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EXAMEN U1

GUTIERREZ SNCHEZ EMMANUEL

La estructura cristalina es aquella en la que los tomos (molculas o iones) forman una estructura
geomtrica tridimensional (interconexiones de partculas), los cuales los podemos encontrar en los
metales, las aleaciones y determinados materiales cermicos. (Figura 1)
Los tomos que pertenecen a los slidos cristalinos se pueden representar situndolos en una red
tridimensional tambin conocida o denominada como retculo espacial o retculo cristalino (este
retculo se puede definir con una repeticin en el espacio de celdas unidas), los cristales pueden
ser de tres tipos.

a) Cristales inicos: punto de funcin elevado, duro y muy frgil, conductividad elctrica baja
y presentan cierta elasticidad.
b) Cristales covalentes: gran dureza y eleva temperatura de funcin. Suelen ser
transparentes y quebradizos y malos conductores de electricidad. no sufren deformacin
plstica (es decir, al intentar de doblarlos se fracturan) diamante.
c) Cristales metlicos: opacos y buenos conductores trmicos y elctricos aunque no son tan
duros como los anteriores pero si maleables y dctiles.

Dopaje se le conoce, cuando se agregan impurezas a un semiconductor puro (tambin


denominado como intrnseco) para poder cambiar sus propiedades elctricas.
Las impurezas de pende del tipo de semiconductor a dopar.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequea.
Ejemplo:
Cuando se agrega un pequeo nmero de tomos dopantes (en orden de 1 cada 1, 000, 000,000
de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms
tomos (en orden de 1 cada 10,000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado.
Los semiconductores tipo dopantes pueden ser los siguientes:
Semiconductores del grupo lV como silicio, germanio y carburo de silicio, los dopantes ms
comunes son elementos del grupo lll o del grupo V (boro, arsnico, fosforo y ocasionalmente
galio) suelen ser utilizados para dopar al cilicio.
Para ser ms exactos
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos, es as
como se ganan el nombre de impurezas. Dependiendo el tipo de impureza con el que se dope el
semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores:

A) Semiconductor tipo P
B) Semiconductor tipo N
Bandas de energa es aquel espacio que tienes un semiconductor que le permite a la energa
elctrica para trasportarse mediante l y sus partes fsicas y qumicas, en esta instancia el cristal
pasa a ser en un sistema elctrico, en el cual imposibilita la existencia de dos electrones en el
mismo estado, transformndose los niveles discretos de energa en bandas de energa donde la
separacin de niveles energticos se hace muy pequea.
Bueno hay ya dependera de la energa si es mxima o mnima ya que consiste en la distancia
entre tomos y obviamente de su configuracin elctrica.
Al igual dependiendo de esta distancia se generan enlace entre dos factores, los cuales pueden
generar distintos factores de bandas que pueden estar llenas, vacas o separadas formando las
zonas prohibidas tambin conocidas como barras de valencia o prohibidas, las cuales son las que
nos pueden ayudar a identificar si es un conductor un semiconductor o un aislante como se podr
ver en la imagen. (Figura 2)

Impurezas son ciertos elementos qumicos cuyos tomos tienen 5 electrones de valencia en su
orbital exterior y entre ellos se encuentra el fosforo
Impurezas trivalentes son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su
orbital exterior.
si se introduce una impureza trivalente o impurezas aceptadoras en la red cristalina del silicio, se
forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, de esta forma queda un cuarto
tomo de silicio con un electrn sin enlazarse, y esto provoca un hueco en la red cristalina.

figura 1

(Figura 2)

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