Anibal Mantovani Diniz

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amdiniz@unioeste.br

Eletrnica Digital

Prof: Anibal Mantovani Diniz

Cascavel, 20 de Agosto de 1999.

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1. s

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Componentes Eltricos
1.1. Reviso de Conceitos
Tipos de Materiais
Os materiais so classificados quanto fora de atrao eltrons ncleo:
Isolantes A ligao fortssima;
Semicondutores A ligao moderada;
Condutores A ligao fraca, possui muitos eltrons livres.
Corrente Eltrica
Uma corrente eltrica constituda pelo movimento ordenado de cargas
eltricas em um condutor, produzido pela ao de uma fora eltrica.
Quando no h corrente eltrica no condutor, seus eltrons livres
encontram-se em movimento desordenado, em todas as direes, em
virtude da agitao trmica.
eltron
Sentido Real

Sentido Convencional

Bateria

I = dq/dt Amperes(A)
I = corrente eltrica
q = carga eltrica
t = tempo

Diferena de Potencial
Vimos que, ao estabelecer um circuito, uma fora eltrica exercida pelos
plos A e B da pilha, fazendo com que as cargas no fio condutor se
desloquem de A para B. Consequentemente, essa fora eltrica realiza um
trabalho sobre as cargas, transferindo a elas uma certa quantidade de
energia.
VAB= T / Q unidade em Volts (V)
onde T trabalho ( J ) e Q carga eltrica ( C)
Geradores de Tenso
Existem diversos geradores de tenso (geradores de diferena de
potencial), os principais so: os geradores hidreltricos, termeltricos, de
fuso nuclear e os qumicos (baterias e pilhas).

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Associao de geradores de tenso

A associao em srie de dois ou mais geradores de tenso expressa
pela soma das contribuies de cada fonte ao circuito.
V1

V2

V3

V1+V2+V3

=
Corrente Contnua e Corrente Alternada
Os grficos abaixo expresso estes conceitos:
V
V
t
t
Resistncia Eltrica
Quando uma corrente eltrica estabelecida em um condutor metlico, um
nmero muito elevado de eltrons livres passa a se deslocar nesse
condutor. Nesse movimento, os eltrons colidem entre si e tambm contra
os tomos que constituem a rede cristalina do metal. Portanto, os eltrons
encontram uma certa dificuldade para se deslocar, isto , existe uma
resistncia passagem da corrente no condutor. Esta grandeza chamada
de resistncia eltrica e sua unidade o Ohm ().
Lei de Ohm
A corrente estabelecida em um circuito metlico diretamente proporcional
a voltagem aplicada, de modo que sua resistncia permanece constante.

V = R I
Fatores que influenciam no valor de uma resistncia eltrica

A resistncia de um condutor tanto maior, quanto maior for seu

comprimento;
A resistncia de um condutor tanto maior quanto menor for a rea
de sua seo reta, isto , quanto mais fino for o condutor.
A resistncia depende do material de que ele feito.

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R =

Portando chegaremos seguinte equao:

L
A

onde: L o comprimento
A a rea da seo do condutor
a resistividade do material

Material
( . m)

Prata
1.5x10-8

Tabela de resistividade de alguns materiais:

Cobre
Alumnio
Ferro
-8
-8
1.7x10
2.6x10
10x10-8

Associao de Resistncias
Associar resistncias tem o objetivo de produzir, atravs de dois ou mais
destes componentes, um novo componente resultante da combinao
destes. Existem duas formas para associar-se resistores:
Resistncias em srie a corrente eltrica que percorre um
tambm ser a mesma do outro, e ambos estaro na mesma malha.

Resistncias em paralelo a tenso em cada uma das resistncias

a mesma, estes resistores formam uma ou mais malhas.

Potncia
Um aparelho eltrico, submetido a uma diferena de potencial V, percorrido
por uma corrente i, desenvolve uma potncia P dada por:

P = I .V

V =

T
T = Q V
Q

P =

T
Q V
=
= iV
t
t

Leis de Kirchoff

A soma das tenses em uma malha igual a zero;

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A soma das correntes que chegam a um n igual a soma das

correntes que saem deste n.
Exerccios

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1.2. Resistncias
Em funo da tecnologia subjacente sua construo e das aplicaes
visadas, as resistncias podem ser agrupadas em trs classes principais:

resistncias discretas

resistncias hbridas

resistncias integradas

Apesar de sua variedade, as resistncias discretas mais utilizadas na

prtica so as seguintes:
Resistncias de carvo
As resistncias de carvo so construdas a partir de uma massa
homognea de grafite misturada com um elemento aglutinador. A massa
prensada com o formato desejado, encapsulada num invlucro isolante de
material plstico e ligada ao exterior atravs de um material bom condutor.

O valor de uma resistncia de carvo uma funo das dimenses fsicas e

da percentagem, maior ou menor, de grafite utilizado no aglomerado ( mais
grafite igual a menor resistncia ). As resistncias de carvo exixtem
numa gama muito variada de valores, designada no intervalo compreendido
entre 2.7 e 22M , e para diversos valores da potncia mxima
dissipvel, tipicamente 1/8, 1/4, 1/2, 1 e 2W.
Resistncias de pelcula ou camada fina
So construdas a partir da deposio de uma finssima camada de carvo
ou metal resistivo ( nquel-cromo, xido de estanho e etc.) sobre um corpo
cilndrico de material isolante. Nas resistncias de menor valor absoluto,
tipicamente inferiores a 10K , o material resistivo depositado sob a forma
de camada contnua e em resistncia de maior valor construda sob
forma de uma espiral em torno do seu corpo cilndrico.

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Resistncia de fio bobinado

As resistncias bobinadas so construdas a partir de enrolamento de um
fio metlico resistivo em torno de um ncleo cilndrico de material isolante.
O material resistivo mais utilizado o constantam, que consiste
basicamente de uma liga metlica de nquel, cobre e mangans.
Comercialmente encontramos resistncias com valores nominais menores
que 100k , mas com uma capacidade muito grande de dissipao de
potncia, tipicamente at 20W.

1.3. Capacitncia
Duas quaisquer superfcies condutoras isoladas eletricamente definem um
capacitor e armazenam cargas em suas superfcies.

Q= CV

C =

A
d

i(t) = C

dv
dt

= Constante dieltrica
A = rea de placa
d = distncia entre as placas

Concluses sobre a equao:

Tenses constantes correspondem correntes nulas;

Tenses variveis no tempo, mas com derivada finita, correspondem

correntes finitas;

Tenses sinusoidais correspondem correntes tambm sinusoidais;

A variaes infinitamente rpidas da tenso correspondem picos de

corrente de amplitude infinita.

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Potncia dissipada:

w(t ) =

1
C v 2 (t )
2

Associao em paralelo

C eq = C 1 + C 2 + ...... + C n
Associao em srie

1
C

eq

1
1
+ .... +
C1
C m

Tipos de capacitor
No que diz respeito ao material dieltrico e dos eletrodos, comum
encontrarmos no mercado os seguintes tipos de capacitores: dieltrico de
mica, papel, plstico, cermica, e eletrolticos de alumnio ou de tntalo.

1.4. Indutncia (bobinas)

A bobina um componente que armazena energia sob a forma de um
campo magntico, portanto sob a forma de cargas eltricas em movimento.

v(t) = L
Concluses sobre a equao:

di
dt
L = indutncia unidade de medida
o Henry (H)

Correntes constantes correspondem tenses nulas;

Correntes variveis no tempo, mas com derivada finita, correspondem

tenses finitas;

Correntes sinusoidais correspondem tenses tambm sinusoidais;

A variaes infinitamente rpidas da correntes correspondem picos de

tenso de amplitude infinita.

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Potncia dissipada:

1
w(t ) = L i 2 (t )
2
Associao em Srie de Indutores

Leq = L1 + L2 + ...... + Ln
Associao em Paralelo de Indutores

1
1
1
= + .... +
Leq L1
Lm
Tipos de bobinas
No que diz respeito ao seu ncleo, as bobinas podem ser de quatro tipos:
com ncleo de ar, com ncleo de ferro, com ncleo de p de metal, e com
ncleo de ferrite (nquel, cobalto, mangans e magnsio).
Exerccios:

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1.5. Diodos
Diodo Ideal
o mais simples dos dispositivos semicondutores, mas exerce um papel
vital em sistemas eletrnicos, com suas caractersticas assemelhando-se as
de uma simples chave. O diodo ideal um dispositivo de dois terminais,
tendo o smbolo e a curva caracterstica mostradas na figura abaixo:
Id
Id
Vd

Vd

As caractersticas de um diodo ideal so aquelas de uma chave que pode

conduzir corrente somente em um sentido. Observe que no ponto de
operao do diodo, aplicando-se a lei de Ohm temos que: R = 0 / X = 0 e
na regio de polarizao reversa R = X / 0 = .

Formao de um diodo
Os materiais semicondutores normalmente so cristais, os mais utilizados
so o germnio e o silcio. Estes elementos possuem em seu tomo a
caracterstica de apresentarem quatro eltrons na sua ltima camada, e
quando constituem a rede cristalina, juntam-se estes quatro eltrons aos
eltrons dos seus vizinhos estabelecendo uma ligao covalente, ou seja os
eltrons ficam compartilhados entre os referidos tomos, estes materiais
puros so ditos intrnsecos. Quando juntamos a este material impurezas,
mudamos as caractersticas do material.
Dizemos que o material do tipo n quando adicionamos tomos que tem
cinco eltrons de valncia (pentavalente), como o antimnio, o arsnio e o
fsforo. Este eltron que est dissociado com qualquer ligao covalente
fracamente ligado ao seu tomo de origem e pode mover-se dentro do
material tipo n formado. Isto faz a condutividade do material aumentar.

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O material do tipo p formado pela adio de tomos de elemento que

possua trs eltrons em sua ltima camada, ou seja, trivalente.
Normalmente o boro, o glio e o ndio. O efeito da adio destes tomos
no silcio, ou germnio criar um buraco nas ligaes covalentes.
O diodo construdo unindo-se estes dois tipos de materiais, o p e o n.
Com a juno destes elementos h a formao de um fluxo de eltrons e
lacunas na direo desta regio, chamada de regio de depleo. Os
eltrons e as lacunas se combinam formando-se ons positivos e negativos,
os quais fazem gerar uma barreira para a conduo de corrente. Quando o
diodo polarizado diretamente, ou seja, colocado uma diferena de
potencial positiva entre os materiais de tipo p e n respectivamente,
aumenta-se a quantidade de elementos de um lado e de outro de forma tal
que a barreira existente quebrada, permitindo ento que haja circulao
de corrente de um lado ao outro. No caso de se ligar uma fonte de tenso
polarizada reversamente, a barreira aumenta impedindo assim a passagem
de corrente.
No diodo construdo com silcio a barreira da regio de depleo rompida
com 0,6V e no material de germnio 0,3V.

1.6. Transistor de juno

Um transistor de juno nada mais que dois diodos um contra o outro,
com a juno do mesmo tipo de material ao centro dando origem a um novo
terminal no componente.

Observemos as seguintes representaes:

E

IE

VBE

P
B
IB

VCB
VCE

E
IC

N
P
B
IB

IE

VEB

C
IC

VBC
VEC
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Onde :
E = Emissor

IE = Corrente de emissor

VBE = Tenso base emissor

B = Base

IB = Corrente de base

VCB = Tenso coletor base

C = Coletor

IC = Corrente de coletor

VCE = Tenso coletor emissor

IE = IB + IC
VCE = VCB + VBE

A representao simblica do transistor :

Configuraes em que se apresentam os transistores

Emissor comum:

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Base comum

Coletor comum

CONFIGURAO
Emissor Comum
Base Comum
Coletor Comum

Gi
Elevado
<1
Elevado

CARACTERSTICAS
Gv
Rin
Elevado
Mdia
Elevado
Baixa
<=1
Muito elevada

Rout
Alta
Alta
Muito Baixa

Onde:
Gi = Ganho de corrente Gv = Ganho de Corrente
Rin = Resistncia de entrada Rout = Resistncia de sada

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Processos para Polarizao de um Transistor

Daremos a seguir, um processo analtico para determinao de um ou mais
elementos relativos polarizao de um transistor.
Para o circuito da figura abaixo, determinar os valores de Rc e Rb:

Rb

Rc

Re

Dados:
Vcc = 12V
Ib = 20A
= 100
Vce = 4V
Re = 800
Vbe = 0.6V
Rc = ?
Rb = ?

1. Dado que = 100 e Ib = 20A tem-se:

= Ic Ib Ic = 100 * 20 = 2mA e Ie = Ic + Ib Ie = 2m + 20
Ie = 2 m A
2. Pela lei de Kirchhoff temos que:
Vcc Re * Ie Vbe Rb * Ib = 0;
12 800 * Ie 0.6 Rb * 20 = 0;
11,4 800 * Ie = Rb * 20;
Rb = (11.4 800 * Ie) 20 = 490k
3.
Vcc Re * Ie Vce Rc * Ic = 0;
12 800 * Ie 4 Rc * 2m = 0;
Rc = 3.2K

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Calcular Re e Rb p/ o circuito abaixo:

Rb

Rc

Re

Dados:
Vcc = 25V
Ib = 20A
= 200
Vce = 5V
Re = ?
Vbe = 0.6V
Rc = 4k
Rb = ?

Respostas : Re = 1k e Rb = 1,02M
Calcule Rc, Re e Rb para o mesmo circuito acima.
Dados:
Vcc = 20V
Ib = 40A
= 100
Vce = 3V
Re = ?
Rc = 4 * Re
Rb = ?
Trans. de silcio
Respostas : Re = 850 , Rb = 400k

e Rc = 3,4k

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Mtodo prtico para Polarizao c/ transistores com divisor

de tenso na base

Vc
I

Limites impostos:

Vre = 10% de Vcc

Vc = 50% de Vcc
Ie = Ic
I = 10% Ic

Projete o circuito acima com os seguintes valores:

Vcc = 9V
= 100
Ic = 3mA
Re = ? Rb2 = ? Vc = ? Rc = ?

Repita o exerccio acima com os seguintes dados:

Rc = 600
Vcc = 6V
100
Vc = ? Ic = ? Re = ? Rb2 = ? Rb1 = ?

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