Existen dos tecnologias establecidad para el diseo de circuitos integrados:

la BJT y la CMOS, que utilizamos NMOS y PMOS. Cada tipo tiene ventajas
desventajas especificas. Una tecnologa de reciente Aparicion, que se
conoce como tecnologa BiCMOS, utilizando el proceso bipolar-CMOS
(BiCMOS) y combina MOSFET de canal n y de canal p junto con BJT de tipo
npn o pnp (o, aveces, ambos) sobre la misma pastilla de semiconductores.
El circuito BiCMOS aprovecha la ventajas de cada tipo para proporcionar las
funciones de circuito deseadas.
Primero se estudiaran los amplificadores bsicos con BJT, con una carga
activa similar a la del semicircuito de un par diferencial BJT. La resistencia
de salida esta dada por.
Ecuacin 1

Donde VA es el voltaje Early. Normalmente, VA = 50 V e Ic = 5A, por lo que

ro = 50/(5 A) = 10M. suponiendo que la carga de la fuente de corriente
tiene una resistencia infinita, la ganancia en voltaje esta dada por:

Ecuacin 2

Ilustracin 1

Que es independiente de la corriente de polarizacin I C. ya que, a

temperatura ambiente VA=50V y VT=25.8 mV, la ganancia intrnseca de un
amplificador BJT es Ad=-1938 V/V. la resistencia de entrada es>
Ecuacin 3

Que generalmente es baja. Normalmente F=60 e Ic=5A, por lo que

R1=60x25mV / 5A=300k. aunque el hecho de reducir el valor de I C
incrementara Ri, esto disminuye la gm del transistor y, por tanto, el limite
superior de frecuencia del amplificador ---esto es, la fT de la ecuacin.
Ahora se considerara el amplificador MOSFET que se muestra:
La resistencia de salida esta dada por.
Ecuacin 4

Donde VM es el voltaje de modulacin del canal. Normalmente V A=20V e

ID=5A, por lo que ro=20/(5A)=4M. suponiendo que la carga de la fuente
de corriente tiene una resistencia infinita, la ganancia en voltaje esta dada
por.

Ecuacin 5

Por tanto, la ganancia es inversamente proporcional a

, y se

incrementara conforme disminuya la corriente de polarizacin. Sin embargo,

la reduccin de la corriente de polarizacin de cd disminuye el ancho de
banda del amplificador. Por ejemplo, ID=5A, VM=20V y Kp=25A/V2, Ad=-89.
El resumen, para el mismo valor de corriente de polarizacin I D, los valores
de gm y de ro son muchos ms grandes para un amplificador BJT que para un
amplificador MOSFET---comnmente es .5 veces--. El V A de un amplificador
BJT (50V) es superior al VM de MOSFET (20V). la ganancia en voltaje de un
amplificador BJT es ms grande que la de un amplificador MOSFET en un
factor de 10, aproximadamente. No obstante, un amplificador MOSFET tiene
una resistencia de entrada prcticamente infinita.

AMPLIFICADORES BICMOS
El amplificadores BiCMOS combina las mejores caractersticas de los
amplificadores BJT y MOSFET. Estn formado por conexiones de tipo cascode
BJT y MOSFET. El semicircuito bsico para la configuracin BiCMOS se
muestra.

Ecuacin 6

MOSFET M1 actua como dispositivo excitador, y el BJT Q 1, como carga. La

configuracin cascode. El BJT Q1 actua como disositivo excitador, y el

MOSFET M1 y el BJT Q2 actuan como carga. Un amplificador BiCMOS; este

amplificador es idntico al amplificador CMOS. Como su abreviatura lo
indica, el espejo de corriente en un BiCMOS en bipolar, en lugar de unipolar,
como en el caso de los dispositivos MOS. Los transistores M 1 y M2 son los
dispositivos amplificadores. El transistor Q4 actua como carga del M2. La
resistencia del salida Ro es la combinancion en paralelo de la resistencia de
salida ro2=2VM/IQ para el transistor M2, y la resistencia de salida ro4=2VA/IQ
para el transistor Q4. Esto es,
Ecuacin 7

La ganancia en voltaje diferencial Ad esta dada por

Ecuacin 8

Donde gm, que es la transconductancia del MOSFET excitador M 2,

sustituyendo (ro4 II ro2)=2VAVM/IQ(VA + VM) y gM=

2 K p I

en la ecuacin

anterior, se obtiene
Ecuacin 9

Ya que ro4>ro2, Ro y Ad sern mayores en un amplificador BiCMOS que en un

amplificador CMOS.