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lectronique de puissance

1 Gnralits

Pour les articles homonymes, voir Convertisseur.

Cet article ne cite pas susamment ses sources L'lectronique de puissance, que l'on devrait d'ailleurs
nommer lectronique de conversion d'nergie a moins
de 50 ans. Elle a connu un tel essor qu'aujourd'hui prs de
15 % de l'nergie lectrique produite est convertie sous
une forme ou une autre. Au cours de ces annes la taille,
le poids et le cot des convertisseurs n'ont fait que diminuer, en grande partie grce aux progrs faits dans le
domaine des interrupteurs lectroniques.
C'est une lectronique de commutation : elle tire parti du
fait qu'un interrupteur parfait ferm (rsistance nulle, tension aux bornes nulle) ou ouvert (rsistance innie, courant traversant nul) ne dissipe aucune nergie, donc ne
prsente aucune perte. Lorsqu'il est associ des lments de ltrage passifs et purement ractifs (c.--d.
sans aucune rsistance interne), il permet thoriquement
de modier la tension et/ou le courant sans perte, donc
de raliser une conversion de tension ou de courant en
conservant l'nergie. Ce but est atteint en dcoupant la
tension et/ou le courant trs haute frquence (par rapport la frquence d'entre ou de sortie du convertisseur)
et en lissant le rsultat obtenu pour en extraire la valeur
moyenne. En pratique on doit sattendre des pertes de
l'ordre de 2 10 % dues l'imperfection des lments
physiques qui le constituent. Cela justie l'essor de ce
type d'lectronique dans les systmes haute puissance
puisque les pertes raisonnables permettent une vacuation
de la chaleur gnre sans recourir des moyens extrmes
et coteux. Mais au l du temps l'lectronique de puissance sest impose dans tous les domaines o les pertes
doivent rester faibles pour limiter l'chauement comme
dans les ordinateurs, et o le rendement doit tre lev
pour prserver la source d'nergie comme dans les systmes aliments par batteries (GSM, GPS, ordinateurs
portables

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(juin 2012).

Si vous disposez d'ouvrages ou d'articles de rfrence ou


si vous connaissez des sites web de qualit traitant du
thme abord ici, merci de complter l'article en donnant les rfrences utiles sa vriabilit et en les liant
la section Notes et rfrences (modier l'article,
comment ajouter mes sources ?).
L'lectronique de puissance est une branche de
l'lectrotechnique qui concerne les dispositifs permettant
de changer la forme de l'nergie lectrique (convertisseurs).

Rappelons qu'un convertisseur de puissance de rendeL'lectronique de puissance comprend l'tude, la ralisa- ment unitaire (sans pertes) ne peut tre constitu que
tion et la maintenance :
d'interrupteurs idaux et de diples purement ractifs
donc sans la moindre rsistance parasite : condensateurs
et inductances. Les diples ractifs sont des lments de
des composants lectroniques utiliss en forte
stockage d'nergie dont la taille (et donc le cot) est inverpuissance ;
sement proportionnelle la frquence de fonctionnement.
En plus des applications traditionnelles de l'lectronique
de puissance comme la traction lectrique et les entranements industriels, il est apparu de nouveaux domaines
d'application :

des structures des convertisseurs ;


de la commande de ces convertisseurs ;
des applications industrielles de ces convertisseurs.

La gestion du rseau de distribution :


1

2 LES INTERRUPTEURS
FACTS : Systmes de Transmission Flexible
en Courant Alternatif,
Filtrage actif et amlioration du facteur de
puissance,
HVDC : Transmission en courant continu
HTA.
L'lectromnager :
variateurs divers,
alimentations dcoupage,
plaques de cuisson induction.
Les appareils portables (camscopes, ordinateurs,
etc.) :
chargeurs d'accumulateurs intelligents,
conversion CC / CC TBT.
L'automobile : trs forte augmentation de
l'utilisation de l'nergie lectrique dans les automobiles actuelles et en perspective : il y aura un trs
gros march au moment du passage prvu, (mais
retard ?) en 42 V par exemple avec les vhicules
hybrides.

Les interrupteurs

2.1

Historique

Au dbut des annes 1980, les dispositifs transistors poussent les dispositifs thyristors vers des
puissances accrues : vers 1990, les GTO ne sont plus
utiliss qu'en trs fortes puissances ( > 1 MW) ou
pour des tensions suprieures 2 kV.
L'IGBT apparat en 1985, d'abord dans le domaine
des moyennes puissances (quelques dizaines de kilowatts), il supplante les transistors Darlington. Il devient dans les 10 ans qui suivent un composant utilisable en forte puissance.
L'avnement du thyristor IGCT (Integrated Gate
Commutated Thyristor) vers 1997 dans le domaine
des tensions suprieures 6 kV risque d'entraner
moyen terme la disparition du thyristor GTO.
Dans le domaine des faibles puissances, du fait de sa
rapidit et de la simplicit de sa commande, le transistor MOSFET de puissance supplante le transistor
bipolaire. Grce aux techniques d'intgration planar
et l'essor du march du portable (tlphone, ordinateur, lecteur CD, etc.) ncessitant une lectronique
de conversion ecace et miniaturise, il supplante
mme les diodes dans des applications comme le redressement (redresseur synchrone).
Les composants base de carbure de silicium (SiC)
apparaissent en 2002. Ceux base de diamant sont
encore l'tude en 2004. Leurs fortes nergies
d'ionisation permettent un blocage de tension plus
leve et/ou des fonctionnements haute temprature.
Le nitrure de gallium GaN fait ses premiers pas dans
la production industrielle en 2011 avec des caractristiques plus intressantes que le SiC d'un point
de vue cot, modularit d'utilisation et vitesse de
commutation. Il n'y a pas encore de march industriel concret utilisant cette technologie mais des tensions de 1600V et des temps de commutation extrmement faibles devraient en faire un composant de
choix pour les marchs grands publics tels automobile, appareils de conforts en avionique et autres.

C'est dans le domaine du redressement de forte puissance que se dveloppent les premiers convertisseurs statiques destins remplacer les convertisseurs lectromcaniques. Dans les annes 1950, pour la traction lectrique, on soriente vers la solution - transport en alternatif + motorisation en continu. Les convertisseurs statiques 2.2 Les diodes
ncessaires sont raliss l'aide de redresseurs vapeur
de mercure (ignitrons) ayant la mme fonctionnalit que Elles sont quivalentes un clapet dans une installation
les thyristors.
hydraulique.
Les deux paramtres importants prendre en compte
Les premires diodes de puissance au silicium appa- sont :
raissent en 1956 et les thyristors en 1961. Dans les
annes 1970, thyristors et diodes sont utiliss dans
La tension maximale de blocage du composant,
des dispositifs autocommuts comme les hacheurs
cest--dire la tension au-del de laquelle se produit
et les onduleurs, les annes qui suivent voient le dle claquage et donc la destruction de la diode.
veloppement de transistors bipolaires de puissance
L'intensit maximale du courant qui peut la traverqui favorise le dveloppement d'une lectronique de
ser.
conversion de faible et moyenne puissance.

2.4

Les transistors bipolaires de puissance

Les trois principaux dfauts du composant sont :

3
domaine des faibles et moyennes puissances (quelques
kilowatts).

La tension de seuil VS
La rsistance dynamique RD
La capacit parasite C.

Leur domaine dutilisation est limit quelques centaines


de volts, except le domaine des frquences leves pour
lesquelles le MOSFET surclasse tous les autres composants.

Actuellement les diodes se dclinent en plusieurs catgories :


Leur principal dfaut est qu' l'tat passant ils se comportent comme des rsistances (RDSon) de quelques di Les diodes silicium de puissance de rsistance dyna- zaines de m. Cette rsistance est responsable des pertes
en conduction. Le MOSFET peut aussi prsenter des
mique RD faible.
pertes de commutation lorsqu'il est utilis comme interrupteur dans les alimentations dcoupage. En eet,
Elles sont utilises dans le domaine des converchaque commutation, les capacits parasites prsentes
tisseurs de forte puissance comme les onduses bornes doivent tre charges ou dcharges entranant
leurs de traction. Elles sont ralises en bodes pertes en CV.
tier encapsul. La jonction qui les constitue est
de type PiN (P - Intrinsque - N), ou PN-N+.
L'introduction d'une zone trs faiblement do2.4 Les transistors bipolaires de puissance
pe permet d'obtenir une tension de blocage
leve.
Par rapport aux transistors MOS de puissance, ils ncessitent une commande plus complique et ont des per Les diodes rapides de capacit parasite C faible.
formances dynamiques plus mdiocres. Toutefois ils sont
thermiquement plus stables et surtout, du fait dune comElles ont des temps de recouvrement de l'ordre
mande en courant, ils sont moins sensibles aux perturbade quelques dizaines de nanosecondes.
tions lectromagntiques.
Les diodes Schottky : tension de seuil VS faible et C
faible.
2.5
Elles sont constitues d'une jonction mtal semi-conducteur. Par rapport aux diodes PiN,
la tension de seuil est plus faible, mais la rsistance est plus leve (d'o une chute de tension qui dpend plus fortement du courant qui
la traverse). Elles peuvent fonctionner des
frquences trs leves mais la tension inverse
maximale autorise est plus faible. Pour toutes
ces raisons, elles sont principalement utilises
dans les convertisseurs fonctionnant en TBT et
frquence leve : alimentations dcoupage.

Les IGBT

Le transistor MOS est rapide et facile commander, mais


les transistors bipolaires ont une meilleure tenue en tension et prsentent une chute de tension ltat passant plus
faible pour des courants levs. La volont de cumuler ces
deux avantages a donn naissance des composants hybrides nomms IGBT.
Depuis les annes 1990, ce sont les composants les
plus utiliss pour raliser des convertisseurs fonctionnant avec des tensions de quelques centaines de volts
quelques kilovolts et avec des courants de quelques dizaines d'ampres quelques kiloampres.

Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC).


Elles conjuguent C trs faible et une tension
de blocage plus leve que les diodes Schottky classiques mais ces amliorations se font au
dtriment de l'augmentation de VS.

2.3

Les MOSFET de puissance

Ce sont des interrupteurs lectroniques dont le blocage


ou l'amorage sont commands par une tension (Ils
se comportent comme des portes que l'on peut ouvrir
ou fermer volont). Ce sont les plus utiliss dans le

2.6 Les thyristors


Composant fonctionnant grossirement comme un clapet
command par un tire-suisse :
Pour qu'il devienne passant il faut l'amorcer : il faut
maintenir le courant de gchette jusqu' ce que le
courant principal atteigne le courant daccrochage.
Au blocage il faut attendre une certaine dure le
dsamorage (turn-o) pour que le thyristor puisse
eectivement bloquer la tension inverse.

VOIR AUSSI

Pour ces raisons le thyristor est rserv des applica- Mais en plus de ces dnominations purement fonctiontions concernant les trs fortes tensions (> kilovolts) et nelles, des noms particuliers ont t donns certains
les forts courants, o son cot infrieur compense ses convertisseurs.
limitations techniques. Par exemple les liaisons longues
distances ou sous-marines par courant continu haute
tension (HVDC) sont presque toujours ralises avec des
thyristors.
Exemple de valeurs : Thyristor 16 kV 2 kA, frquence
300 Hz.

Commutation dure et commutation douce

La monte en frquence des convertisseurs statiques


entrane une augmentation des pertes par commutation
dans les interrupteurs. Ces pertes peuvent tre rduites,
mais surtout dlocalises par ladjonction de circuit
daide la commutation sans modier le principe de
fonctionnement du convertisseur.
Une autre possibilit consiste modier la nature des
interrupteurs pour quils ralisent une commutation
spontane, dite aussi commutation douce car les pertes
sont nulles, mais aussi celle des convertisseurs qui
doivent alors crer les conditions de commutations. Ces
convertisseurs sont dits convertisseurs (quasi) rsonnants.

Les dirents dispositifs

Conversion continu - continu


Hacheurs
Convertisseurs pompe de charge
Conversion alternatif - continu
Redresseurs
Alimentations dcoupage
Conversion continu - alternatif
Onduleurs
Conversion alternatif - alternatif
Gradateurs

Deux types dinterrupteurs peuvent tre utiliss, conduisant deux types de commutations douces :

Alimentations sans interruption (ASI)


Cycloconvertisseur

Interrupteur amorage command et blocage spontan, comme le thyristor. Le blocage est alors ralis au passage zro du courant, nomm ZCS (Zero
Current Switching) en anglais.
Interrupteur blocage command et amorage spontan. L'amorage est alors ralis au passage zro
de la tension ou ZVS (Zero Voltage Switching) en
anglais.
Pour parvenir au passage zro de lune des grandeurs il
est ncessaire dajouter un circuit oscillant dans le montage, do leur nom de convertisseurs quasi rsonnants.

Quelques dispositifs

On distingue gnralement quatre grandes fonctions de


convertisseurs dans l'lectronique de puissance :
continu continu,
alternatif continu et continu alternatif
alternatif alternatif (avec ou sans changement de
frquence).

5 Voir aussi

Portail de llectricit et de llectronique

Portail de lnergie

Sources, contributeurs et licences du texte et de limage

6.1

Texte

lectronique de puissance Source : https://fr.wikipedia.org/wiki/%C3%89lectronique_de_puissance?oldid=125030119 Contributeurs :


Nataraja, Ploums, HasharBot, Pulsar, Verdy p, Jastrow, Dujo, MedBot, Sam Hocevar, Tornad, Sebcaen, Oliviosu, Poulpy, P.loos, Pmx, Ork,
Gozaki, RobotE, ArsniureDeGallium, MagnetiK, RobotQuistnix, YurikBot, StBot, Phil lahaye, Litlok, MelancholieBot, Oxo, Karl1263,
Liquid-aim-bot, Thijs !bot, Kyle the bot, Yves-Laurent, Zedh, MirgolthBot, IAlex, Rei-bot, Salebot, GabHor, TXiKiBoT, VolkovBot, Chicobot, Ptbotgourou, Laddo, Ski, Faqscl, Alecs.bot, Dhatier, Hercule, BraceRC, GLec, Quentinv57, F1jmm, Julien1978, Bubs wikibot,
Polo the chon, Luckas-bot, Xqbot, MastiBot, Ripchip Bot, Jules78120, Pano38, Lebronj23, Addbot et Anonyme : 29

6.2

Images

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Artiste dorigine : Tkgd2007

6.3

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