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Anlisis de pequea
seal del BJT
--]
r
L-
8.1
INTRODUCCION
8.2
336
][
\iee
Re
-..
-..
RB
lo
1;
Vio-----)
(------o Vo
e2
-..
V;
el
20
Vo
lo
Re
20
RB
2;
2;
-..
1;
de emisor comn
-..
-..
lb
1;
V;
Figura 8.3 Sustitucin del modelo re
en la red de la figura 8.2.
+ 2;
'='
le
f3re
RB
'='
~ f31"
Re
lo
+
Vo
ohms
ohms
(8.2)
ohms
(8.3)
Conguracn
de emisor
comn
con polarizacin
fija
337
][
Suponiendo que RB ~ j3re hace posible la aproximacin lb =/, se tiene que
Vo = -f3IRe
pero
V
V
1=-=1
Z
f3re
v, =
-f3(;
re
Vo
A v --V. -
)Re
(8.4)
Re
re
lo
A = /.
==
que
f3
(8.5)
f3
Sin embargo, como ro es en general mucho mayor que Re' la ecuacin (8.3) puede aplicarse a menudo con un alto grado de precisin. De hecho, si suponemos que ro 11 Re ==
Re. las ecuaciones para Av y A no sern afectadas. Si ro.debe incluirse, la ganancia de
voltaje ser
(8.7)
8.5 Inclusin de
To
en
338
Io =
Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT
][
y la ganancia de corriente
1
A=-21
1
= _o
= (rf3)
1
_b
t,
lb
(=1)
o.
ro + Re
(8.8)
EJEMPLO 8.1
00
00
00
kn
.----~--O
470kQ
12 V
~ lo
(------o
io
Vo----)J---+------I
I1F
f3 = 100
10 I1F
V
o
z,
'0= 50kQ
~
Z
Solucin
(a) Cd anlisis:
12 V - 0.7 V
470 k
B -
le = (f3
26 mV
26 roV
2.428 roA
(b)
+ 1)18 = (101)(24.04
=
24.04 J-LA
10.71 fi
(e) Z;
(d) Av
Re
3 kfi
Re
-re
= -
(e) A:= f3
470 kD.111.071k
3 kD.
10.71 D.
1.069 kfi
-280.11
= 100
rollRe
re
Av
= ---
ro
rof3
+ Re
2.83 k
10.71
-264.24
(50 k)(lOO)
50 kD. + 3 kD.
8.2
VS.
= 94.34
-280.11
VS.
100
339
l[
8.3 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE
La siguiente configuracin que se analizar es la red de polarizacin por divisor de
voltaje de la figura 8.7. Recurdese que el nombre de la configuracin resulta de la
polarizacin por divisor de voltaje en el lado de la entrada para determinar el nivel de cd
de VB'
Rl
(------o Vo
e2
Vio----)
~
Zo
el
~
Z
R2
eE
Figura 8.7 Configuracin
por divisor de voltaje.
de polarizacin
ce
(8.9)
~lb
~
Z
pr.
R2
Rl
Re
lo
Vo
~
Zo
'-----y-J
R'
Figura
Zi:
r. en la red equivalente
De la figura 8.8,
I
Zo:
de ea de la figura 8.7
Z =
R'IIf3re
(8.10)
De la figura 8.8,
(8.11)
340
][
Re
=--V
re
(8.12)
lb =
lb
T;
m,
R' + I3re
R'
= R' + I3re
o
La ganancia de corriente
(8.13)
8.3
341
][
mientras que se deriv la siguiente para esta configuracin:
lb
R'
T;=
R'+f3re
obtenemos
A=
rof3
r; +Rc
R'
R'+ f3re
(8.16)
La complejidad de la ecuacin (8.16) sugiere que volvamos a una ecuacin del tipo de la
ecuacin (7.10), que utiliza los resultados anteriores. Es decir,
(8.17)
EjEMPLO
8.2
lIhoe
50 kQ
Y compare
los
22 V
56kQ
10 J.F
V0----)1---+-----1
.....
I
120
8.2kQ
":"
J.F
Solucin
(a) CD: Al probar f3RE > 10 R2
(90)(1.5 kQ) > 10(8.2 kQ)
135 kQ > 82 kQ se satisface
342
][
Empleando el enfoque aproximado
V =
R2
V
8.2 kl (22 V) - 2 81 V
B
R + R2
ee - 56 kl + 8.2 kl - .
VE
= VB
le
= -RE =
V BE
VE
2.81 V - 0.7 V
2.11 V
k
1.5 A
u
26 mV
2.11 V
1.41 mA
26 mV
= 1. 4 1 mA = 18.44 fi
R' = RIIIR2 = (56 kl)II(8.2 kl) = 7.15 kl
Z = R'lll3re = 7.15 klll(90)(18.44!1) = 7.15 klll1.66 k!1
re
(b)
1.35 kfi
= - Re = _ 6.8 kl = -368.76
re
(e A)
=
R'
18.44 l
R'I3
+ I3re
(7.15 kl)(90)
_
7.15 kl + (90)(18.44 l) - 73.0
Ay
= ---
Rcllro
re
= -
5.98 k!1
844 A
1.
u
vs. 6.8 kl
rol3
R'
(50 kl)(90)
[
7.15 k!1
]
ro + Re R' + I3re - 50 k!1 + 6.8 k!1 7.15 k!1 + (90)(18.44 !1)
= (79.225)(0.812) = 64.33 vs. 73.0
o, haciendo uso de la ecuacin (8.17):
A =
-Ay-
Re
-(-324.3).
(1.35 k!1)
A
6.8 ku
= 64.38
con la leve diferencia debida al nivel de precisin llevado a travs de los clculos.
8.4
Las redes examinadas en esta seccin incluyen un resistor de emisor que puede o no,
ponerse en derivacin en el dominio de ea. Consideraremos en primer lugar la situacin
sin derivacin y luego modificaremos las ecuaciones resultantes para la configuracin
con derivacin.
Sin derivacin
Los aspectos fundamentales de las configuraciones sin derivacin aparecen en la figura
8.10. Al sustituir el modelo re se tendr como resultado la configuracin de la figura
8.11. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al extremo de entrada de la ecuacin
(8.11) obtenemos
V = Ibf3re + I.RE
V = Ibf3re + (f3 +l)I~E
o
y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es
V.
Zb =
= f3re + (f3 + l)IbRE
-b
8.4
343
][
e
Vi
de polarizacin
para
re en la red equivalente de ea
de la figura 8.10.
Zb = f3re
+ (f3 +
I)RE
(8.18a)
(8.18b)
y
Figura 8.12 Definicin de la impedancia de
entrada para un transistor con un resistor de
emisor sin derivacin.
Puesto que RE es generalmente mucho ms grande que re' la ecuacin (8.19) puede
reducirse todava ms a
(8.19)
Zi:
(8.20)
Z=RBIIZ,
Zo:
Con Vi igual a cero, lb = O Y jJlb puede reemplazarse
equivalente. El resultado es
Zo==Re
l,==j-
"
y
(8.22)
con
I.
344
Av == Vv','
==-
Re
re + RE
(8.23)
][
y para la aproximacin
Zb == f3RE
(8.24)
RBI
h=----"'-~
RB + Z;
RB
RB
+ z;
Adems
lo
A-=-
De modo que
/0
A-=-
(8.25)
A=-A
I
s:I
(8.26)
Relacin de fase: Los signos negativos en las ecuaciones (8.22) a la (8.24) revelan
de nuevo un desfasamiento de 180 entre VoY Vi.
Efecto de r o : La colocacin de ro para esta configuracin es tal que para los valores
de parmetros tpicos el efecto de ro sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se pueden ignorar.
El resultado es
0
(8.27)
(8.28)
con
A=-A~
I
(8.29)
Re
Con derivacin
Si RE en la figura 8.10 se encuentra en derivacin con un capacitor de emisor
ecuaciones desarrolladas se modificarn de la manera siguiente:
z; = f3re
8.4 Configuracin
Av
-__
eE,
las
Re
re
345
][
EJEMPLOS.3
eE (sin derivacin)
determine:
(a) re
20V
(b) Zi'
Zo'
(c)
(d) Av
(e) Ai'
270kn
Solucin
1
(a) CD:
20 V - 0.7 V
Vee - VBE
= 26 mV = 26 mV = 4.62
re
5.63 mA
le
+ (121)1.2 kO
(120)(4.62 O)
553.2 0+ 145.2 kO
145.75 kO
RBllzb
270 k011145.75 kO
= 94.65 kn
contra 93.91 ill empleando Z = RBIIf3RE.
kn
(e) Z
Re
(d) Av
---z: = -
5.6
{3Re
(120)(5.6 kO)
145.75 kO
= -4.61
contra -4.67 utilizando Av == -RdRE'
A
(e)
or
{3RB
RB + Zb
77.93
= -Av
=
346
Z
Re
(120)(270 kO)
270 kO + 145.75 kO
= -(-4.61)
(94.65 kO)
5.6 kO
77.92
/-LA
)[
EJEMPLO 8.4
= Re = 5.6 kO
(d) Av
= --
Re
re
5.6 k!1
= - 4.62!1 = -1212.12
( )
RB
(120)(270 k!1)
270 k!1 + 554.4 !1
{3RB
+ Zb
119.75
EJEMPLO 8.5
apropiadas):
16V
(b) Zi'
(e) Zo'
(d) Av'
(e) Ai'
90kn
+-----1
-----<o
+
V"---------'I----+---~
~
el
t,
--+Z
lOW
Solucin
(a) Al probar ,BRE> 10 R2
R2
R1
VE
= VB
le
=-
=
e
+ R2
ee
V BE
VE
RE
8.4
10 k!1
'16 V)
90 k!1 + 10 k!1 t
= 1.6
0.9 V
0.68 k!1
26 mV
le
V-O.
7V
= 1.324
26 mV
1.324 mA
= 0.9
= 1.6
mA
19.64 O
347
][
(b) El circuito de ea equivalente se proporciona en la figura 8.15. La configuracin
resultante es ahora diferente de la figura 8.11 por el solo hecho de que ahora
R' = RdlR2 = 9 k.O.
-..
+
2.2kl
Figura
90kl
10 kl
0.68 kl
de ea de la figura 8.14.
adecuadas llegamos a
z; == {3R
Z = RBllzb
142.8 kn
9 k!l11142.8k!l
= 8.47 kn
(e) Z; = Re = 2.2
kn
Re
(d) Av
= - RE = -
2.2 kn
0.68 kn
EJEMPLO 8.6
-3.24
(8.47 k!l)
2.2 k!l
12.47
n.
Z = RBllZb = 9 k!l114.12kn
= 2.83 kn
(e) Z = Re = 2.2
Re
kn
2.2 k!l
= -A -Z = -(-112.02)
v
RL
(2.83 k!l)
2.2 k!l
= 144.1
8.16. Para el anlisis de cd la resistencia de emisor es REt + RE2 mientras que para el
anlisis de ea el resistor RE en las ecuaciones anteriores es simplemente REt ya que
R E2 es corto. circuitado por CE348
][
Vcc
el
V
~t-------...-t
----..
t,
8.5
Cuando la salida se toma desde la terminal del emisor del transistor como se muestra en
la figura 8.17 la red recibe el nombre de emisor seguidor. El voltaje de salida siempre es
un poco menor que la seal de entrada, debido a la cada de la base al emisor, aunque la
aproximacin Av == 1 casi siempre es satisfactoria. A diferencia del voltaje de colector, el
voltaje de emisor est en fase con la seal Vi. Esto es, tanto Vo como Vi alcanzan sus
valores pico positivo y negativo al mismo tiempo. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relacin en fase explica el uso de la terminologa emisor seguidor.
de emisor
La configuracin ms comn de emisor seguidor aparece en la figura 8.17. En realidad, puesto que el colector est conectado a tierra en el anlisis de ea, sta es de hecho
una configuracin de colector comn. Otras variaciones de la figura 8.17 en las que la
salida se dibuja fuera del emisor con Vo == Vi aparecern posteriormente en esta seccin.
La configuracin
de emisor se.guidor se utiliza a menudo con propsitos de
acoplamiento de impedancia. Presenta una elevada impedancia en la entrada, as como
un valor bajo en la salida, lo que es por completo opuesto a la configuracin estndar de
polarizacin fija. El efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador, donde la carga se acopla a la impedancia de la fuente para la transferencia mxima de potencia a travs del sistema.
8.5
349
][
La sustitucin del circuito equivalente aproximado en la red de la figura 8.17 prc
ducir la red de la figura 8'.18.
-..
equivalente
"11'
ea de la figura 8.17.
I
con
Zb
= Br, + ({3+
z, ;::(3(re
Zb;::
RBllzb
I)RE
(8.31)
(8.32)
+ RE)
{3RE
(8.30)
(8.33)
h=-'
Zb
V
(13+ 1)-'
Zb
Ie= (f3+1)Ib=
Al sustituir por Zb' obtenemos
({3
+ nv,
o
pero
V
1 = -------'---e
[(3r eI({3 + 1)]
{3+1;::{3
Br,
{3+1
{3re
---;::--=r
de modo que
350
+ RE
{3
(8.34)
][
Si a continuacin construimos la red definida mediante la ecuacin (8.34), se producir la configuracin de la figura (8.19).
Para determinar Zo' Vi se hace igual a cero y
(8.35)
Vi
Puesto que RE es generalmente mucho mayor que re' se aplica con frecuencia la siguiente
aproximacin:
(8.36)
Av:
La figura 8.19 puede utilizarse para determinar
medio de una aplicacin de la regla del divisor de voltaje:
R"Y
.
+ re
I
RE
(8.37)
Ya que RE es comnmente
== RE' Y
A = VIJ ~ I
\'
(8.38)
V-
o
y
lo
- = -(3
de modo que
t,
A-
lo
y puesto que
lo h
lb I
-(3
(3
A1
+ 1 ==
=-
A-
+ 1)
RB
1)
RB
(3,
(3RB
RB + Zb
= -A ~
v
+ Zb
RE
(8.39)
I
.
(8.40)
Relacin de fase:
Como se deduce de la ecuacin (8.37) y de anteriores discusiones en esta seccin, VoY Vi estn en fase para la configuracin de emisor seguidor.
Efecto de r o: Para esta configuracin, ro aparece en paralelo con el resistor de
emisor RE' lo que puede afectar tanto a la impedancia de entrada como a la de salida.
8.5
351
}[
EJEMPLO 8.7
(e) Zo'
(d) Av'
(e) Ai'
12 V
220kQ
f3 = 100
Solucin
Vcc - VBE
(a) l - ---...::....::;----.::..;::......-
+ ({3 + 1)RE
RB
B -
12 V-O. 7 V
220 kfl + (101)3.3 kfl
+ 1)IB
(101)(20.42 ..LA)
20.42
A
..L
lE = ({3
=
re = 26 rnV =
({3 + 1)RE
= (100)(12.61 fl)
=
2.062 mA
26 mV = 12.610
2.062 mA
le
(b) Zb = {3re
+ (101)(3.3 kfl)
+ 333.3
1.261 kfl
kfl
(e)
RBllzb
z, = REIIre
=
(d) Av
3.3 kfl1l12.61
12.56 O
= Vo =
V
=
(e) A
==
== re
RE
RE
+ re
0.996 == 1
{3RB
RB
+ Zb
3.3 kfl
3.3 kfl + 12.61
(100)(220 kfl)
= -39.67
220 kfl + 334.56 kfl
contra
352
= -Av-
Z
(132.72 kfl)
= -(0.996)
RE
3.3 ku
f"\
= -40.06
)[
La red de la figura 8.21 es una variacin de la red de la figura 8.17 que utiliza una
seccin de entrada del divisor de voltaje para ajustar las condiciones de polarizacin. Las
ecuaciones 8.30 a 8.40 se cambian sustituyendo RB por R' = R 11 R2.
s:
v, ~t----t-----+-I
el
Figura 8.21 Configuracin de
emisor-seguidor con un arreglo
de polarizacin por divisor de
voltaje.
el
V o---}t----t-----f
8.6 CONFIGURACION
DE BASE COMUN
La configuracin base comn se caracteriza por tener una baja impedancia de entrada y
de salida y una ganancia de corriente menor que 1. Sin embargo, la ganancia de voltaje
puede ser bastante respetable. La configuracin estndar aparece en la figura 8.23 con el
modelo equivalente re sustituido en la figura 8.24.
--.. --..
--..
I
--..
1,
le
Vo
.....
--..
--..
Re
RE
+
Vo
.....
Zo
Zo
Vee
VEE
lo
de base comn.
la red equivalente
8.6
Configuracin
r, en
de ea de la figura 8.23.
de base comn
353
][
(8.41 )
(8.42)
V
1=-'
e
con
re
de modo que
(8.43)
con
lo
a I =
=- =
-a
a],
==-1
(8.44)
EJEMPLO 8.8
10 IlF
(e) A.
~~)
I
lkn
z,
2V
Solucin
_ VEE
(a) fe -
= 26 mV
r
e
354
RE
le
VBE
2 V-O.
26 mV
1.3 mA
7 V = 1.3 V = 1 3 mA
1 k!l
= 20 n
1k!l
][
(b) Z
= REllre =
=
19.61.fi
(e) ZQ
Re
(d) Av
==
Re
knl120 n
== Te
= 5 k.fi
=
Te
(e) A = -0.98
= 250
5 k~
20
==
-1
Vcc
-I
V o------) I---+--<>-~
el
Figura 8.26 Configuracin de
retroalimentacin en colector.
Algunos de los pasos que se efectuarn a continuacin son resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones. No se espera que un estudiante sin bases del
tema eligiera la secuencia de pasos que se describir, sin dar antes uno o dos pasos
incorrectos. La sustitucin del circuito equivalente aproximado y volviendo a dibujar la
red producir la configuracin de la figura 8.27.
-I
== {3h.
Vo = -loRe =
y
lo
8.7
-({3h)Re
Configuracin
355
][
Al sustituir lb = Vi /f3r e obten=vv=
V
o
A"
Vi
r
= -f3-Rc
f3 e. Vo
Re
V,
re
= -=--
(8.45)
Empleando lo
Vo
+ (h - I)RF + 10Re
hf3re
+ VRF
== jJlb' obtenemos
hf3re
y
lo
+ RF + f3Rd
1i(f3re
I
== jJlb llegamos a
=
lRF
f3RFI
Br, + RF + f3Re
(8.47)
Z : De la figura 8.27,
Ib=[.+1
Vo
RF
= hf3re
= (/ + ~;)f3re
Vi
356
1f3re +
f3reAvV
-'----
RF
][
(3reAv)
V ( 1 - -= {3r
1
RF
1
e
Luego
con
xlly
xy
= x
+y
x
=
+ x/y
la cual tiene el mismo formato que la ecuacin anterior con x =~re y y = -RF/Av' Sin
embargo, ya que Aves una cantidad negativa, para esta configuracin la magnitud de Z
est dada por
(8.48)
EjEMPLO
8.9
9V
(a) re'
(b) Av'
(c) Av'
(d) Z.
(e) Zo.
Configuracin
357
][
Solucin
(a) l
- Vee - VBE
B -
le
RF
_
-
+ {3Re
9 V - 0.7 V
180 kn + (200)2.7 kn
11.53 J1-A
= ({3
+ 1)IB
(201)(11.53 J1-A)
re = 26 mV =' 26 m~ = 11.21
le
2.32 mA
Re
(b) Av
= --
(e) A
= RF + {3Re
= 50
re
= -
2.7 kn
11.21 n
Av
2.32 mA
-240.86
(200)(180 kn)
180 kn + (200)(2.7 kn)
{3RF
(d) Z = {3relIIRFI
180
(200)(11.21 n)11
k~
240.8
2.66 kn
t,
v o ~
)I---.+-.........-f
el
(8.50)
(8.51)
y
(8.52)
(8,53)
358
J[
8.8 CONFIGURACION DE COLECTOR
CON RETROALIMENTACION DE CD
La red de la figura 8.31 tiene un resistor de retroalimentacin cd para incrementar la
estabilidad; sin embargo, el capacitor C3 cambiar una mayor o menor resistencia de
retroalimentacin
parte de RF que
el
v o
. )1--...+.----------1
t,
Figura 8.31 Configuracin de
retroalimentacin CD en el colector.
~
+
v,
+
~
z,
~
R'
(8.54)
(8.55)
pero
8.8
= -f3-'f3v,r R'
e
Configuracin
de CD
359
) [
(8.56)
de modo que
A{
t,
RFl
h=---'--'-'-o
RF + f3re
RF
RF
f3re
RF2f3
lo
RF2
lb
+ Re
La ganancia de corriente
I
t,
lo
lo
t, I
A=-=
RF,{3
RF2
+ Re
RF
RF
+ f3re
A- = __ --=-f3_R.:..F
....
,R..:.F
..
2 --I
(RF 1 + f3r~)(RF 2 + Re)
(8.57)
(8.58)
Relacin de fase: El signo negativo en la ecuacin (8.56) revela con claridad un desfasamiento de 180 entre los voltajes de entrada y salida.
Efecto de r o: Puesto que ro est en paralelo Con Re la impedancia de salida se modificar a
0
(8.59)
y la ganancia de voltaje a
(8.60)
EJEMPL08.l0
12V
(b) Zi.
(e) Zo.
(d) Av
120 kil
(e) Ai.
V
o~
)1-----4---------
.......f3
= 140
10~
360
][
Solucin
le
(a) Cl):
Vcc - VBE
RF + f3Rc
12 V - 0.7 V
+ 68 kn) + (140)3 kn
(120 kn
11.3 V = 18.6 A
608 kn
JL
2.62 mA
re = 26 rnV =
le
26 rnV = 9.92 O
2.62 mA
1.39 kn
== 1.37 kO
+
-.-.-
120 k.Q
V
/0
68kQ
Vo
Zo
r. en la red equivalente
de ea de la figura 8.33.
(e) Z;
= 3 kOl168kn
RclIRF2
== 2:87'kO
(d) R'
= 2.87 kn
RclIRF2
Av = -
RcllRF
2
re
=
2.87 kn
9.92 n
-289.3
(e) A =
f3RF,RF2
(RF,
+ f3re)(RF2 + Re)
(140)(120 kO)(68 kO)
(120 kO
132.54
+ 3 kn)
1.39 kO)(68 kn
A-=-Av
l
Rc
-(-289.3)(
132.11
8.8
1.;:~n)
Configuracin
de CD
361
][
8.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HffiRIDO APROXIMADO
El anlisis que utiliza el circuito equivalente hbrido aproximado de la figura 8.35 para la
configuracin de emisor comn, y de la figura 8.36 para la configuracin de base comn,
es muy similar al recientemente realizado, empleando el modelo re. Aunque el tiempo y
las prioridades no permiten un anlisis detallado de todas las configuraciones discutidas
hasta ahora, un breve examen de algunas de las ms importantes se incluir en esta seccin para demostrar las similitudes en el enfoque y en las ecuaciones resultantes.
b C>-----i--- .
0---+-0-.....,
..--"':""_+--<>
Puesto que los. diversos parmetros del modelo hbrido se especifican por medio de
una hoja de datos o anlisis experimental, el anlisis de cd asociado con el uso del modelo
reno es una parte integral del uso de los parmetros hbridos. En otras palabras, cuando se
presenta el problema, los parmetros he' hfe' hilJ' y otros, son especificados. Sin embargo,
tmese en consideracin que los parmetros hbridos y los componentes
del modelo re
estn relacionados por las ecuaciones siguientes, como se discuti con detalle en el
captulo 7: hie = {3re' hfe = {3,hoe = 1/r o' hb = -a y hp = re (consulte el apndice A).
vcc
.-
+-----ill---o
1;
~ )I----+----i:-l
el
V;
362
Zo
Vo
][
..le
+~
tlo
..-
Re
Figura 8.38 Sustitucin del circuito
equivalente hbrido aproximado en
la red equi valente de ea de la figura
Vo
20
8.37.
Z{
De la figura 8.38,
(8.61)
Zo:
De la figura 8.38,
(8.62)
h=-'
hie
con
de modo que
(8.63)
1"
A = -1
I
Impacto de hoe:
==
(8.64)
h.f"
(8.65)
(8.66)
EJEMPLO 8.11
(b) Zo'
(c)Av-
(d) A.
330kl
~-~-n---+--H~
I
363
][
Solucin
(a) Z = RBllhe = 330 knjjl.175
== he
(b) r - -
o ~ hoe - 20 pAN
Z;
= hllRe
==
50 kn
oe
A - _ heRe _
( )
e
v he (d) A
kn
1.171 kfi
(120)(2.7 kn) _
1.171 kn
- -276.69
hfe = 120
v o ~
)1-----+----;1
el
z"
de
por divisor de voltaje.
I Z = R'llhe I .
Zo: De la figura 8.38,
(8.67)
I Zo=Rc I
(8.68)
I Av=-~:I
(8.69)
(8.70)
364
][
l' ~.I--+---~
..
'-=+'
1,
z"
"="
2b
==
hieRE
(8.71)
RBII2b
(8.72)
de
para emisor comn sin
20 = Re
(8.73)
(8.74)
(8.75)
A,~
-A>~
(8.76)
Z{
(8.77)
(8.78)
8.9
365
][
Vcc
-I
ViO
--
Zo: Para Zo la red de salida definida por las ecuaciones resultantes aparecer como
se ilustra en la figura 8.43. Repsese el desarrollo de las ecuaciones en la seccin 8.5 y
== hfe'
(8.79)
1:..
Figura
8.43 Definicin
para la configuracin
seguidor.
Av:
de Zo
de emisor
(8.80)
(8.81 )
A-=
366
-A-
v RE
(8.82)
][
Configuracin de base comn
La ltima configuracin por examinarse
ser el amplificador de base comn de
lente hbrido aproximado de base comn
muy semejante a la de la figura 8.24. De
\;
--
tlo
Re
z,
Vo
-Z(J
Vee
Figura
8.44 Configuracin
de base comn.
T.l
+ ~ 1;
Z;
Vi
RE
Re
hib
+
lo
hbrido aproximado
Vo
-Zo
en la red
(8.83)
(8.84)
V.
con
/ =_1
e
hb
(8.85)
de modo que
lo
A = - = hfb
== -
8.9
(8.86)
367
} [
EJEMPLO 8.12
o+
)1---_---..:
---
--
h, = - 0.99
z,
hb = 14.3
hob
0.5 J.lA/V
IOV
Solucin
(a) Z
= REllhb =
(b) r o
=-
Z =
2.2 kn1l14.3 n
1
0.5 fJ-Nv
-IIRe == Re
hob
(e) Av
(d) A
= == hjb
hjbRe
hb
= _
14.21
n == hb
2 Mn
3.3 kn
(-0.99)(3.3 kn)
229.91
14.21
= -1
dificultad real para analizar las redes que faltan en las-secciones previas.
de emisor comn,
se utilizarn
Recurdese que el apndice A permite una conversin de un conjunto a otro si se proporciona uno de los conjuntos y se requiere del otro.
Considrese la configuracin general de la figura 8.47 con los parmetros de dos puertos de inters particular. El modelo equivalente hbrido completo se sustituye entonces en la
figura 8.48 haciendo uso de parrnetros que no especifican el tipo de configuracin. En otras
368
....lo
-+
t.I
-+
V-I
RI
+
Transistor
Vo
.-20
RL
ZI
Vs ~
-1
0----[
t.I
=il/
-+
v,
-+
h, Vo
ZI
-1
h lb
;-]/0
+1
l/ho
v,
-20
RL
Figura 8.48 Sustitucin del circuito hbrido completo en el sistema de dos puertos
de la figura 8.47.
de
hfh
+I =
hfl
Vo
+ --- =
vn,
hfl
+ hoVo
hoRLlo = hfl
as que
(8.87)
A
I
+ hrVo
8.10 Modelo equivalente hbrido completo
369
r-
L-
] [
La sustitucin de I = (1 + haRL)ldhde
da como resultado
V =
-(1
hoRL)h
hfRL
Vo
n.v,
A
v
_V_o=
V
h
-~h['_R....;:L'___
__
(hho - hfhr)RL
(8.88)
V = h;l
+ n.v;
sustituyendo
Vo = -loRL
tenemos
V = h.I - hrRLlo
Puesto que
lo
A=1
I
lo = A;l
y sustituyendo
produce
_ V _ h _ hfhrRL
Z - l. -
1+ h R
o
(8.89)
L
ms
I = h . + h V
o
'1'
00
-hfhrVo
--"-_':""
+ hoVo
e, + h
370
][
(8.90)
EJEMPLO 8.13
Para la red de la figura 8.49, determine los siguientes parmetros utilizando el modelo
equivalente hbrido completo y compare con los resultados obtenidos empleando
el modelo aproximado.
(a) Z y Z'
(b) Av'
(e) A = Id'I Y A' = Id'I'.
8V
470 kil
",
~
+
Vo
Q: h<
h" = 2
10-4, ha<
= 20 ~
Solucin
Ahora que se han derivado las ecuaciones bsicas para cada cantidad, el orden en el que
se calculan es arbitrario. Sin embargo, la impedancia de entrada es con frecuencia una
til cantidad por conocer y por lo tanto se calcular en primer lugar. El circuito equivalente hbrido completo de emisor comn se ha sustituido y la red se ha dibujado de
nuevo, como se muestra en la figura 8.50. Un circuito equivalente de Thvenin para la
seccin de entrada de la figura 8.50 resultar en el equivalente de entrada de la figura
8.51 ya que ETh == Vs Y RTh == Rs = 1 kQ (un resultado de RE = 470 kQ ser mucho
s:
t:
z:
Rs
1 kil
'
-z,
..-..- ...
lo
::::;) lb
1.61dl .
'\,
2x
io+v,
Z'o
Zo
~
110lb
4:S01dl
~
4.7 kl 4~
v,
v, '\,
Thvenin
Figura 8.50 Sustitucin
de ea de la figura 8.49.
hbrido
completo
371
] [
I .
s,
-.
z;'
1 k.Q
+ -.Z
v,
'\
-1
-0-0
-----7-'----
Figura
Re. como
se define por la ecuacin (8.90), es solamente para las terminales de salida del transistor.
No se incluyen los efectos de Re. Zo' es sencillamente la combinacin en paralelo de Zo
y RL. La configuracin resultante de la figura 8.51 es entonces un duplicado exacto de la
red definida en la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente.
V
I
h. _
hehreRL
1 + hoeRL
le
k11)
= 1.51 kfi
contra 1.6 k,Q utilizando simplemente he'
Z; = 470 k11IIZ == Z = 1.51 kfi
Vo
V
hie
(hehoe - hehre)RL
-(110)(4.7
k11)
1.6 k11
10311
10311
+ 47
11
= -313.9
contra - 323.125 empleando Av
= -hfeRLIhe'
_ lo _
A- - I
+ hoeRL
110
1 + 0.094
contra 1Iempleandosimplementehfe'
372
Captulo
8 Anlisis
de pequea
110
he
- --~"'----
= 100.55
) [
Z = Vo =
1
lo
hoe - [heh,,)(he
+ R,)]
[(110)(2
20 J1,s -
1
10-4)/(1.6 k!1
+ 1 k!1)]
1
20 /.1.,s - 8.46 ..tS
1
11.54 ..tS
86.66 kO
Z~ =
Rcllzo
Re.
Para el amplificador de base comn de la figura 8.52, determine los parmetros siguientes empleando el modelo equivalente hbrido completo y compare los resultados con los
obtenidos utilizando el modelo aproximado.
(a) Z y Z'.
EJEMPLO
8.14
(b) A Y A'.
(c)Av(d) Zo y Zo'
hie = 1.6 kQ
hre = 2 X }(-4
hfe = 110
hoe = 20 ~S
r-----------~r_--i~----~o
+
l.
z,
z;
z;
1',.
6V
373
][
Solucin
Los parmetros hbridos de base comn se derivan de los parmetros de emisor comn
haciendo uso de las ecuaciones aproximadas del apndice A:
1.6 k11
1 + 110
14.41 n
1.6 k11
110
==: hehoe _ h.;
1 + he
rb
hjb ==:
hob ==:
0.883
-110
1 + 110
20 ILS
1 + he
14.55 !l
10-4
10-4
-he
1 + he
1 + 110
= -0.991
= 0.18
.t
Al sustituir el circuito equivalente hbrido de base comn dentro de la red de la figura 8.52 se tendr como resultado la red equivalente de pequea seal de la figura 8.53. La
red de Thvenin para el circuito de entrada dar como resultado RTh = 3 k.Q 111 k.Q = 0.75 k.Q
para R s en la ecuacin para Zo'
n,
1 k.Q
~1
__1,
-- -,
+
1"
b
Thvenin
Figura
8.53 Equivalente
V.
(a) Ecuacin (8.89):
Z =
-;
= hb1
hjbhrbRL
1 + hobRL
= 14.4111 + 0.19 11
=
contra 14.41
Z ==: hb'
empleando
Z;
374
14.60
3 k11l1z==: Z = 14.60 n
][
(b) Ecuacin (8.87):
A. = lo = _~hjb~_
1
I
1 + hobRL
-0.991
1; == I
3 kO ~ Z,
Puesto que
-0.991
A = _V_o =
v
V
hb
14.410+
= hjb
A;
= loll
== -1
tambin
-_h.....
'fb.::.,R.....:L=---_
- hjbhrb)RL
+ (hbhob
-(-0.991)(2.2 kO)
[(14.41 0)(0.18 JLS) - (-0.991)(0.883 x 10 4)]2.2 kO
149.25
0.75 kO)]
1
0.295
=
contra 5.56
Mn usando Z ==
Z~ =
contra 2.2
8.11
kn usando
JLS
3.39 Mil
lIhob' Para Z como se define en la figura 8.53:
Rcllzo
z; == Re
TABLA DE RESUMEN
375
J L
TABLA 8.1 Ni veles relativos para los parmetros importantes de los amplificadores
A,
20
Alta:
(100)
Media:
""f3
(ro = 40 k!1)
Configuracin
Polarizacin
fija:
r---~-oVcc
Media:
(1 k!1)
"" Br,
Polarizacin por
di visor de voltaje:
Alta:
(-200)
as _ Re
re
"" Re
,..-------oVcc
Media:
(1 k!1)
"" R'IIf3re
(R'
Polarizacin de emisor
sin derivacin:
,..-----.---0
Alta:
(-200)
"" _ Re
re
Alta:
(50)
f3R'
R'
+ f3re
Media:
"" Re
(ro
40 k!1)
= R,IIR2)
V cc
Media:
"" Re
(ro = 40 k!1)
Baja:
(20 !1)
==
r;
Base comn:
Media:
""~F
376
--~
][
---I
Una ventaja obvia de ser capaz de recordar hechos o datos generales como los anteriores es la habilidad de verificar los resultados de un anlisis matemtico. Si la impedancia
de entrada para una configuracin de base comn se halla en el orden de los kiloohms,
existe una buena razn para volver a verificar el anlisis. Sin embargo, para la otra cara de
la moneda, un resultado de 22 n sugerira que el anlisis puede estar correcto.
8.12
LOCALIZACION
DE FALLAS
u" (V)
IJ,
Osciloscopio
(Interruptor
Contacto de tierra
de eA-TIERRA-
en la posicin
de CA)
BJT
377
][
No es necesario decir que una respuesta pobre de ea puede atribuirse a toda una serie
de razones. De hecho, puede haber ms de un rea con problemas en el mismo sistema.
Sin embargo, afortunadamente, con tiempo y experiencia, la probabilidad de tener mal
funcionamiento en algunas reas puede predecirse y una persona experimentada puede
aislar reas problemticas con bastante rapidez.
En general, no hay nada:misterioso acerca del proceso general de deteccin de fallas. Si usted decide seguir la respuesta de ea, es buen procedimiento comenzar con la
seal aplicada y continuar a travs del sistema en direccin de la carga verificando los
puntos crticos a lo largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algn punto sugiere que la red tiene algo por examinar en esa rea, definiendo de este modo la regin
que debe investigarse con ms cuidado. La forma de onda obtenida en el osciloscopio
ciertamente ayudar en la definicin de posibles problemas en el sistema.
Si la respuesta de la red de la figura 8.54 es como la que aparece en la figura 8.55, la
red tiene una falla que se localiza probablemente en el rea del emisor. No se espera una
respuesta de ea a travs del emisor y la ganancia del sistema mostrada mediante Vo es
demasiado baja: Recurdese para esta configuracin que la ganancia es mucho mayor si
RE se encuentra en derivacin. La respuesta obtenida sugiere que RE no est en
derivacin con el capacitor y entonces las conexiones de terminal del capacitor, as como
el capacitor mismo, deberan verificarse. En este caso, una verificacin de los niveles de
cd probablemente no aislara el rea del problema, puesto que el capacitor tiene un "circuito abierto" equivalente para cd. En general, un conocimiento inicial de lo que se
espera, familiaridad con el equipo de instrumentacin, y lo ms importante, la experiencia, son todos factores que contribuyen al desarrollo de un mtodo eficaz para el arte de
la deteccin de fallas.
Di
/
~
Or
-....:.J
"X/
Figura 8.55 Las formas de onda resultantes de un mal funcionamiento en el rea emisor.
8.13
PSpice
La lista de parmetros que se pueden especificar para el modelo de PSpice es tan extensa
(40 en total) que limitaremos nuestra atencin a aquellos parmetros que se requieren
para realizar la clase de anlisis que se cubrir en este captulo. Como se necesitan
parmetros adicionales en los captulos siguientes, se definirn con el mismo detalle.
Uno no debe preocuparse si no se especifican todos los parmetros. Si se requiere un
parmetro en particular para efectuar el anlisis mediante PSpice, pero no se ha especificado, el paquete emplear un valor por omisin que es tpico para el dispositivo bajo
investigacin. Algunos de los parmetros necesitarn especificarse slo si es necesario
por la profundidad del anlisis o diseo. El primer propsito de esta seccin es proporcionar una introduccin al uso de los modelos, que sea lo ms clara e inconfundible posible. A medida que su pericia vaya en aumento, los manuales de PSpice y una creciente
lista de publicaciones estarn disponibles para ms detalles e instrucciones adicionales.
En general, una vez que se han definido los nodos de la red y que la estructura bsica
(resistores, capacitores, fuentes, etc.) se ha introducido en el archivo de entrada, se necesita un mnimo de dos lneas para la descripcin de un transistor. La primera es la lnea
del elemento que tiene el siguiente formato:
QXISTOR
'
. ~.
o bl igatono
nombre
- - 9
nodo de
colector
nodo de
base
nodo de
emisor
..QXISrOR
nombre de
modelo de transistor
por definirse mediante
la lnea de modelo
siguiente
Pueden definirse otros parmetros en esta lnea, pero estn ms all del alcance ce este
libro y pueden consultarse en el manual del programa PSpice.
La siguiente lnea requerida para la definicin del transistor es la lnea del modelo, la
cual tiene el siguiente formato bsico:
MODEL
QMODEL
NPN
obligatorio
nombre del
modelo especificado
en la lnea de
elementos anterior
tipo de
transistor
(obligatorio)
(BF
= 90, IS = 5E -
15
especificacin de los
parmetros del modelo
El ltimo agrupamiento de la lnea anterior permite la especificacin de parmetros particulares para el modelo (una lista que puede incluir 40 parmetros). BF se establece para
la beta directa mxima ideal (en este caso, B = 90). Su valor por omisin es 100, revelando que si el parmetro anterior queda sin especificarse, el paquete utilizar un valor de
100. En el modelo, la corriente de saturacin inversa tiene un impacto importante sobre
las caractersticas generales del modelo. Su valor por omisin es de lE-16 o 0.0001 pA.
Al cambiar el nivel de Is se modificar el nivel de voltajes y corrientes de diseo importantes, tal como VBE para el anlisis de cd e le para el anlisis de ea En realidad, ya que VBE se
ha fijado en 0.7 V para el anlisis decddeeste
379
][
debido a que el nivel resultante de VBE se halla comnmente
para el intervalo de niveles de corrientes esperado para el anlisis BIT de pequea seal.
En otras palabras, PSpice no permite especificar el nivel de VBE para el anlisis de cd,
pero utiliza simplemente la corriente de saturacin y una serie de importantes ecuaciones
para determinar el nivel resultante de VBE- Por esta razn VBE rara vez ser exactamente
0.7 V, pero estar justo alrededor de este valor. Considrese el valor de 0.7 V como un
valor promedio de los valores
esperados al utilizar PSpice si Is se especficas
como 5 x 10-15 A.
Ahora estamos listos para aplicar PSpice a la red con divisor de voltaje de la figura
8.9 (ejemplo 8.2). La red se ha vuelto a dibujar en la figura 8.56 con los nodos definidos
para el anlisis. Ya que las caractersticas especificadas, tales como Av y A, no son parte
de la lista de las opciones de salida PSpice, aplicaremos una seal de l m V y calcularemos la ganancia empleando el nivel de salida.
Vcc =22V
e.s en
R
56kn
[TI
8]
+r
[TI
B
/3=90
ITJ
v, = 1 rnVLO '"
Vo
R2
8.2ill
1.5ill
-1
":'
CE=20
tF
@]
Figura 8.56 Definicin de los nodos para un nalisis de PSpice de la configuracin por
divisor de voltaje.
Por ahora, las primeras ocho lneas del archivo de entrada de la figura 8.57 deberan
ser bastante familiares y comprensibles. El transistor se define luego en las siguientes
dos lneas, siendo QMODEL, el nombre del modelo para el transistor. Obsrvese en la
lnea de modelo que beta se especifica como 90. Ningn valor de IS se ha especificado
para demostrar el impacto sobre los resultados obtenidos. La segunda ejecucin incluir.
el nivel sugerido de IS para efectos de comparacin. El comando .PRINT requiere tanto
la magnitud como el ngulo de fase para el voltaje de salida de colector a tierra. Se
escogi para la ejecucin una frecuencia de 10kHz, requerida por la fuente de ea. El
nico impacto real de la frecuencia aplicada se ver sobre los elementos capacitivos y su
eficacia como corto circuitos equivalentes para el anlisis de ea.
Una vez que el archivo de entrada es introducido, se ejecuta el programa PSpice y se
obtiene un listado de parmetros del modelo BJT. Advirtase que B (BF) es 90 ells (IS)
es el valor por omisin de l x lOA pA. NF (el coeficiente de emisin de corriente directa), BR (la beta inversa mxima ideal) y NR (el coeficiente de emisin de corriente
inversa) toman el valor por omisin de 1. Las ltimas tres cantidades definen el comportamiento del modelo de una manera que se encuentra ms all de las necesidades de este
libro y tendrn un impacto mnimo sobre la corriente del anlisis de ea de pequea seal.
380
f.
][
**** 05/03/90 ******* Evaluation PSpice (January 1989) ******* 17:32:07 ****
Contiguracin
con polarizacin
por
Fig.
8.56
(1S
valor
por omisin)
divisor
de voltaje
- Configuracin
de
la
****
CIRCUIT DESCRIPTION
****************************************************************************
VCC 5 O DC 22V
RB1 5 2 56K
RB2 2 O 8.2K
RE 1 O 1.5K
RC 5 3 6.8K
C1 4 2 10UF
CE 1 O 20UF
VS 4 O AC 1MV O
Q1 3 2 1 QMODEL
.MODEL QMODEL NPN(BF=90)
.OP
.AC LIN 1 10KH 10KH
.PRINT AC VM(3,0) VP(3,0)
.OPTIONS NOPAGE
.END
****
15
BF
NF
BR
NR
1
1
1
****
NODE
1)
5)
(
(
QMODEL
NPN
100.000000E-18
90
VOLTAGE
1.9285
22.0000
VOLTAGE
2.7089
NODE
(
2)
TEMPERATURE
NODE
(
3)
VOLTAGE
13.3540
27.000 DEG C
NODE
(
4 )
VOLTAGE
0.0000
****
3.56E-02
WATTS
TEMPERATURE
27.000 DEG C
TEMPERATURE
27.000 DEG C
NAME
MODEL
lB
IC
VBE
VBC
VCE
BETADC
GM
RPI
RX
RO
CBE
CBC
CBX
CJS
BETAAC
FT
****
AC ANALYSIS
FREQ
1.000E+04
VM (3,O)
3.340E-01
VP (3,O)
-1.777E+02
381
para realizar
V1
un anlisis
= VE = 1.9285
de cd de la red en forma
V2 = VB = 2.7089 V
V3
= Ve = 13.354 V
(para cd) = O V
V4 = V tierra
V5= Vee=22V
El archivo de salida proporciona de este modo la corriente de la fuente para Vcc con el nivel
de cd de la fuente de ea Vs a 0.0 A. La potencia de cd total disipada por los resistores y el transistor es 35.6 mW.
Otros niveles de cd se proporcionan luego para la red, tal como lB = 14.1 ~, le = 1.27 mA
(en comparacin con los 1.41 mA delejemplo 8.2) y VBE = 0.78 v el cual exede el nivel de 0.7 v)
empleado en el ejemplo 8.2). Tngase el nivel de VBE es consi-deracin cuando revisemos los
resultados con el valor establecido de IS a 5 x 10-15 A en la ejecucin siguiente del programa.
Los valores de cd para VBe y VCE se especifican entonces como -10.6 V Y 11.4 V, respectivamente,
y la beta de cd coincide con el valor de la beta de ea, 90. La transconductancia gm = l/re y re =
20.3 O . La impedancia de entrada es por tanto j3r e = (90)(20.3 O) = 1.827 kl o 1.83 kO, como
se especifica por RPI: La resistencia de salida se presenta como 1 x 10 120 Y la beta de ea es de
90 con Ff (el tiempo de trnsito directo ideal) igual a 7.82 x 1017 s. De nueva cuenta, algunos de
los parmetros probablemente carezcan de significado en este punto, pero otros sern bastante
reconocidos y pueden ser de ayuda en la verificacin de un diseo o anlisis.
El anlisis siguiente de ea revela que la magnitud de Vo es de 334 mV para una ganancia de
voltaje de 334 en comparacin con la ganancia de 368.76 que se determin en el ejemplo 8.2. El
desfasamiento es de 177.7 en lugar de 1800a consecuencia de los elementos capacitivos de la red.
Al elegir una frecuencia ms alta o al incrementar el nivel de capacitancia se llevara el desfasamiento cada vez ms cerca de los 1800.
El efecto de modificar ls a 5 x 10-15 A se demostrar claramente por medio de la ejecucin
del programa que se muestra en la figura 8.58. El nivel de VE es ahora de 2.0235 V en comparacin con los 2.11 V del ejemplo 8.2. El nivel de le es de 1.33 mA en comparacin con 1.41 mA, Y
la ganancia de voltaje de ea es ahora 350.4 en comparacin con la de 368.76 en el ejemplo 8.2. En
gereral, representa una mejora definitiva en la correspondenciaentrelos resultadoscalcu1aOOs
a manoy
los SllIllIIStrOO por el programaPSpice.
**** 05/03/90
*******
Evaluation
PSpice
(January
CIRCUIT
1989)
de voltaje
*******
17:36:27
- Configuracin
****
de la
DESCRIPTION
****************************************************************************
VCC 5 O DC 22V
RBl 5 2 56K
RB2 2 O 8. 2K
RE 1 O 1. SK
RC S 3 6. 8K
Cl 4 2 lOUF
CE 1 O 20UF
VS 4 O AC IMV O
Ql 3 2 1 QMODEL
.MODEL QMODEL NPN (BF=90 IS=SE-1S)
.OP
.AC LIN 1 10KH lOKH
.PRINT AC VM(3.0) VP(3.0)
.OPTIONS NOPAGE
.END
Figura 8.58 Anlisis de PSpice de la configuracin por divisor de voltaje de la figura 8.526 con IS
382
= 5 x 10 -15
A.
J.[
****
IS
BF
NF
BR
NR
*.**
QMODEL
NPN
5.000000E-15
90
1
1
1
NODE
1)
5)
(
(
VOLTAGE
2.0235
22.0000
NODE
(
VOLTAGE
2.7039
2)
TEMPERATURE
NODE
(
3)
VOLTAGE
12.9280
27.000 DEG C
NODE
(
4)
VOLTAGE
0.0000
****
3.69E-02
WATTS
TEMPERATURE
27.000 DEG C
TEMPERATURE
27.000 DEG C
****
Q1
QMODEL
1.48E-05
1.33E-03
6.80E-01
-1.02E+01
1.09E+01
9.00E+01
5.16E-02
1.74E+03
O.OOE+OO
1.00E+12
O.OOE+OO
O.OOE+OO
O.OOE+OO
O.OOE+OO
9.00E+01
8.21E+17
AC ANALYSIS
FREQ
1.000E+04
VM(3,O)
3.504E-Ol
VP(3,O)
-1.776E+02
los suministrados por el programa PSpice. Se obtendr una mejora adicional si en lugar de
la solucin aproximada se hubiera obtenido la solucin exacta en el ejemplo 8.2. En particular, ntese que VBE es ahora 0.68 V, lo cual se compara en forma muy favorable con el
valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, en general, para el anlisis de pequea seal efectuado en este libro utilizando el programa PSpice, IS se especificar como 5 .x 10-15 A.
La introduccin anterior fue relativamente breve debido a las limitaciones de espacio
y a las prioridades, pero su propsito est justificado si la relativa simplicidad de la aplicacin del programa PSpice para determinar la respuesta de pequea seal es ahora evidente. Cuando el tiempo lo permita, deberan leerse cuidadosamente los manuales, para
entender por completo el efecto de los diversos parametros y las ecuaciones involucradas
en el modelo de PSpice. Ponga atencin en que est disponible una versin comercial de
PSpice que tenga un catlogo completo de transistores especficos en memoria, para
hacer uso de ellos cuando sean solicitados por el paquete de programacin PSpice. En
otras palabras, el archivo de entrada puede incluir referencias a un transistor en particular y el paquete
insertaren forma automtica los parmetros que mejor lo describan para el anlisis por realizarse.
8.13 Anlisis por computadora
383
][
Puede obtenerse informacin adicional acerca de la versin comercial escribiendo
directamente a Microsim Corp. y ahora, comparemos el anlisis anterior con el anlisis
del mismo circuito empleando el lenguaje BASIC.
BASIC
El programa en BASIC de la figura 8.59 analizar la configuracin con polarizacin por
divisor de voltaje de la figura 8.56 con las caractersticas adicionales, de modo que
puede tambin proporcionar una solucin si una porcin del resistor de emisor no est en
derivacin y puede incluir los efectos de una fuente y resistencia de carga. La resistencia
de emisor se designar como REJ, si no est en derivacin, y como RE2' si se encuentra
en derivacin.
10 REM
20 REM
30
****************************************************
PROGRI\M 8.1
REM ****************************************************
BJ'!'AC ANA1YSIS
40 REM
USING re ANO BETA PARAMETERS
50 REM
60 REM ************** *******.****************************
70 REM
100 CLS
110 PRINT "This program performs the ac calculations"
120 PRINT "for a BJT voltage-divider
using the re and beta parameters."
130 PRINT
140 PRINT "Enter the following
circuit data:"
150 PRINT
160 INPUT "RB1="R1
170 INPUT "RB2="R2
180 INPUT "RC="RC
emitter resistance,
RE1="E1
190 INPUT "Unbypassed
emitter resistance,
RE2="E2
200 INPUT "Bypassed
210 PRINT
220 INPUT "Beta="BETA
230 INPUT "Supply voltage, VCC=";CC
240 INPUT "Load resistance,
RL="RL
250 INPUT "Source resistance,
RS="RS
260 INPUT "Source voltage, VS="VS
270 PRINT:PRINT
280 GOSUB 11200:REM
Perform ac analysis
290 PRINT "The results of the ac analysis are:"
300 PRINT
310 PRINT "Transistor
dynamic resistance,
re="RE"ohms"
320 PRINT
330 IF CC-IE*(RC+E1+E2)<=0
THEN PRINT "circuit in saturation."
:GOTO 420
340 PRINT "Input impedance,
Ri="RI"ohms"
350 PRINT "Output impedance,
Ro="RO"ohms"
360 PRINT "Voltage-gain(no-load),
Av="AV
370 PRINT "Current gain, Ai="AI
380 PRINT
390 PRINT "Output voltage(vo
load) , Vo="VO"volts"
400 PRINT
410 PRINT "Output voltage(under
load) , VL="VL"volts"
420 PRINT
430 VM=CC-IE*(BETA/(BETA+1*(RC+E1+E2)
:REH Maximum signal swing
440 IF ABS(VLVM
THEN PRINT "but maximum undistorted
output is"VM"volts"
450 ENO
11200 REM Module to perform BJT ac analysis using re model
11210 RB=R1*(R2/(R1+R2
11220 RP=RC*(RL/(RC+RL
11230 BB=R2*CC/(R1+R2)
11240 IE=(BB-.7)*(BETA+1)/(RB+BETA*(E1+E2
11250 RE=.026/IE
11260 R3=BETA*(RE+E1)
11270 RI=RB*(R3/(RB+R3
11280 RO=RC
11290 AI=(RC/(RC+RL*BETA*(RB/(RB+R3
11300 AVa-RC/(E1+RE)
11310 VI=VS*(RI/(RI+RS
11320 VO=AV*VI
11330 VL=VO*(RL/(RO+RL
11340 RETURN
384
][
RUN
This program
performs
the
for a BJT vOltage-divider
Enter
the
following
ac calculations
using the re and beta
circuit
parameters.
data:
RB1=? 56E3
RB2=? 8.2E3
RC=? 6. 8E3
Unbypassed
emitter resistance,
RE1=? O
Bypassed emitter resistance,
RE2=? 1.5E3
Beta=? 90
Supply voltage,
VCC=? 22
Load resistance,
RL=? 10E3
Source resistance,
RS=? 600
Source voltage,
VS=? 1E-3
The results
Transistor
of the
dynamic
ac analysis
are:
resis~ance,
re=
19.24912
ohms
Input impedance,
Ri= 1394.631 ohms
Output impedance,
Ro= 6800 ohms
VOltage-gain(no-load),
Av=-353.263
Current gain, Ai= 29.32569
Output
voltage(no
output
voltage(under
load) , Vo=-.2469988
volts
load) , VL=-.1470231
volts
El mdulo compuesto
importantes para el modelo
do. Los pasos secuenciales
con 10.5 clculos realizados
le
......
I
+
V,
R,
Z
......+
lb
f3
Zo
Vo
RL
Figura 8.60 Red analizada mediantre el mdulo comprendido entre las lneas 11210 y 11260 del programa en
BASIC de la figura 8.59.
385
] [
8.2 Configuracin
PROBLEMAS
z y 20'
2201d1
Vo
)1-----4---1
2. Para la red de la figura 8.62, determine VCC para una ganancia de voltaje de Av
= -200 .
.-----..---oVcc
2j
y 20'
= 40 kQ sobre Av y Aj.
iOV
~
Z
+lOV
386
][
8.3 Polarizacin
00
il.
(e) Determine Z y Av
VdV.
Vcc =20V
--
,----...--020
8.4 Configuracin
387
][
8. Para la red de la figura 8.68, determine RE y RB si Av
= -10
Y re
= 3.8 il.
Suponga que
Zb =j3Rg
9. Repita el problema 7 con RE en derivacin. Compare los resultados.
5.6 k.Q
20Y
---
330 k.Q
~ lo
~v"
Cc
1,
V,~1---+--1'"
Cc
R/
~v"
/.,
8.5 Configuracin
de emisor seguidor
16 Y
12Y
-1,
270kl
----
\ o----)I----f-I
\ , o----)I--.+---.;;;.c
--
t,
~\i"
1"
2.7k.Q
-8Y
Figura 8.70 Problema 11.
388
][
*
(d) Encuentre Av y A.
Vcc=20V
--
o-------)J---+-- ...
1,
de base comn
+6V
6.8kil
--
-r,
Z"
Av y A.
8V
~\'.
~,
'
-5V
389
} [
8.7 Configuracin
con retroalimentacin
en colector
12 y
V,o-----}t--~---f-I
----I
Vo-----)
I---+-----f-t
con retroalimentacin
CD en colector
9Y
391d1
~vv~~~~~~~~
1 .tF
Vo-----}I---+--------t
---
-Zo
I
,........
=80
1 .tF
390
][
8.9 Circuito equivalente
hbrido aproximado
20.(a) Dados j3 = 120, re = 4.50 Y r0= 40 kO, haga un dibujo del circuito equivalente hbrido aproximado.
(b) Dadas he = l
re'
(O Determine
z si hoe = 25 JlS.
Av y A si hoe
= 25 JlS.
(g) Compare las soluciones anteriores con las correspondientes del problema l. (Nota: las soluciones
se pueden obtener en el apndice E si el problema 1 no se ha resuelto.)
22. Para la red de la figura 8.78:
(a) Determine Z y Zo'
(b) Calcule Av y A.
(e) Determine re y comparejb-, con he'
18 V
68kQ
~-----1If-------<o
t,
1', o
---
)t-----1~-----I
5flF
--
Z"
11"
he = 180
he =2.75 kQ
hae
= 25 JlS
12kQ
Z,
1.2kQ
* 23. Para
(b) Calcule Av y A.
(e) Determine u,j3. reY ro'
---
h/l>=-0,992
hb =9.45 Q
hnh= 1 JlA/V
t,
O~--~)Ir---~--------~
+
v,
10 JlF
Z,
10 JlF
4V
--z
+
v.,
{I
391
] [
8.10 Modelo equivalente hbrido completo
24. Repita los incisos (a) y (b) del problema 22 con hre
25. Para la red de la figura 8.80, determine:
=2
(a) Z.
(b) Ar
(e) A =IrJI.
(d) Zo'
20V
470kQ
t,
1 kQ
5 .t.F
hfe = 140
=0.86 kQ
h" = 1.5 X 10-4
= 25.tS
h<
V,
~
Z
hh= 9.45 Q
hjn = -0.997
hoh=0.5 .tAN
hrh= l X 10-4
)r--------~~----~I~------~o
+
+
~
v.
1,
4V
392
].[
vcc=
14 Y
\lo (Y)
\l(mY)
RI
150kn
10 F
- ~r
(
O
V8
CI
R2
= 6.22 Y
+
39kn
oVo
C2
10 F
28. (a) Escriba el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8.6 (ejemplo 8.1) y solicite el
nivel de Vo para V = 1 mY.
(b) Realice el anlisis de PSpice y compare el resultado para Vo con los resultados del ejemplo 8.1.
29. (a) Escriba el archivo de entrada para la red de la figura 8.13 (ejemplo 8.3) y solicite el = nivel de Vo
para V = 1 mY.
(b) Realice el anlisis de PSpice y compare el resultado para Vo con los resultados del ejemplo 8.3.
30. (a) Escriba el archivo de entrada para la red de la figura 8.25 (ejemplo 8.8) y solicite el nivel de Vo
para V = 1 mY.
(b) Realice el anlisis de PSpice y compare el resultado para Vo con los resultados del ejemplo 8.8.
3!. (a) Escriba un programa en BASIC para determinar Z_ Zo_ Av y A para la red de la figura 8.9
(ejemplo 8.2)
(b) Efecte el anlisis del inciso (a) y compare con los resultados del ejemplo 8.2
32.(a) Escriba un programa en BASIC para determinar Z_ Zo_ Av y A para la red de la figura 8.13
(ejemplo 8.3).
(b) Efecte el anlisis del inciso (a) y compare con los resultados del ejemplo 8.3
33.(a) Escriba un programa en BASIC para determinar Z_ Zo_ Av y A para la red de la figura 8.25
(ejemplo 8.8)
(b) Efecte el anlisis del inciso (a) y compare con los resultados del ejemplo 8.8.
Problemas
393