada JFET

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Figura 1. Estructura bsica del JFET de canal n.

Figura 3. Caractersticas JFET 2N5457

2.3. Drain (D).

Es el terminal por el que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n
y los huecos en el de canal p).
2.4. Source (S).
Es el terminal por el que entran los portadores.
2.5. Gate (G).
Es el terminal mediante que controla la corriente
de portadores a travs del canal.
2.6. Smbolos.
Se representan de la siguiente manera.

Figura 3.1. Caractersticas JFET 2N5457

2.8. Curvas Caractersticas.

Al representar la corriente ID en funcin de las
tensiones (VDS y VGS), aparecen las denominadas
curvas caractersticas del transistor JFET.

Smbolo electrnico

Figura 4. Caractersticas ideales de un JFET de canal n.

2.7. Caractersticas del Transistor JFET

2N5457.
Para mayor informacin puedes visitar el
siguiente enlace:

Figura 5. Para VDS < VDSsat el JFET se comporta como

una resistencia variable con VGS.

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Figura 6. Para VDS > VDSsat el JFET se comporta como

una fuente de corriente controlable con VGS.

2.9. Resistencia.
Su principal funcin es dificultar el paso de la
corriente elctrica dentro de un circuito
electrnico. Se le denomina resistencia elctrica
a la igualdad de oposicin que tienen los
electrones al moverse a travs de un conductor.
La unidad de resistencia en el Sistema
Internacional es el ohmio, que se representa con
la letra griega omega (), en honor al fsico
alemn Georg Ohm, quien descubri el
principio que ahora lleva su nombre

Figura 8. Cdigo de Colores para resistencias.

2.11. Potencimetro.
Un potencimetro es un dispositivo conformado
por 2 resistencias en serie, las cuales poseen
valores que pueden ser modificados. Existen
mltiples tipos de potencimetros, variando su
forma y el mtodo como modifican los valores
de las resistencias.

Figura 7. Resistencias
Figura 9. Potencimetro.

2.10. Cdigo de colores.

El cdigo de colores es usado para determinar
fsicamente el valor hmico de una resistencia a
travs de las bandas de colores, a esto debemos
asociar la tolerancia cuyo valor porcentual, el
cual determina el rango del valor hmico de la
resistencia. Este rango vara entre un valor
mnimo y un valor mximo.

3.

Datos obtenidos en el laboratorio.

Para la realizacion de esta experiencia se

utilizaron los siguentes materiales y equipos:

Resistencia de 1 k W
Resistencia de 1 M
Potenciometro de 50 k
JFET 2N5457
Protoboard
Fuente DC de alimentacion
Multimetro
Caimanes y conectores.

En la Figura 10, se muestra el primer circuito de

esta experiencia. Este se armo en la protoboard
y se realizaron 10 mediciones diferentes,
variando el potenciometro de RS, se midieron

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los voltajes en cada uno de los terminales y la
corriente ID. Todos estos datos medidos se
pueden apreciar en la Tabla 1.

VDS
ID
VDS
ID
VDS
ID
VDS
ID

0.36 V

0.40 V

3.72 mA 4.18 mA 4.64 mA

0.28 V

0.32 V

5.10 mA

6.0 V
0.44 V

7.0 V
0.53 V

7.5 V
0.58 V

5.56 mA 6.01 mA 6.46 mA

6.92 mA

8.0 V
0.63 V

9.0 V
0.75 V

9.5 V
0.81 V

7.37 mA 7.81 mA 8.25 mA

8.69 mA

10.0 V
0.88 V

11.0 V
1.10 V

11.5 V
1.50 V

9.11 mA 9.53 mA 9.90 mA

10.0 mA

6.5 V
0.49 V
8.5 V
0.69 V
10.5 V
0.97 V

Tabla 2. Datos medidos para la Figura 11.

Luego dejando la fuente en 12 V, se coloca una

fuente adicional entre el terminal de la
compuerta y tierra, como se puede observar en
la Figura 12.

Figura 10. Circuito JFET

Tabla 1. Datos medidos para el circuito de la Figura 10.

Con base al circuito de la Figura 10, se le quita

la resistencia RG y el potenciometro, y estas se
reemplazan por un corcocircuito. Como se
puede observar en la Figura 11.

Figura 3. Circuito 3.

En el anterior circuito se midieron los voltajes

VGS y VDS, de igual manera la corriente ID. Todos
los datos medidos se pueden apreciar en la Tabla
3.
VDS
VGS
ID

Figura 11. Circuito 2.

La fuente variable se fue incrementando 0.5 V

para realizar diferentes mediciones y asi obtener
los valores ID y VDS. Estos valoes se pueden
apreciar en la Tabla 2.
VDS
ID
VDS
ID

0.0 V
0V

0.5 V
0.03 V

1.0 V
0.06 V

1.5 V
0.10 V

0 mA

0.47 mA 0.93 mA

1.40 mA

2.0 V

2.5 V

3.0 V

0.14 V

0.17 V

0.21 V

0.24 V

1.86 mA 2.33 mA 2.79 mA

3.26 mA

4.0 V

4.5 V

5.0 V

3.5 V
5.5 V

VDS
VGS
ID
VDS
VGS
ID
VDS
VGS
ID

0.0 V
2V
0V

0.5 V
9.50 V
-0.5 V

1.0 V
12 V
-1.0 V

1.5 V
12 V
-1.5 V

10.0 mA 2.50 mA

0.12 A

0.12 V

2.0 V

2.5 V

3.0 V

3.5 V

12 V
-2.0 V

12 V
-2.5 V

12 V
-3.0 V

12 V
-3.5 V

0.12 A

0.12 A

0.12 V

0.12 A

4.0 V
12 V
-4.0 V

4.5 V
12 V
-4.5 V

5.0 V
12 V
-5.0 V

5.5 V
12 V
-5.5 V

0.12 A

0.12 A

0.12 A

0.12 A

6.0 V
12 V
-6.0 V
0.12 A

Tabla 3. Datos medidos del circuito de la Figura 12.

Cabe resaltar que por la falta de disponibilidad

del transistor utilizado para esta experiencia, los

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datos se obtubieron por medio de un programa
de simulacion Proteus.
4. Anlisis
A partir de la Tabla 1, se graficara ID VS. VGS.

5. Conclusiones
El FET es un dispositivo activo que funciona
como una fuente de corriente controlada por
voltaje. Bsicamente el voltaje en la compuerta
VGS, controla la corriente ID entre el Drain y la
source. Para el JFET, la ecuacin que da cuenta
del comportamiento es la ley de Shockley, en la
cual al corriente IDSS, llamada corriente de
saturacin ser la mxima permitida, el voltaje
Vp permite establecer el rango del voltaje V GS y
delimita el corte del transistor.

Tabla 1. Datos medidos para el circuito de la Figura 10.

Bibliografa

Boylestad, R. Nashelsky, L. Electronica

electronicos. 10 Edicion. Pearson

http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/ca
p06.htm
Figura 13. Grafica ID vs. VGS
Figura 14. Grafica ID vs. VDS

Observando la Figura 13, se puede apreciar que

la corriente ID se hace ms pequea a medida
que aumenta la tensin negativa de VGS.
Al igual que los transistores BJT, los transistores
JFET trabajan en 4 zonas.

Zona de Corte
Zona hmica
Zona de saturacin
Zona de ruptura

http://www.ecured.cu/Transistor_de_efecto_cam
po
http://www.trans_campo.electronic.oficial.htm