ING.

ERICK EDUARDO GUZMN QUEZADA

PRCTICA No. 2
CARACTERSTICAS DEL DIODO.
OBJETIVO. El alumno se familiarizar con las
caractersticas y anlisis de los diodos de silicio y
germanio, desarrollando la habilidad para analizar
redes.
CONCEPTOS INDISPENSABLES.
Modelo del diodo, modelos aproximados del
diodo.
Resumen:
Una de las herramientas ms prcticas para medir
diodos es el multmetro digital con el cual
podemos determinar las condiciones de un diodo.
ste tiene una escala marcada por el smbolo del
diodo que nos indica las condiciones de un diodo
tanto en la regin de polarizacin directa como en
la regin de polarizacin inversa. Si polarizamos
directamente el diodo (positivo con nodo y
negativo con ctodo), recordando que el negativo
es la terminal que tiene marcada una lnea
plateada, el multmetro marcar el voltaje que
existe en el diodo, calculado a una corriente
aproximadamente de 2mA, (lo anterior es muy
importante ya que recordemos que la resistencia
interna de un diodo vara con el punto de
operacin). Si lo polarizamos inversamente en la
pantalla aparecer un uno con un punto
indicndonos que el diodo se encuentra en
circuito abierto.
Las caractersticas de los diodos de silicio o
germanio tienen una grfica como la de la figura
siguiente, que es resultado de la ecuacin que
determina a cada diodo, note el cambio de escala
en el eje vertical como en el horizontal. En la
regin de polarizacin inversa, la corriente
inversa de saturacin se mantiene constante desde
los 0 V hasta la regin Zener, sta corriente si
hablamos de diodos ideales se considera cero. En
la regin de polarizacin directa, la corriente se
incrementa muy rpidamente al incrementar el
voltaje del diodo. Note que la curva tiende a la

UNIVERSIDAD AUTNOMA DE GUADALAJARA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

vertical y el voltaje aplicado no excede de 1 V. La

corriente de polarizacin directa del diodo est
limitada por la red en la que se encuentra
conectado ste y por la mxima corriente del
diodo. (Potencia mxima). El voltaje de disparo
del diodo es determinado por la extensin de la
lnea recta que es tangente a la curva, hasta el eje
x. La interseccin con el Vd determinar el
voltaje de disparo Vf.
La resistencia de DC de un diodo est ubicado en
un punto dentro de la curva y determinado por el
valor del voltaje del diodo en ese punto y por la
corriente del diodo. Esto es
Rcd = Vd / Id

(ohms)

La resistencia de CA est determinada por el

resultado del cambio de voltaje y el cambio de
la corriente.
rd = V /I (ohms)
Como se demostr en clase por medio del
clculo diferencial, la resistencia de CA de un
diodo en la seccin lineal - vertical, est dada
aproximadamente por
rd = 26 mV / ID

(ohms)

Para niveles de corriente que se encuentren abajo

de la recta (codo de la grfica), en un diodo de
silicio es aproximadamente
rd = 2 (26 mV / ID)

(ohms)

PROCEDIMIENTO.
CARACTERSTICAS DEL DIODO.
Parte 1. Prueba del diodo.
Escala de prueba del diodo. (Coloque el
multmetro donde aparece el dibujo del diodo).
Cuando se realizan pruebas para el diodo con un
multmetro digital y se obtienen en ambos
sentidos voltajes menores a 1 V, esto nos indicar
que la unin del diodo est en corto. Si en ambas
direcciones se obtiene circuito abierto, entonces
podemos decir que la unin est abierta.
Realice las mediciones a dos diodos (silicio y
germanio) y anote en la tabla sus observaciones.
Prueba (en escala de
diodo)

Si

Ge

Pg. 3

ING. ERICK EDUARDO GUZMN QUEZADA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

2.
Polarizado
directamente
Polarizado
inversamente

Basado en los resultados obtenidos en la tabla,

En qu condiciones se encuentras los diodos?

Escala de Resistencia. (Mueva el selector a

donde aparece el smbolo).
Las condiciones de un diodo tambin pueden ser
conocidas usando las escalas de resistencia de un
multmetro digital. Pruebe los diodos en una
escala adecuada.
Prueba en

Si

Ge

Polarizado
directamente
Polarizado
inversamente

Para saber las condiciones en que se encuentran

los diodos, tenemos que tomar en cuenta que un
diodo bueno tiene relativamente bajo nivel de
resistencia en la polarizacin directa y muy alta
resistencia en la polarizacin inversa. No importa
tanto el valor sino la relacin que existe entre
stas.
Qu nos indican las resistencias registradas en la
tabla anterior con respecto a los dos diodos?

Investigue los siguientes conceptos y el

valor para el diodo 1N4001.
a. Cj
(capacitancia
de
agotamiento)
b. Cd (capacitancia de difusin)
c. VRRM.
d. VR (RMS).
e. Io
f. IFSM.
g. VFM.
h. IRM.
i. RJA.
j. TA.
k. Tj
l. Busque
la
grfica
de
comportamiento de Cj con
respecto a VR e interprtela.

Debido a la naturaleza no lineal del diodo en la

regin de polarizacin directa, se complica el
anlisis de los circuitos, por lo que se busca un
mtodo ms directo. Una de las soluciones es la
aproximacin de la curva exponencial a dos
rectas, una con pendiente cero y la segunda con
pendiente 1/rd. Normalmente el VDO o voltaje de
disparo variar alrededor de 0.5V.
iD(mA)
Pendiente = 1/rd

Pendiente = 0

El modelo del diodo es

Vf

Parte 2. Caractersticas de los diodos de

polarizacin directa.
En esta parte del experimento obtendremos
suficientes datos para graficar las caractersticas
de polarizacin directa de los diodos de silicio y
de germanio.
1.

vD(V)

VDO

rd

diodo
ideal

el valor de rd puede variar tomando el valor de

unos cuantos ohms, sin embargo, cuando se
analizan circuitos donde el resto de los elementos
resistivos anda en el rango de k o mayor, se opta
por tomar un segundo modelo mas simplificado
representado por los siguientes elementos:

Considerando la ecuacin del diodo, use

Matlab para obtener la grfica de
comportamiento en polarizacin directa.

UNIVERSIDAD AUTNOMA DE GUADALAJARA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA

Pg. 3

ING. ERICK EDUARDO GUZMN QUEZADA

Vf

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

2.
3.
4.
5.

diodo
ideal

Tome todas las mediciones,

Analice el circuito,
Simlelos en Pspice y Multisim
Observe como funcionan usando el
osciloscopio.
Explique detalladamente como funciona y
grafique los voltajes VD, V1 y Vo, segn
corresponda a cada circuito.

6.

Donde la grfica representativa es:

iD(mA)

Configuracin 1:

+ V1 - ID

Pendiente =inf inita

Pendiente = 0

Configuracin 2:
+ VD -

ID

Si

+ Vo

Existe un tercer caso, donde el voltaje del diodo

es despreciable comparado con los voltajes que se
estn manejando en el resto de la red (un ejemplo
de esto lo tenemos cuando se tiene 120V y el
diodo tiene una cada de 0.7V), en este caso, se
opta por considerar solo el diodo ideal y se tiene
el siguiente modelo:

Si

15k

En este caso, cuando el voltaje aplicado al diodo

es mayor a VD, el voltaje entre las terminales
permanecer constante independientemente de la
corriente que circule a travs del diodo, la
limitante en este caso ser la potencia del diodo
en polarizacin directa.

10senwt

vD(V)

VDO

+
VD
-

10senw t

Configuracin 3:

ID

V1

Si

Ge

15k

Diodo ideal

Vo

Vf

10senw t

y su grfica es
Configuracin 4:

iD(mA)

ID
Pendiente =inf inita

V1

15k

10senwt

vD(V)

PROCEDIMIENTO:
Para las siguientes configuraciones:
1. Arme los circuitos con f= 2000Hz Vi = 10V

UNIVERSIDAD AUTNOMA DE GUADALAJARA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA

Ge

Si
Vf

+ Vo

Pendiente = 0

Configuracin 5:

Pg. 3

ING. ERICK EDUARDO GUZMN QUEZADA

V1

10senw t
+ Vo

10senw t

15k

15k

Ge

Si

ID

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

+
Vo
-

Configuracin 6:

UNIVERSIDAD AUTNOMA DE GUADALAJARA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA

Pg. 3