LABORATORIO #3: TRANSISTORES

BJT
David Leonardo Duarte Cano; Jellin Bridget Rubio Hernndez; John
Alexander Vargas Garca.
Jrubio29@unisalle.edu.co
Dduarte06@unisalle.edu.co
Jhonavargas33@unisalle.edu.co

Fajardo, Diana b
I. INTRODUCCION
RESUMEN
Con sta prctica se pretende observar el
comportamiento del transistor bipolar BJT
como
amplificador,
diseando
e
implementando
dos
amplificadores
bsicos en mono-etapa (emisor y colector
comn), tambin observar su acople en
multi-etapa considerando las condiciones
de operacin de pequea seal. Se
realizarn los anlisis respectivos en DC
y AC definiendo su punto Q de operacin.
Palabras Clave: Amplificacin, Colector
comn, Emisor comn, Pequea seal,
Punto de operacin, Transistor.
ABSTRACT
This practice is intended to observe the
behavior of the bipolar transistor BJT as
an amplifier, designing and implementing
two basic mono-phase amplifiers (emitter
and common collector), also observe their
coupling in multistage considering the
conditions of small-signal operation.
Analyzes will be carried out in DC and AC
defining its operating point Q.
Keywords:
Amplification,
common
collector, common emitter, Small signal
point operation, Transistor.

Para analizar el funcionamiento de los

transistores, no solo basta con conocer
su comportamiento tericamente. Es
necesario llevar a la prctica y
experimentar diferentes configuraciones
con los transistores. Para el caso de esta
prctica tambin se hace posible
observar la forma de las ondas
generadas y la relacin entre la entrada y
la salida del mismo circuito.
OBJETIVOS

Comprender la saturacin del

transistor y su utilidad
Conocer
las
diferentes
configuraciones para el uso de
los transistores.
II.

MARCO TEORICO

TRANSISTOR
Dispositivo semiconductor que permite el
control y la regulacin de una corriente
grande mediante una seal muy
pequea. Existe una gran variedad de
transistores. En principio, se explicarn
los bipolares. Los smbolos que
corresponden a este tipo de transistor
son los siguientes:

Transistor NPN

Figura 1

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP
Figura 2

Estructura de un transistor PNP

1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto
no circula intensidad por la Base del
transistor por lo que la lmpara no se
encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor.
(Figura 1).

Cuando se cierra el interruptor SW1, una

intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su
resistencia entre Colector y Emisor por lo
que pasar una intensidad muy grande,
haciendo que se encienda la lmpara.
(Figura 2).
En general:
IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB +
VBE
2. POLARIZACIN DE UN
TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el
funcionamiento de este componente. No
es lo mismo polarizar un transistor NPN
que PNP.

batera se encuentra en
conectada en el Colector.

la

carga

ACTIVA: Acta como amplificador.

Puede dejar pasar ms o menos
corriente.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la
unin base - emisor se polariza
directamente y la unin base - colector
inversamente.
3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE: No circula intensidad por la
Base, por lo que, la intensidad de
Colector y Emisor tambin es nula. La
tensin entre Colector y Emisor es la de
la batera. El transistor, entre Colector y
Emisor se comporta como un interruptor
abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION: Cuando por la Base
circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector
considerable. En este caso el transistor
entre Colector y Emisor se comporta
como un interruptor cerrado. De esta
forma, se puede decir que la tensin de la

Cuando trabaja en la zona de corte y la

de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera
un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro
tambin importante para los transistores
ya que relaciona la variacin que sufre la
corriente de colector para una variacin
de la corriente de base. Los fabricantes
suelen especificarlo en sus hojas de
caractersticas, tambin aparece con la
denominacin hFE. Se expresa de la
siguiente manera:
= IC / IB
En resumen:
Saturaci
n
VC
~0
E
VR
~ VCC
C
IC
Mxima

Corte

Activa

~ VCC

Variabl
e
Variabl
e
Variabl
e

~0

IB

Variable

=
ICEO lang=E
N-GB~ 0
=0

VB
E

~ 0,8v

< 0,7v

Variabl
e
~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores

dependen de la funcin que realicen y la
potencia
que
disipen,
as
nos
encontramos con que los transistores de
pequea seal tienen un encapsulado de
plstico, normalmente son los ms
pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO226 ... ); los de mediana potencia, son
algo mayores y tienen en la parte trasera

una chapa metlica que sirve para

evacuar
el
calor
disipado
convenientemente refrigerado mediante
radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ;
los de gran potencia, son los que poseen
una mayor dimensin siendo el
encapsulado enteramente metlico .
Esto, favorece, en gran medida, la
evacuacin del calor a travs del mismo y
un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO213...).
III.

ANALISIS, PROCEDIMIENTO Y
RESULTADOS
1. Emisor comn.

Usualmente se utiliza para amplificar o

separar una seal AC, as como cambiar
su nivel de voltaje DC en VBE. Se llama
emisor seguidor porque voltaje en el
emisor sigue los cambios de voltaje en la
base, con VBE casi constante a los 0.7 V.
Aunque tiene ganancia de voltaje
(Vout/Vin) cercana a la unidad, aun se
comporta como amplificador, pues tiene
impedancia de entrada alta, y baja
impedancia de salida y as puede
suministrar ganancia de corriente.
A
continuacin
se
muestra
el
procedimiento mediante el cual se hall
el beta para el transistor que se muestra
en la figura 1.

Figura 3. Circuito simulado para la

configuracin emisor seguidor.

Para el circuito de la figura 3, tambin se

realiz la comparacin de la seal de
entrada con respecto a la de salida como
se muestra en la figura 4. All se puede
observar el pequeo decremento en la
seal de salida, por lo cual no parecen
diferir significativamente, ni se alcanza a
notar un desfase entre las mismas.

Figura 4. Seal de entrada con respecto

a la de salida para circuito figura 3.
Luego se cambia la resistencia de 330,
por una de 10K como se observa en la
figura 5.

Figura5. Circuito simulado para

configuracin seguidor emisor con una
resistencia de base de 10K.
Para el circuito de la figura 5 se obtuvo
una grfica de simulacin como se
muestra en la figura 6. Se pudo
determinar que la seal de salida (Rojo)
se ve limitada debido a que el transistor
se encuentra en estado de saturacin,
esta y a que la amplitud de la seal de
entrada es muy grande.

Figura 6. Grafica de la figura 5 con

transistor en estado de saturacin.
En el laboratorio tambin se lograron
encontrar las seales de entrada con
respecto a la salida para el circuito de la
figura 5, como se puede observar en las
figuras 7 y 8, en donde se encuentra el
transistor en estado de saturacin, por lo
cual se limita la seal y donde no lo est
respectivamente. Para la figura 8, a
travs de la grfica es posible encontrar
el pequeo decremento de la amplitud de
la seal de salida teniendo en cuenta las
escalas del osciloscopio, que para este
caso se encontr que el decremento es
de 200 mV.

Figura7. Grafica en el osciloscopio para

figura 5 en estado de saturacin.

Figura 8. Grafica en osciloscopio para

figura 5.
2. Amplificador de emisor comn.
El amplificador de emisor comn es una
configuracin de transistor amplificador
muy comn, el nombre refleja la idea de
que el emisor es comn entre el circuito
de entrada y el circuito de salida. La
configuracin para el circuito de emisor
comn se muestra en la figura 9.

Figura 9. Amplificador de emisor comn.

Para la figura 9 fue necesario predecir los
voltajes latentes en la base, el emisor y el

colector. Estos se logran para cuando no

existe seal de entrada presente.
Primero se determina la tensin en la
base, esto aplicando la ley de ohm al
divisor de voltaje.

Mediante la experimentacin en el
laboratorio, se realizaron diversas
mediciones, y se obtuvieron los
siguientes resultados:
VR1 = 13.65 V
VR2 = 1.310 V
VRC = 7.02 V
VRE = 0.695 V
IB = 0.14 mA
IE = 0.72 mA

Ahora se procede a encontrar la corriente

de emisor, teniendo en cuenta la cada
de voltaje VBE esperada para el transistor,
en este caso, se realiz la medida para el
transistor con el cual se est trabajando,
y se obtuvo un valor de 0.617 V.

IC = 0.69 mA
IR1 = 0.11 mA
IR2 = 0.12 mA
VCE = 0.618 V
VBE = 0.617 V
VBC = 6.568 V
Teniendo en cuenta eso, se procede a
realizar el clculo del error relativo
porcentual de los valores encontrados en
el laboratorio, con respecto a lo hallado
tericamente.

Por ltimo se quiere determinar la

corriente latente que circula por el
colector partiendo de la siguiente
relacin:

Aunque an no se tiene el valor de la

corriente de colector IC, se sabe que es
aproximadamente la corriente de emisor
IE que ya hemos hallado, esto para un
beta grande.

Voltaje de base.

Corriente de emisor.

Voltaje de salida.

muestra en la figura 10, y a partir de ello,

se construy la tabla 1.
Tabla 1.
Estos porcentajes de error, son
relativamente pequeos, si se tiene en
cuenta que para la realizacin de los
clculos tericos se parte del hecho que
los valores de la resistencia y la tensin
que proporciona la fuente sin idealmente
exactos. Se sabe que lo que muestra la
fuente en la pantalla como voltaje de
salida no es exactamente el mismo, y los
valores de resistencia, tampoco son
como lo determina el cdigo de colores y
a dems cuando pasa corriente a travs
de estas, se calienta un poco la
resistencia y como ya se sabe, el valor de
la resistencia puede variar.
3. Colector como fuente de corriente.
Ya que la unin de base colector esta
polarizada inversamente, el colector
debera actuar como una impedancia
muy alta. Esto significa que el colector es
una buena aproximacin a una fuente de
corriente, lo cual significa que emite una
corriente constante, independiente de su
voltaje.

Figura 10. Circuito para colector como

fuente de corriente.
Para verificar que la configuracin de
colector como fuente de corriente
funciona, se arm el circuito que se

RC

1K

3K

11K

7.5K

10K

VBC

10.8V

5.5V

0.72V

VCE

10.5V

6.19V

VBE

0.65V
0.7m
V
6.7m
V
4.3V
0.35
mA
20.3
A
4.3m
A

0.67V

0.75V
5.7m
V
0.75V

0.73V

0.73V
9.2m
V
0.74V

0.74V
8.2m
V
0.75V

4.6V

11.9V

11.3V

11.5V

11.6V

1.03V

0.5V

0.66V

0.75V

3.07V
3.96
mA
3.12
mA
3.07
mA

3.65V
1.02
mA
1.51
mA
3.65
mA

3.47V
1.52
mA

3.38V
1.16
mA
2.27
mA
3.38
mA

VRC
VRB
VRE
IC
IB
IE

6.9m
V
4.21V
4.6m
A
20.9
A
4.21
mA

12mV

2mA
3.47
mA

Como se puede observar en la tabla 1 se

realizaron las mediciones para diferentes
valores de la resistencia de colector RC,
que fue donde se dispuso el
potencimetro.
A partir de ello, se puede determinar
mediante dichos valores, cual es el
rendimiento de la fuente, es decir el
rango de voltaje en la salida en el que la
corriente es aproximadamente constante.
Segn esto para el caso del circuito
expuesto se observa que a partir de
cundo la resistencia de colector RC =
3K, el voltaje de la resistencia de
emisor VRE se estabiliza en un promedio
de 3.39 V y por lo tanto tambin lo hace
la respectiva corriente de emisor IE con
un valor promedio de 3.39 mA, as que es
de suponer que para valores ms altos
de RC ya se va a estar en la zona de

trabajo de la fuente de corriente, la cual

proporcionar una corriente constante.
Tambin se puede analizar que cuando
VCE < VBE es donde comienza el estado
de saturacin del transistor y a partir de
este momento, es cuando la corriente se
mantiene constante ya que la unin basecolector, se polariza directamente y su
impedancia disminuye.
4. Transistor como interruptor.
Como el transistor se encuentra est en
conexin de emisor comn (ver figura
11), se puede saber que es un inversor,
en el sentido de que un nivel alto de
voltaje en su entrada, causa un nivel de
voltaje en su salida. Este circuito se
conoce como interruptor saturado ya que
el transistor va a saturacin cuando se
enciende, es decir VCE < VBE. Tiene la
virtud de disipar poca potencia, ya que
cuando se enciende el transistor, el
voltaje a travs de este es pequeo,
mientras que cuando est apagado la
corriente es cero.

Figura11. Circuito para la configuracin

transistor como interruptor.
Para el momento en que el transistor se
enciende, trabajando solamente con
alimentacin DC, se tiene:
VB = 4.3 V
VC = 2.82 V
Y por lo tanto:

IB = 430 A
IC = 8.545 mA
Tambin se tomaron los valores de
voltaje de saturacin para colectoremisor VCE(sat), el voltaje de encendido a
travs del led y el beta.
VCE(sat) = 53.4 mV
Vled = 2.1 V
= 19.8
Partiendo del hecho que el beta hallado
tiene un valor tan bajo, el cual
normalmente no viene de fbrica, se
puede entender que se est trabajando
con el transistor en el estado de
saturacin.
Ahora se alimenta el circuito con una
salida TTL del generador de seales, el
cual enva una seal cuadrada cercana a
los +5 V y una frecuencia de 100 KHz.
Utilizando el osciloscopio, se logran
observar los retrasos de encendido y
apagado como se observa en la figura
12. Partiendo de dicha figura se logra
establecer el retraso entre encendido y
apagado mediante el desfase entre una
seal y otra en nanosegundos, el cual
para este caso es de 500 ns.

Figura 12. Seal de entrada con respecto

a la de salida con el circuito figura 11 en
estado de saturacin del transistor.

Los retrasos de encendido y apagado

relativamente
lentos del transistor
saturado, se debe a la carga almacenada
en la base cuando el transistor se satura.
Toma tiempo para que el transistor
cambie de estado ya que la carga de
saturacin debe fluir hacia afuera a travs
de la resistencia de entrada.

6) En la configuracin de base comn

se logr obtener una ganancia de
tensin de 10.07 V.
7) En general para todos los montajes
se obtuvieron resultados bastante
parecidos a los que esperbamos as
obteniendo un error porcentual
bastante pequeo.
V.

IV. CONCLUSIONES

1) Cuando un transistor se encuentra en

su estado de saturacin, el beta del
transistor es muy bajo, y por lo tanto
esto se puede usar como una forma
de determinar cundo se est
trabajando en la saturacin del
transistor.
2) El estado de saturacin se da cuando
la amplitud de la seal de entrada
para el circuito es muy grande.
3) Para el inciso 2 (amplificador de
emisor comn) sede terminaron los
errores de VB, IC y Vout, los cuales
tuvieron un valor bajo teniendo en
cuenta que los valores base
experimentales difieren de los que se
utilizan para los clculos tericos.
4) Fue
posible
confirmar
experimentalmente que el transistor
entra a un estado de saturacin
cuando VCE < VBE partiendo de los
valores obtenidos en la tabla 1
(colector como fuente de corriente),
ya que cuando se cumple la
desigualdad se estabiliza la corriente
de emisor, y por lo tanto se comienza
a trabajar en estado de saturacin.
5) En el circuito de transistor como
interruptor, es posible observar cmo,
mediante el anlisis de las seales
en el osciloscopio, se puede
determinar el retraso de encendido y
apagado.

BIBLIOGRAFIA

http://unicrom.com/medir-beta-detransistor-bipolar/
http://docente.ucol.mx/al021593/R
UIDO.htm
http://es.slideshare.net/iscped/trab
ajo-3-mayo
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/
archivos/polarizaciontransistor.pdf
http://es.slideshare.net/OthonielHe
rnandezOvando/33-configuracinen-base-comn