ANGULO DE DISPARO

PARA UN SCR
Electronica de
Mayan
potencias
Garciaaplicadas
Vazquez

tarea

El parmetro SCR define la velocidad mxima en promedio a la que se pueden generar

celdas para su transmisin en el origen. Es un parmetro similar a PCR (Peak Cell Rate)
pero aplicado en promedio (a largo plazo).
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn
(Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La
conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y
amplificador a la vez.
variarse ajustando la porci6n del tiempo del ciclo que el SCR permanece encendido..
Relacin de circuito entre la fuente de voltaje ,un SCR y la carga
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo
durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en
que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR de la
figura 2 no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del
ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR
tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
FORMAS DE ONDA DE LOS SCR
Los trminos populares para describir la operacin de un SCR son ngulo de conduccin
y ngulo de retardo de disparo. El ngulo de conduccin es el numero de grados de un
ciclo de ca durante los cuales el SCR esta encendido. El ngulo de retardo de disparo es
el numero de grados de un ciclo de ca que transcurren antes de que el SCR sea
encendido. Por supuesto, estos trminos estn basados en la nocin de que el tiempo
total del ciclo es igual a 360 grados.
En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con SCR para un
ngulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca inicia su parte positiva, el
SCR esta apagado. Por tanto tiene un voltaje instantneo a travs de sus terminales de
nodo y ctodo igual al voltaje de la fuente. Esto es exactamente lo que se vera si se
colocara un interruptor abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR
interrumpe en su totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a travs de la carga (VLD) es
cero durante este lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos. Mas a la
derecha en los ejes horizontales, se muestra el voltaje de nodo a ctodo (VAK) cayendo
a cero despus de aproximadamente un tercio del semiciclo positivo. Esto es el punto de
60. Cuando VAK cae a cero, el SCR se ha "disparado", o encendido. Por tanto, el ngulo
de retardo de disparo es de 60. Durante los siguientes 120 el SCR se comporta como un
interruptor cerrado sin voltaje aplicado a sus terminales. El ngulo de conducci6n es de
120. El ngulo de retardo de disparo y el ngulo de conducci6n siempre suman 180.
Figura3. Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (VAK) y el
voltaje de carga de un SCR. Para un ngulo de retardo de disparo de unos 60o, un ngulo
de conduccin de 120o.
En la figura 3, la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al dispararse el SCR, el
voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de carga entonces sigue al voltaje de

la fuente por el resto del semiciclo positivo, hasta que el SCR nuevamente se apaga. El
estado OFF ocurre cuando el voltaje de la fuente pasa por cero.
En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se dispare, el
voltaje es retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve un voltaje cero. Despus
de haberse disparado el SCR, la totalidad del suministro de voltaje es retirado a travs de
la carga, y el SCR presenta voltaje cero. El SCR se comporta como un interruptor de
accin rpida.

~ Caractersticas DE LA COMPUERTA DE LOS SCR

Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta
corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del
SCR por la terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para
disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los
SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado
que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas
terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las
condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.
Figura4.Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios
para disparar un SCR.
Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente continu fluyendo a travs de las terminales principales,
de nodo a ctodo, el SCR perrnanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo
(IAK) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada
IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa
por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es
alrededor de 10 mA.
CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente Applet:

En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR, representndose

la corriente de nodo (Ia) en funcin de la tensin aplicada entre nodo y ctodo (Vak).
Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la intensidad de corriente Ia. Al aumentar
dicha tensin en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Vb0,
la transicin de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al
estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al
dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transicin se realice
cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si
el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado "OFF" se produce cuando la
corriente de nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih).

Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa,
existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza inversamente se observa
una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa
mxima que provoca la destruccin del mismo.
El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el
disparo se provoca por:
- tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo,
- intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y
ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.
CARACTERSTICAS GENERALES.
Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad.
Relativa rapidez.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).
CARACTERSTICAS ESTTICAS.
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores
mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades:
- Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
- Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
- Tensin directa ...........................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................: ITAV
- Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH
Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
- Temperatura de la unin ................................................................: Tj
- Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg
- Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d
- Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c
- Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a
- Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c
CARACTERSTICAS DE CONTROL.
Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de
mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las
siguientes caractersticas:

-Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM

- Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM
- Corriente mxima..........................................................................: IGM
- Potencia mxima ..........................................................................: PGM
- Potencia media .............................................................................: PGAV
- Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT
- Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT
- Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT
- Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT
Entre los anteriores destacan:
- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
- VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en
condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de
modo indeseado.
4.2.1 rea de disparo seguro.
En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y
corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por
las curvas:
Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la
corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.
Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Curva caractersticas de puerta del tiristor.

El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes
puntos:
Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.
Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.
CARACTERSTICAS DINMICAS.
Caractersticas dinmicas.
Tensiones transitorias:
- Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
- Son breves y de gran amplitud.
- La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.
Impulsos de corriente:
- Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales
puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4).
- A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
- El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

. Curva de limitacin de impulsos de corriente.

ngulos de conduccin:
- La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin.
- A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.
- Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de
conduccin (Figura 5):
ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo
- Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de
conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.

Caractersticas de conmutacin.
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a
conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho.
Tiempo de encendido (Ton):
Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes
(Figura 6):
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza
el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor
mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la
temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan).
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al
90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 %
de su valor inicial.
Ton = td + tr

Tiempo de encendido.
Tiempo de apagado (Toff):
Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos partes
(Figura 7):
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la
conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo,
las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta
recupere su capacidad de gobierno.
Toff = trr + tgr

Tiempo de apagado.

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la corriente de nodo
por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

CARACTERSTICAS TRMICAS.
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de
energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor.
Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su
vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de
calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

MTODOS DE DISPARO.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar
polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente
larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que
IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez
disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima
de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.

- Por mdulo de tensin.

- Por gradiente de tensin (dV/dt)
- Disparo por radiacin.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y
gradiente de tensin son modos no deseados.
DISPARO POR PUERTA.
Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en
la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la
vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR.

- El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es:
VT = VG + IG R
- R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de
potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9).
R = VFG / IFG

Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.
Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se
emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma
fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos.
DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.
Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el
disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

. Zona de disparo por gradiente de tensin.

DISPARO POR RADIACIN.
Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del
elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.
DISPARO POR TEMPERATURA.
El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados

en las uniones del semiconductor. As, la suma (a1+ a2) tiende rpidamente a la unidad al
aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor
de la temperatura y disminuye al aumentar sta.
CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.
Para el control en el disparo:
- nodo positivo respecto al ctodo.
- La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo.
- En el momento del disparo Iak > IL.
Para el control en el corte:
- Anulamos la tensin Vak.
- Incrementamos RL hasta que Iak< IH.

LIMITACIONES DEL TIRISTOR.

LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.
- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.
- El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo.
- La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.
LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.
"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen
picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de
crecimiento.
a) Causas:
- La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin
(inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
- Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre
pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el
basculamiento del dispositivo.
- La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin.
b) Efectos:
- Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
- La dV/dt admisible varia con la temperatura.
LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.
"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se
producen puntos calientes.
a) Causas:
- Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la
puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona
la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.

- Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es

mayor (puntos calientes).
b) Efectos:
- En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar
valores muy altos.
- La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico,
podra destruir el dispositivo.
PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.
Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de
la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt.

Mtodo de la constante de tiempo.
Clculo de R y C:
1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el
valor de R y C:
= ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn
C = / RL
Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL )
donde:
VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo.
IL = corriente en la carga.
RL = resistencia de carga.
ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
VA(mx) = tensin de nodo mxima.
= coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).
2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima
especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C):
R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C )
Clculo de L:
L = VA(mx) / ( dI / dt)
Mtodo de la resonancia.
- Elegimos R, L y C para entrar en resonancia.
El valor de la frecuencia es:
f = (dV / dt ) / 2p VA (mx)
En resonancia:
f = 1 / 2p (LC) C = 1 / ( 2pf )2L
El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H.
El valor de R ser: Rs = (L / C)

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que
se traducen en un calentamiento del dispositivo.
Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia
media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la

disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo.
Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija,
aumentan con el ngulo de conduccin ().
Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin:

VAK = V0 + IA R
V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de
tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos
encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Operando con las ecuaciones anteriores:

PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda
(sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente.
La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz,
entonces depender del factor de forma:
a = f = IA(RMS) / IA(AV)
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son
la potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa
el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador
ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al
medio ambiente
EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.
Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que
estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.

El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte.
Este estado implica simultneamente dos cosas:
1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada.
2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo
indeseado del tiristor.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos
grandes grupos:
CONMUTACIN NATURAL.
a) Libre.
b) Asistida.
8.2 CONMUTACIN FORZADA.
a) Por contacto mecnico.
b) Por circuito resonante.
-Serie
-Paralelo
c) Por carga de condensador.
d) Por tiristor auxiliar.

APLICACIONES DEL SCR.

Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas,
en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas
conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o
inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como
rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta.
De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento
del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o
corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar
la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin
inversa.
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas
estn las siguientes:
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.

 Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.