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Lnergie Solaire

Application au Photovoltaque

Cours extrait de A. Benabou 2012 (polytech lille) & - S. Thiers (EPF) 2010

Introduction
Historique
L'effet photolectrique
1839 : Dcouvert par Antoine Csar Becquerel et son fils Edmond (Fr)
1886 : tudi par Heinrich Rudolf Hertz (1857-1894, All)
1905 : Expliqu par Albert Einstein (1879-1955)
Les systmes photovoltaques
1954 : Premire cellule ralise aux tats-Unis d'Amrique pour les besoins
spatiaux (laboratoires Bell) (Pearson, Chapin, Fuller). Rendement : 6%
1958 : Premier satellite artificiel quip de cellules solaires (Vanguard I)
1973 : Crise ptrolire. Dveloppement des systmes solaires

1985 : Universit de Nouvelle-Galles du Sud (Australie) : Piles de rendement 20%


1994 : NREL : pile de rendement 30%
Aujourd'hui

Gros travail de recherche partout dans le monde


Technologie qui commence /approche de la viabilit
conomique

Energie solaire photovoltaque

Notions essentielles :

Eclairement ou irradiance :

puissance reue par unit de surface en W/m2

nergie reue par unit de surface en Wh/m2

Irradiation ou rayonnement :
Puissance et nergie :

1J = 1W*1s
1kWh = 1000W*3600s = 3,6MJ

Energie solaire photovoltaque


Quelques chiffres :

Lnergie libre par le soleil pendant 1h, et capte au sol


(1.1018 kWh / an), suffirait pourvoir les besoins
nergtiques mondiaux pendant un an (chiffres en 2000 : 10
Gtep ou 1,16.1014 kWh) (1 Tep = 11 628 kWh)

Constante solaire :
1367 W/m2 (puissance moyenne perue par le bord

externe de latmosphre terrestre pour une distance TerreSoleil de 150 Millions de km)

Irradiance au niveau du sol :


0 1000 W/m2 avec une moyenne de 190 W/m2 sur
lanne

Exploitation de solaire photovoltaque

Comment convertir cette nergie :


Semi-conducteurs capable de convertir la lumire en
nergie lectrique

(filire taux de croissance lev, chute des cots de


production, )

I-1. Le rayonnement solaire


Lorientation des panneaux dpendra grandement de
lenvironnement :

Sur un site ciel couvert, le rayonnement diffus


peut tre plus important que le rayonnement direct :
une installation horizontale savre plus judicieuse !

I-1. Le rayonnement solaire


nergie ports par les photons :
avec : h la constante de Planck
C la vitesse de la lumire
l la longueur donde

hC
E

Distribution de lnergie dune courbe AM0 :


ultraviolet UV 0,20 < l < 0,38 mm 6,4 %
visible
0,38 < l < 0,78 mm 48,0 %
infrarouge IR 0,78 < l < 10 mm 45,6 %
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I-1. Le rayonnement solaire


Spectre AM1,5 :
Attnuation due

latmosphre (41,8
dlvation)

Rfrence pour la
mesure des cellules
photovoltaques

I-2. Le rayonnement sur terre


Concevoir un systme photovoltaque ncessite de connatre
le rayonnement solaire sur le site considr :
nergie solaire leve moins de panneaux
tude de la part dnergie diffuse :

50 % en rgions tempres
30 45 % en rgions ensoleilles et montagne
15 20 % dans les pays du sud

autres paramtres : temprature, saison, humidit, albdo,


etc

Recourt des statistiques issues de mesures

I-2. Le rayonnement sur terre


Grandeurs utiles :
Rayonnement cumul

Dimensionnement dun systme PV est souvent bas sur des


moyennes mensuelles issues de lintgration du rayonnement solaire
global sur une journe (Wh/m2 et par jour)

Rayonnement instantan

Certains cas particuliers ncessitent de connatre le profil instantan


du rayonnement : obstacles par exemple

10

I-2. Le rayonnement sur terre


Influence de la latitude

(source : Energie Solaire Photovoltaque


- Anne Labouret, Michel Villoz)

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I-2. Le rayonnement sur terre


Lensoleillement chute au-del de 45N

exemple : entre lcosse (55N) et lEspagne (40N) le rayonnement


journalier est multipli par 2 en moyenne et par 4 en dcembre !

Influence des saisons :

exemple : faibles latitudes (entre 15S et 15N) le


dimensionnement se fait sur une valeur constante de rayonnement

forte latitude le dimensionnement se fait en fonction de


lensoleillement le plus faible (si utilisation annuelle)
12

I-2. Le rayonnement sur terre


Influence de lexposition

(source : Energie Solaire Photovoltaque


- Anne Labouret, Michel Villoz)

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I-2. Le rayonnement sur terre

Paramtres les plus importants :

latitude, saisons et exposition


dautres facteurs peuvent intervenir (montagne, bord de mer,
pollution, etc )

Altitude, albdo et autres facteurs

Altitude : rayonnement plus lev

Nbulosit : baisse avec laltitude

Albdo : neige (0,82) asphalte (0,1) herbe (0,2) bton


(0,3) envir. urbain (0,18)

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II. Le photovoltaque

Conversion de la lumire en lectricit


Technologies des cellules solaires
Proprits des cellules solaires

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Mis en vidence en 1839 par A. Becquerel :
variation de la conductivit dun matriau sous
leffet de la lumire

Un systme photovoltaque est un convertisseur


dnergie ( dune pile = stockage de lnergie)

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
3 phnomnes sont mis en jeu :
Absorption de la lumire dans la matire
Transfert dnergie photons charges lectriques
Collecte des charges
Ncessit dun matriau avec les proprits optiques et
lectriques adquates

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Inc.

3 vnements optiques :

Ab.

Rflexion
Transmission
Absorption

Inc. = Ab. + Ref. + Trans.

Trans.

Part absorbe :

souvent convertie en chaleur (rayonnement infrarouge)

dans un matriau PV, une partie sera convertie en nergie


lectrique

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Lnergie restante la profondeur z dans un matriau
suit la loi :

E(z) E inc e .z

Lnergie absorbe dans un matriau de profondeur d


vaut :

E abs E inc - E ince .d E inc 1 - e .d

Le coefficient dabsorption a dpend :

du matriau
de la longueur donde de lnergie incidente
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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Quelques exemples :

Silicium cristallin :

sur une tranche dpaisseur 100 mm, la totalit de lnergie incidente est
absorbe

Silicium amorphe :

une couche de 1 mm suffit pour capter la totalit du rayonnement


Donnes pour l=0,59mm :

Matriau

a (cm-1)

Silicium cristallin

4,5.103

Silicium amorphe

2,4.104

Arsniure de gallium

5,4.104

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Des techniques supplmentaires permettent damliorer le
processus :

Utilisation dune couche daluminium rflchissant larrire des


couches actives (rduire les pertes par transmission)

Augmenter la diffusion en augmentant la rugosit des couches


actives

Rayonnement incident

Silicium rugueux
Aluminium rflchissant

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Taux de rflexion :

n 2 n1

R
n 2 n1

Silicium brut (n=3,75 pour l=0,6mm) : R=33% !!

EVA (thylne-vinyle-actate), verre protecteur et


antireflet : exemple du silicium cristallin

Verre tremp (n=1,5)


Couche antireflet (n=2)
Cellules cristallines (n=3 4)
Rsine EVA (n=1,5)
Revtement arrire

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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Transfert dnergie des photons aux charges lectriques :
utilisation de semi-conducteur :

bande de valence : lectrons impliqus dans les liaisons covalentes


(cohsion de la matire)

bande de conduction : lectrons impliqus dans la conduction


entre les deux : bande interdite (gap optique) qui peut tre franchie par
un apport dnergie (thermique, photon, etc )

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L'effet photolectrique

Phnomne prdominant aux nergies leves (10 keV < E < 100 keV, , X)

Un photon est absorb par un atome, qui met alors un lectron.

Ee=EgEl

E : nergie du photon incident

El : nergie de liaison
Ee : nergie de l'lectron mis

Illustration : Ch. Dang Ngoc Chan

Impossible observer avec de la lumire visible sur un atome isol.


3

Effet photolectrique dans un cristal:

Pour 2 atomes pris isolment, leurs lectrons ont des niveaux dnergie

discrets.
Lorsque ces deux atomes sont suffisamment rapprochs pour interagir, il
se produit une division et un recouvrement de leurs niveaux dnergie
Dans un matriau solide, ce phnomne samplifie :
Structures de bande continues, avec une alternance de bandes permises et
de bandes interdites.

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Processus :
Eg : Bande
interdite

Bande de
conduction

E1 = Eg

Dsexcitation
spontane
-

E2 > Eg
+

Bande de
valence
Eg = Ec-Ev = 1eV nergie de Gap de la jonction PN
Si E=hC/l < Eg, pas de conversion PV
Si E=hC/l > Eg, conversion partielle PV et le reste est perdu sous forme de
chaleur.
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II-1. Conversion de la lumire en


lectricit
Collecte des charges par jonction P-N :

excs dlectrons : dops N (Phosphore)


dficit dlectrons : dop P (Bore)

La mise en contact des deux parties cre un champ lectrique,


et donc une tension

Si on connecte une charge entre les deux parties, il y a


circulation de charges

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II-1. Conversion de la lumire en lectricit


contact
mtallique

contact
mtallique

photon
E = hn > Eg

Cathode

II

III

Anode

ZCE
type p

type n

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II-1. Conversion de la
lumire en lectricit

Un photon arrive avec une nergie

E=hC/l. si il a assez dnergie il


arrache un lectron li au rseau
cristallin du semi-conducteur
lectron devient libres
cration paire lectron-trou,

naturellement il y a une
recombinaison mais comme il y
a un champ lectrique dans la

ZCE (Zone de Charge


dEspace) lnterface entre les
zones N et P
llectron va dun ct, le trou
(charge +) de lautre
Source : Sharp Electronics France

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Les matriaux semi-conducteurs


Les principaux semi-conducteurs

lments purs: Germanium (32Ge), Silicium (14Si)


lments composs cristallins:
Composs de gallium (GaAs, GaN, GaSb, GaP), d'indium (InAs, InP,
InSb),d'aluminium (AlAs, AlP, AlSb)
CdTe, CuTe, CuS, ZnSe, ZnTe, MgS, CuBr, CuCl, CuI

lments non-cristallins :
Silicium amorphe, polymres semi-conducteurs, verres semi-conducteurs (GeS),

La qualit d'un semi-conducteur dpend de sa puret.


Pour les applications solaires, le gap est comps entre 1 et 1,8 eV
Silicium cristallin (c-Si)
Arsniure de Gallium (GaAs)
Silicium amorphe (a-Si)

: 1,12 eV
: 1,35 eV
: 1,7 eV
11

II-1. Conversion de la lumire en


lectricit

Rendement maximal thorique

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II-2. Technologies des cellules


solaires
Monocristallin
Cristallin

Polycristallin

Silicium
Amorphe
(SiGe, SiC, )

Cellules Panneaux
Photovoltaques

Monocristallin
(GaAs)

Composite

Polycristallin
(CdS, CdTe, )

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II-2. Technologies des cellules solaires

Grand nombre de technologies :

La majorit est dveloppe en laboratoire


Technologies industrialises :

Silicium mono et polycrisallin (90% du march en 2008)

Silicium en couche mince amorphe


Le dopage (ajout dimpurets) du Silicium amliore sa photosensibilit
(Dcouverte en 1954 dans les laboratoires Bell)

dcoupe de wafers , traitement de surface, dopage, couche anti-reflet,


etc
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II-2. Technologies des cellules


solaires

Cellules monocristallines en silicium


labores partir dun mme bloc de cristal :
long et coteux (exigeant en nergie !)

apparence : couleur bleu uniforme

dure de vie : environ 40 ans


rendement : 12 18% (meilleur que les cellules
polycristallines)
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II-2. Technologies des cellules


solaires
Cellules polycristallines en silicium

partir dun bloc sous forme de cristaux multiples


(visibles lil nu)

cot de production plus faible que les cellules


monocristallines

peu de dchets et moins dnergie


(2 3 fois moins)

dure de vie : environ 30 ans


rendement : 11 15%
meilleur rapport performances/prix
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II-2. Technologies des cellules


solaires
Cellules amorphes en silicium

cot de production le plus faible

CIS (cuivre-indium-slenium) ou CdTe

meilleures faible lumire et en temp.

feuilles souples de cellules


grandes surfaces faible cot
rendement : 6 8%

Autres cellules amorphes :


(tellure de cadmium)
rendement : 12%
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II-2. Technologies des cellules


solaires
Cellules cristallines ou amorphes ?

Cristallines :

rendement plus lev


moyennes et fortes puissances
fragilits du silicium (plac entre 2 plaques de
verre)

Amorphes :

moins chres

infrastructure dinstallation moins lourde

faibles puissances (ncessite le double en surface


pour lquivalent des cristallines)

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II-2. Technologies des cellules


solaires

Matriau
Silicium
monocristallin
Silicium
polycristallin
Amorphe

Composite
monocrystallin
(GaAs)
Composite
polycristallin (CdS,
CdTe, CulnGaSe2,
etc.)

Rendement Longvit

+++

++

+++

+++

+++

+++

Caractristiques

Trs performant
Adapt la
production grande
chelle
Peut fonctionner
sous la lumire
fluorescente
Lourd, fissure
facilement

Principales utilisations

Arospatiale, modules pour


toits, faades,
Modules pour toits, faades,
gnrateurs
Appareils lectroniques
(montres, calculatrices),
intgration dans le btiment
Arospatiale

Ncessite peu de
matriau mais
Appareils lectroniques
certains contiennent (montres, calculatrices),
des substances
intgration dans le btiment
polluantes

Source : Sharp Electronics France


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volution des rendements par


technologie

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II-3. Proprits des cellules solaires

DIODE
CELLULE PV
40

II-3. Proprits des cellules solaires

Cellule PV idale
Icc :courant de court-circuit
d lclairement
41

II-3. Proprits des cellules solaires

Zone a : gnrateur de courant ICC


proportionnel lclairement

Caractristique relle

Zone b : gnrateur de tension VC0


Zone c : limpdance interne du
gnrateur varie rapidement

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II-3. Proprits des cellules solaires


Schma quivalent raliste

Rs : rsistance qui reprsente les diverses


rsistances de contacts et de connexions

Rs = 0.5 2 W.cm2

Rsh : rsistance qui caractrise les divers


courants de fuite

Rsh = 2.103 2.104 W.cm2


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II-3. Proprits des cellules solaires


Caractristiques mesures

Cellule solaire de 10 cm de ct (Silicium polycristallin)


temprature constante 25C en fonction de lclairement

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II-3. Proprits des cellules solaires


Effet de la temprature

Icc = constante
Vc0 chute

Augmenter la temprature
diminue la tension de circuit
ouvert Vco et accrot lgrement
le courant de court-circuit.

La puissance maximale diminue envion de 0,4 0,5 % par degr supplmentaire


pour les cellules en Si cristallin.
Une cellule 55 C fournira une puissance infrieure de 10 % sa puissance
nominale.

Il faut viter que les cellules ne chauffent !

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Rafrachissement de modules
Ventilation naturelle (ou force) des cellules
Possibilit de rcuprer cette chaleur :
Pour optimiser le rendement du panneau solaire, certains architectes pensent la
cognration !
En faisant circuler de l'air sous des modules PV installs en

toiture, on rafrachit les cellules ce qui


amliore leur rendement lectrique.
La chaleur rcupre peut servir pour

le prchauffage du btiment.

Office du tourisme d'Als (30)


Source : Revue Plein soleil 30

II-3. Proprits des cellules solaires

Caractristique P = f(V)
Lobjectif est de faire produire le plus possible dun
panneau => il faut le faire travailler pmax.

La puissance maximale dun


panneau est aussi proportionnel
lirradiation G (W/m) (cf diapo
suivante).
Pmax = K . G

Le rendement photovoltaque
PV est dfini par
PV = pmax / (G.S)
S (m) tant la surface du panneau.

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Influence de G et T sur Pmax


Irradiation G (W/m)

Temprature T (C)

(T = 25C, AM 1.5)

(T = 25C, AM 1.5)

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II-3. Proprits des cellules solaires


Assemblage des cellules

ns cellules en srie

Courant

npIcc

np cellules en parallle

npI
Courant

Icc
V

Icc

ns V
Tension

Vc0

nsVc0

I
Tension

Vc0
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II-3. Proprits des cellules solaires


Protection des cellules

en srie : ajout dune diode by-pass


Dp en parallle des groupements de
cellules (30 40 max)

en parallle : ajout dune diode de nonretour Dr en srie avec les branches en


parallle

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Quelques grandeurs caractristiques des modules


Puissance crte (unit : watt-crte, Wc)
= puissance maximale produite par le module dans les conditions de
rfrence.
Les conditions de rfrence (STC : Standard Test Conditions)
(Norme CEN) :
clairement : Gref = 1000 W/m2
Masse d'air optique : AM 1,5
Temprature de jonction : 25 C
Rendement

module =

P fournie= I optV opt

Pincidente

GS

Le rendement de rfrence est calcul... dans les conditions de rfrence.

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III. Systmes photovoltaques


Constituants dun systme photovoltaque
Systme PV raccord au rseau
Systme PV isol
MPPT

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III-1. Constituants dun systme


photovoltaque : Vue densemble

53

III-1. Constituants dun systme


photovoltaque

54

III-1. Constituants dun systme


photovoltaque
Synoptique gnral
Panneaux solaires

Rgulateur

Batteries

Onduleur

Utilisation

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III-1. Constituants dun systme


photovoltaque

56

III-1. Constituants dun systme


photovoltaque:

57

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Les cellules et Modules photovoltaques:

58

III-1. Constituants dun systme photovoltaque

Les cellules et Modules photovoltaques:


Tension au point maximal de puissance:0,46 V
Tension de la batterie charge: 14 V
Pertes dans les cbles + influence de la
temprature : 2 3 V
Tension de sortie du panneau: 16,5 V
Nombre de cellules ncessaires:16,5/0,46=36

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III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

60

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

61

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

Association en srie, parallle, en srie parallle des modules identiques.


62

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

63

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

Dtail des donnes lectriques


64

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

Remarques:
Vpm < Vco = 0,8

65

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

La temprature influe fortement sur la tension mais


peu sur lintensit

66

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

67

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des modules photovoltaques:

68

Avantages & Inconvnients


photovoltaques

69

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Le rgulateur :

Son rle = Grer la charge de la batterie

Coupe la charge de la batterie une fois celle-ci charge

Lorsque la batterie est en mode de charge, elle se comporte comme un


rcepteur et non-plus comme un gnrateur

Panneau
solaire

Diode de
blocage

Dlestage

Interrupteur Diode de
blocage

Dlestage

Interrupteur

Batterie

Rgulateur shunt

Rcepteurs

Panneau
solaire

Batterie

Rcepteurs
70

Rgulateur srie

III-1. Constituants dun systme


photovoltaque
Il existe des rgulateurs plus performants :

rgulateur MLI (PWM) = Pulse Width Modulation

tension constante aux bornes de la batterie

rgulateur MPPT = Maximum Power Point Tracking

rgulation de la tension (ou du courant) pour tre au


maximum de puissance

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Maximal Power Point Tracking (MPPT)


Entre une source non linaire et une charge arbitraire, le MPPT, sert optimiser la
puissance dlivre

Principe de fonctionnement : recherche du coude de la caractristique P-V par


ttonnement successif
Limites : cas de caractristiques avec plusieurs maximums (d aux diodes de protection),
variations brutales de l'clairement, oscillation de la production due la recherche (induit des

pertes)

MPPT

73

MPPT : Exemple dalgorithme

74

III-1. Constituants dun systme


photovoltaque
Convertisseurs statiques :
DC/DC : hacheur lvateur ou abaisseur
DC/AC : onduleur

Hacheur lvateur

Hacheur abaisseur
Onduleur
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III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs:
Transforme le courant continu de tension et d'intensit variables en
courant alternatif rpondant aux normes imposes par le responsable du
rseau ou les appareils consommateurs.
Assure la protection de dcouplage lors de
coupures de rseau.
Systme de puissance minimale dtecte pour viter de
consommer en permanence (impulsion test envoye
priodiquement)
Onduleur solaire Sunny Boy

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III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs:

77

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs:

78

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs:

79

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs: Rendement

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III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs:

81

III-1. Constituants dun systme photovoltaque


Caractristique des onduleurs:

82

III-1. Constituants dun systme


photovoltaque
Les batteries pour le solaire :

Plomb-acide
Cadmium-nickel (rarement utilises car chres et toxiques)
Nickel-mtal-hydrure

Optimisation de la dure de vie (surtout NiMH),


protection contre loxydation, etc

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