DISPOSITIVOS MS USADOS EN LA ELECTRONICA INDUCTRIAL

Los semiconductores de potencia se pueden subdividir de manera general en 4 grupos:

Diodos de potencia
Transistores de potencia de unin bipolar BJT
Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT
Tiristores.

Diodos de Potencia:
Son funcionalmente idnticos a un diodo normal, excepto por su habilidad de soportar
corrientes mucho ms grandes y voltajes grandes.
Existen 3 tipos de diodos de potencia:

Diodos Estndar o de uso general: Cuyos rangos tpicos de voltajes y de corriente son 3000V y
de 3500A respectivamente. Su tiempo de conmutacin es aproximadamente de 25seg.
Diodos de recuperacin rpida o de alta velocidad: Los rangos tpicos de voltaje y de corriente
son 3000V y de 1000A respectivamente. Su tiempo de conmutacin es de 5seg.
Diodos Schottky: Pueden conmutar ms rpido, en el rango de los nanosegundos pero se
limitan a 100V y 300A.

Transistores de potencia de Unin Bipolar BJT:

Los BJT de potencia pueden llegar a tener voltajes y corriente de 1200V y 400A, operan en
la misma forma que los BJT convencionales y se usan en aplicaciones de conversin de potencia
con frecuencia alrededor de los 10Khz.
El MOSFET de potencia puede operar a frecuencias ms altas, pero se limita en potencia
en 1000V y 50A.
El transistor est compuesto por dos diodos y tiene 3 regiones de funcionamiento.

Zona activa
Zona de saturacin
Zona de corte.

Para el anlisis de este dispositivo utilizaremos la zona de saturacin y la de corte, es decir,

se utilizar como interruptor o suiche. Las principales caractersticas que han de considerarse son:

Ic: Corriente colectora mxima.

Vce: Voltaje mximo colector-emisor.
Pmax: Potencia mxima disipada en rgimen continuo

Caractersticas de conmutacin del BJT:

Una unin PN con polarizacin directa excibe dos capacitancias: Una capacitancia de la
capa de agotamiento (CBE) y una capacitancia de difusin (CCB)
Por otra parte una unin PN polarizada inversamente solo tiene capacitancia de
agotamiento en condiciones transitorias, influyen en el funcionamiento de activacin y
desactivacin.
Estas capacitancias parsitas CBE y CCB tienen el efecto de imponer una constante de
tiempo de carga; como el transistor tiene resistencias internas entonces es imposible para el
transistor conmutar del corte a la saturacin instantneamente y viceversa, debido a los circuitos
RC presentes dentro del transistor que debe cargarse primero.
Ccb

Ib

Ic

C
hie

Cbe

Bib

ro

Ie
E

En el siguiente circuito se presenta un esquema para determinar las caractersticas

dinmicas de un transistor.
Vbb
R2
R1

Q1
NPN

Rc
+

Vcc

-Vbb

El circuito de potencia est representado por la resistencia Rc y la fuente Vcc.

Con el interruptor abierto, las resistencias R1 y R2 polarizan la base a Vbb manteniendo al
transistor abierto y por tanto la carga Rc estar desconectada al no conducir el transistor.
Cerrando el interruptor, se polariza directamente el transistor, inyectando una corriente
de base suficiente para saturarlo, permitiendo una corriente mxima en el colector.
En las figuras se ilustran unos tiempos:

Tiempo de retraso (tD): Si VB cambia de VBB a VBB, entonces IB cambia de 0 a IB1, pero la
corriente de colector no comenzar a fluir hasta despus de un retardo, debido a que la
capacitancia CBE se tiene que cargar hasta VBesat = 0,7V.
Tiempo de elevacin (tR): Despus que la unin base-emisor se polariza directamente, la
corriente de colector crece hasta alcanzar un valor del 90% de la corriente mxima:

Tiempo de almacenamiento (tS): es el tiempo que se requiere para eliminar la carga acumulada
en la base antes de que la unin base-emisor se polarice inversamente.
Para acelerar este proceso, el voltaje de la base se lleva a valores negativos (VBB) de tal
forma que la corriente de base negativa acelere la descarga de la carga acumulada en la base,
sin esta corriente negativa el tiempo de almacenamiento sera ms alto.
Tiempo de abatimiento (tF): Finalmente, la capacitancia de la unin base-emisor polarizada
inversamente se debe cargar al voltaje de la base negativa, antes de que termine el transitorio
de conmutacin. Representa el tiempo que tarda en disminuir la corriente colectora del 90% al
10% de su valor de saturacin.
VBB

IB

VBB/R2
VBB/R2
VBB
VceSAT

Ics
90% Ics

10% Ics

Vcc

VceSAT
tON

tOFF

PcMAX

to

td

tr

tn

ts

tf

to

td

tON: tiempo de encendido o de funcionamiento del transistor (tON = td + tr)

tOFF: tiempo de apagado o de no funcionamiento del transistor (tOFF = ts + tr)

MOSFET de Potencia:
Tambin llamados IG-FET (Transistor de Efecto de Campo de Compuerta Aislada) el cul
presenta una estructura especial, ya que una capa de oxido de silicio asla la compuerta del canal.
Los MOSFET de potencia deben trabajar en la regin hmica, donde una corriente grande
de drenador puede fluir con voltajes de drenador-surtidor pequeos. El otro modo de operacin
es en la zona de corte donde no fluir corriente y el voltaje drenador-surtidor es alto.
Caractersticas de conmutacin del MOSFET:
El comportamiento del MOSFET es ms rpido que el BJT por no contar con portadores
minoritarios, la corriente de drenador responde casi inmediatamente a la tensin de compuerta.
Donde se presenta el retraso es en la capacitancia CGS ya que retrasa la respuesta de tensin a la
compuerta en el circuito de control.
Cgd
G

D
rds

Cgs

gmVgs

Cds

VGG
VGSP
VP
ID
90% Ids

Idss

VDS
VDD
VDCSAT
tON

tOFF

PDMAX

to

td(ON) tr

tn

td(OFF)

tf

to

td

tON: tiempo de encendido o de funcionamiento del transistor (tON = td(ON) + tr)

tOFF: tiempo de apagado o de NO funcionamiento del transistor (tOFF = td(OFF) + tr)

Retraso de la activacin (td(ON)): Corresponde al tiempo requerido para cargar la capacitancia

de entrada CGS al voltaje umbral Vp.
Tiempo de elevacin (tr): Es el tiempo necesario para cargar la compuerta al voltaje umbral
requerido para llevar al MOSFET al estado hmico VGSP.
Retraso de la desactivacin (td(OFF)): Es el tiempo necesario para descargar la capacitancia de
entrada de tal forma que el voltaje de compuerta puede caer al voltaje umbral de corte VOFF.
Tiempo de abatimiento (tf): Es el tiempo necesario para que VGS caiga por debajo del voltaje de
umbral de corte (VOFF) y el transistor se apague.
Ecuaciones de Potencia de acuerdo a los tiempos de funcionamiento:

Para conseguir estas ecuaciones nos apoyamos en las siguientes grficas:

Icmax
Ics
Iceo

Vcc
VceSAT
td

tr

tn

ts

tf

to

Busquemos las ecuaciones en tr y tf, aplicando la ecuacin de la recta de los grficos anteriores:
tr: () =

0) () = +

() = +

tf: () =

0) () = +

() = +

a) Durante el tiempo de retraso: Vce(t) = Vcc e ic(t) = Iceo

1
= () () =

0
0
b) Durante el tiempo de elevacin: () = +
=

() = +

1


() () = +
+

Desarrollando:

= [6 + 6 + 3 + 3 ]

c) Durante el tiempo de Encendido (tN): Vce(t) = VceSAT e ic(t) = Ics

1
= () () =

=
0
0
d) Durante el tiempo de almacenamiento (tS): () =
() =

1
= () () =

=
0
0
e) Durante tiempo de abatimiento (tf): () = +
=

() = +

1


() () = +
+

Desarrollando:

= [6 + 6 + 3 + 3 ]

f)

Durante el tiempo de Apagado (to): Vce(t) = Vcc e ic(t) = Iceo

1
= () () =

=
0
0
g) Prdida total de potencia en el transistor: PT = Pd + Pr + Pn + PS + Pf + Po

Control de excitacin de la Base

La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin tON y
el tiempo de desactivacin tOFF.
Se puede reducir tON permitiendo una IB pico durante la activacin resultante f baja.
Despus de la activacin, se puede incrementar f a un valor lo suficientemente alto como para
mantener el transistor en la regin de casi saturacin.
El tiempo de desactivacin tOFF se puede reducir invirtiendo la corriente de base (-IB) y
permitiendo que durante la desactivacin IB sea pico. Aumentar IB2 reduce el tiempo de
almacenamiento.
IB

ODF: Factor de Sobreexcitacin

IBf

ODF=IBf/IBs

IBo
IB

toff

f = ICs/IBs.

f: Ganancia de corriente forzada

ton

Las tcnicas comnmente utilizadas para optimizar la excitacin IB de un transistor son:

a) Control de activacin
b) Control de Desactivacin
c) Control Proporcional a la Base
d) Control de antisaturacin.

a) Control de Activacin:
C1
Vbb
R1

R2

Rc
+

Vcc

-Vbb

Inicialmente el condensador esta descargado Vc = 0V.

Entonces, la corriente inicial de base es = 1

Cuando el condensador se carga, la corriente final de base final es =

condensador se carga en 1 =

2
1+2

1+2

y el

Ecuacin de carga del condensador es 1 = 1+2

(1 )
La constante de tiempo de carga del condensador es 1 = 1(1||2)
Cuando el SW se abre , el condensador C1 se descarga a travs de R1 con 1 = 1 2
Para permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el ancho del pulso de los tiempos
deben ser 1 = 51 y 2 = 51
1
1
1
0,2
La frecuencia mxima de conmutacin es = = 1+2 = 5( + ) = +
1

b) Control de desactivacin:
C1
Vbb
R1
R

R2
R3

D1
R4

Rc

C2

Vcc

-Vbb

Inicialmente el condensador esta descargado Vc1 =Vc2 = 0V.

Entonces, la corriente inicial de base es = 1

Cuando el condensador se carga, la corriente final de base final es =

2||(3+4)
1+2||(3+4)
2
condensador es 1 = 1+2
(1

1+2||(3+4)

y el

condensador se carga en 1 =

Ecuacin de carga del

La constante de tiempo de carga del condensador es 1 = 1(1||2)

Cuando el SW se abre , el condensador C2 se descarga a travs de R3 con 2 = 2 3
Para permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el ancho del pulso de los tiempos
deben ser 1 = 51 y 2 = 52
1
1
1
0,2
La frecuencia mxima de conmutacin es = =
=
=

1+2

5(1 +2 )

1 +2

c) Control Proporcional a la base

Este tipo de control tiene ventajas sobre el de excitacin constante. Si la corriente
colectora cambia debido a cambios en la demanda de la carga, la corriente de excitacin de la
base cambia en proporcin a la corriente colectora. Cuando el interruptor SW se activa, fluye un
puso de corriente de corta duracin a travs de la base del transistor Q1 activndose hasta la
saturacin. Una vez que la corriente colectora empieza a fluir, se induce una corriente de base
debido a la accin del transformador produciendo que se enganche a si mismo.
2

La relacin de vueltas es 1 =

= , Para la correcta operacin del circuito, la corriente

magnetizante que es mucho menor que la corriente colectora

Rc
SW
Vb

R1

T1

Vcc

El interruptor SW se puede implementar mediante un transistor de pequea seal y

durante el periodo de desactivacin del transistor de potencia se requerir de un circuito adicional
para descargar al condensador C1 y para volver a restablecer el ncleo del transformador.

d) Control de Antisaturacin
Si el transistor es operado severamente, el tiempo de almacenamiento, que es
proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce la velocidad de conmutacin. El tiempo
de almacenamiento puede ser reducido operando al transistor en una saturacin suave, en vez de
una saturacin brusca. Esto se puede llevar a cabo fijando el voltaje colector-emisor a un valor:
Malla C-E: = + . , fijando el Vce a un valor mayor que el voltaje de saturacin.
La corriente de base sin fijacin, es = 1 =

y su correspondiente =

Despus de que la corriente del colectora se eleva, el transistor se activa, y la fijacin

ocurre (debido al hecho de que D2 recibe polarizacin directa y conduce), entonces:
= + 1 2

Y la corriente de carga es

La corriente colectora de fijacin es = = (1 + ) =

1 +2

(
+1 1

+ )

Para la fijacin 1 > 2, esto se puede obtener conectando dos o ms diodos en vez de
un solo diodo d1. La resistencia de carga RC deber satisfacer la condicin > , por tanto
> ( 1 + 2 )
La accin de fijacin da como resultado una corriente colectora ms reducida y la
eliminacin prcticamente del tiempo de almacenamiento, obtenindose una activacin rpida.
Sin embargo, como el Vce aumento, la disipacin de potencia en el transistor aumenta en estado
activo, en tanto que la prdida de potencia por conmutacin se reduce.
D2

Rc
Rb
Vb

D1

Vcc