ICET INSTITUTO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLOGIA

ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAO

LABORATRIO DE ELETRNICA ANALGICA E DIGITAL

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

(FET)
EXPERINCIA 1
CURVA CARACTERISTICA

EXPERINCIA 2
AUTO-POLARIZAO E GANHO

EXPERINCIA 3
CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR

EXPERINCIA 1
4. QUESTES PARA O RELATRIO R1
ITEM 1 - Atravs dos dados medidos em laboratrio de Idss e da tenso Vp
obtenha a curva caracterstica terica do FET BF245 (Equao de Schokley).
ITEM 2 Faa no computador o grfico da curva caracterstica terica do FET
BF245 com a corrente de dreno do FET Id (eixo y) e a tenso Vgs (eixo x).
ITEM 3 Plotar nesse mesmo grfico a curva obtida experimentalmente.
ITEM 4 Compare a curva experimental com a curva terica.
ITEM 5 Compare a curva experimental coma curva fornecida pelo fabricante
(ver anexos).
BASE DE DADOS UTILIZADA
Vgs (V)
0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
1,40
1,60
1,80
2,00

Id (mA)
Schokley
4,084
3,308
2,614
2,001
1,470
1,021
0,653
0,368
0,163
0,041
0,000

Equao de Schokley
Id =
CURVAS SOBREPOSTAS

Id (mA)
Multisim
4,084
3,213
2,444
1,778
1,213
0,755
0,405
0,158
0,027
0,000
0,000

Id (mA)
Fabricante
4,000
3,400
2,800
2,200
1,450
1,000
0,600
0,380
0,200
0,050
0,000

Idss (mA)
Multisim
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084
4,084

Fica evidente que o comportamento observado experimentalmente, tanto na

simulao quanto na deduo por frmula, similar ao comportamento apontado
pela documentao do fabricante.
Simulao no software MULTISIM

EXPERINCIA 2
5. QUESTES PARA O RELATRIO R1
ITEM 1 - Grfico provisrio de ganho de tenso G (eixo y) como funo da
freqncia f (eixo x).

ITEM 2 Mecanismo de auto-polarizao do FET atravs do resistor R1 e R2.

Na auto-polarizao eliminada a necessidade de duas fontes DC. A tenso
controladora porta fonte determinada pela tenso atravs do resistor R2
colocado entre a fonte e o terra.
R3 estabelece o potencial no terminal dreno e limita a corrente Id.
R1 Mantm o terminal o terminal porta ao potencial terra uma vez que no h
corrente circulante neste terminal.
R2 D origem a um potencial no terminal fonte quando percorrido por Id.
Atravs deste resistor se determina a tenso Vgs, ento podemos determinar o
ponto de funcionamento do circuito.
ITEM 3 Funo dos capacitores utilizados no circuito

C1 e C3 So capacitores de acoplamento de entrada e sada respectivamente.

Quando o sistema sumetido a uma corrente DC estes capacitores funcionam
como um circuito aberto e o contrrio acontece com a corrente AC.
C2 Capacitor de desacoplamento da fonte, tem por objetivo colocar o resistor
R2 em curto quando submetido a uma corrente AC.

ITEM 4 Valores de capacitncia adequados para aplicao de amplificao de

udio (20 Hz at 10 kHz) e FM (88 a 108 MHz).
Xc

(considerando este valor comum de Reatncia Capacitiva)

= 2.5 E-7 (Para freqncias at 10 kHz)

= 2.33 E-11 (Para freqncias at 108MHz)

ITEM 5 Vantagens e desvantagens no uso do FET

O FET tem diversas vantagens sobre o transistor bipolar:
1. Sua operao depende apenas do fluxo de portadores majoritrios. So,
portanto,
dispositivos unipolares (trabalham apenas com um tipo de portador de carga) e
por isso
recebe tambm, o nome de transistor unipolar;
2. So relativamente imunes radiao;
3. Possuem uma grande resistncia de entrada, tipicamente da ordem de
megaohms;
4. Apresentam menor rudo comparado aos transistores bipolares;
5. Eles no apresentam tenso residual (tenso de offset) para corrente de dreno
nula;
6. Apresentam estabilidade trmica.
A desvantagem do FET o seu pequeno produto ganho faixa de passagem
(bandwidth) em comparao ao transistor bipolar.
Por outro lado o BJT apresenta maior sensibilidade s variaes do sinal
aplicado. Assim, as variaes de corrente de sada so tipicamente maiores para
os BJTs do que para os FETs, para uma mesma variao do sinal de
entrada, por isso que os ganhos de tenso dos amplificadores adquiridos com a
utilizao dos BJTs so superiores que aos ganhos de tenso adquiridos com a
utilizao de amplificadores com FETs. Em geral os FETs so mais estveis com
relao a temperatura do que os BJTs.

EXPERINCIA 3
4. QUESTES PARA O RELATRIO R1
Item 1: Faa no computador as curvas de Ic (Corrente de Coletor) versus Vce
(Tenso Coletor-Emissor) para Vbb=1.0V, Vbb=1.5V, Vbb=2.0V, Vbb=2.5V,
Vbb=3.0V semelhantes ao mostrado acima no mesmo grfico. Considere o eixo y
os valores de Ic e no eixo X os valores de Vce.
Item 2: CFaa no computador as curvas de Ib (Corrente de Base) versus Vbe
(Tenso Base-Emissor) para os valores de Vbb descritos na tabela.
Item 3: Compare os grficos de Ic x Vce com os grficos fornecidos pelo
fabricante do transistor BC337.
Item 4: Compare os grficos obtidos de Ic x Vbe com o grfico do fabricante do
transistor BC337.
Item 5: Com base no grfico 1 defina as regies de saturao e de corte e
saturao do transistor.
BASE DE DADOS UTILIZADA
Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V)
1,0
0,664
1,5
0,679
2,0
0,681
2,5
0,682
3,0
0,684
VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V)
1,0
0,489
1,0
0,127
1,0
0,098
1,0
0,084
1,0
0,076
2,0
1,484
2,0
0,758
2,0
0,175
2,0
0,125
2,0
0,108
3,0
2,479
3,0
1,746
3,0
1,015
3,0
0,302
3,0
0,148
4,0
3,475
4,0
2,734
4,0
1,999
4,0
1,274
4,0
0,570
5,0
4,470
5,0
3,723
5,0
2,978
5,0
2,249
5,0
1,538
6,0
5,465
6,0
4,711
6,0
3,959
6,0
3,224
6,0
2,506
7,0
6,460
7,0
5,699
7,0
4,941
7,0
4,198
7,0
3,474
8,0
7,450
8,0
6,687
8,0
5,922
8,0
5,173
8,0
4,492
9,0
8,450
9,0
7,676
9,0
6,904
9,0
6,147
9,0
5,410
10,0
9,445
10,0
8,664
10,0
7,885
10,0
7,122
10,0
6,380
VBE (V) IB (mA)
0,664
0,034
VCE (V) IC (mA)
0,489
5,120
1,484
5,170
2,479
5,220
3,475
5,270
4,470
5,320
5,465
5,370
6,460
5,410
7,450
5,460
8,450
5,510
9,445
5,560

VBE (V) IB (mA)

0,679
0,082
VCE (V) IC (mA)
0,127
8,734
0,758
12,000
1,746
13,000
2,734
13,000
3,723
13,000
4,711
13,000
5,699
13,000
6,687
13,000
7,676
13,000
8,664
13,000

VBE (V) IB (mA)

0,681
0,132
VCE (V) IC (mA)
0,098
9,025
0,175
18,000
1,015
20,000
1,999
20,000
2,978
20,000
3,959
20,000
4,941
21,000
5,922
21,000
6,904
21,000
7,885
21,000

VBE (V) IB (mA)

0,682
0,182
VCE (V) IC (mA)
0,084
9,157
0,125
19,000
0,302
27,000
1,274
27,000
2,249
28,000
3,224
28,000
4,198
28,000
5,173
28,000
6,147
29,000
7,122
29,000

VBE (V)
0,684
VCE (V)
0,076
0,108
0,148
0,570
1,538
2,506
3,474
4,492
5,410
6,380

IB (mA)
0,232
IC (mA)
9,241
19,000
29,000
34,000
35,000
35,000
35,000
36,000
36,000
36,000

Conclumos que as curvas obtidas em experimento so muito prximas s

teoricas fornecidas. Comprova-se pelo mtodo experimental o comportamento do
componente bem prximo ao referenciado em datasheet do fabricante.

Podemos identificar uma diferena considervel em relao ao grfico fornecido

pelo fabricante, isso se deve a variaes entre os valores experimentais e
tericos.

SIMULAO NO SOFTWARE MULTISIM