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Le transistor bipolaire
1 Gnralits
1.1 Structure dun transistor
La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor 1 (de langlais transfert resistor)
jonctions dans lequel interviennent les deux types de porteurs d'o lappellation de transistor
bipolaire. Dautres types de transistors (transistor effet de champ, transistor unijonction)
seront tudis ultrieurement.
On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois
Collecteur
lectrodes dun transistor bipolaire se nomment : metteur,
P
N
base et collecteur. Pour un NPN on a :
Base
un metteur (zone N) fortement dop,
une base (zone P) trs mince et faiblement dope,
un collecteur (zone N) peu dop.
NPN
PNP
La structure relle est trs diffrente du schma de principe et
C
C
dpend de la mthode de fabrication du transistor (alliage,
B
B
diffusion, pitaxie).
Du fait des diffrences de dopage entre lmetteur et le
E
E
collecteur, le transistor ne fonctionne pas comme deux diodes
Fig. 1
montes tte-bche.
Sur le schma lectrique du transistor une flche marque la jonction base-metteur. Cette
flche est oriente dans le sens o la jonction base-metteur est passante.
Emetteur
I eb0
I cb0
I bc
I ec0
I ce0
Fig. 2
"
2 Effet transistor
2.1 Etude exprimentale
Par convention on considre les courants qui pntrent dans le transistor comme tant positifs.
La conservation de la charge donne :
IC + IB + IE = 0
Ic
Ib
Fig. 3
Base P
Collecteur N
Ie
Ie
Ie
Electrons
Icb0
(1) Ie
Trous
(minoritaires)
Recombinaisons
Ib
Crations
de paires
Fig 4
Par construction la base est trs mince et faiblement dope. Par contre lmetteur est trs
dop et contient donc beaucoup de porteurs majoritaires.
La jonction BE est polarise en direct : il y a diffusion dlectrons de lmetteur vers la base et
diffusion de trous dans le sens inverse. Il y a des recombinaisons lectrons-trous dans la base
mais comme le nombre dlectrons injects est trs suprieur au nombre de trous et comme la
base est trs mince (e < 1 m), beaucoup dlectrons chappent aux recombinaisons, sont
acclrs par le champ interne de la jonction base-collecteur et traversent cette jonction.
A ct du courant de majoritaires existe un courant beaucoup
champ
interne
plus faible de minoritaires (ICB0) qui est fonction de la
temprature. La largeur de la zone appauvrie en porteurs de la
lectrons
jonction BC qui est polarise en inverse diminue si VBE restant
injects
lectrons
(mis)
collects
constant la valeur de VCE augmente.
N
jonction
B-C
Fig. 5
IB +
ICB0
1
1
On pose : =
donc : + 1 =
1
1
I C = .I B + ( + 1).I CB0 .I B
"
3 Rseaux de caractristiques
Pour caractriser compltement le fonctionnement dun transistor, il faut dterminer 6
grandeurs : IC, IB, IE et VCE, VBE, VBC.
Les relations : IC + IB + IE = 0 et VCE + VBE + VBC = 0 font quen fait quatre de ces grandeurs
sont indpendantes.
On considre le transistor comme un quadriple dont une lectrode est commune lentre et
la sortie. Trois montages sont donc envisager :
Base commune utilis en haute frquence et qui ne sera pas tudi ici
Collecteur commun utilis en adaptation dimpdance
Emetteur commun utilis en amplification et le plus commun.
IC
IB
VCE
VBE
Fig. 6
H 12 I B
.
H 22 VCE
IC
Rp
mA
IB
R
A
V
mV
G1 = 5 V
VBE
VCE
G2
Fig 7
I CE0
I B = 20 A
I B (A)
VCE = 0
VCE > 0,65 V
VCE (V)
500
VBE (mV)
I B = 60 A
Fig 8 : partir des valeurs de deux grandeurs, on peut dduire celles des deux autres
IC = .IB
est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain des transistors de puissance est faible. Des
transistors de mme rfrence peuvent avoir des gains trs diffrents. Le gain varie avec le
courant collecteur, la tension VCE et la temprature (terme ICE0). La diminution de la largeur
de base utile quand VCE crot limite les possibilits de recombinaisons lectron-trou et fait
crotre trs lgrement . Mais si par exemple varie de 0,995 0,996 alors varie de 200
250.
La valeur leve de justifie les deux approximations suivantes souvent utilises dans les
calculs :
IB << IC IE IC
IB tant fois plus faible que IC , on peut considrer en premire approximation que la
puissance dissipe dans le transistor est : P = VCE.IC.
Si la temprature augmente ICE0 crot et tout le rseau se translate vers les IC croissants. IC
augmentant, la puissance dissipe au niveau du collecteur crot et la temprature du transistor
augmente : si on ne limite pas ce phnomne cumulatif, le transistor peut tre dtruit par
emballement thermique.
# Rseau de transfert en courant
Cest le rseau IC = f(IB) avec VCE comme paramtre (coefficient H21).
Ce rseau est constitu par un ventail de courbes presque linaires passant par le point
IB = 0 et IC = ICE0. (IC = .IB + ICE0).
# Rseau dentre
Cest le rseau IB = f(VBE) avec VCE comme paramtre (coefficient H11-1).
Ds que VCE est suprieur 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues car
linfluence de la tension de sortie sur le courant dentre est ngligeable. La courbe est
identique la caractristique dune diode qui est constitue par la jonction base metteur.
Pour un transistor au silicium, VBE varie trs peu et reste voisin de la tension de seuil de la
jonction base-metteur soit 0,65 V.
# Rseau de transfert en tension
Cest le rseau VBE = f(VCE) avec IB comme paramtre (coefficient H12).
On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension dentre.
h12 i B
.
h 22 v CE
Les paramtres hij de cette matrice hybride sont les drivs des paramtres Hij au voisinage
du point de fonctionnement tudi.
IC
( h11 en , IC en mA)
iB
h11
vBE
vCE
h12 .vCE
E
1
h22
h21 .iB
iB
vBE
iC
h11
vCE
h21 .iB
iB
iE
iC
Fig. 9
"
s=
iC
h
21
v BE h11
5 Conclusions
Pour un transistor bipolaire polaris correctement (VE < VB < VC pour un NPN), les
courants base et collecteur sont relis par la relation : IC = .IB ; les variations des courants
base et collecteur sont relies par : iC = h21.iB . Les valeurs statique et dynamique h21 du gain
en courant sont voisines.
Le gain varie avec le courant collecteur et avec la temprature (dans un rapport pouvant
atteindre 5 ou 6 dans les cas dfavorables).
La rsistance dentre diminue avec le courant collecteur. De lordre de 1 k pour un
transistor petits signaux elle est seulement de lordre de la dizaine dohms pour les
transistors de puissance. La rsistance de sortie est relativement grande ( 20 k) et on peut
souvent la ngliger dans les calculs sans commettre une erreur importante.
Les relations IC = .IB et IB ISat.exp(e.VBE / kT) donnent la dpendance entre le courant
collecteur et la tension dentre.
Quand VBE crot de 60 mV, IC est multipli par un facteur 10 !
"
Au voisinage du point de fonctionnement, on peut considrer la tension basemetteur comme constante et gale un seuil de diode soit 0,65 V pour un
transistor au silicium.
Base p (0,7m)
Collecteur n
Substrat p
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