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MATERIA:
TALLER DE INVESTIGACIN 2
PROYECTO:
CONTROL DE LUCES AUTOMTICAS CON LDR
CARRERA:
INGENIERIA ELECTRNICA
SEMESTRE:
9
ALUMNO (S):
NO. DE CONTROL:
13230087
12230449
FECHA:
Contenido
INTRODUCCION................................................................................................... 3
PLANTEMIENTO DEL PROBLEMA..........................................................................4
OBJETIVO GENERAL............................................................................................. 5
OBJETIVO ESPECIFICO......................................................................................... 5
JUSTIFICACION..................................................................................................... 6
Qu voy a hacer?........................................................................................... 6
Cmo lo implementar?................................................................................. 6
Dnde lo implementar?................................................................................ 6
MARCO REFERENCIAL.......................................................................................... 7
MARCO TEORICO................................................................................................. 8
Fsica de semiconductores............................................................................... 8
Tipos de Semiconductores............................................................................... 9
Dispositivos semiconductores........................................................................10
LDR - Resistencia dependiente de la luz - Fotorresistencia............................11
Optoacopladores: Dispositivos electrnicos de potencia...............................12
Funcionamiento del Optoacoplador..................................................................14
Diferentes tipos de Optoacopladores................................................................14
INTRODUCCION
El control automtico juega un papel importante en la vida cotidiana, hoy en da
existe la automatizacin resultado del gran avance tecnolgico que se lleva a cabo
en la actualidad, esto debido a los grandes requerimientos y necesidades del ser
humano puesto que hay labores difciles y de gran riesgo de realizar. El control
automtico va desde controlar y/o programar el tiempo de encendido de un motor
o bomba hasta controlar procesos industriales, como maquinarias y plantas
industriales. Dadas estas circunstancias y basndonos en las necesidades
cotidianas se ha tomado la decisin de implementar la tecnologa como
herramienta de ayuda para las actividades diarias, tal es el caso
de esta
OBJETIVO GENERAL
En la investigacin se conocer e implementar un sistema de control automtico
de luces y reducir el consumo de energa.
OBJETIVO ESPECIFICO
Conocer el funcionamiento de los elementos electrnicos y dispositivos
semiconductores, como los optoacoplador y fotorresistencias (LDR) para la
elaboracin de un control automtico de luces e implementarlo en el uso cotidiano
para el ahorro de energa elctrica, para ms adelante utilizar el material
adecuado para su implementacin en el campo con un circuito ms econmico.
JUSTIFICACION
Qu voy a hacer?
Qu voy a hacer? Tal vez sea una pregunta que nos hacemos a diario y no
tenemos ni la menor idea, pero en esta investigacin tiene un fin comn que es,
Desarrollar e implementar un sistema de control automtico de luces para el
ahorro de energa en las casas, escuelas y/o instancias pblicas que requieran
hacer uso de este sistema para reducir el consumo de energa elctrica y ser ms
amigable con el medio ambiente.
Cmo lo implementar?
Haciendo uso de los componentes electrnicos existentes en el mercado, hay que
aclarar que cada componente ser seleccionado de acuerdo al uso que se le tiene
pensado dar en esta investigacin como los sensores infrarrojos, fotorresistencias
y elementos semiconductores.
Dnde lo implementar?
Cuando nos preguntamos Dnde? Nos confundimos al no saber dnde aplicar un
sistema de este tipo, pues bien la respuesta es sencilla, este control automtico de
luces se tiene pensado colocarse en casas y/o instancias donde se requiera
encender la luz solo cuando hay personas adentro de la habitacin.
MARCO REFERENCIAL
Una investigacin previa a este tema es sobre el control de alumbrado pblico es
decir el encendido y apagado automtico de las luces de la calle y colonias. A
continuacin se dar a conocer una breve descripcin de este proyecto realizado
por la compaa Solidmation en Argentina la cual ha implantado este control al
alumbrado pblico, en la cual nos fundamentamos para llevar a cabo esta
investigacin y llevar a cabo su aplicacin a los hogares y escuelas.
MARCO TEORICO
Fsica de semiconductores
La Fsica de semiconductores es el conjunto de teoras y modelos que explican el
comportamiento de los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo
gran parte de los semiconductores son estudiados en Fsica del estado slido.
Michael Faraday descubri que el sulfuro de plata tiene un coeficiente negativo
de resistencia.
En 1839 A. E. Becquerel observ un fotovoltaje al alumbrar un electrodo de
un electrolito.
W. Smith, en 1873, advirti que la resistencia del selenio disminuye al iluminarlo.
En 1874, F. Braun descubri que la resistencia de los contactos entre metales y
piritas de galena depende de la tensin aplicada sobre ellos; A. Schuster observ
algo similar en superficies pulidas y no pulidas en cables de cobre.
En 1876, W. G. Adams y R. E. Day construyen la primera fotoclula, y C. E.
Fritts presenta el primer rectificador con selenio.
En la dcada de 1930, E. H. Hall descubre que la cantidad de portadores de carga
elctrica en los semiconductores es mucho menor que en los metales, aunque a
diferencia de stos, aumentan rpidamente con la temperatura, y tambin que en
los semiconductores tienen mucha mayor movilidad. Tambin observ que en
algunos casos los portadores eran negativos y en otros positivos.
Tipos de Semiconductores
Conduccin Intrnseca: Un elemento tetravalente (grupo IV), si comparte todos
sus electrones es un aislante perfecto y no contribuye a la conductividad elctrica,
esto ocurre a la temperatura del cero absoluto (no hay movimiento trmico).
Conduccin Extrnseca: Cuando a una cristal de cualquier elemento (por
ejemplo el Silicio (Si)) le introducimos un tomo distinto pero que sea pentavalente
(por ejemplo Antimonio (Sb)) sobra un electrn que no es necesario para producir
los enlaces en la estructura cristalina.
Efecto Hall: Da una confirmacin experimental de la conductividad en los
semiconductores a la vez que permite medir el tipo de carga de los portadores y
su concentracin.
Contaminacin o dopaje
Los semiconductores en s no
presentan propiedades prcticas,
por esto se los contamina para
darles
alguna
propiedad
especial,
como
alterar
la
probabilidad de ocupacin de las
bandas de energa, crear centros de recombinacin, y otros.
As, en el semiconductor aparecer una
mayor cantidad de electrones que de
huecos; por ello se dice que los
electrones
son
los portadores mayoritarios de la energa
elctrica y puesto que este excedente de
electrones procede de las impurezas
pentavalentes, a stas se las llama donadoras.
En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos
en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de
conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al
igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve
Smbolo electrnico
Material de Fabricacin
Los materiales fotosensibles ms utilizados para la fabricacin de las resistencias
LDR son, el sulfuro de talio, el sulfuro de cadmio, el sulfuro de plomo, y el
seleniuro de cadmio.
Funcionamiento
Cuando la LDR no est expuesta a radiaciones luminosas los electrones estn
firmemente unidos en los tomos que la conforman pero cuando sobre ella inciden
radiaciones luminosas esta energa libera electrones con lo cual el material se
hace ms conductor, y de esta manera disminuye su resistencia.
Las resistencias LDR solamente reducen su resistencia con una radiacin
luminosa situada dentro de una determinada banda de longitudes de onda. Las
construidas con sulfuro de cadmio son sensibles a todas las radiaciones luminosas
visibles, las construidas con sulfuro de plomo solamente son sensibles a las
radiaciones infrarrojas.
Valor Ohmico
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en
la oscuridad valores cercanos al MegaOhm (1M) y expuestas a la luz mediremos
valores en el entorno de los 100 .
Tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de la dcima de
segundo.
Aplicaciones
Se emplean en iluminacin, apagado y encendido de alumbrado (interruptores
crepusculares), en alarmas, en cmaras fotogrficas, en medidores de luz. Las de
la gama infrarroja en control de mquinas y procesos de contaje y deteccin de
objetos.
Ejemplo de una aplicacin en un circuito.
- Circuito que acciona un rel durante un cierto tiempo cuando una persona o
algn objeto en movimiento se aproxima a un sensor de luz (LDR) o foto-celda de
sulfuro de cadmio.
Optoacopladores: Dispositivos electrnicos de potencia
Un optoacoplador,
tambin
llamado optoaislador o
aislador
acoplado
pticamente, es un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un
interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un
componente optoelectrnico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac.
De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y
un fotorreceptor cuya conexin entre ambos es ptica. Estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se
suelen utilizar para aislar elctricamente a dispositivos muy sensibles.
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