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ASIGNATURA:
ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS
MATERIALES
DOCENTE:
ING. EFRAIN SIGA MORALES
ACTIVIDAD:
CASO DE ESTUDIO DE RELACION DE PROCESAMIENTO DE
ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES
AUTORES:
SAGAHON HERNNDEZ EDUARDO 20150862
HERNNDEZ SANTIAGO BARDOMIANO 20150838
YAES GURRERO JESUS
HERNNDEZ HERNNDEZ ESTUARDO
GRADO: 4 CUATRIMESTRE
GRUPO: B
TIPOS DE MATERIALES
MATERIALES
ALUMINIO
TIPO DE
MAERIAL
Metales
TIPO DE
ENLACE
Inico o
covalente
Caractersticas fsicas
El aluminio es un elemento muy abundante en la naturaleza, solo aventajado por
el oxgeno y el silicio. Se trata de un metal ligero, con una densidad de
2700 kg/m, y con un bajo punto de fusin (660 C). Su color es blanco y refleja
bien la radiacin electromagntica del espectro visible y el trmico. Es buen
conductor elctrico (entre 35 y 38 m/( mm)) y trmico (80 a 230 W/(mK)).
Caractersticas mecnicas
Es un material blando (escala de Mohs: 2-3-4) y maleable. En estado puro tiene
un lmite de resistencia en traccin de 160-200 N/mm (160-200 MPa). Todo ello
le hace adecuado para la fabricacin de cables elctricos y lminas delgadas,
pero no como elemento estructural. Para mejorar estas propiedades se alea con
COBRE
Metales
inico
Propiedades fsicas
El cobre posee varias propiedades fsicas que propician su uso
industrial en mltiples aplicaciones, siendo el tercer metal,
despus del hierro y del aluminio, ms consumido en el mundo.
Es de color rojizo y de brillo metlico y, despus de la plata, es
el elemento con mayor conductividad elctrica y trmica. Es un
material abundante en la naturaleza; tiene un precio accesible y
se recicla de forma indefinida; forma aleaciones para mejorar
las
prestaciones
mecnicas
es
resistente
que permite producir lminas e hilos muy delgados y finos. Es un metal blando,
con un ndice de dureza 3 en la escala de Mohs (50 en la escala de Vickers) y su
resistencia
la traccin es
de
de
210 MPa,
con
un lmite
fabricacin de
elstico de
deformacin
Acero
Me tales
Conductividad elctrica:
Posee una alta conductividad elctrica en las lneas areas de alta tensin se
utilizan con frecuencia conductores de aluminio con alma de acero
proporcionando
ste
ltimo
la
resistencia
mecnica
necesaria
para
Se considera corrosin a toda accin que ejercen los diversos agentes qumicos
sobre los metales, primeramente en la capa superficial y posteriormente en el
resto. Cuando es producida por el oxgeno y usando como catalizador el agua, la
corrosin es progresiva desde la capa superficial hasta el interior del metal lo que
provoca su total destruccin.
Corrosin general:
Cuando es en toda la superficie, se protege con facilidad.
Corrosin inter cristalina:
Se debe a las impurezas y no se advierte a simple vista.
Corrosin localizada:
Se localiza en sitios poco visibles y pasa desapercibida hasta que se rompe la pieza.
SEMICONDUCTORES
Cadmio
Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder
(Cd),
modificar su resistividad de manera controlada entre mrgenes muy amplios. La
Aluminio
(Al), Galio
razn primera de este comportamiento diferente reside en su estructura atmica,
(Ga), Boro
bsicamente en la distancia interatmica de sus tomos en la red as como el tipo
(B), Indio
de
enlace
entre
ellos.
(In), Silicio
As, el enlace atmico depende del nmero de electrones de valencia de los
(Si),
tomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los mismos. Los
Carbono
electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que determinan y
(C),
forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el carcter
Germanio
conductivo o no de l.
(Ge),
Fsforo (P),
Arsnico
(As),
Antimonio
(Sb),
Selenio
(Se), Teluro
(Te) y
puede visualizarse mediante superposicin de estructuras ms sencillas. La
Azufre (S).
estructura ms comn es la del diamante, comn a los semiconductores Si y Ge,
y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas
cada tomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con
simetra tetradrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas nicas,
es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cmo se obtengan ste puede
presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo.
El comportamiento elctrico de los materiales semiconductores (resistividad y
movilidad) as como su funcionamiento depende de la estructura cristalina del
material de base, siendo imprescindible la forma monocristalina cuando se
requiere la fabricacin de circuitos integrados y dispositivos electropticos
(lser,
leds).
enlace
entre
ellos.
conductivo o no de l.
En un semiconductor formado por dos elementos qumicos diferentes (Arseniuro
de Galio) la asimetra conlleva en general una cierta prdida de carcter
covalente puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia
uno u otro tomo. El parmetro que determina este desplazamiento es la
electronegatividad de los tomos constituyentes. Cuanto ms diferente sea,
mayor ser el desplazamiento y el enlace ser ms inico que covalente.
La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque
puede visualizarse mediante superposicin de estructuras ms sencillas. La
estructura ms comn es la del diamante, comn a los semiconductores Si y Ge,
y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas
cada tomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con
simetra tetradrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas nicas,
es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cmo se obtengan ste puede
presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo.
leds).
MATERIAL
Cuando se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones de
TIPO N
valencia), entonces cuatro tomos de las sustancias dopantes formarn enlaces
covalentes con los tomos de Si, el quinto electrn que no comparte enlaces, es
un electrn de conduccin el cual ser donado a la banda de conduccin.
Entonces diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido a que recibe
una cantidad adicional de portadores de carga negativa y la sustancia
pentavalente (P, As, Sb) se llama donador.
MATERIAL
TIPO P