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Director:
Ing. Julio Augusto Glvez
TITULO:
CONVERSORES
ESTATICOS
SOBRECORRIENTE Y CORTO CIRCUITO*
DE
POTENCIA-PROTECCIONES
DE
DESCRIPCIN:
Se construy un mdulo que permite el montaje de quince (15) aplicaciones de
rectificadores, control AC de lnea, troceadores e inversores. Estos montajes se realizaron
mediante Mosfets, SCRs y Diodos segn la aplicacin.
El mdulo se construy mediante tarjetas fcilmente extrables y una tarjeta principal que
interconecta todas las partes. La parte de potencia se encuentra separada de la parte de
control, los elementos semiconductores estn ubicados sobre la pared de fondo del mdulo
cableados sobre la pared frontal del mismo de una forma prctica para el operador. Las
conexiones de los pulsos de control se harn externamente as como las de los elementos
para las diferentes aplicaciones.
El sensado de las seales se realiza a travs del circuito integrado CS25-NPA marca
Amploc, el cual es una sonda de efecto Hall que va a registrar la corriente en la entrada
como una seal de voltaje, aislada galvnicamente, a la salida. Esta seal va
simultneamente a los microcontroladores para la proteccin por software y a el circuito de
proteccin por hardware.
*Proyecto de grado
** Escuela de Ingenieras Elctrica, Electrnica y de Telecomunicaciones
Ingeniera Elctrica
Director: Mpe. Julio Glvez Figueredo
Codirector: Ing. Javier Mier
DESCRIPTION:
It was built a module that allows the assembly of fifteen (15) applications: rectifiers, AC line
control,choppers and investors. These assemblies were made by means of Mosfets, SCRs
and Diodes according to the application.
The module was built by means of cards easily extrables and a main card that it
interconnects all the parts. The part of power is separated from the control part, the elements
semiconductors are located on the wall of bottom of the module wired on the front wall of the
same one in a practical way for the operator. The connections of the control pulses will be
made externally as well as those of the elements for the different applications.
The device has an operative system implemented through a microcontrolador GP32 that in
turn governs a keyboard and a display located in the modul e from those that one setting and
give march to the system. Besides this it carries out the control part by means of a
microcontroller JL3 and two JK3, one for phase in the triphasic case; these same
microcontrollers will manage the protection of the module.
The module has slipping window overcurrent protections, which gives a treatment to each
overcurrente situation according to the importance of the same one. This system is
implemented as much in hardware as in software and serving as back one of the other one.
The sense of the signs is carried out through the integrated circuit CS25-NPA (Amploc), that
will register the current in the entrance as a voltage sign to the exit. This sign goes
simultaneously to the microcontrollers for the software protection and to the hardware
protection circuit.
* Grade project
* * Electric, Electronic and Telecommunications Engineerings school
Electric engineering
Director: Mpe. Julio Glvez Figueredo
Co-director: Engineer Javier Mier
CONTENIDO
Pg
INTRODUCCIN
1.
11
1.2
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
13
1.2.1.
DIODOS DE POTENCIA
13
1.2.2.
TIRISTORES
14
1.2.3.
MOSFETS
15
2.
ANLISIS DE FALLAS
17
2.1
17
2.2
18
2.3
20
2.4
21
2.5
22
2.6
24
2.7
2.8
2.9
28
2.12
27
2.11
26
2.10
25
29
29
2.13
TROCEADOR REDUCTOR
30
2.14
INVERSOR MONOFSICO
32
2.15
INVERSOR TRIFSICO
33
3.
PROTECCIONES
34
3.1
34
3.1.1.
34
3.1.2.
42
3.1.3.
44
3.2
44
3.2.1.
45
3.2.1.1.
Etapa de Sensado
45
3.2.1.2.
Etapa de acondicionamiento
46
3.2.1.3.
Etapa de deteccin
46
3.2.1.4.
Etapa actuadora
48
3.2.2.
48
3.2.3.
51
3.3
PROTECCIONES TRMICAS
56
3.3.1.
56
3.3.2.
58
4.
63
4.1
RECTIFICADOR DE PRECISIN
63
4.2
CIRCUITO DE SENSADO
64
4.3
67
4.4
CIRCUITO DE CODIFICACIN
68
4.5
69
4.6
70
5.
72
5.1
72
5.2
73
5.3
74
5.4
75
6.
CONCLUSIONES
77
BIBLIOGRAFA
80
LISTA DE FIGURAS
pg
Figura 1.
11
Figura 2.
14
Figura 3.
15
Figura 4.
16
Figura 5.
17
Figura 6.
19
Figura 7.
20
Figura 8.
21
Figura 9.
23
24
25
26
27
28
29
30
Troceador reductor
30
Figura 18.
32
Figura 19.
33
Figura 20.
35
Figura 21.
36
Figura 22.
37
Figura 23.
38
Figura 24.
39
Figura 25.
40
Figura 26.
41
Figura 27.
42
Figura 28.
43
Figura 29.
48
Figura 30.
50
Figura 31.
51
Figura 32.
53
Figura 33.
54
Figura 34.
55
Figura 35.
59
Figura 36.
64
Figura 37.
66
Figura 38.
66
Figura 39.
67
Figura 40.
68
Figura 41.
Circuito de codificacin
68
Figura 42.
Activacin de la proteccin
69
Figura 43.
70
Figura 44.
72
Figura 45.
73
Figura 46.
76
LISTA DE TABLAS
Pg
13
37
39
41
64
65
69
73
74
75
76
LISTA DE SMBOLOS
V D : tensin de polarizacin directa del diodo
V RRM: tensin de ruptura por avalancha del diodo
V AK : tensin nodo a ctodo
IDS : corriente de fuga
V GS(TH) : tensin de umbral en el mosfet
P DM : potencia pico vista por el dispositivo
V DSsurge: tensin drenador surtidor en la condicin de surge para el mosfet
IDsurge: corriente de drenador en la condicin de surge para el mosfet
T=
T1-T2
A=
d=
RJA:
RJC:
RCD:
RDA:
INTRODUCCIN
Troceador
reductor.
Las protecciones del prototipo, mdulo Conversores Estticos de Potencia,
buscan garantizar el funcionamiento seguro de las aplicaciones de
Electrnica de Potencia implementadas; el Conversor cuenta con un sistema
de protecciones por hardware y por software operando simultneamente con
la parte de control que asegura el funcionamiento del equipo dentro de los
parmetros propios de los semiconductores dados por sus fabricantes.
Aunque a primera vista pudiera parecer sencillo, en realidad cada aplicacin
requiri de un estudio profundo para poder llegar a determinar la forma ms
apropiada de llevarse a cabo.
10
12
1.2
No
10
11
12
13
Troceador Reductor
14
15
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
13
1.2.2. TIRISTORES
Un Tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura
pnpn con tres uniones pn; tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta.
La figura 3 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones
pn. Cuando la tensin del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las
uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene
polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al
ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo
o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado
inactivo IDS.
14
15
16
2. ANLISIS DE FALLAS
1984. vii-1 p.
el
neutro.
c. En caso de que los disparos de control de las puertas de los SCRs sean
conectadas en un orden diferente al propuesto, simplemente se perdern
los pulsos ya que llegarn a dispositivos no polarizados en tensin
directa.
d. El hecho de intercambiar los SCRs no afecta el funcionamiento de la
aplicacin siempre que se respeten los pulsos de control para cada
dispositivo.
e. Si se conectan en sentido inverso el ctodo y el nodo de un SCR, por
ejemplo en la figura 5, el SCR1, se perdern los pulsos de control que
lleguen a l pues siempre estar, en posicin contraria a la esperada,
polarizacin inversa.
f. Si se produce cortocircuito en la carga los SCRs que estn en conduccin
vern la corriente de falla, y esta situacin se reflejar en la lnea de
alimentacin.
Por lo anterior es conveniente ubicar el sensor de corriente en la
alimentacin.
2.2 RECTIFICADOR MONOFSICO SEMICONTROLADO
Este caso es similar al caso controlado pero hay que tener cuidado con la
ubicacin de los componentes, figura 6:
18
SENSOR
19
SENSOR
SENSOR
SENSOR
20
corto entre las fases A y B. Para evacuar la falla se pueden suprimir los
pulsos de control o desconectar la fuente. 5
c. Si por mala conexin un SCR es conectado con la polaridad cambiada o
con una seal de puerta diferente a la que le corresponde, el resultado no
constituir una condicin de sobrecorriente.
d. En el caso de que la carga quede en corto, la falla ser vista por los SCRs
que estn conduciendo en ese momento y por las fases que alimenten
estos SCRs, para suprimir la falla se puede quitar los pulsos de control o
desconectar la alimentacin.
Para proteger completamente el circuito de potencia se debe realizar el
sensado en la fase.
2.4 RECTIFICADOR TRIFSICO SEMICONTROLADO
Figura 8.
SENSOR
SENSOR
SENSOR
cortocircuito para proteger los elementos y luego con esa misma corriente fundir uno o varios
fusible para as desconectar la fuente.
21
22
Figura 9.
23
Para
proteger
el
mdulo
de
control
AC
monofsico
24
La
Lb
25
en la figura 11, si ocurre un corto entre los puntos Va y Vb, bien por corto
en la carga o corto entre las salidas de los SCRs 2 y 4, o corto entre las
lneas de alimentacin La y Lb, ocurrir un corto entre las fases Van y
Vbn que ser visto por los SCRs en conduccin y por la lnea de
alimentacin. Esta falla puede ser suprimida quitando los pulsos de
control o desconectando la alimentacin.
d. En caso de que el corto entre lneas La y Lb ocurra antes de los SCRs
producir una condicin de sobrecorriente que solo podr ser evacuada
desconectando la alimentacin.
De acuerdo al anlisis anterior es necesario colocar los sensores de corriente
en la lnea de alimentacin, antes de los elementos de potencia.
2.8
CONTROL
AC
TRIFSICO
CARGA
EN
SIN
NEUTRO
SEMICONTROLADO
Figura 12.
en Y sin neutro
semicontrolado
26
Las posibles fallas en esta aplicacin, figura 12, son las mismas que para el
caso controlado; podra considerarse una conexin de un diodo con la misma
polaridad que el SCR en paralelo, en este caso el control en el SCR se
perdera debido a que el diodo conduce inmediatamente se polariza. En
razn de esto los sensores de corriente se deben colocar de igual manera en
la lnea de alimentacin.
Esta aplicacin tiene las mismas posibles fallas que en el caso sin neutro, la
nica falla que cabra considerar en este caso, figura 13, es un corto en la
carga que producira un corto entre fase y neutro y sera visto por el SCR en
27
CON NEUTRO
Figura 14.
Esta aplicacin, figura 14, es similar a el caso controlado por lo tanto las
posibles causas de sobrecorriente son las mismas y los sensores deben
ubicarse en el mismo sitio, en la alimentacin.
28
2.11
SCRS EN LA LNEA
a. En caso de que la carga quede en corto, se producir una
sobrecorriente que puede daar los semiconductores que se
encuentren en conduccin y conectados a la fase correspondiente;
ser vista directamente por las fases de la alimentacin conectadas a
ella, figura 15.
Figura 15.
SCRs en la lnea.
SCRS EN LA LNEA
Al igual que las anteriores aplicaciones las consideraciones en esta son las
mismas, por la tanto la ubicacin de los sensores no cambia.
29
Figura 16.
SCRs en la lnea.
30
31
fundamental
ms
algunas
armnica
cuya
magnitud
depende
las
fuentes
de
respaldo
las
de
poder,
alimentacin
b) Tensin en la carga.
32
33
3. PROTECCIONES
34
35
36
(1)
37
IDS(A)
V DS(V)
P DM(W)
15
20
300
20
33
660
30
65
1950
40
100
4000
ZTH RTH =
(TJ TC )
PDM
(2)
38
IDS (A)
PDM (W)
ZTH
T (mseg)
15
300
0,416
25
20
660
0,189
4,5
30
1950
0,064
0,35
40
4000
0,031
0,16
39
40
IKA (A )
V KA ( V )
P DM ( W )
ZTH ( C/W )
T( ms )
60
1,65
99
0,6
150
70
1,7
119
0,5
90
80
1,78
142,4
0,42
50
90
1,85
166.5
0,36
25
41
42
Para el Diodo A25FR: se observa segn la figura 21, que ste soporta
ms de 100 A durante 10ms y ms de 25 A por slo 5ms.
lineal se encuentra la
Caracterstica de Tiempo
6
4
Umbral de
Aproximacin
Alarma
Por Ventana
Umbral de
Peligro
8
43
10
I (A)
min
t max
I peligro I alarma
(I
sensada
I peligro + t max
(3)
44
que adems tenga una larga vida til y no necesite del reemplazo de parte s
constantemente.
Las protecciones de un sistema elctrico, buscan mantener el funcionamiento
normal de todos los componentes, esto lo realizan sensando constantemente
los niveles de corriente en los semiconductores. El objetivo de una buena
proteccin es que asegure el funcionamiento del dispositivo, en todos los
casos posibles, dentro de los parmetros dados por el fabricante. Por esta
razn resulta mejor para los intereses del proyecto, operar el dispositivo lejos
de la zona de peligro, debido a que lo que se necesita es que el equipo sirva
para realizar todas las aplicaciones propuestas dentro de unos niveles
seguros que nos permitan tener un sistema robusto y durable.
3.2.1. IMPLEMENTACIN DE LA PROTECCIN DE SOBRECORRIENTE
3.2.1.1. Etapa de Sensado: El sensado de corriente del mdulo conversor
esttico de potencia se hace mediante el uso de una sonda de efecto hall
CS25-NPA, que sensa una corriente nominal de 25 A, pero que puede
programarse externamente para otros valores, en este caso se usa un valor
de 12 A como full escala, con una salida de 25mA que son convertidos, a
travs de una resistencia, en valor de tensin de modo tal que para 10 A se
ha dispuesto en 10 volts para que resulte ms fcil la conversin anlogadigital. El sensor funciona con una fuente de alimentacin dual entre 12 y 18
volts, y presenta una resistencia de entrada para 12 A de 0,7 .
3.2.1.2. Etapa de acondicionamiento : en la etapa de acondicionamiento
se toman las seales de tensin (0-10 V) de salida del sensor de corriente y
se rectifican para no ingresar en el caso de corrientes alternas, valores
negativos de tensin al microcontrolador, luego de esto las seales se
atenan para obtener 0-5 V a la entrada del microcontrolador; gracias a las
45
46
47
zona de corriente de alerta pequea los tiempos de espera son mayores que
los de la curva I2 t; es por este motivo que se decidi implementar la
proteccin mediante ventana deslizante, debido a que ofrece una mayor
proteccin al elemento y trata de manera proporcional cada condicin de
falla.
al fundir el dispositivo de
48
49
Cabe anotar que as como las seales de alterna tuvieron que ser
rectificadas para poder ser analizadas por el microcontrolador, no puede
existir ninguna seal por debajo de los 0 V o estar afectada por algn offse t
que registre tensiones negativas en algn momento; este problema se
present durante un buen tiempo por la utilizacin de generadores de onda
para generar pulsos de tensin y as probar el correcto funcionamiento de las
protecciones en las pruebas.
50
10
51
11
52
53
por lo
sobrecorriente
por
tanto se retiran,
54
55
56
Tdoff= 33 ns
Tr= 40 ns
tiempo de subida
Tf= 25 ns
tiempo de cada
IDAV = 11 A
corriente average
V DS(COND) = 14 V
IDSS= 250 uA
fs = 20 KHz
frecuencia
D=50%
ciclo de trabajo
Vcc= 480 V
12
13
13
(4)
Los datos para los clculos se obtienen de la hoja de datos suministrada por el fabricante.
57
td
Pd =
1
PD (t ) = I DSSV CC t d f S
T 0
(5)
V VCC
1 r
V
PD (t ) = f S I DAV t r CC + DS
T 0
3
2
t
Pr =
(6)
14 480
3
9 480
= 20 10 11 40 10
+
= 0,74W
3
2
(7)
(8)
11 14 = 154W
f
6
3
1 P (t ) dt = V DS ( COND ) I DAV t COND f S = 14 11 25 10 20 10 = 77W
= D
T 0
PCOND
t d + t r + t COND = 25s
t COND 25s
Potencia en la cada
58
f
V CC I DAV t f f s
1
P f = PD (t ) dt =
=
T 0
6
480 11 25 10
6
20 10
(9)
3
= 0,44W
tf
( 10 )
25 10 9
3
9
= 480 11 20 10 33 10 +
= 3,92W
6
f
6
6
3
1 PD (t ) dt = V CC I DSS t O f S = 480 250 10 25 10 20 10 = 77W
PO =
T 0
t O + t f + tdOff = 25s
(11)
t O 25s
Potencia total
PT = PON + PCOND + POFF + Po =
= 0,74 + 77 + 3,92 + 0,00059 = 81,67W
( 12 )
V (rms)
IAV= 35 A
V K-A =1,3 V
para IA V =35 A
Isr= 0,5 mA
59
Isd= 10 mA
cond
= I AV V K A
( 13 )
( 15 )
( 14 )
IAV = 35
60
Vcc= 220
Ism= 12 ma
( 15 )
Potencia en conduccin
cond
= I AV R K A( ON )
2
( 16 )
61
El flujo de energa que fluye por unidad de tiempo se conoce como potencia
conducida y
temperatura.
62
A T
d
cond
( 18 )
Donde
T=
T1-T2
A=
d=
term
( 19 )
cond
Reemplazando
term
JA
JC
d
A
( 20 )
+ RCD + R DA ( 21 )
donde:
RJA:
RJC:
RCD:
RDA:
63
RDA =
Tc TAMB RCD Pn
nP
( 23 )
Donde
RDA = Resistencia trmica del disipador con el ambiente
RCD = Resistencia trmica del encapsulado con el disipador
TC
= Nmero de dispositivos
Pn
0.5
C/W
TC
25
TAMB =
25
Pn
81,6
W por dispositivo
0.2
C/W
TC
70
TAMB =
25
Pn
=
=
64
Diodo A25FR120M
RCD
0.5
C/W
TC
70
TAMB =
25
Pn
=
=
65
66
Los diodos utilizados en este circuito son de switcheo rpido 1N4148 los
cuales permiten rectificar las variaciones rpidas de corriente de alrededor de
50 us. La salida del circuito tiene un mximo de 5 V para poder conectarlo al
microcontrolador.
4.2 CIRCUITO DE SENSADO
En este circuito se utiliza el sensor de corriente CS25-NPA marca AMPLOC.
Se escogi este sensor bsicamente por sus caractersticas elctricas, su
fcil calibracin en cuanto a la seal sensada, y a las posibilidades de
conexin para diferentes niveles de corriente.
Tabla 5. Caractersticas elctricas del sensor de corriente, (tomado de la hoja
del fabricante).
67
68
voltaje (V)
Serie1
10
corriente (A)
Sensor
69
Este circuito, figura 40, se utiliza para conectar las puertas de los triacs que
hacen actuar los fusibles tanto por hardware como por software para que
cuando acte cualquiera de las dos protecciones se genere un pulso en las
puertas de los triacs. Los pulsos son conectados a las puertas de los triacs
por medio de un circuito integrado de aislamiento ptico PS 9634 el cual
necesita una fuente de alimentacin de 12 V.
70
Este circuito, figura 41, sirve para codificar la seal de alarma o peligro que
actu en la fase; los pulsos llegan a las compuertas lgicas (NAND), uno de
la proteccin por software y otro de la proteccin por hardware
respectivamente, dependiendo de cual fase ha presentado la sobrecorriente
la NAND correspondiente enviar el pulso al circuito de disparo, ver figura 40.
Simultneamente y mediante lgica combinacional, se enva una palabra de
3 bits, tabla 7, al microcontrolador del sistema operativo con el cdigo del
sensor en el cual se present la anomala y la proteccin que envi la seal,
hardware o software.
Figura 41. Circuito de codificacin
71
R
S
MODULO
DC
N
72
73
El sistema de proteccin por software inhibe las seales de control para las
puertas disparo del circuito conversor, si persiste la condicin de
sobrecorriente despus de un tiempo determinado o si se ha excedido el
lmite de proteccin (I de peligro) de los dispositivos se presenta una salida
de disparo para el triac de proteccin y se suspende la alimentacin.
Dentro del software se programa el esquema de ventana deslizante el cual
vara el tiempo de espera de la condicin de sobrecorriente de acuerdo a la
pendiente de subida de la seal del sensor ( ver cap 4).
74
5. SELECCIN DE ELEMENTOS
5.1 SELECCIN DE LOS MOSFETS
Los factores considerados en la seleccin de los Mosfets fueron los valores
de corriente mxima y tensin a los que podran estar sometidos durante su
funcionamiento normal en el circuito. La corriente mxima (ID) que se va a
manejar ser de 10 A, y la tensin mxima en la salida (VDS) ser de 480 V.
La referencia del Mosfet elegido es IRFPC50A14 cuyas caractersticas se
enumeran en la Tabla 8.
Figura 4 4. Caractersticas principales del MOSFET
Como se puede observar en la figura 43, con una tensin de 600 V y una
corriente de 11 A a 25C, el IRFPC50A cumple con los requerimientos de las
aplicaciones a implementar como son: inversor monofsico, inversor trifsico
y troceador recductor. En la tabla 8, se muestran las caractersticas elctricas
de este elemento.
14
76
77
Por las razones anteriores se escogi el Triac BTA40 (figura 60), en la tabla
11, se muestran las caractersticas ms relevantes de este elemento.
78
79
6. CONCLUSIONES
80
de
tiempo
inverso
de
los
elementos
semiconductores
SISTEMA
DE
CONTROL
81
PROTECCIONES
DE
82
BIBLIOGRAFA
- TEXTOS
8/2002.
PHILIPS ECG. Semiconductors Master Replacement Guide. 2000
- PROYECTOS DE GRADO
ARDILA BAUTISTA Nolbey Antonio y OLAYA ARGELLO Carmen
Cecilia. Puente Rectificador y Control A.C de lnea. Bucaramanga,2001.
Trabajo de grado (Ingenieros Electricistas). Universidad Industrial de
Santander.
Escuela
Telecomunicaciones.
de
ingenieras
Elctrica,
Electrnica
84