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Lyce Alkhawarizmi de Safi

Prof: I. Elyamani

AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
Il constitue gnralement le dernier tage d'une chane amplificatrice; il doit tre capable de fournir
une charge (haut-parleur, moteur...) une certaine puissance. Celle-ci est prleve l'alimentation, et le
rendement de l'tage doit tre le plus lev possible.
On supposera nulle la tension de saturation des transistors; la grande amplitude des signaux
n'autorise plus l'utilisation du schma quivalent des transistors.

1. CLASSE D'UN AMPLIFICATEUR


1.1 Angle d'ouverture
On appelle angle d'ouverture l'intervalle angulaire pendant lequel un transistor conduit.

1.2 Classes
Classe A : angle d'ouverture gal 2
Classe B : angle d'ouverture gal
Classe C : angle d'ouverture infrieur

2. AMPLIFICATEUR EN CLASSE A
2.1 Schma, point de repos

Rb

iC
Vcc
Ru

Ru
Vcc

Ce

IC0

vs

ve

Vcc
Vcc v
CE
2
Le point de repos A est choisi de faon obtenir aux bornes de la charge Ru une tension d'amplitude
maximale.

2.2 Puissances et rendement


2.2.1 Puissance utile

Vs2
La charge tant rsistive : Pu =
Ru
L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc /2, la puissance utile maximale a
pour valeur :

Pu Max =

V cc2
8. R u

2.2.2 Puissance absorbe

Vcc
Vcc2
1T
Pa = Vcc . i c . dt = Vcc . < i c > = Vcc .
=
T0
2. Ru 2.Ru
En classe A, la puissance absorbe est indpendante de la puissance fournie la charge.
2.2.3 Rendement

Pu 2. Vs2
=
Pa
Vcc

et

Max =

PuMax
Pa

= 0,25

Le rendement maximal d'un amplificateur en classe A est de 25%.


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3. AMPLIFICATEUR EN CLASSE B
3.1 Principe de fonctionnement
iC
iC

T1

ve

Vcc

vs
Ru

T2
iC

Vcc
Ru

is

B
Vcc

- vCE

Vcc

vCE

- iC

iC

t
iC

is

t
Les transistors T1 et T2 sont complmentaires, le point de repos choisi est le point B si bien qu'en
l'absence de tension ve, la charge n'est parcourue par aucun courant. Les transistors T1 et T2
conduisent alternativement :
pour que T1 conduise il faut que ve > VBE1
pour que T2 conduise il faut que ve < VBE2
si VBE2 < ve < VBE1 aucun transistor ne conduit d'o l'allure des courants ci dessus.
On remarquera que le courant circulant dans la charge n'est pas purement sinusodal mais prsente
une distorsion dite de croisement ou de recouvrement (cross-over). Cette distorsion peut tre
supprime grce des montages appropris (cf 3.3).

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3.2 Puissances et rendement


3.2.1 Puissance absorbe
On supposera pour les calculs suivants que la distorsion de croisement est compense.
Soit Pa1 la puissance fournie par l'alimentation positive :

Vcc
1T
Pa1 = Vcc . i c1. dt =
T0
T

T/2

$I . sin t. dt =
c

Vcc . $Ic

2. Vcc . V$ s
Pa = Pa1 + Pa2 = 2.Pa1 =
.Ru
La puissance absorbe crot linairement avec la tension aux bornes de la charge. La puissance
absorbe maximale vaut donc : PaMax

2. Vcc2
.R u

3.2.2 Puissance utile

Pu =

Vs2
Ru

La puissance utile est une fonction parabolique de la tension aux bornes de la charge.

L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc, la puissance utile maximale a pour
valeur : Pu Max

Vcc2
=
2.Ru

3.2.3 Rendement

Pu
. Vs
. V$ s
=
=
Pa 2. 2. Vcc 4. Vcc

Max =

et

PuMax
Pa

= 0,785
4

Le rendement crot linairement avec la tension aux bornes de la charge.


3.2.4 Puissance dissipe dans les transistors
La puissance dissipe dans les transistors est une
V$ s 2. Vcc V$ s
fonction parabolique de la tension aux bornes de la

PT = Pa Pu =

Ru
2
charge.
Cherchons la valeur de Vs pour laquelle la puissance PT est maximale, pour cela drivons cette
puissance par rapport la tension de sortie et cherchons pour quelle valeur de Vs cette drive
s'annule. On obtient :

2. Vcc
V$ s =

et

PTMax

2. Vcc2
= 2
.R u

Pour cette valeur de la tension de sortie :

4. Vcc2
Pa = 2
.R u

2. Vcc2
et Pu = 2
= PTMax
.R u

Le rendement vaut alors 50%.


La puissance dissipe dans chaque transistor reprsente,quant elle, la moiti de la puissance totale
dissipe :

PT1 = PT2 = PT/2

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donc

PT1Max

Vcc2
= 2
.R u

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3.3 Distorsions
3.3.1 Diminution de la distorsion de croisement
3.3.1.1 Prpolarisation des transistors

iC

T1
Rv
ve

T2
iC

Vcc

vs
Ru

is
Vcc

On peut utiliser par exemple un systme diodes qui maintient entre les deux bases une tension gale
la somme des tensions de seuil des jonctions base-metteur des transistors.
Par raison de symtrie, le potentiel du point commun aux diodes est le mme que celui des deux
metteurs, c'est dire 0 V.
En augmentant la valeur de Rv, on augmente l'intensit du courant dans les diodes ce qui a pour
consquence de rendre les transistors un peu plus conducteurs.
Ce dispositif n'est cependant pas parfait, car lorsque la temprature des transistors augmente (avec la
puissance dissipe), leur tension de seuil diminue si bien que leur point de fonctionnement est modifi,
l'intensit du courant collecteur crot, entranant un chauffement encore plus grand et ainsi de suite :
c'est l'emballement thermique.
Pour y remdier on peut tout d'abord mettre les diodes en contact thermique avec les transistors de
faon compenser toute variation de la tension base-metteur des transistors avec la temprature
(pour le silicium -2,2 mV/C) par une variation de la tension de seuil des diodes.
On ajoute galement en srie avec les metteurs des rsistances r qui limitent l'emballement
thermique puisque alors, une augmentation du courant collecteur se traduit par une augmentation de
la chute de tension dans la rsistance r, si bien que le point de fonctionnement restera alors
sensiblement le mme.
Il s'agit d'une contre-raction de tension rinjection de tension, la tension de sortie tant prleve
entre les deux rsistances r et la masse.
On admet gnralement que la tension crte dans r doit tre voisine de 1 volt lorsqu'elle est parcourue
par l'intensit crte maximale (ici Vcc/Ru).
Ce montage de principe ne peut tre utilis tel quel, car l'intensit du courant dans les diodes dcrot
lorsque l'amplitude de la tension d'entre augmente, en pratique on utilise un gnrateur de courant.
3.3.1.2 Utilisation de la contre-raction

R2
Vcc

vs
ve

R1

Ru

is
Vcc

Pour que l'un des transistors conduise il faut que l'amplitude de la tension de sortie de l'AOP soit
suprieure la valeur absolue de la tension base-metteur d'un transistor, sinon l'AOP est en boucle
ouverte et son coefficient d'amplification est celui de boucle ouverte Ad.
Pour que T1 ou T2 conduise il faut donc que : ve > VBE/Ad
La distorsion de croisement s'en trouve considrablement rduite.
Lorsque l'un des transistors conduit, le coefficient d'amplification en tension du montage a pour valeur

-R2 /R1
Le dernier tage amplifie donc galement en tension; on peut aussi utiliser un montage non inverseur,
l'impdance d'entre sera alors plus leve. Si l'amplification en tension n'est pas ncessaire un
montage suiveur peut convenir. La contre raction diminue donc la distorsion de croisement.
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3.3.2 Dfinition et mesure d'un taux de distorsion


3.3.2.1 Dfinition
Nous avons vu que le courant dans la charge n'tait pas parfaitement sinusodal mais prsentait une
distorsion de croisement; ce n'est pas la seule cause de distorsion, il existe galement des distorsions
dues la non-linarit des composants et ventuellement la saturation de l'tage de sortie.
La tension de sortie peut donc se mettre sous la forme :

v s ( t) = V0 + V1. 2. sin(t + 1 ) + V2 . 2.sin(2t + 2 )+...+ Vn . 2. sin(nt + n )+...


V0 : valeur moyenne de vs
V1 : valeur efficace du fondamental
Vi : valeur efficace de l'harmonique de rang i
V22 + V32 +... Vn2 +...
On appelle taux de distorsion : D =
V1
On l'exprime gnralement en pourcentage : D% = 100.D
3.3.2.2 Principe d'un distorsiomtre
Un distorsiomtre effectue 2 mesures :
l'une de l'ondulation du signal
l'autre, la sortie d'un filtre rjecteur (de frquence centrale gale celle du fondamental du signal)
auquel le signal est appliqu.
Le distorsiomtre effectue alors le rapport de ces deux tensions et donne donc une valeur approche
par dfaut du taux de distorsion.

D' =

V22 + V32 +... Vn2 +...


V12 + V22 + V32 +... Vn2 +...

Dans la mesure o la distorsion est faible, ces deux taux sont proches car la valeur efficace des
harmoniques est faible devant celle du fondamental.

4. ECHANGES THERMIQUES
La puissance dissipable dans les transistors pouvant tre leve, des problmes de dissipation
thermique se posent.

4.1 Rsistance, conductance thermiques


La puissance P dissipe dans le milieu ambiant s'exprime en fonction de la temprature ambiante a
et de celle de jonction j par la relation :
P = .(j - a)
o reprsente la conductance thermique du transistor (W/K ou W/C), inverse de la rsistance
thermique RT (C/W)
4.2 Equilibre thermique
Il y a quilibre thermique lorsque la puissance lectrique PT1 est gale la puissance dissipe dans le
milieu ambiant, donc :

PT1 = .(j - a) =

j a

R Tja

RTja est la rsistance thermique jonction-milieu ambiant du transistor.


Pour un transistor au silicium la temprature de jonction maximale varie entre 150 C et 200 C.
Exemple :la rsistance thermique du transistor 2N 3053, en botier TO 39, vaut 175 C/W.
Quelle est la puissance maximale dissipe par ce transistor une temprature ambiante de 25 C,
sachant que sa temprature de jonction ne doit pas dpasser 200C?

P = (200 - 25)/175 = 1W
> P il faudra employer un dissipateur thermique.

Si PT1

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4.3 Calcul d'un dissipateur thermique


4.3.1 Rsistance thermique d'un paralllpipde rectangle
Considrons une plaque mtallique de conductivit thermique K, d'paisseur l, de section S, en
contact avec le transistor.
Sa rsistance thermique RTra a pour expression :

R Tra =

1 l
KS

Cette relation est du mme type que celle donnant la rsistance ohmique d'un conducteur.
Entre deux solides les changes de chaleur ont lieu uniquement par conduction; entre un solide et l'air
ils se font galement par convection et rayonnement ; on simplifie toutefois en considrant une
rsistance thermique entre solide et air.
Lorsque la chaleur traverse plusieurs lments les rsistances thermiques proportionnelles
l'paisseur des lments s'ajoutent.

4.4 Calcul
On doit faire appel maintenant la rsistance thermique jonction-botier du transistor RTjb.
Celle d'un 2N 3053 vaut 35 C/W soit un cinquime d e RTja, ce qui signifie que si le botier est
maintenu une temprature de 25 C, la puissance d issipable par le transistor est de 5 W.
sans dissipateur on peut crire la loi d'Ohm thermique :

P=

j b

R Tjb

j a
b a
=
R Tba
R Tjb + R Tba

P j

RTjb

RTra a

avec dissipateur on crira :

P=

P j

j b

R Tjb

RTjb

j a
b r r a
=
=
R Tbr
R Tra
R Tjb + R Tbr + R Tra

RTbr r

RTra a

Or RTbr + RTra << RTba : la puissance dissipable dans le deuxime cas sera donc nettement
suprieure.
Pour amliorer le contact thermique entre le transistor et le dissipateur on intercalera entre les deux
une graisse au silicone.
En basse frquence le dissipateur thermique sera calcul en fonction de la puissance instantane
maximale, en haute frquence on prendra en considration la puissance moyenne.
Exemples :2N 3055 botier TO3
2N 3053 botier TO39

RTjb = 1,2 C/W


RTjb = 35 C/W

RTbr = 0,2 C/W (avec graisse)


R Tja = 175 C/W

Exercice : calculer la rsistance thermique du dissipateur thermique fixer sur le botier du 2N 3055
lorsque la puissance dissiper vaut 25W ?
On donne jMax = 175 C et la temprature ambiante 25 C .
Rponse : 4,6 C/W

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