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Una ltima cosa: la diferencia entre un conductor y un aislante es simple: los conductores
son como caos previamente llenados con agua, mientras que los aislantes son como
caos llenos de hielo. Ambos contienen la "cosa elctrica"; conductores y aislantes estn
ambos llenos de partculas cargadas elctricamente. Pero la "cosa" dentro de un aislante
no puede moverse. Cuando aplicamos una diferencia de presin a traves de un cao con
agua, el agua fluye. Pero con un cao vaco, como no hay nada que fluya, no sucede
nada. Y con un cao lleno de hielo, la "cosa" est atrapada y no puede desplazarse. (En
otras palabras, el voltaje causa flujo de cargas en los conductores, pero no puede hacerlo
en los aislantes porque las cargas estn inmovilizadas). Muchos libros de texto tienen sus
definiciones equivocadas. Definen un conductor como algo a travs de lo cual puede flur
carga, y aislante supuestamente son los que bloquean las cargas. Nop.El aire y el vaco
no bloquean las cargas, y sin embargo son buenos aislantes! De hecho, un conductor es
algo que contiene cargas mviles, mientas un aislante carece de ellas. (Si un libro tiene
equivocada esta idea fundacional, gran parte de sus explicaciones posteriores se
construyen en una pila de basura, por lo cual colapasar).
Una ltima cosa ms antes de meternos de lleno en los transistores. El Silicio es muy
diferente al metal. Los metales estn llenos de cargas mviles... al igual que el silicio
dopado. En qu se diferencian?. Seguro, est ese tema del "Band Gap" y la diferencia
entre electrones versus huecos, pero eso no es lo importante. La diferencia importante es
bastante simple: los metales tienen grandes cantidades de carga mvil, pero el silicio no.
Por ejemplo, en el cobre, todos y cada uno de los tomos de cobre dona un electrn
mvil al "mas de cargas". El "fludo elctrico" es muy denso, tan denso como el metal de
cobre. Pero en el silicio dopado, slo un tomo en un billn (un milln de millones) dona
una carga mvil. Solocio es como un gran espacio vaco con una ocasional carga
movindose. En el silicio, uno puede barrer todas las cargas fuera del material usando
unos pocos voltios de potencial, mientras en un metal requerira billones de voltios para
lograr el mismo resultado. O en otras palabras:
Barrer las cargas en un material es lo mismo que convertir ese material de ser un
conductor a ser aislante. Si el silicio es como una manguera de goma, sera una
manguera que contiene un gas compresible. Podemos fcilmente apretarla hasta cerrarla
y cortar el flujo. Pero si el cobre fuera tambin como una manguera, estara en cambio
llena de perdigones de acero. Uno podra apretar y apretar pero no se puede apartarlos
del lugar. En cambio con las mangueras de aire y el silicio incluso una pequea presin en
los costados corta el paso y el flujo.
OK, vamos a ver la forma en que los transistores son explicados usualmente.
Para encender un transistor NPN, un voltaje es aplicado a travs de los terminales de
Base y Emisor. Esto causa que los electrones en el cable de Base se alejen del transistor y
fluyan hacia la fuente de poder. Esto arrastra o jala electrones desde el material tipo P de
la Base, dejando "huecos", y los "huecos" actan como cargas positivas que son
empujadas en sentido opuesto al flujo de electrones. Lo que PARECE suceder es que el
cable de Base inyecta cargas positivas en la regin de Base. Escupe huecos. inyecta
carga.
(Ntese que estoy describiendo flujo de carga aqu, no "corriente convencional" de cargas
positivas.)
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| COLECTOR N |
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| BASE
P |______________
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| +
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| EMISOR
N |
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LOS ELECTRONES
REGIN DE BASE
LO QUE PRODUCE
COMO SI FUERAN
DE BASE POR LA
SON JALADOS DE LA
HACIA EL CABLE,
"HUECOS" POSITIVOS
ESPARCIDOS EN LA REGIN
BATERA.
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| COLECTOR
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| n-dopado
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| BASE
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|-| p-dopado
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| EMISOR
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| n-dopado
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\
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> lleno de electrones errantes libres
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/
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> lleno de "huecos" errantes libres
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/
\
|
> lleno de electrones errantes libres
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/
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| COLECTOR N |
|_____________|
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| BASE
P |-|_____________|
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<-- "capa de agotamiento" aislante
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| EMISOR
N |
|_____________|
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Los electrones en el silicio tipo P actan como una fila de baco casi lleno de bolitas. Los
"huecos" es como la brecha entre bolitas. Al mover una bolita hacia adelante, el "hueco"
entre ellas es como si se moviera hacia atrs. Al tocar el silicio P con el tipo N, los
electrones errantes en el tipo N caen en los huecos. Adems, los huecos en la regin tipo
P de la Base fluyen entre los electrones mviles del silicio tipo N del Emisor y muchos son
cancelados. Los huecos tragan electrones, y esto deja una fina regin entre las regiones
N y P que carece de cargas mviles.
Recuerden: un conductor no es una sustancia que permite el paso de cargas. (No olvidar
el N3 arriba). En realidad un conductor es cualquier sustancia que contiene cargas
mviles. Cualquier cosa que carezca de cargas mviles es un aislante. Dentro de la capa
de agotamiento todas las cargas opuestas se juntaron y anularon. Las brechas en el
baco ya no existen, de manera que las bolitas no pueden moverse. Sin cargas mviles,
el silicio se ha vuelto un aislante. Cuando no hay voltaje aplicado a traves de los
terminales de Base y Emisor, esta capa crece en espesor y el transistor acta como un
interruptor que ha sido apagado.
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| COLECTOR N |
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|_____________|
> Metal conductivo brillante
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| BASE
P |-/
|_____________|
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<-- "capa de agotamiento" cristalina
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| EMITTER N |
> Metal conductivo brillante
|_____________|
/
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Cuando se aplica voltaje entre la Base y el Emisor, esta capa de aislamiento cambia de
espesor. Si un voltaje (+) se aplica al tipo P por el cable de Base, mientras un voltaje (-)
se aplica al tipo N por el cable del Emisor, los electrones en el tipo N son empujados hacia
los huecos en el tipo P. La capa de aislamiento se vuelve tan fina que las nubes de
electrones y huecos empiezan a verse y combinarse. Una corriente existe entonces en el
circuito Base-Colector. Pero esta corriente no es importante para la accin del transistor.
Lo que es importante notar es que es el *VOLTAJE* a travs de Base-Emisor lo que causa
el adelgazamiento de la capa de agotamiento hasta que las cargas pueden fluir a travs
de ella. Esto es como si fuera que el transistor contiene una capa de cristal cuyo espesor
puede variar al alterar el voltaje. La capa se vuelve mas fina cuando el voltaje es
aumentado. Esto sucede porque el voltaje empuja a los elelectrones y huecos unos contra
otros, reduciendo el tamao de la regin aislante entre las nubes de huecos y electrones,
permitiendo el paso de algunos. La capa de agotamiento es un interruptor controlado por
voltaje, que cierra el circuito cuando la correcta polaridad es aplicada. Adems es un
interruptor proporcional, ya que un voltaje pequeo puede cerrarlo slo parcialmente.
Para el silicio, las cargas comienzan a pasar cuando el voltaje es alrededor de los 0,3v.
Elevar el voltaje a 0,7v provoca que la corriente sea muy alta. (Esto es para el silicio.
Otros materiales pueden tener diferentes voltajes de encendido). A mayor voltaje, ms
fina es la capa de agotamiento, por lo cual una corriente mayor puede circular por el
transistor. Aplicando el voltaje correcto, podemos adelgazar o engrosar la capa de
agotamiento a voluntad, creando un interruptor cerrado, abierto o parcialmente abierto.
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Hhhhnnn
,
,,
,
Jjj
Oo
O
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| COLECTOR N |
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| BASE
P |______________
|=============|
| +
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| EMISOR
N |
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OK, todo lo que sabemos est mal, y los transistores no son realmente "amplificadores de
corriente". En cambio, el voltaje de base es lo importante, no la corriente de base.
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| COLECTOR N |
|_____________|
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| ---- >
| BASE
P |____________
|=============|
| +
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| EMISOR
N |
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Batera de
Base
.5V
As que la batera de Base enciende el "interruptor" del transistor, y eso deja a la batera
de 9v del Colector dirigir un gran flujo de cargas verticalmente a travs de toda la cosa.
Qu uso tiene el silicio del Colector? El voltaje de la batera del Colector no
sobrepasara cualquier control de la Base? Y por qu tenemos TRES segmentos de
silicio? Acaso la segunda Capa de agotamiento no apagara todo? Y por qu no
conectamos el cable superior a la Base directamente?
Las respuestas estn en la ltima de estas preguntas. Si nos libramos del Colector,
accidentalmente estaramos conectando las dos bateras juntas, ya que el silicio es un
buen conductor. Terminaramos teniendo un diodo en lugar de un transistor (ver abajo).
Las bateras pelearan entre s, y el diodo actuara simplemente como un cortocircuito
entre las dos bateras.
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EST TODO CIRCUITADO
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SE CALIENTA Y HECHA HUMO
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.Batera del |
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. Colector |
+
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| BASE
P |
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|=============|
| +
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9V
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| EMISOR
N |
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|_____________|
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| ES UN DIODO PN
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Batera de
Base
.5V
Ntese que la batera del Colector est aplicando un voltaje de polaridad (+) al Colector,
pero el colector es un silicio tipo N. No est esto al revs? No habra toda una nueva
Capa de agotamiento formndose entre el Colector y la Base? S! Y como estamos
usando una batera de 9v para jalar de los huecos mviles en el silicio tipo P lejos de los
electrones en el tipo N, esta Capa de agotamiento ser una bastante gruesa. Debera
actuar como un interruptor apagado, no?. Lo hace... pero no lo hace. Yo personalmente
pienso que esta es la parte mas extraa del accionar de un transistor, y me tom un buen
tiempo antes de que mi cerebro dejara de rechazar la rareza para poder "ver" todo
sucediendo al mismo tiempo.
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.Batera del |
| COLECTOR N |
. Colector |
+
|_____________| gruesa "capa de agotamiento"
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| BASE
P |
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|=============|
| +
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9V
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| EMISOR
N |
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Batera de
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_________ Base
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.5V
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OK, esta nueva Capa de agotamiento previene que la batera del Colector afecte al resto
del transistor. Si aumentamos el voltaje de esa batera de 9v, la capa de aislamiento
entre base y Colector simplemente se engrosa, y los segmentos Base-Emisor debajo del
Colector nunca sienten la fuerza del voltaje de la batera. Si, la "superficie superior" del
segmento de Base en la capa de agotamiento superior s siente la fuerza, pero el resto
del circuito no. (Es como acercar un globo altamente cargado a una linterna. nada le
sucede al flujo de cargas en el circuito de la linterna).
SIN EMBARGO!
Puesto que la batera de Base ya ha adelgazado la Capa de agotamiento aislante del
Emisor, oleadas de electrones mviles pueden pasar del Emisor y subir hacia el segmento
de Base. Slo unos pocos realmente fluirn arriba hacia la base, ya que se causara un
embotellamiento si el cable de Base no fuera capaz de chuparlos inmediatamente hacia
afuera. (O mas precisamente, si los electrones en la Base no se van nuevamente; y no
son cancelados por huecos, entonces cada electron extra que ingrese al segmento de
Base lo cargara negativamente, y esta carga repelera nuevos electrones que pudieran
llegar desde el Emisor).
As que ahora tenemos una escasa nube de unos pocos electrones entrando en el silicio
tipo P de la seccin Base desde abajo, y algunos de esos electrones suben hacia la
"superficie superior" del segmento de Base. Qu sucede entonces? Son expuestos de
pronto a la atraccin del voltaje positivo de la batera de 9v.
La Capa de agotamiento superior no acta tanto como una capa aislante de cristal, sino
mas bien como una brecha de aire. Slo es aislante si no hay cargas mviles presentes.
No bloquea el flujo de cargas, pero si no existen cargas ah, el voltaje no puede crear
flujo.
No olvidar que siembre hubo cantidad de huecos en el segmento de Base, pero cualquier
hueco que se atreviera a subir hacia afuera del segmento de Base era empujado hacia
abajo nuevamente por la polaridad positiva de la batera de 9v. (Eso es lo que hace que la
Capa de agotamiento acte como un aislante en principio: repele los huecos de vuelta a
la zona tipo P, y repele los electrones de vuelta a la tipo N). Imaginen que el segmento
del Colector sea un metal conductivo. El segmento de Base tambin sea un metal, y la
Capa de agotamiento sea una brecha de espacio vaco. Entonces sucede la "electricidad
esttica"!.
Hemos cargado positivamente al segmento del Colector. Si arrojamos por ejemplo bolitas
de poliestireno cargadas negativamente en el espacio vaco, sern chupadas hacia arriba.
Bueno, los pocos electrones errantes en el segmento de Base actan JUSTAMENTE como
bolitas cargadas negativamente, y si deben subir hasta la superficie del segmento de
Base, ah irn. Sern chupados a traves de la brecha hacia el Colector y luego forzados
por el resto del circuito del Colector. Esto slo puede pasar si llegan hasta la "superficie
superior" del segmento de base. Cuando estn dentro del segmento de Base, sta acta
como un escudo de metal conductivo, y los electrones errantes no "ven" el fuerte campo
atractivo que proviene del segmento del Colector.
Algunos electrones suben y se escapan de la Base. Esto alivia el "embotellamiento"! La
regin de Base pierde algunos electrones hacia arriba. Ni bien el Colector cargado
positivo recibe esos electrones escapados, ms electrones pueden finalmente colarse
desde abajo... lo que provoca aumento en los electrones errantes que se escapen hacia
arriba, y as sucesivamente. Un flujo de cargas bastante enorme aparece en direccin
vertical.
El efecto "embotellamiento" as como la accin de vlvula de la fina Capa de agotamiento
entre Base y Emisor se alan para controlar la corriente vertical principal a traves de todo
el transistor. Cualquier electrn que se escabulle a traves de la muy fina Capa de
agotamiento puede tambin escabullirse a travs del fino segmento de Base y terminar
convirtindose en parte del gran flujo de carga en el circuito de la batera del Colector. El
voltaje de la batera de Base controla el espesor de la fina Capa de agotamiento, y esto
controla la cantidad de electrones que se vierten en el Colector. La batera del Colector
provee la "succin" que impulsa la corriente vertical principal. Pero si cambiamos el
voltaje de la batera del Colector, el flujo de cargas vertical no cambia. La batera del
Colector solamente atrae a los electrones que le son entregados. No puede alterar la
corriente del Colector. Esta es una situacin interesante conocida como "fuete de poder
de corriente constante".
Ntese que es importante hacer el segmento de Base bastante fino, para maximizar el
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| EMISOR
N |
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Batera de
Base
.7V
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As que, esta explicacin fue muy larga y desagradable?. Ciertamente sera ms fcil si
todos los autores de libros de texto tuviesen una mejor idea de cmo funcionan los
transistores. Sera ms fcil si dejaran de decirle a la gente que los transistores
"amplifican corriente". Y ciertamente sera ms fcil si levantara mi trasero y crease
algunas animaciones para ilustrar este texto!