UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. Facultad de Ingeniera. Electrnica Anloga.

El transistor Mosfet: Aplicacin en circuitos

digitales y caracterizacin
Boyac. Yeison; Rosas. Jhonatan; Sierra, Michel.
yaboyacac@unal.edu.co; jhfrosaspi@unal.edu.co; mfsierrat@unal.edu.co
Abstract The transistor Mosfet as an
electronic element presents some regions for its
characterization, in the case of the circuits which
were done in the practice; the Mosfet worked in
two regions: linear region and saturation or active
mode. There will be demonstrated that the linear
region works with the linearity of Ohm's law and
in the saturation mode, we will not see the change
of the current because of its little variations.
Along the document, you will be able to observe
the function of a transistor Mosfet with the help of
graphs and simulations. In this work will be
observed using some circuits as: logical gates,
Mosfet in linear region and current sources.
Key words Current source, Logical gates, Mosfet,
N-Channel Mosfet, Truth table.
Palabras clave Canal tipo N, Compuertas lgicas,
Fuente de corriente, Tabla de verdad, Transistor
Mosfet.
I.

Introduccin

AS compuertas lgicas es una de las

aplicaciones ms importantes que el transistor
Mosfet nos ofrece, a travs de diferentes
configuraciones de transistores se pueden llegar a
obtener como resultado diversas compuertas como lo
son: NAND, NOR y NOT, asimismo, las variaciones
que se pueden lograr con la combinacin de las
compuertas.
Cabe resaltar que adems de las compuertas
lgicas el transistor Mosfet se caracterizara
identificando principalmente la regin del trodo,
donde se evidenciara la linealidad de la ley de Ohm;
finalmente es importante destacar el funcionamiento
del Mosfet en la regin de saturacin donde lo
podemos utilizar para circuitos similares a fuentes de
corriente.

II. Marco terico

1.

Transistor

El transistor es un componente electrnico

formado por materiales semiconductores que
cumple, bsicamente dos funciones:
Deja pasar o corta seales elctricas a partir de
una pequea seal de mando, es decir, funciona
como un interruptor
Funciona como un amplificador de seales,
toma una seal de entrada y a la salida se ve una
seal mayor.
Un transistor tiene 3 zonas de trabajo, que son:
corte, trodo y saturacin.
En la zona de corte el transistor funciona como
un circuito abierto, es decir, no deja pasar corriente
en ningn sentido, en la zona de trodo, la corriente
que pasa a travs del transistor depende de la seal de
entrada, siendo casi proporcional a esta y por ltimo
en la zona de saturacin, el transistor se comporta
como una fuente de corriente, es decir,
independientemente de la seal de entada la corriente
por el transistor ser la misma. [1]

Figura 1, Esquema de un transistor [2]

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2.

Mosfet

El Mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field

Effect Transistor) su nombre se deriva de la esencia
de su operacin fsica, el Mosfet es el transistor ms
popular ya que en comparacin con el BJT el Mosfet
puede tener tamaos muy pequeos.
El Mosfet de tipo de enriquecimiento es el
transistor de efecto de campo ms utilizado en el
mundo, de enriquecimiento quiere decir que para que
el transistor funcione se debe crear el canal, los
terminales del MOSFET se conocen como: Gate,
Drain y Source, y son los representados por la figura.

Figura 2, Esquema de un MOSFET [3]

Para crear el canal, se asume que se conecta el

drain y el source a tierra y en el gate se aplica una
tensin positiva, de esta forma podemos llamar esa
tensin VGS, el voltaje positivo en el gate ocasiona
que los protones sean repelidos de la regin del
sustrato bajo el gate (regin del canal) los protones
son empujados hacia abajo en el sustrato, por esta
razn los electrones acumulados en el drain son
atrados por la tensin VGS hacia la regin del canal,
conectando as el drain con el source.

Al inducirse un canal se aplica un voltaje

positivo entre el Drain y el Source, VDS, este voltaje
hace que circule una corriente ID por el canal n
inducido, la corriente es llevada por electrones libres
que se desplazan desde el source al drain, pero por
convencin la corriente se mueve en la direccin
opuesta del movimiento de los electrones, por eso se
asimila que la corriente fluye del drain al source, la
magnitud de ID depende de la densidad de electrones
del canal que a su vez depende de la magnitud de
VGS, cuando VGS=VD la corriente que fluye por el

canal es casi despreciable, pero a medida que

aumenta VGS ms electrones son atrados hacia el
canal, generando as un mayor flujo de corriente , por
lo cual se genera un canal de resistencia reducida. [4]

3.

Mosfet de canal tipo N

La Figura 3 muestra la estructura de dos transistores

MOS, tipo N y P respectivamente. El dopaje del
sustrato es opuesto al tipo de portador que origina la
corriente. As, para un transistor tipo N (electrones en
conduccin) el dopaje del sustrato es tipo P. Mientras
que en el transistor tipo P (huecos en conduccin) el
dopaje es tipo N. [5]

Figura 3, Estructura fsica de los Mosfet tipo N y P

[5]
Cuando se aplica una tensin positiva al
terminal de puerta de un MOSFET tipo N, se crea un
campo elctrico bajo la capa de xido que incide
perpendicularmente sobre la superficie del
semiconductor. Este campo atrae a los electrones
hacia la superficie bajo el xido, repeliendo los
huecos hacia el sustrato. Si el campo elctrico es muy
intenso se logra crear en dicha superficie una regin
muy rica en electrones, denominada canal N, que
permite el paso de corriente de la fuente al drain;
cuanto mayor sea la tensin de puerta mayor ser el
campo elctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una
vez creado el canal, la corriente se origina aplicando
una tensin en el drain positiva respecto a la de la
fuente.
En un MOSFET tipo P el funcionamiento es a
la inversa, ya que los portadores son huecos (cargas
positivas de valor el mdulo de la carga del electrn).
En este caso, para que exista conduccin el campo
elctrico perpendicular a la superficie debe tener
sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la
tensin aplicada ha de ser negativa. Ahora los huecos

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son atrados hacia la superficie bajo el xido, y los

electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie
es muy rica en huecos se forma el canal P. Cuanto
ms negativa sea la tensin de puerta mayor puede
ser la corriente (ms huecos en el canal P), corriente
que se establece al aplicar al terminal de drain una
tensin negativa respecto a la de la fuente. La
corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET
tipo N.

lnea gruesa bajo la puerta, que recuerda la existencia

de canal en ausencia de tensin en dicho terminal.

A fin de facilitar la corriente a travs de los

terminales de fuente y drain, bajo ellos se generan
sendas regiones con dopaje elevado, del mismo tipo
que los portadores del canal (regiones N+ y P+). [5]

Figura 5, Smbolos de los Mosfet N y P, de

acumulacin y vaciamiento [5]
La capa de xido bajo la puerta impide que
haya corriente a su travs (esto es estrictamente cierto
en continua y bajas frecuencias, situaciones que
consideraremos). As, la corriente en el terminal de
fuente, IS, coincide con la del drain, ID, por lo que
basta con indicar una sola de ellas. [5]
IG = 0
ID = IS
Figura 4, Funcionamiento de un Mosfet tipo N
de enriquecimiento [5]

III. Metodologa

El transistor MOS es simtrico: los terminales

de fuente y drain son intercambiables entre s. En el
MOSFET tipo N el terminal de mayor tensin acta
de drain (recoge los electrones), siendo el de menor
tensin en el tipo P (recoge los huecos). A modo de
resumen, la Figura 4 muestra el funcionamiento de
un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.

Para poder desarrollar la prctica nmero 7, se

realizaron las debidas consultas para familiarizarse
con los trminos y elementos a conocer.
Buscando la facilidad de llevar a trmino la
prctica, se realizaron tanto las simulaciones como
los montajes de los diferentes circuitos propuestos
en la gua, adems de la conexin necesaria para
usar el transformador con su respectivo fusible.
La prctica estaba diseada para realizarse en tres
partes, el Mosfet en modelo S, en modelo SR y en
modelo SCS, consista en las mediciones de voltaje
y corriente de los circuitos montados y diseados
previamente a la clase.
El desarrollo de la prctica requiri de los siguientes
materiales:

En la Figura 5 se representan los smbolos

utilizados para los MOSFETs en los circuitos;
tambin se indica el sentido de la corriente de drain.
Si los transistores son de vaciamiento se traza una

o 1 Osciloscopio de 2 Canales.
o 1 Generador de seales con resistencia de
salida de 50.
o 1 Multmetro digital.

Si con tensin de puerta nula no existe canal el

transistor se denomina de acumulacin; y de
vaciamiento en caso contrario. Mientras que la
tensin de puerta a partir de la cual se produce canal
se conoce como tensin umbral, VT. El terminal de
sustrato sirve para controlar la tensin umbral del
transistor, y normalmente su tensin es la misma que
la de la fuente.

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o 1 Fuente DC.
o 3 Sondas.
o Conectores caimn- caimn.
o Conectores banana-caimn.
o Transistores
Mosfet
canal
enriquecimiento TC4007.
o Resistencias de 10 y 100k.
o Potencimetro de 10k.
o Diodo 1N4004.
o Led

de

Se
comenz
conectando
los
montajes
correspondientes a las compuertas lgicas NOT,
NAND y NOR comprobando que los circuitos se
comportaran de acuerdo a las tablas de verdad antes
consultadas, se realiz variando la tensin de
alimentacin de la compuerta entre 0 y 5 voltios.
Asimismo con el montaje del inversor Mosfet se
tomaron evidencias de los diferentes valores de
tensin con los que cuenta la funcin de
transferencia.

Posteriormente con el segundo circuito (Mosfet en

la regin Trodo) se realizaron medidas de
corrientes y tensiones donde se evidenciaba el
comportamiento lineal del transistor, para luego
hallar los respectivos valores de las resistencias.

Finalmente en el tercer circuito, la fuente de

corriente se pudo detallar la grfica de corriente en
el drain vs la tensin entre el drain y el source, en el
osciloscopio. El anterior procedimiento se realiz
para 5 valores distintos de la tensin entre el gate y
el source (VGS). Por ltimo se encontraron los
parmetros de funcionamiento del transistor: W, L,
k, a partir de una de las curvas anteriormente
encontradas.

A lo largo del procedimiento (mediciones) se

tomaron evidencias de las salidas para demostrar
que se verificaron cada uno de los montajes.

Simulacin
Circuito compuerta NOR:
Tabla de verdad
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

C
1
0
0
0

IV. Circuitos
Circuito compuerta NOT:
Tabla de verdad
A
0
1

B
1
0

Simulacin

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Circuito compuerta NAND

Circuito fuente de corriente

Tabla de verdad
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

C
1
1
1
0

Simulacin
V. Tablas y resultados

Simulacin
Circuito inversor Mosfet
Corresponde al mismo circuito de compuerta
NOT, con la misma tabla de verdad. Segn el
datasheet u hoja de datos tcnicos las tensiones del
circuito corresponden a:

VOL = 0,05 V
VOH = 4,95 V
VIL = 1,0 V
VIH = 4,0 V
La funcin de transferencia que permite hallar los
anteriores valores es la siguiente:

Simulacin

Para la realizacin de la prctica se realizaron los

respectivos montajes se evidencio que las tablas de
verdad se cumplan a cabalidad, asimismo se
evidencio como las compuertas realizadas cumplen
con una funcin de entrada tipo escaln unitario ya
que est variando en trminos generales en encendido
y apagado, o sea entre 5V (se asume como 1 en
binario) y 0 (0 en binario) V respectivamente.
Finalmente las diferentes compuertas lgicas nos
brindan la posibilidad de formar el resto de
compuertas lgicas aunque en trminos prcticos no
es muy conveniente puesto que el resto de compuertas
ya vienen fabricadas en CI igual que las usadas para
esta parte de la prctica.
A travs del osciloscopio se obtuvo la siguiente
funcin de transferencia de all se pudo obtener los
valores de las respectivas tensiones:

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Mosfet regin Trodo

4

IDS (mA)

3
2
1
0
0

Grfica 1, Funcin de transferencia circuito inversor

Mosfet
Los valores para el circuito montado son:

VOL = 0,1 V
VOH = 4,8 V
VIL = 0,9 V
VIH = 3, 7 V

VG (V)

Circuito Mosfet como fuente de corriente

La grfica de ID vs VDS se obtuvo la siguiente
imagen en el osciloscopio, cabe aclarar que fue la
forma general antes de ajustar el osciloscopio al eje X
y Y:

Al comparar los datos de la hoja tcnica con los

hallados se observa que existen diferencias aunque su
variacin no es significativa ya que estamos hablando
de decimales en tensiones.
Circuito regin trodo
Se evidencio mediante las distintas mediciones que la
resistencia ON que se deba aproximar a 40 alcanzo
un mnimo de aproximadamente 90 en una tensin
de 0,2V y con una corriente de 2,028mA debido a la
poca exactitud que presentan los equipos de
suministro (Fuentes de tensin) adems de ello se
evidencio que la resistencia en estado OFF la cual
segn requerimientos debera aproximarse a 5M y
su valor por la poca exactitud que nos brinda el
multmetro en este caso el valor de la resistencia es de
165k con una tensin de 2,4V a una corriente de
0,0147mA. Para delimitar la regin de
funcionamiento Trodo del Mosfet se obtuvo la
siguiente tabla, la cual nos permite halla la regin:
VG (V)
0,2
0,8
1,2
1,5
1,8
2,1
2,4

IDS (mA)
2,0280
1,5450
1,2870
0,9860
0,7380
0,4140
0,0147

Ya ubicadas las grficas en el eje X y Y se obtuvieron

para los valores:

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12 Voltios

7 Voltios

VD

VD

ID (mA)

ID (mA)

Cuando el Mosfet opera en regin de saturacin la

corriente Id est dada por:

10 Voltios

VD

( )2
2

Ya que se conoce ID podemos reemplazar y a partir de

ello obtenemos que Kn (W/L) es aproximadamente
1.16 mA/v2.
VI. Respuestas a las preguntas
sugeridas

ID (mA)

Qu consideraciones puede hacer acerca de la

funcin de transferencia del inversor MOSFET?
La funcin de transferencia del Mosfet se puede
asimilar a una funcin de escaln unitario donde se
maneja un sistema binario comprendido entre 0 y 1,
esta funcin se determinara porque 0V es 0 y 5V es 1
as que valores cercanos en ms de 3V
aproximadamente se puede considerar 1 en la funcin
del escaln unitario. Finalmente se comprende que la
funcin de transferencia es el resultado contrario de
la tensin suministrada.

9 Voltios

VD

ID (mA)

Qu funcin cumple la fuente triangular? Puedo

cambiarla por otra forma de onda?
El cambio de tensin del Drain debe ser lo ms
lineal y uniforme posible por ello la fuente se utiliza
con forma de onda triangular para obtener una curva
caracterstica ms propia y acorde al circuito.
Qu hace el diodo en el circuito?
El diodo se encarga de rectificar la seal
triangular AC para as obtener un valor positivo.

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Dicho valor debe ser mayor al encontrado en el

voltaje del terminal source para de esta manera
obtener la curva caracterstica del Mosfet de la
manera ms adecuada y en la regin requerida para el
circuito (Saturacin).
Puedo calcular el VDS e ID a partir de las
mediciones?
Las mediciones de VDS e ID se realiza mediante la
medicin de los dos canales, en el canal 1 se mide el
voltaje en el Drain mientras que en el canal 2 se mide
el voltaje sobre la resistencia de 100, partiendo del
hecho que la corriente se puede calcular en cualquier
momento como la relacin entre el voltaje en la
resistencia y el voltaje en el Drain.
Qu funcin cumple el potencimetro en el terminal
del Gate?
El potencimetro regula la tensin VGS y se vara
para verificar que la corriente permanece constante en
zona de saturacin (del Transistor), en trminos
prcticos se puede inferir que el potencimetro nos
brinda la curva caracterstica del Mosfet ya que al
tener una variacin y realizar mediciones como el
voltaje umbral, la corriente ID adems de esto nos
permite conocer las condiciones con las que se
realizan los diferentes clculos del transistor
Kn(W/L).

las compuertas y la electrnica digital es el

transistor Mosfet.
3.

Evidenciamos que en el transistor la zona de

trodo nos permite asimilar el comportamiento
de dicho elemento como una resistencia normal,
debido a que se cumple la linealidad que en el
caso de la resistencia estar determinada por la
ley de Ohm, para el caso del transistor aunque
se observe que es lineal la relacin cambia de
acuerdo al tipo de transistor y caractersticas en
el que se encuentre el circuito.

4.

Se pudo apreciar como mediante una

configuracin sencilla el transistor puede llegar
a ser utilizado para realizar una fuente de
corriente, siempre y cuando est en la zona de
saturacin para que dicho comportamiento se
conserve. Cabe aclarar que aunque llega ser una
fuente de corriente no es de caractersticas muy
buenas respecto a otras alternativas que existen
en la electrnica.

VIII. Publicaciones
Este informe se encuentra publicado en la pgina
web: http://tatanrosas.jimdo.com/unal/publicaciones
IX. Referencias

VII. Conclusiones
1.

2.

Se evidencia que la curva caracterstica del

transistor Mosfet cuenta con tres regiones:
Corte, cuando la tensin VGS es menor al voltaje
umbral Vt , de Trodo cuando VGS es mayor que
Vt y la tensin drain es menor a la tensin gate
y por ltimo la zona de saturacin cuando el VGS
es mayor al Vt y a su vez la corriente se hace
independiente del voltaje entre el drain y el
source.
Mediante el transistor Mosfet se pueden
realizar circuitos que asimilen la variedad de
compuertas lgicas existentes, a travs, de
diferentes configuraciones de los transistores.
Por lo anterior se puede afirmar que la base para

[1] Resumen de la teora de funcionamiento de un

transistor,
SDA,
SFP,
http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES
/EL%20TRANSISTOR.htm
[2] Imagen
obtenida
de
http://www.iesjuandelacierva.com/paginade/iva
n/hardware3.html
[3] Imagen
obtenida
de
http://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/semiconducto
rs/mosfet.php
[4] Resumen de la teora del funcionamiento del
MOSFET, Microelectronics Circuits, A. Sedra,
K. Smith, 8th ed. Oxford. 2012, Captulo 5.
[5] Transistor Mosfet Captulo 4, SDA, SFP,
http://hispavila.com/blog/wpcontent/uploads/2015/08/transistor_mos_cap4.p
df