INSTITUTO SUPERIOR POLITCNICO DE SONGO

CURSO: Licenciatura em Engenharia Elctrica

CADEIRA: Electrnica de Potncia

TRABALHO DE INVESTIGAO

Tiristor Controlador por MOS(MCT)

Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)

Discente:

Docente:

Pinto Manuel Lus Chale

Eng. Anacleto Albino

Songo, Maio de 2014

INSTITUTO SUPERIOR POLITCNICO DE SONGO

CURSO: Licenciatura em Engenharia Elctrica

CADEIRA: Electrnica de Potncia

Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)

Tiristor Controlador (MCT)

Trabalho de investigao apresentado na cadeira de Electrnica de Potncia, como requisito

parcial de avaliao, leccionada no 3 ano do curso de Licenciatura em Engenharia Elctrica, do
Instituto Superior Politcnico de Songo.

Discente:

Docente:

Pinto Manuel Lus Chale

Eng. Anacleto Albino

Songo, Maio de 2014

ndice
1. INTRODUO .........................................................................................................................1
1.1

1.1.1

Geral.........................................................................................................................1

1.1.2

Especficos ...............................................................................................................1

1.2
2

Objectivos........................................................................................................................1

Metodologia ....................................................................................................................1

Tiristor controlado por MOS (MCT ) ....................................................................................2

2.1

Aplicaes dos MCTs .....................................................................................................3

2.2

Princpio de funcionamento ............................................................................................3

2.2.1
3

MCT de Canal N......................................................................................................5

Transstor Bipolar de porta isolada (IGBT) ...........................................................................6

3.1

Principio de funcionamento ............................................................................................7

3.1.1

Caractersticas de chaveamento ...............................................................................8

3.1.2

Vantagens.................................................................................................................8

3.1.3

Desvantagens ...........................................................................................................9

3.1.4

Aplicaes do IGBT ..............................................................................................10

CONCLUSO .....................................................................................................................11

BIBLIOGRAFIA .................................................................................................................12

Engenharia Elctrica 3Ano

LISTA DE FIGURAS
Figura 1. Estrutura simplificada do MCT ......................................................................................2
Figura 2. Comparao entre componentes.....................................................................................4
Figura 3. Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma clula .......................4
Figure 4. Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de clulas e smbolo do
componente ....................................................................................................................................5
Figura 5.Simbolo e a curva caracterstica do IGBT.......................................................................7
Figure 6. Estrutura do IGBT ..........................................................................................................8
Figura 7.Circuito equivalente e simplificado de um IGBT............................................................9
Figure 8. Esquema simplificado do comando com suas principais forma de onda .......................9

Engenharia Elctrica 3Ano

ii

1. INTRODUO
O controle do fluxo de energia elctrica entre dois ou mais sistemas elctricos distintos sempre
foi uma das grandes preocupaes dos engenheiros ao longo da histria de engenharia elctrica.
Para realizar tal controle, sempre foram procurados mtodos que permitissem rendimentos
elevados, visto que normalmente eles so empregados no tratamento de potncias elevadas.
Por isso foram concebidos interruptores tradicionalmente empregados como:
-Tiristor controlador por MOS (MCT)
-Transistor Bipolar de porta Isolada (IGBT) e mais outro que no fazem parte deste tema.

1.1 Objectivos
1.1.1 Geral

Descrever os dispositivos semicondutor usados como chaves em circuito de electrnica

de potncia

1.1.2 Especficos

Tiristores controlado por MOS (MCT )

Transstor Bipolar de porta isolada (IGBT)

Estudar a constituio, caracterstica, smbolo, funcionamento e aplicao

1.2 Metodologia
A metodologia usada neste trabalho foi uma pesquisa bibliogrfica nos livros e alguns artigos da
internet.

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Tiristor controlado por MOS (MCT )

MCT (MOS-Controlled Thyristor) um novo tipo de dispositivo semicondutor de potncia que

associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tenso tpicas dos tiristores,
com um controle de entrada e de sada de conduo baseado em dispositivos MOS(Metal oxid
Silicon) .
A figura 1.ilustra uma estrutura simplificada do MCT

Figura 1. Estrutura simplificada do MCT

Tabela 1 .Caracteristicas Electricas dos MCTs

Tiristor

Tipo

V/I

Frequenc

Tempo

de Resistencia

Superior

chaveamento no estado de
conduo

MCTs

Unico

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600v/60

20kHz

2.2s

18m2

2.1 Aplicaes dos MCTs

Controles de rels e motores;

Fontes de tenso reguladas;

Inversores cc-ca;

Cicloconversores (variadores de frequncia);

Carregadores de bateria;

Controles de iluminao;

Controle no disparo,

Controle no bloqueio;

Pulso de sinal

2.2 Princpio de funcionamento

Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo do tiristor
(on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma tenso negativa
no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a conduo do on-FET realiza uma injeo de
portadores na base do transistor NPN, levando o componente conduo. Uma vez que o
componente formado pela associao de dezenas de milhares de clulas, e como todas elas
entram em conduo simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado
di/dt.
O MCT permanecer em conduo at que a corrente de nodo caia abaixo do valor da corrente
de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o off-FET, o que se faz
pela aplicao de uma tenso positiva no gate.
A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP ( possvel
tambm uma estrutura que curto-circuita as junes base-emissor de ambos os transistores),
reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao bloqueio do MCT. A
queda de tenso deve ser menor que Vbe.

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Comparao entre componentes para 600V, com 1s de tempo de desligamento, desprezando a

resistncia do encapsulamento

Figura 2. Comparao entre componentes

Comparao entre P-MCT e N-MCT

Figura 3. Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma clula

e smbolo do componente

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Figure 4. Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de clulas e smbolo do

componente
2.2.1 MCT de Canal N
Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao gate,
desligando com uma tenso negativa. Como o nodo est em contacto apenas com uma camada
P,

este

dispositivo

capaz

de

sustentar

tenses

com

polarizao

reversa.

Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso do que um
MOSFET canal P.
Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar uma
corrente de nodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtm em um N-MCT. Em contraposio,
por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo mais lenta do que a que se
tem em um N-MCT.
possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado por um
MOSFET de canal P.
A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP no conduza. Esta
queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de nodo pelo MOSFET.

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Transstor Bipolar de porta isolada (IGBT)

O Transstor Bipolar de porta isolada (IGBT) um dispositivo que apresenta como o circuito
de entrada um MOSFET e na sada um TBJ.
Antes de conhecermos o IGBT vamos lembrar, algumas caractersticas tcnicas do MOSFET e
TBJ.
Desde a dcada de 1950 pesquisadores da rea da electrnica tentaram desenvolver dispositivo
capaz de aliar a potncia e velocidade de comutao.
Nos anos de 1970 o transstor bipolar era nico transstor de potncia usado quando foi criado
o MOSFET de potncia usado ate o dia de hoje. O TBJ apresenta as seguintes caractersticas:
possui corrente de base comparativamente alta para poder saturar (turn-on) e relativamente
lento para cortar (turn-off) e tem sensibilidade ao disparo trmico em decorrncia de
coeficiente negativa.
O MOSFET um dispositivo controlado por tenso e tem o coeficiente de temperatura positivo
que protege o dispositivo trmico e permite maior frequncia de operao.
A figura 5 mostra o smbolo e a curva caracterstica do IGBT, onde se nota que o componente
apresenta os terminais colector e emissor (como no TBJ) e gate (como no MOSFET).

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Figura 5.Simbolo e a curva caracterstica do IGBT

3.1 Principio de funcionamento

A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+
que forma o colector do IGBT, como se v na figura 4.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio Ntem sua condutividade modulada pela injeco de portadores minoritrios (lacunas), a partir
da regio P+, uma vez que J1 est directamente polarizada. Esta maior condutividade produz
uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma
polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o accionamento feito por tenso.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao directa) e por J1
(polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no
suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite
o accionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a
qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no
apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.

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Figure 6. Estrutura do IGBT

3.1.1 Caractersticas de chaveamento

A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso
Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d
pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao
acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa
de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas
presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas
existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-,
possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.

3.1.2 Vantagens
O IGBT apresenta a vantagem de ser comandado por tenso requerendo baixa quantidade de
energia do circuito de comando, e em conduo tem a vantagem de TBJ de baixas tenses VCE
on

, podendo conduzir elevadas correntes com baixas perdas.

O tempo de entrada de conduo maior que o do MOSFET, na ordem de

, e no bloqueio

surge o fenmeno da corrente de fuga que provoca elevadas perdas de comutao em altas
frequncias.

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3.1.3 Desvantagens
Velocidade de comutao menor que o MOSFET

Circuito equivalente

Figura 7.Circuito equivalente e simplificado de um IGBT

A figura 8 mostra o esquema simplificado do comando com suas principais forma de onda.
Tipicamente, VGE entre 12V e 20V resulta em VCE

ON

reduzida, diminuindo as perdas de

conduo.

Figure 8. Esquema simplificado do comando com suas principais forma de onda

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3.1.4 Aplicaes do IGBT

O IGBT muito utilizado principalmente em inversor de frequncia, sistema de controle de
aquecimento indutivo, controle de motor CA, fonte de alimentao, transmisso em CC,
carregador de baterias.
Tabela 1.Que ilustra as principais caractersticas dos dispositivos semicondutores
Diodos

TBJ

MOSFET

IGBT

SCR

Comando em

Corrente

Tenso

Tenso

Corrente

Complexidade

alta

Muito baixa

Muito

baixa

do circuito de

baixa

comando
Capacidade de

alta

mdia

corrente

mdia

Tenso suportvel

Frequncia

Baixa

de

alta

alta

mdia

mdia

Baixa

para Mdia

Alta

para alta
para Mdia

mdia

para alta

alta

mdia

Alta

baixa

comutao

Tabela 2 mostra as carateristicas principais de uma linha comercial de IGBTs da International

Rectifiers Semiconductors e seus parametros importantes a serem especificados e aplicaes
tipicas.

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CONCLUSO

Conclui-se que, os dispositivos semicondutores IGBT e MCT trouxeram uma grande valia no
processo de controle de potncia so eficientes e eficaz no controle, podendo manipular a
tenso assim como a corrente devido a sua composio. Para a sua aplicao depende do fim a
que se destina.

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BIBLIOGRAFIA

1. Eletrnica de Potncia, circuitos, dispositivos e aplicaes. Rashid Muhammad.

2. Eletronica_de_Potencia_-_Ashfaq_Ahmed
3.Integrated Electronics.... Millman e Halkias
4. www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/ee832/exp2-2002.pdf

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