UNIVERSIDAD DE SAN CARLOS DE GUATEMALA

FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA DE CIENCIAS
DEPARTAMENTO DE FISICA

MANUAL DE LABORATORIO DE FSICA CUATRO

Ing. Walter Giovanni Alvarez Marroquin

Coordinador de Laboratorios de Fsica, 201 S11. Facultad de Ingeniera, USAC.

ndice general
1. Espectro de emisin.
1.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.1. General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.2. Especficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Marco Terico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3. Diseo Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.1. Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.2. Magnitudes fsicas a medir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.3. Procedimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.4. Diagrama del diseo experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2. Curva caracterstica del Diodo

3
3
3
3
3
3
3
4
4
4
5

2.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1. General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2. Especficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2. Marco Terico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.1. Polarizacin directa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.2. Polarizacin Inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.3. Modelo de Shockley del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3. Diseo Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.1. Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.2. Magnitudes fsicas a medir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.3. Procedimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.4. Diagrama del diseo experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3. Constante de Plank

5
5
5
5
5
5

3.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1. General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.2. Especficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2. Marco Terico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3. Diseo Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1. Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.2. Magnitudes fsicas a medir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.3. Procedimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

8
8
8
8
9
9
9
9

6
7
7
7
8

3.3.4.
4. Fotones

Diagrama del diseo experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

11

4.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1.
General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.2.
Especficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2. Marco Terico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.3. Diseo Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.3.1. Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.3.2. Magnitudes fsicas a medir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.3.3.
Procedimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3.4.
Diagrama del diseo experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5. Variacin de la curva caracterstica del Diodo al cambio de temperatura.
5.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.1.
General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.2.
Especficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2. Marco Terico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
5.3. Diseo Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
5.3.1. Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
5.3.2. Magnitudes fsicas a medir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
5.3.3. Procedimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3.4. Diagrama del diseo experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11
11
11

12
12
13
13
13
13

14
15

1 | Espectro de emisin.
1.1.

Objetivos

1.1.1.

General

Determinar el tipo de gas a partir del espectro

de emisin

1.1.2.

Especficos

Comparar el espectro de emisin para cada tubo

de gas con los espectros ya conocidos.

1.2.

Figura 1.1: Espectro de absorcin

Marco Terico

Cuando un electrn en las capas de una tomo

o de un in pasa de un estado excitado con
energa E2 hacia un estado de energa ms baja
E1, se emite un fotn con la frecuencia:
= E
(1.1)
E
2

h
donde h es la constante de Planck, en caso
inverso el mismo fotn es absorbido. Como las
energas E1 y E2 pueden tomar valores discretos, los
fotones son emitidos o absorbidos slo con
frecuencias discretas. La totalidad de las frecuencias
que se presentan se denomina espectro de un tomo.
La posicin de las lineas espectrales es caracterstica
para el elemento considerado.
Las lneas espectrales surgen de la transicin
electrnica de altos a bajos estados de energa en la
nube atmica excitada. La longitud de onda de la luza
emitida depende de esta diferencia energtica:
E=h
=
h c
(1.2)

Figura 1.2: Espectro de emisin

1.3.

Diseo Experimental

1.3.1.

Materiales

3 tubos cada uno con diferente gas.

Un espectrmetro
Equipo para calentar el gas.
Lampara.
Cmara fotogrfica.

1.3.2.

Magnitudes fsicas a medir

1.3.4.

Diagrama del diseo experimental

Longitud de onda de las bandas emitidas por

cada tubo

1.3.3.

Procedimiento

1. Verificar que se tengan

solicitados para la prctica.

los

materiales

2. En el soporte que proporciona el arco

elctrico, colocar el tubo que contienen el gas
para la prctica.
3. Colocar el espectrmetro alineado y nivelado
con el tubo del gas para poder captar el
espectro de emisin.
4. Medir la longitud de onda de las bandas
emitidas por el tubo

Figura 1.3: Esquema del sistema

5. Proceder a capturar por medio de la cmara

fotogrfica el espectro de emisin del gas.

2 | Curva caracterstica del Diodo

2.1.

Objetivos

2.1.1.

2.2.1.

Para que un diodo est polarizado directamente,

se debe conectar el polo positivo de la batera al
nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. El polo
negativo de la batera repele los electrones libres del
cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia
la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los
electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los
bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente
para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

General

Determinar el factor de idealidad: n, de un un

diodo de Silicio y Germanio

2.1.2.

Especficos

Determinar la curva caracterstica del diodo

de Germanio
Determinar la curva caracterstica del diodo
de Silicio

2.2.

Polarizacin directa

Marco Terico

Los diodos constan de dos partes, una llamada

N y la otra llamada P, separados por una juntura
llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de
0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios
aproximadamente en el diodo de silicio.

Figura 2.2: Polarizacin directa

2.2.2.

Polarizacin Inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se

conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la

Figura 2.1: Portadores mayoritarios y minoritarios

5

tensin en dicha zona hasta que se alcanza el

valor de la tensin de la batera. El polo positivo de
la batera atrae a los electrones libres de la zona n,
los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar
a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes
que antes eran neutros, al verse desprendidos de
su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad y una carga elctrica neta de +1, con lo
que se convierten en iones positivos.

T es la temperatura absoluta de la unin.

k es la constante de Boltzmann.
n es el factor de idealidad, que esta en
funcin del proceso de fabricacin del diodo.

Figura 2.3: Polarizacin inversa

2.2.3.

Figura 2.4: Curva caracterstica del Diodo

Semiconductor

Modelo de Shockley del diodo

El modelo matemtico ms empleado en el

estudio del diodo es el de Shockley (en honor a
William Bradford Shockley) que permite aproximar
el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:
(2.1)
qVd
I = Is
nkT
e
1

2.3.

Diseo Experimental

2.3.1.

Materiales

Fuente DC.
1 Diodo de Silicio (1N4004).

Donde:

1 Diodo de Germanio.

I es la intensidad de la corriente que atraviesa

el diodo.

Potencimetro de 10 K .

Vd la diferencia de tensin entre sus extremos.

Protoboard.

Is es la corriente de saturacin. (10 pA).

Cables para protoboard.

q es la carga del electrn.

2 Multimetros.
6

2.3.2.

Magnitudes fsicas a medir

2.3.4.

Diagrama del diseo experimental

Voltaje en el Diodo
Corriente en el Diodo

2.3.3.

Procedimiento

1. Verificar que se tengan

solicitados para la prctica.

los

materiales

2. Armar el Circuito como se muestra en la

Figura 2.5
3. Encienda la fuente.
4. Variando el potenciometro tome medidas de
voltaje y corriente antes del voltaje de operacin
del diodo y despus de este (0.7 Si y 0.3 Ge).

5. Repita el procedimiento remplazando el diodo

con un diodo de Germanio.

Figura 2.5: Esquema del sistema

3 | Constante de Plank
3.1.

Objetivos

3.1.1.

Robert Millikan fue el primero en medir la

constante de Planck en 1916. El mejor valor para la

General

constante es de 6:62607554 10

34

J s.

Determinar la constante de Plank h

3.1.2.

Para medir la constante de Planck, se usara la luz

emitida por LEDs (light emitting diodes). Como su
nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo
que emite luz visible o invisible (infrarroja) cuando se
energiza. En cualquier unin pn polarizada en
directa se da, dentro de la estructura y principalmente
cerca de la unin, una recombinacin de huecos y
electrones. Esta recombinacin requiere que la
energa procesada por los electrones libres se
transforme en otro estado. En todas las uniones p-n
semiconductoras una parte de esta energa se libera
en forma de calor y otra en forma de fotones.

Especficos

Registrar la relacin voltaje-corriente

caracterstica de un LED
Determinar el voltaje de encendido de un LED

3.2.

Marco Terico

Alrededor de 1900 Planck desarroll el concepto de

una unidad fundamental de energa, un cuanto, para
explicar la distribucin espectral de la radiacin del
cuerpo negro. A fin de explicar la radiacin de cuerpo
negro, Planck propuso que los tomos absorben y
emiten radiacin en cantidades discretas dadas por:

E = nhf

La respuesta del ojo humano promedio se da en la

figura 3.1. Se extiende desde aproximadamente 350 nm
hasta 800 nm con un valor pico cercano a 550 nm. Es
interesante sealar que la respuesta pico (mxima) del
ojo es al color verde, con el rojo y el azul en los
extremos inferiores de la curva acampanada. La curva
revela que un LED rojo o azul deben ser mucho ms
eficientes que uno verde para que sean visibles con la
misma intensidad. En otras palabras, el ojo es ms
sensible al color verde que a otros colores. Tenga en
cuenta que las longitudes de onda mostradas
corresponden a la respuesta pico de cada color. Todos
los colores indicados en la grfica tienen una respuesta
en forma de curva acampanada, por lo que el verde, por
ejemplo, sigue siendo visible a 600 nm, pero con menor
nivel de intensidad.

(3.1)

donde:
n es un entero conocido como numero cuntico
f es la frecuencia de vibracin de la molcula, y

h es una constante, constante de Planck

Planck llam a estas unidades discretas de energa
como cuntos. La cantidad de energa discreta ms
pequea radiada o absorbida por un sistema se da a
partir de un cambio en el estado mediante el cual el
nmero cuntico, n,cambia en el sistema por uno.

3.3.

Diseo Experimental

3.3.1.

Materiales

Fuente de alimentacin DC.

Potencimetro de 10 K .
Resistencia de 1 K .
LED RGB.
LED infrarrojo.
Multmetros.
Cables banana-lagarto.
Protoboard.

3.3.2.
Figura 3.1: Curva de respuesta estndar del ojo
humano

Magnitudes fsicas a medir

Voltaje en el Diodo LED

Corriente en el Diodo LED

El diodo de GaAs con su brecha de energa ms alta

de
1.43
eV
es
adecuado
para
radiacin
electromagntica de luz visible, en tanto que el Si con
1.1 eV disipa calor durante la recombinacin. El efecto
de esta diferencia en las brechas de energa se puede
explicar hasta cierto grado teniendo en cuenta que
mover un electrn de un nivel de energa discreto a otro
requiere una cantidad especfica de energa. La
cantidad de energa implicada est dada por:

3.3.3.

Procedimiento

1. Verificar que se tengan

solicitados para la prctica.

los

materiales

2. Armar el Circuito como se muestra en la

figura 3.2.
3. Encienda la fuente.

(3.2)

4. Vari el potencimetro y tome las medidas de

voltaje presentes en la lectura del multmetro.

La mnima energa necesaria para para crear un

par electrn-hueco, es numricamente igual al voltaje
de encendido del LED. La relacin entre la mxima

5. Con los valores de los multmetros calcular el

Voltaje en el LED y Corriente en el LED.

E = hf

6. Repita el procedimiento para cada LED (RGB

e IR).

longitud de onda y el voltaje de encendido, V0, es

E = hf =

hc = eV0

(3.3)

7. Apague la fuente.

Donde:

8. Registrar
la
relacin
voltaje-corriente
caracterstica de cada LED (REG e IR) y
estimar el Voltaje de encendido V0.

f es la frecuencia de los fotones emitidos

c es la velocidad de la luz

9. Registrar la relacin V0 vrs. 1= y estimar la

pendiente hc=e.

e es la carga del electrn

h es la constante de Planck

10. Estimar el valor de la constante de Planck.

9

3.3.4.

Diagrama del diseo experimental

Figura 3.2: Esquema del sistema

10

d
dt

Ue = nhc

Como el potencial Ue es igual a V q

y h, c y son constantes conocidas:
V dq = hc

4 | Fotones
4.1.

dt

Objetivos

4.1.1.

dt
dq
dt

General

Determinar el flujo de Fotones emitidos por

un LED.

4.1.2.

Especficos

Determinar la potencia media del diodo LED.

Determinar la longitud de onda

4.2.

Marco Terico

Partiendo del principio de conservacin de la

energa:
(4.1)
E =E
o

y la velocidad inicial de un electro en reposo es

vo = 0, entonces,
donde

Ue = nh
c , sustituyendo

ecuacin respecto del tiempo:

(4.2)
y derivando la

dn
dt

Tabla 4.1: Diodos emisores de Luz

4.3.

Diseo Experimental

4.3.1.

Materiales

Fuente de alimentacin DC.

Potencimetro de 10 K .
Resistencia de 1 K .
LED RGB.
Donde

dn

es el flujo de fotones al que denotaremos

como ' y

LED infrarrojo.

es la corriente I. Despejando ':

' = VdId
hc
Color
Rojo
Verde
Azul

Multmetros.

(4.5)

Cables banana-lagarto.
Protoboard.

Material Voltaje tpico [V]

GaAsP
GaP
GaN

4.3.2.

1.8
2.2
5.0

Magnitudes fsicas a medir

Voltaje en el Diodo LED

Corriente en el Diodo LED
11

4.3.3.

Procedimiento

1. Verificar que se tengan

solicitados para la prctica.

4.3.4.
los

Diagrama del diseo experimental

materiales

2. Armar el Circuito como se muestra en la

figura 4.1.
3. Encienda la fuente.
4. Vari el potencimetro hasta que el
multmetro muestre el voltaje tpico para cada
LED (RGB) Tabla 4.1.
5. Con los valores de los multmetros calcular el
Voltaje en el LED y Corriente en el LED.
6. Repita el procedimiento para cada LED (RGB).

Figura 4.1: Esquema del sistema

7. Apague la fuente.

12

5 | Variacin de la curva caracterstica del

Diodo al cambio de temperatura.
5.1.

Objetivos

5.1.1.

Determinar el voltaje de encendido de un LED

General

5.2.

Determinar la temperatura ambiente.

5.1.2.

Marco Terico

La temperatura puede tener un marcado efecto

en las caractersticas de un diodo semiconductor
como lo demuestran las caractersticas de un diodo
de silicio mostradas en la figura:

Especficos

Registrar la relacin voltaje-corriente

caracterstica de un LED

Figura 5.1: Esquema del sistema

13

En la regin de polarizacin en directa las

caractersticas de un diodo de silicio de se
desplazan a la izquierda a razn de 2.5 mV por
grado centgrado de incremento de temperatura.
Es importante sealar, de acuerdo a la figura
5.1 que:
El voltaje de saturacin en inversa de un diodo
semiconductor se incrementar o reducir con la
temperatura segn el potencial Zener.
El modelo matemtico ms empleado en el
estudio del diodo es el de Shockley (en honor a
William Bradford Shockley) que permite aproximar
el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:
(5.1)
qVd
I = Is
nkT
e
1

Cables banana-lagarto.
2 soportes universales
1 estufa elctrica de 220V
1 termmetro industrial

5.3.2.

Magnitudes fsicas a medir

Voltaje en el Diodo LED

Corriente en el Diodo LED

5.3.3.

Donde:

Procedimiento

1. Verificar que se tengan

solicitados para la prctica.

I es la intensidad de la corriente que atraviesa

el diodo.

los

materiales

2. Seguir las instrucciones del Auxiliar de

Laboratorio para ensamblar los soportes
universales, termmetro y estufa elctrica.

Vd la diferencia de tensin entre sus extremos.

Is es la corriente de saturacin. (10 pA).

q es la carga del electrn.
T es la temperatura absoluta de la unin.

3. Armar el Circuito como se muestra en la

figura 5.2.

k es la constante de Boltzmann.

4. Encienda la fuente.

n es el factor de idealidad, que esta en

funcin del proceso de fabricacin del diodo.

5.3.

5. Variando el potenciometro tome medidas de

voltaje y corriente antes del voltaje de operacin
del diodo y despus de este (0.7 Si).

Diseo Experimental

5.3.1.

6. Con los valores de los multmetros calcular el

Voltaje en el diodo y Corriente en el diodo.

Materiales

1 Fuente de alimentacin DC.

7. Registrar
la
relacin
voltaje-corriente
caracterstica del diodo de Silicio y estimar la
Temperatura de la Unin usando la ecuacin
5.1.

1 Potencimetro de 10 K .
1 Resistencia de 1 K .
1 Diodo de Silicio (1N4004).

8. Apague la fuente.

2 Multmetros.
14

5.3.4.

Diagrama del diseo experimental

Figura 5.2: Esquema del sistema

15