Laboratorio de Circuitos Digitales

ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO DE UNA COMPUERTA

I .OBJETIVOS

Realizar el estudio del comportamiento de una compuerta realizada con

lgica de diodo a transistor DTL.

Realizar el estudio del comportamiento de una compuerta realizada con

lgica de transistor a transistor TTL.

Realizar el estudio del comportamiento de una compuerta TTL con tercer
estado (alta impedancia).

II .FUNDAMENTO TEORICO:
1. EL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para
entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos
los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores
de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.
Las tres regiones de material semiconductor reciben el nombre de base,
emisor, y colector, y son accesibles elctricamente gracias a tres patillas
que permiten que conectes el transistor al circuito de aplicacin.

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Estn formados por tres capas alternas de semiconductores de tipo N y P,
lo que da dos posibilidades que diferencia dos grandes familias de
transistores, los PNP y los NPN.

Diferencias entre el transistor PNP y el NPN

Fjate en los 2 tipos, la principal diferencia es que en el PNP la corriente de
salida (entre el emisor y colector) entra por el emisor y sale por el colector.
Fjate que la flecha en el smbolo "pincha a la base". Una regla para
acordarse es que el PNP pincha (la p del principio).
En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al revs.
Si te fijas en la flecha la flecha "no pincha a la base". Segn la regla NPN =
no pincha (la N del NPN). Con esta regla te acordars mu fcilmente si el
smbolo es de un PNP o NPN. Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.
Otra cosa muy importante a tener en cuenta es la direccin de las
corrientes y las tensiones de un transistor, sea NPN o PNP. Fjate en la
siguiente imagen. En este caso hemos puesto el emisor abajo y el colector
arriba, no pasa nada es lo mismo, pero en algunos esquemas te los
encontrars de esta forma y es bueno verlos as tambin.

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Es fcil si te fijas averiguarlas por intuicin con la flecha del smbolo. Si es

PNP lgicamente la IE tendr la direccin del emisor, por que entra por
l. Por donde entran las corrientes estar el positivo de las tensiones. Si la
corriente del emisor entra por el emisor (PNP), la tensin emisor colector
tendr el positivo por donde entre, es decir en el emisor, y se llamar
Tensin emisor-colector. Si la corriente entra por el colector, o lo que es lo
mismo sale por el emisor se llamara Tensin colector-emisor y la corriente
saldr por el emisor. No te les que es muy fcil, solo tienes que fijarte un
poco, y no hace falta aprenderlas de memoria.
2. FUNCIONAMIENTO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base
del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin
se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

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Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular

por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y
Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se
encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

Polarizacin de un Transistor
Polarizar es aplicar las tensiones adecuadas a los componentes para que
funcionen correctamente.
Hay una gama muy amplia de transistores por lo que antes de conectar
deberemos identificar sus 3 patillas y saber si es PNP o NPN. En los
transistores NPN se deba conectar al polo positivo el colector y la base, y
en los PNP el colector y la base al polo negativo.
La unin BASE-EMISOR siempre polarizado directamente, y la unin
COLECTORBASE siempre polarizado inversamente.

Configuraciones del Transistor

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de
Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la
de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor abierto.

IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el
transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor

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cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se
encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos
corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los
transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector
para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen
especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la
denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera:
= IC / IB
En resumen:
Saturacin

Corte

Activa

VCE

~0

~ VCC

Variable

VRC

~ VCC

~0

Variable

IC

Mxima

= ICEO lang=EN-GB~ 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

~ 0,8v

< 0,7v

~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y

la potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de
pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms
pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia,
son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve
para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante
radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que
poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico .
Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y
un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

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III .LISTA DE EQUIPOS Y MATERIALES

01 protoboard.
01 fuente de tensin VDC 5V.
05 diodos Leds.
05 diodos 1N4004.
05 transistores 2N 2222 o 2N3904.
Resistencias de: 220, 1K, 1.6K, 4K, 10K.
01 multmetro digital.
01 manual ECG.
Cables de conexin de telefona.
Potenciador de 1K.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Estudio del comportamiento de una compuerta realizada

con lgica de diodo a transistor DTL:

a) Tomando valores de resistencias variados montar en el protoboard el

siguiente circuito (usar diodos: 1N4004. Y transistores: 2N 2222 o
2N3904):

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b)
c)

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V. CUESTIONARIO

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