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TOMOS E ELTRONS
Figura 1
A maioria dos qumicos esto familiarizados com o
microscpio de varredura eletrnica (SEM). Detalhes tpicos so
mostrados na Figura 2. Numa primeira vista parecem folhas numa
superfcie rugosa. Na verdade so detritos de zinco formados pela
Figura 2
Entretanto, existem srias desvantagens no SEM: nem todas
as amostras sobrevivem a um feixe de eltrons, algumas precisam de
uma pelcula de ouro e no funcionam no ar ou em soluo, e sua
resoluo limitada a um grupamento de poucos tomos. Alguns desses
problemas tem sido resolvido na nova gerao de
microscpios
eletrnicos de varredura, em particular o SFM e o STM.
O SFM o mais simples dos dois. A ponta de prova percorre
sistematicamente a superfcie e a profundidade ou altura de cada ponto
medida . A Figura 3 mostra uma topografia SFM gerada de uma
superfcie de grafite com Au(CN)2 absorvido. Esta imagem foi obtida no
ar, que uma enorme vantagem sobre as condies de vcuo da
microscopia de varredura eletrnica. SFM (ou AFM, atomic force
microscopy) pode ser usado em condutores ou em soluo. Com alguns
experincia um operador pode normalmente obter uma imagem em 30
minutos.
Figura 3.
No STM a ponta deve ficar somente alguns ngstrons (10 -8
cm) da superfcie por causa do fenmeno da mecnica quntica
chamado tunelamento. Os eltrons ao redor do ncleo atmico no
esto confinados numa camada fixa mas sim numa distribuio suave ao
redor do ncleo, e isso significa que o limite de um tomo no bem
definido. A probabilidade de encontrar o eltron a uma dada distncia r do
ncleo dada pela equao
P( r ) = A e-r/ro
onde A uma constante e ro o raio de Bohr. Essa equao mostra que
o eltron fica mais tempo prximo do ncleo do que afastado. A
probabilidade de distribuio diminui exponencialmente com a distncia
do ncleo. Sendo os limites dos tomos no bem definidos, existe uma
regio entre dois tomos distantes de alguns ngstrons que se
entrelaam.
O movimento do eltrons de um tomo para outro proibido
pela fsica clssica, porque o eltron no tem energia suficiente para se
transferir entre tomos. Entretanto, comportam-se como descritos pela
mecnica quntica. Ou seja, um eltron pode passar (tunelamento) de
um tomo da ponta de prova para um tomo na superfcie que est
sendo investigado (ou vice-versa). A Figura 4 ilustra esse fenmeno.
Corrente
Distncia
Figura 4
Aplicando uma diferena de potencial, um experimento STM
leva ao aparecimento de uma corrente contnua entre a ponta de prova e
a superfcie porque tanto a ponta como o material em estudo so
condutores ou semicondutores. A distribuio do eltron no tomo
diminui exponencialmente com a distncia. Assim, a medida da corrente
de tunelamento uma medida da separao interatmica. A ponta de
prova movendo-se pela superfcie uma altura constante, a constante de
tunelamento mudar porque o entrelaamento entre o tomo da ponta e
os tomos da superfcie iro variar. Quando a ponta de prova estiver
diretamente sobre a superfcie de um tomo, a corrente de tunelamento
ser maior do que quando a ponta estiver entre dois tomos. Um
problema em estudar a superfcie desta maneira que por causa da
ponta estar somente alguns ngstrons da superfcie, fcil quebrar a
ponta na superfcie, a no ser que a superfcie seja uniforme na escala
atmica.
Para contornar esse problema, o microscpio STM
usualmente operado sob corrente constante. A ponta de prova afasta-se
da superfcie se a corrente mais alta do que a desejada ou aproximase se a corrente for menor. Desta maneira, o valor da corrente mantida
constante num valor desejado. A mudana da posio da ponta (do tip)
diretamente proporcional a voltagem aplicada, de modo que as
mudanas na voltagem produzida por um controlador diretamente
proporcional s mudanas na altura da superfcie.
Um computador utilizado para controlar a posio da ponta,
e a cada posio na superfcie, o computador mede a altura baseada na
voltagem aplicada para manter constante a corrente de tunelamento.
Esse arranjo bidimensional de nmeros representando as alturas nas
diferentes posies na rea investigada da superfcie, freqentemente
Figura 5
Figura 6
O STM
pode ser usado para posicionar tomos.
Pesquisadores da IBM manipularam tomos de xennio numa superfcie
metlica gravando as iniciais IBM. Isto foi obtido resfriando um cristal de
nquel a 4 K sob alto vcuo e condensando alguns tomos de Xe na
superfcie.
Os tomos de Xe estavam inicialmente distribudos
aleatoriamente e foram movidos. Para mover um tomo, a ponta de
prova (o tip), foi colocada sobre um tomo e abaixada ficando mais
prxima ao tomo do que normalmente num experimento de varredura. O
tip foi ento movido a uma velocidade de 4 A/s, carregando o tomo de
xennio. A interao entre o tip e o tomo de xennio devida s foras
de Van Der Walls.
Valor Experimental
24
25
16
11
26
25
26
26
47
55
52
54
44
53
66
73
69
75
106
128
131
Valor Terico
25
50
75
75
125
150
175
ms = +1/2
ms = -1/2
Ferromagnetismo
Efeitos
cooperativos
nos
quais
muitos
eltrons
desemparelhados se comunicam e interagem podem levar a um
comportamento magntico mais complexo num slido do que observado
para molculas nos estados gasosos e lquidos. Ferromagnetismo um
exemplo importante e explorado no uso de ms permanentes,
gravaes magnticas e transformadores.
A diferena entre um simples paramagnetismo e
ferromagnetismo mostrada na Figura 8. (Eltrons desemparelhados ou
spins esto representados por setas nesta figura). Num simples slido
paramagntico os spins esto orientados aleatoriamente em ausncia de
um campo magntico (Figura 8A ) por causa do movimento trmico e
no interagem. Em presena de um campo magntico ou slido
paramagntico tem seus spins alinhados ao longo do campo magntico
ou em oposio, e a magnetizao resultante pequena (Figura 8B).
Esta propriedade devido a ausncia de comunicao ou ordem
magntica entre os spins e alguma desordem dos spins induzida
termicamente. Alm disso, voltam a se orientar desordenadamente
quando o campo removido.
Num slido ferromagntico, os eltrons desemparelhados
comunicam-se fortemente um com o outro e se alinham (mesmo na
Figura 8
Materiais ferromagnticos so a base da tecnologia das fitas
cassetes e videocassetes. A fita consiste em um polmero impregnado
com cristais de - Fe2O3 ou CrO2 ou um composto similar. O gravador
consiste de uma cabea eletromagntica que cria um campo magntico
varivel a medida que recebe sinais do microfone. A fita magnetizada a
medida que passa pelo campo magntico da cabea do gravador. A
fora e a direo da magnetizao varia com a frequncia do som a ser
gravado. Quando a fita tocada, a magnetizao da fita em movimento
induz uma corrente varivel cujo sinal amplificado e enviado para os
alto-falantes.
Materiais ferromagnticos formam tambm a base das
gravaes digitais como os discos rgidos e disquetes de computadores.
Os computadores guardam e manipulam dados usando nmeros
binrios, consistindo dos dgitos 0 e 1. A vantagem dos nmeros binrios
que seus bits podem ser representados por transistores (desl.
Representa O; lig. Representa 1) ou armazenados usando uma
variedade de meios que contm regies que podem ter um ou dois
Material
Fe
Co
Ni
Gd
CrBr3
EuO
EuS
Tcurie(K)
1043
1388
627
293
37
77
16.5
Ferrofluidos
Faz poucos anos, pesquisadores tem comeado a preparar
ferrofluidos, que apresentam propriedades de um lquido e propriedades
magnticas de um slido. Os ferrofluidos so partculas muito pequenas
( 100 A de dimetro) de um slido magntico suspenso em um lquido.
Ferrofluidos foram inicialmente preparados nos anos 1960 no
Centro de Pesquisa da NASA, onde cientistas estavam investigando
maneiras de controlar lquidos no espao. Os benefcios de um fluido
magntico ficaram imediatamente evidentes. A localizao de um fluido
pode ser precisamente controlada atravs da aplicao de um campo
magntico, e, variando a fora do campo, os fluidos podem ser forados
a fluirem. Pesquisadores tem preparado ferrofluidos contendo pequenas
partculas de metais ferromagnticos, como cobalto, ferro e tambm
compostos magnticos como ferrito de zinco e mangans. Zn xMn1-xFe2O4.
(0 x 1; esta uma famlia de solues slidas, que so descritas no
Fluidos Eletroreolgicos
Como os ferrofluidos, fluidos
eletroreolgicos
so
constitudos de partculas em suspenso em um meio lquido, mas sua
operao depende de interaes eltricas e no magnticas.
So materiais inteligentes cuja viscosidade pode ser
controlada por um campo eltrico aplicado.
Fludos ER
consistem de uma suspenso coloidal de
partculas polarizveis em um solvente no polar. Estes materiais de alta
tecnologia podem ser criados a partir de compostos baratos, como
farinha suspendida em leo vegetal; ou alumina ou slica suspendida em
leo silicone.
O mecanismo pelo qual os fluidos ER operam mostrado na
Figura 11. Presena de um campo eltrico forte entre dois eletrodos
induz dipolos nas partculas em suspenso (uma extremidade da
partcula fica positiva e a outra negativa) fazendo eles alinharem-se um
com o outro numa orientao que paralela ao campo eltrico aplicado.
Um estrutura fibrosa criada no meio causando um aumento da
viscosidade que pode chegar a 10 5 vezes maior. Os
dipolos
desaparecem quando o campo eltrico desligado, e a suspenso
adquire a sua natureza lquida.
Voltagem
elevada
+- +- ++- +- ++- +- ++- +- +Figura 11
A velocidade com que Fluidos ER respondem ao campo
eltrico aplicado
suficientemente rpido que eles esto sendo
considerados para uso como amortecedores e como engates para
transmisso em automveis. A Figura 12 ilustra um esquema de um
amortecedor que fornece um controle ativo sobre as vibraes no
automvel.
Figura 12
Um amortecedor transmite vibraes pelo movimento do
pisto atravs de um lquido compressvel. No amortecedor mostrado na
figura, variando a voltagem V, varia o fluxo do fludo ER, amortecendo o
choque. (B) Um engate de transmisso junta mecanicamente duas partes
mveis. No engate mostrado, variando a voltagem V, varia a viscosidade
do fludo ER, conectando um prato outro ou deixando-o girar
livremente.
Cristais Piezoeltricos
Mesmo sabendo que slidos so eletricamente neutros, eles
podem consistir de espcies carregadas eletricamente como nions e
ctions que formam sais (NaCl, por exemplo); ou numerosos momentos
dipolares que resultam da presena de ligaes polares formadas entre
tomos de diferentes eletronegatividades que formam o slido (quartzo
ou SiO2, por exemplo). Freqentemente o dipolo eltrico resultante nulo
porque o arranjo dos tomos ou ons levam a cancelamento dos
momentos dipolares individuais ou de cargas. Uma analogia molecular
poderia ser a natureza no-polar do tetracloreto de slica, SiCl 4. Embora
as ligaes Si-Cl sejam polares, a geometria tetradrica causa a
anulao dos momentos, tornando o momento dipolar resultante igual a
zero.
Si - Ci
CI
Si
CI
CI
CI
Referncias:
1 A . B. Ellis, M. J. Geselbracht, G. C. Lisensky, W.R. Rosinson,
Teaching General Chemistry: A Materials Science Companion,
American Chemical Society, Washington, DC, 1995.
2 I.M. Ritchie Fraci, S.M. Thurgate, A Miraculous Microscope, in
Minerals Chemistry, Chemistry in Australia 1997, 64, 2-6.
3 L.V. Interrante, L.A . Gaspar, A. B. Ellis, Editor, Materials Chemistry,
Na Emerging Discipline, Advances in Chemistry Series 245, American
Chemical Society, Washington, DC, 1995.
Exerccios
1. A imagem obtida por STM de um cristal de nibio idntica em
dimenses e arranjo de tomos obtida de um cristal de tntalo. Por que a
densidade do tntalo igual a 16,6g/cm 3 enquanto que o nibio
somente 8,57 g/cm3? (Dica: compare as massas atmicas do Nb e Ta).
2. O raio de um tomo de tungstnio estimado em 137pm. Qual o
dimetro em metros, centmetros, e angstron de uma ponta perfeita para
um STM que termina em um simples tomo de tungstnio? (Lembrete: 1
pm = 10-12m, 1 A= 10-10m).
3. Estime a capacidade trmica molar dos seguintes compostos:
a) MnO, MgS, RbI, ou qualquer outro sal 1:1.CaCl 2, MnCl2, TiO2, K2S ou
qualquer outro sal 1:2 ou 2:1.
b) AlBr3, FeCl3, Li3P ou qualquer outro sal 1:3 ou 3:1.
c) Mg3P2, Al2O3 ou qualquer outro sal 2:3 ou 3:2
4. Estime a capacidade trmica por grama (a quantidade de calor
requerida para aumentar 1K a temperatura de 1g de substncia, tambm
chamada calor especfico) de todas as substncias na tabela 1.
5. 100g de alumnio aquecida a 100 oC com gua fervendo. A amostra
ento colocada em 100,0g de gua a 21,5 oC. Qual ser a temperatura da
gua e do metal, assumindo no haver perda de calor para o ambiente.
6. Uma pea de metal de 70,0g, a 80,0oC, colocada em 100,0g de gua
a 22,0oC. O metal e a gua ficam com a mesma temperatura a 26,4 oC.