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01/10/2013

EL DIODO

01/10/2013

Qu es?

Es un componente electrnico de dos terminales que permite


la circulacin de corriente elctrica a travs de l en un slo
sentido.
Un diodo se forma al unir un semiconductor tipo p con otro
de tipo n, ambos construidos a partir de la misma base: Si o
Ge. Las terminales del diodo se unen a cada regin.
El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una
unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar.

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Construccin

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal


n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, estas corrientes
aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que
recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento
va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados
de la unin
Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar
detenindolos.

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Construccin

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de


tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de
0,7 Ven el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio,
suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est
mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

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Funcionamiento

Polarizacin: aplicacin de un voltaje externo


a travs de las dos terminales del dispositivo
para extraer una respuesta.
Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de
un diodo semiconductor, el flujo neto de carga
en una direccin es cero, es decir, la corriente
en condiciones sin polarizacin es cero.

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Funcionamiento
Sin polarizacin (VD = 0V):

Cualesquiera portadores minoritarios (huecos) del material tipo n


localizados en la regin de empobrecimiento por cualquier razn pasarn
de inmediato al material tipo p.
Los portadores mayoritarios del material tipo n (electrones) deben vencer
las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo n y
el escudo de iones negativos en el material tipo p para poder pasar al rea
ms all de la regin de empobrecimiento del material tipo p.
El nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n
que invariablemente habr un cierto nmero de portadores mayoritarios
con suficiente energa cintica para que atraviesen la regin de
agotamiento hacia el material p.

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Funcionamiento
Sin polarizacin (VD = 0V):

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Funcionamiento
Polarizacin en directa (VD > 0V):

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Funcionamiento
Polarizacin en directa (VD > 0V):

Efecto: reduccin del ancho de la regin de agotamiento debido a la


recombinacin de los electrones (material tipo n) y huecos (material tipo
p) con los iones prximos al lmite.
El flujo de portadores minoritarios no cambia de magnitud.
Produccin de un intenso flujo de portadores mayoritarios a travs de
la unin.
Conforme se incrementa la magnitud de polarizacin aplicada, el ancho de
la regin de empobrecimiento continuar reducindose, produciendo
un crecimiento exponencial de la corriente.
Cuando la polarizacin aplicada es mayor que la diferencia de potencial
en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren
la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

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Funcionamiento
Polarizacin en directa (VD > 0V):

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la


zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia.
Este electrn de valencia es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual
se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
Con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una
corriente elctrica constante hasta el final.

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Funcionamiento
Polarizacin en directa (VD > 0V):

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Funcionamiento
Polarizacin en inversa (VD < 0V):

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Funcionamiento
Polarizacin en inversa (VD < 0V):

Efecto: mayor apertura en la regin de empobrecimiento, crendose una


barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce a cero.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n,
dejando a los tomos donadores de electrones con una carga elctrica neta
de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
De forma similar, el polo negativo de la batera cede electrones libres a los
tomos aceptores de la zona p, stos caen dentro de los huecos de los
tomos aceptores quienes adquieren una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

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Funcionamiento
Polarizacin en inversa (VD < 0V):

El nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de


empobrecimiento no cambia, produciendo un flujo de portadores
minoritarios de la misma magnitud que en el caso sin polarizacin.
A su vez, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrnhueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del
orden de 1 A).
Esta corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama
corriente de saturacin en inversa, representada por Is.
Caractersticas de Is:

No es mayor a unos cuantos microamperes.


Alcanza su nivel mximo con rapidez.
No cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacin
en inversa.

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Funcionamiento
Polarizacin en inversa (VD < 0V):

Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de


fugas la cual, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo.
En la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes
tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad.
Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n
como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fuga es despreciable.

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Funcionamiento
Polarizacin en inversa (VD < 0V):

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Funcionamiento

Video

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Curva caracterstica
V Tensin umbral de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no
polarizado
Imax Corriente mxima que puede conducir
el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es funcin de la cantidad de
calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.
IS Corriente inversa de saturacin, pequea
corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formacin
de pares electrn-hueco debido a la
temperatura.
Vr Tensin de ruptura, tensin inversa
mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.

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Curva caracterstica

Regin Zener

En la grfica V-I del diodo existe


un punto donde la aplicacin de un
voltaje
demasiado
negativo
producir un cambio abrupto de
las caractersticas tpicas.
La corriente se incrementa muy
rpido en una direccin opuesta a
la de la regin de voltaje positivo.
El potencial de polarizacin en
inversa que produce este cambio
de las caractersticas se llama:
Potencial Zener, cuyo smbolo es
VZ.

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Curva caracterstica
Regin Zener

Al incrementar el voltaje en la regin de polarizacin inversa, se


incrementa la velocidad de los portadores minoritarios generadores de la
corriente IS.
Estos portadores logran adquirir una mayor velocidad y por tanto
aumentan su energa cintica asociada (Wk=1/2mv) volvindose suficiente
para liberar ms portadores por colisiones con otros tomos que de otra
forma seran estables.
Al chocar estos portadores con electrones de valencia pueden provocar su
salto a la banda de conduccin. Al ser liberados, a su vez, se aceleran por
efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez.

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Curva caracterstica
Regin Zener

Los diodos que emplean esta parte nica de la caracterstica de una unin
p-n (regin zener) se llaman: diodos Zener.
El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes
de entrar a la regin zener se llama voltaje inverso pico (valor PIV) o
voltaje de reversa pico (valor PRV).

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Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

El punto de levantamiento vertical


de las caractersticas es diferente
para cada material, aunque la forma
general de cada una es muy
semejante.

Los voltajes de rodilla (Vk) se


presentan a continuacin:

Semiconductor

Vk(V)

Ge

0.3

Si

0.7

GaAs

1.2

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Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

La forma de la curva en la regin de


polarizacin inversa es parecida para
cada material.

Diferencia significativa
magnitudes de Is.

en

Semiconductor

Is

Ge

1A

Si

10pA

GaAs

1pA

las

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Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

Las magnitudes relativas a los


voltajes zener para cada material son
distintas.

Semiconductor

VZ

Ge

100V-400V

Si

50V-1kV

GaAs

10%+Si

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Desvo de la condicin ideal del diodo


semiconductor de Si.
Aumento del voltaje debido
a la presencia de resistencia
de cuerpo interna y
resistencia de contacto
externa de un diodo.

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Funcionamiento

Las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir


mediante la ecuacin de Shockley, para las regiones de polarizacin
directa, inversa y cero:

I D I S eVD / nVT 1 ( Amperes)

Donde:

IS es la corriente de saturacin en inversa.


VD es el voltaje en polarizacin directa aplicado a travs del diodo.
n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las condiciones de
operacin y construccin fsica (vara entre 1 y 2).
VT se llama al voltaje trmico y est determinado por:

kT
VT
Volts
q

k es la constante de Boltzmann = 1.38E-23 J/K.


T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + C.
q es la cantidad de carga del electrn = 1.6E-19 C.

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Funcionamiento

Valores positivos de VD:

I D I S eVD / nVT

Valores negativos de VD:

I D IS

Valor cero de VD:

I D I S e 0 1 I S 1 1 0

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El diodo ideal
1.

2.

Permite un flujo abundante de carga cuando se establece una polarizacin


en directa.
Permite un nivel muy pequeo de corriente (casi cero) cuando la
polarizacin es en inversa.

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El diodo ideal

Para describir el comportamiento del diodo semiconductor se utiliza la


analoga con un interruptor mecnico, ya que el diodo puede controlar el
flujo de corriente entre sus dos terminales.
El diodo se diferencia del interruptor en el sentido de que cuando ste se
cierra slo permite que la corriente fluya en una direccin.
A cualquier nivel de corriente sobre la lnea vertical, el voltaje a travs del
diodo ideal es de 0V y la resistencia es de 0.
En la lnea horizontal, la corriente es de 0mA y la resistencia es de .

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El diodo ideal

Por la forma y ubicacin de la


curva del diodo comercial en
polarizacin directa, existir
una resistencia de diodo de
ms de 0.
A medida que el punto de
operacin de un diodo se
mueve de una regin a otra, su
resistencia tambin cambia
debido a la forma no lineal de
la curva caracterstica.

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Diodo semiconductor.
Resistencia de CD o esttica:

La aplicacin de un voltaje en
cd a un circuito que contiene
un diodo produce un punto de
operacin constante.
La resistencia del diodo en este
punto se halla aplicando la
siguiente ecuacin:

VD
RD
ID

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Diodo semiconductor.
Ejemplo:
Determinar los niveles de
resistencia de cd del diodo de
la figura adjunta, con:
1.
2.
3.

ID = 2mA.
ID = 20mA.
VD = -10V.

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Circuitos equivalentes

Circuito equivalente: Es una combinacin de elementos


apropiadamente seleccionados para que representen mejor las
caractersticas reales de un dispositivo o sistema en una regin de
operacin particular.

Existen tres modelos (circuitos equivalentes) del diodo bsicos:

1.
2.
3.

Modelo lineal por segmentos.


Modelo simplificado.
Dispositivo ideal.

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Modelo lineal por segmentos


Consiste en simular con ms o menos precisin las caractersticas
del dispositivo mediante segmentos de lnea recta.

Consideraciones:
1.
Los segmentos de recta no duplican con exactitud las
caractersticas, sobre todo en el codo.
2.
Los segmentos resultantes son suficientemente
parecidos a la curva real.
3.
En la seccin inclinada, la resistencia promedio es el
nivel de resistencia del circuito equivalente.
4.
El diodo ideal establece que slo hay una direccin
de conduccin.
5.
La batera especifica que el voltaje a travs del
dispositivo debe alcanzar el voltaje umbral.

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Modelo lineal por segmentos


3 zonas de funcionamiento:
VD 0. La curva del diodo es una recta que
pasa por el origen con pendiente 1/Rr, por lo
que el diodo se comporta como una
resistencia de valor Rr.
VD 0 V. El diodo se comporta como un
circuito abierto, la corriente a travs de l es
nula.
VD 0 V. En esta zona el diodo se
comporta como una recta que corta al eje V
en Vy y tiene una pendiente 1/Rf. En otras
palabras, se comporta como una resistencia
en serie con una fuente de valor Vy.

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Modelo lineal por segmentos


1 Aproximacin
3 zonas de funcionamiento:
VD 0. La curva del diodo es una recta que
pasa por el origen con pendiente 1/Rr, por lo
que el diodo se comporta como una
resistencia de valor Rr.
0 VD V. El diodo se comporta como un
circuito abierto, la corriente a travs de l es
nula.
VD V. En esta zona el diodo se comporta
como una recta que corta al eje V en V y
tiene una pendiente 1/Rf. En otras palabras,
se comporta como una resistencia en serie
con una fuente de valor V.

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Modelo lineal por segmentos


2 Aproximacin
2 zonas de funcionamiento:
VD V. El diodo se comporta como un
circuito abierto, la corriente a travs de l es
nula.

VD V. El diodo se comporta de la misma


forma que en la 1 aproximacin, por lo que
se sustituye al diodo por una resistencia de
valor Rf en serie con una fuente de valor V.

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01/10/2013

Modelo lineal por segmentos

Ejemplo:

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Modelo simplificado
En un diodo de Si polarizado en directa en un sistema electrnico
en condiciones de cd experimenta una cada de 0.7V a travs de ste en el
estado de conduccin, a cualquier nivel de corriente en el diodo.

Consideraciones:

1.

La
resistencia
promedio
es
suficientemente
pequea
para
ser
ignorada, en comparacin con los dems
elementos de la red.

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Modelo simplificado
2 zonas de funcionamiento:
VD V. El diodo se comporta como un
circuito abierto, la corriente a travs de l es
nula.

VD V. El diodo se comporta como una


fuente de valor V (lo mismo que en el
modelo lineal por segmentos en su segunda
aproximacin, pero haciendo Rf = 0.

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Modelo simplificado

Ejemplo:

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Modelo ideal
El circuito est conformado nicamente por un diodo ideal, con sus
caractersticas.

Consideraciones:

1.

Se dice que el nivel de 0.7V puede ser


ignorado en comparacin con el nivel de
voltaje aplicado al sistema.

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01/10/2013

Modelo ideal
2 zonas de funcionamiento:
VD 0. El diodo se comporta como un
circuito abierto, la corriente a travs de l es
nula.

VD 0. El diodo se comporta como una


corto circuito, ID .

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Modelo ideal

Ejemplo:

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Como elegir una aproximacin

Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por
ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es
afirmativa se podra usar la segunda aproximacin. Por el contrario, si el
circuito contiene resistencias de precisin de una tolerancia de 1%, puede
ser necesario utilizar la primera aproximacin. Pero en la mayora de los
casos la segunda aproximacin ser la mejor opcin.
La ecuacin que utilizaremos para saber que aproximacin se debe utilizar
es esta:

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Como elegir una aproximacin

Fijndonos en el numerador se ve que se compara


la VS con 0.7 V. Si VS es igual a 7 V, al ignorar la
barrera de potencial se produce un error en los
clculos del 10 %, si VS es 14 V un error del 5 %,
etc...

Si se ve el denominador, si la resistencia de carga


es 10 veces la resistencia interna, al ignorar la
resistencia interna se produce un error del 10 %
en los clculos. Cuando la resistencia de carga es
20 veces mayor el error baje al 5 %, etc...

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Como elegir una aproximacin

En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor


que 1 W, lo que significa que la segunda aproximacin produce un error
menor que el 5 % con resistencias de carga mayores de 20 W. Por eso la
segunda aproximacin es una buena opcin si hay dudas sobre la
aproximacin a utilizar.

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Diodo semiconductor.

Notacin para diodos semiconductores. En la mayora de los diodos,


cualquier marca ya sea un punto o una banda, aparece en el ctodo.

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01/10/2013

Diodo semiconductor.
Varios tipos de diodos.

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Diodo semiconductor.
Varios tipos de diodos.

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Aplicaciones del Diodo

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Anlisis por recta de carga

Consideraciones:

1.

Es la forma ms sencilla de
las configuraciones del diodo.

2.

La solucin se reduce a
determinar los niveles de
corriente y voltaje que
satisfacen, al mismo tiempo,
tanto las caractersticas del
diodo como los parmetros de
la red.

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Anlisis por recta de carga

Consideraciones:

1.

Las caractersticas del diodo se


colocan en el mismo sistema de
ejes con una lnea recta
definida por los parmetros de
la red.

2.

Esta lnea se conoce como


recta de carga.

3.

La interseccin de las dos


curvas definir la solucin para
la red, as como los niveles de
corriente y voltaje.

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Anlisis por recta de carga

Aplicando leyes de Kirchhoff:

E VD VR E VD I D R 0
E VD I D R

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Anlisis por recta de carga

La interseccin de la recta de carga con las caractersticas se determina


sabiendo que en cualquier parte del eje horizontal ID=0A y en cualquier
parte del eje vertical VD = 0V, por tanto:

E
ID
R VD 0V

VD E I

D 0 A

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01/10/2013

Anlisis por recta de carga

Ejemplo 1: Determinar VDQ, IDQ y VR.

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Anlisis por recta de carga

Solucin:

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Anlisis por recta de carga

Ejemplo 2: Repetir el ejemplo 1 utilizando el modelo equivalente


aproximado del diodo semiconductor de SI.

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Configuraciones del diodo.

Modelo aproximado e ideal del diodo semiconductor:

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Configuraciones en serie y paralelo

Procedimiento general: para cada configuracin primero se tiene que investigar el


estado de cada diodo. Cules estn encendidos y cuales apagados? Hecho estos, se
sustituye el equivalente apropiado y se determinan los parmetros de la red.

Un diodo est encendido si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal
que su direccin concuerda con la de la flecha del smbolo del diodo y VD>0.7V
para Si.

La descripcin es vlida si el voltaje de la fuente es mayor que el voltaje de


encendido (VK) del diodo.

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Con el diodo invertido se tiene:

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Configuraciones en serie y paralelo

Determinar VD, VR e ID. (Utilizando el mtodo de la recta de carga y el


modelo simplificado)

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Determinar VD2, V0 e ID.

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Determinar V1, V2, V0 e I.

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Determinar I1, ID1, ID2, V0.

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Determinar I, VR.

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Determinar IR, V0.

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01/10/2013

Configuraciones en serie y paralelo

Determinar I1, I2, ID2, V1, V2.

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01/10/2013

Compuertas AND/OR.

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01/10/2013

Compuertas AND/OR

Determinar V0.

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Compuertas AND/OR

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01/10/2013

Compuertas AND/OR

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01/10/2013

Compuertas AND/OR

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Analisis de pequea seal

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01/10/2013

Anlisis de pequea seal

Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza con una tensin continua
en un punto de trabajo en la zona de conduccin, y sobre ese punto se
superpone una seal alterna de amplitud tal que no provoca un cambio
en la zona de funcionamiento del diodo, osea el diodo permanece en la
zona de plena conduccin.
Pequea seal. Si la amplitud de la seal de ac de salida no est
distorsionada o si su amplitud de entrada es lo suficientemente pequea
como para que la curva del diodo sea lineal en ese tramo.
Para esto primero se debe determinar el punto de operacin del diodo (VD
e ID), normalmente se utiliza el modelo simplificado del diodo (diodo
considerado como una fuente fija de 0.7V).

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01/10/2013

Anlisis de pequea seal

Para la operacin de la pequea seal el diodo se modela por una


resistencia de valor igual al inverso de la pendiente de la recta tangente
a la curva caracterstica del diodo en tal punto de operacin.
El circuito conceptual y su ecuacin inicial son los siguientes:

vD (t ) VD vd (t )

Donde:

vD(t) voltaje total instantneo del diodo


VD voltaje de dc
vd(t) seal de ac triangular superpuesta a la seal de dc

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01/10/2013

Anlisis de pequea seal


vD ( t )

iD(t ) IS e

Donde:

nVT

iD(t) corriente total instantnea


vD(t) voltaje total instantneo

Sustituyendo el voltaje
instantneo en la ecuacin de
corriente instantnea queda:
(VD vd ( t ))

iD(t ) IS e

nVT

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01/10/2013

Anlisis de pequea seal

Desarrollando la ecuacin anterior:


VD

iD(t ) IS e

vd ( t )
nVT

nVT

vd ( t )

iD(t ) ID e

nVT

Si vd(t) es lo suficientemente pequea como para que vd/nVT << 1


entonces se puede expandir la ecuacin anterior en su forma de serie,
tomando nicamente los dos primeros trminos:

vd

iD(t ) ID1

nVT

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01/10/2013

Anlisis de pequea seal

Esta es la aproximacin de pequea seal, vlida para amplitudes


menores a 10mV y 5mV para n = 2 y n = 1 respectivamente.
Desarrollando esta aproximacin obtenemos:

ID
iD(t ) ID
vd
nVT

Considerando que a la corriente de dc ID se le superpone una seal de ac


proporcional al voltaje vd, esto es:

iD ID id

Se podra deducir que:

ID
id
vd
nVT
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01/10/2013

Anlisis de pequea seal

De donde podemos deducir que el trmino que relaciona la corriente y el


voltaje es una conductancia, llamada conductancia de diodo de pequea
seal.
El inverso de esta es la resistencia del diodo de pequea seal, tambin
llamada resistencia incremental o resistencia dinmica.

nVT
rd
ID

25mV

ID
n 1

Resistencia dinmica, rd. La que se presenta en el diodo ante una seal


alterna.

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Anlisis de pequea seal

Grficamente podemos considerar la resistencia dinmica como el inverso


de la pendiente de la recta tangente a la curva del diodo en el punto de
operacin, punto Q.

diD
iD
vD
dvD
diD
rd 1
dvD

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01/10/2013

Anlisis de pequea seal

Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente
continua y otra alterna de pequea amplitud se resuelven aplicando el
principio de superposicin, partiendo de la hiptesis de que el diodo estar
en una de la zonas de funcionamiento y no sale de la misma por efecto de
la seal de alterna.
Este consiste en:
1.

2.

3.

Anlisis DC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes de alterna y se


determina el punto de operacin del diodo.
Si el diodo est en conduccin, se determina la resistencia dinmica del diodo
utilizando los datos del punto de trabajo.
Se cortocircuitan las fuentes de continua y se realiza el anlisis del circuito de
alterna sustituyendo el diodo por su resistencia dinmica. De ese modo se
obtiene el modelo equivalente en pequea seal que permite determina las
variaciones que se producen en el diodo.

82

01/10/2013

Anlisis de pequea seal


Paso 1:

Paso 3:

83

01/10/2013

Anlisis de pequea seal


Para el circuito de la figura R = 10k, V+ tiene un componente de dc de 10V
con una seal senoidal superpuesta de 1 Vpico y 60Hz de frecuencia. Calcule
el voltaje de dc del diodo y la amplitud de la seal senoidal a travs de l.
Considere un diodo con cada de 0.7V a una corriente de 1mA y n = 2.

nVT 2 25
rd

53.8
ID
0.93

rd
53.8
vdp Vsp
1
5.35mV
R rd
10000 53.8

84

01/10/2013

Anlisis de pequea seal


En el circuito de la figura los 3 diodos en serie mantienen una cada de tensin
constante de 2.1V. Calcule el porcentaje de cambio de este voltaje regulado
provocado por: a) una variacin en la fuente de alimentacin de 10% y b) una
resistencia de carga RL = 1k. Asuma n = 2.

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01/10/2013

Anlisis de seal de ac
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande para producir una excursin
amplia, la resistencia asociada con el diodo para esta regin se denomina
resistencia de ac promedio.
Resistencia de ac promedio, rav. La resistencia determinada por una lnea
recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores mnimos
y mximos del voltaje de entrada

Vd
rav
Id

punto _ por _ punto

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01/10/2013

Anlisis de seal de ac
Determinar la resistencia de ac promedio de acuerdo a la grfica mostrada.

Id 17 mA 2mA 15mA
Vd 0.725V 0.65V 0.075V

Vd 0.075V
rav

5
Id
15mA

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01/10/2013

Rectificadores

88

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Rectificadores

Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna en corriente


continua (unidireccional). Tambin se conocen como convertidores ACDC
Tipos:

Rectificadores de media onda


Rectificadores de onda completa

Con transformador con derivacin central (dos diodos).


Con puente de diodos (cuatro diodos).

Cuando un diodo se utiliza en el proceso de rectificacin se le llama


comnmente rectificador, y sus valores nominales de corriente y potencia
son normalmente ms altos.

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01/10/2013

Rectificador de media onda

Cuando la tensin es positiva (intervalo 0 < t < T/2), el diodo se encuentra


polarizado en directa, y conducir la corriente (cada de 0.7 V).

Cuando la tensin es negativa (intervalo T/2 < t < T), el diodo se polariza
inversamente, no dejando pasar corriente. En este intervalo el diodo
soporta la tensin inversa impuesta por la entrada.

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01/10/2013

Rectificador de media onda

Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff a los dos casos anteriores se obtiene:

En directa, prcticamente la tensin de la alimentacin est presente en la


carga.
En inversa, la cada de tensin la acapara el diodo dado que no circula
corriente.

91

01/10/2013

Rectificador de media onda

La tensin de entrada es senoidal


vS = Vm sen t
Para esta, el valor promedio (la suma algebraica de las reas por encima y
por debajo del eje) es cero.
El valor medio de la tensin de salida se obtiene integrando:
1
1

Vo ( DC )

vod (t )

Vmsen(t )d (t )

Vm
Vo ( DC )
0.318Vm

Para un caso ms real del diodo, la tensin media de salida quedara


como:

Vo ( DC ) 0.318(Vm VT )

92

01/10/2013

Rectificador de media onda

La corriente media en una carga resistiva R se obtiene mediante la ley de


Ohm.
La tensin eficaz ser:

1
Vo ( rms )
2

Vm
0 Vm sen td (t ) 2 0.5Vm

Para un caso ms real del diodo, la tensin eficaz de salida quedara como:

Vo ( rms ) 0.5(Vm VT )

La frecuencia de salida es igual a la de entrada.


Es importante hacer notar que el voltaje aplicado a la entrada del circuito
rectificador debe ser menor o igual que el voltaje pico inverso PIV (o
PRV) del diodo, de manera que PIV Vm.

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01/10/2013

Rectificador de media onda

Para el circuito de la figura:


a)
b)
c)

Dibuje la salida Vo y determine el valor medio y eficaz de la salida.


Repita el inciso anterior si el diodo ideal se reemplaza por uno de silicio.
Repita los incisos anteriores si Vm se incrementa a 200V y compare las
soluciones.

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01/10/2013

Rectificador de onda completa


Puente de diodos.

95

01/10/2013

Rectificador de onda completa


Puente de diodos.

Ciclo positivo de la entrada, los diodos 2 y 3 conducen.

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01/10/2013

Rectificador de onda completa


Puente de diodos.

Ciclo negativo de la entrada, los diodos 1 y 4 conducen.

97

01/10/2013

Rectificador de onda completa


Puente de diodos.

La polaridad a travs de la resistencia R es la misma para cada ciclo de la


seal de entrada.

98

01/10/2013

Rectificador de onda completa


Puente de diodos.

Si en lugar de diodos ideales se sustituye por diodos de silicio, el voltaje


pico de salida quedara como:

Vo (max) Vm 2VT

El valor medio de salida podra quedar como

Vo ( dc ) 0.636(Vm 2VT )

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01/10/2013

Rectificador de onda completa


Puente de diodos.

Voltaje medio o de continua:

2Vm
Vo ( DC )

Frecuencia de salida:

fout 2 fin

La configuracin en Puente ofrece las siguientes ventajas:

El valor del condensador para un cierto rizado, es la mitad; con lo cual se


reduce el tamao y el precio del sistema.
La corriente soportada por cada diodo es aproximadamente la mitad que para
el de media onda, reduciendo as el espacio ocupado por los diodos y el coste
del diseo.

100

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Rectificador de onda completa


Transformador con derivacin central.

Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tensin


desfasadas 180.

El trafo asla (respecto de tierra) a la carga de la corriente alterna de


entrada.

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01/10/2013

Rectificador de onda completa


Transformador con derivacin central.

Durante el ciclo positivo, conduce el diodo 1; durante el ciclo negativo, el


diodo 2 conduce rectificando la seal.

102

01/10/2013

Rectificador de onda completa


Transformador con derivacin central.

Voltaje medio o de continua:

2Vm
Vo ( DC )

Frecuencia de salida:

fout 2 fin

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Rectificador de onda completa

Determine la forma de onda de salida para la red de la figura y calcule el


nivel de dc y rms de la salida, y el PIV requerido para cada diodo.

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Recortadores

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01/10/2013

Recortadores

Circuitos Recortadores: Son aquellos se utilizan para recortar una


porcin de la seal de entrada que se encuentre por encima o por debajo
de algn nivel de referencia.
Tambin se les conoce como limitadores, selectores de amplitud o
rebanadores.
El rectificador de media onda es un ejemplo de la forma ms simple de un
recortador de diodo. Dependiendo de la orientacin del diodo, la regin
positiva o negativa de la seal de entrada es recortada.
Los circuitos de rectificacin utilizan una accin recortadora de nivel
cero.

106

01/10/2013

Recortadores

Para el circuito de la figura, si la tensin de entrada supera por cualquier


motivo los 0.7 V el diodo D1 quedar polarizado directamente y recortar
el exceso de tensin.
De igual forma, cuando la tensin de entrada disminuya de -0.7 V, el
diodo D2 quedar polarizado directamente y recortar el exceso de
tensin que podra daar la carga.

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01/10/2013

Recortadores

Si se aade una batera en serie con el diodo, un circuito rectificador


recortar todo lo que se encuentre por encima o por debajo del valor de la
batera de la orientacin del diodo.
A ste se le llama limitador o recortador polarizado.
Para ste es necesaria una tensin de entrada igual al valor de la batera
ms 0.7V para que los diodos se polaricen directamente.

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01/10/2013

Recortadores

Cuando la tensin de entrada se mantiene dentro de sus lmites normales,


esto es, entre 10 V y -10 V, ninguno de los diodos hace nada.
La batera que est conectada al diodo D1 polariza su ctodo a 10 V,
considerando el diodo ideal, comenzar a conducir cuando la tensin en
su nodo sea mayor que en su ctodo, esto ocurre slo cuando la tensin
de entrada es superior a 10 V.
Cuando Vi supera los 10 V la tensin en el nodo del diodo D1 comienza
a ser superior que la tensin en su ctodo, con lo que el diodo D1 queda
polarizado directamente y comienza a conducir la corriente elctrica, a
partir de este momento la tensin sobrante de la tensin de entrada Vi se
ve recortada y no puede llegar a la carga.

109

01/10/2013

Recortadores

De forma similar, la batera polariza el nodo de D2 a -10 V. Cuando la


tensin de entrada Vi es menor que -10 V, el ctodo del diodo D2 queda a
un potencial menor que -10 V, con lo que el diodo se polariza
directamente y recorta en este caso, las tensiones negativas de entrada, tal
y como se aprecia en la grfica.

110

01/10/2013

Recortadores
Tipos:

Serie: El diodo est conectado en serie con la carga.

Paralelo: El diodo est conectado en paralelo con la carga.

Mixto

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01/10/2013

Recortadores en serie
Positivo simple:

Positivos polarizados:

112

01/10/2013

Recortadores en serie
Negativo simple:

Negativos polarizados:

113

01/10/2013

Recortadores en paralelo
Positivo simple:

Positivos polarizados:

114

01/10/2013

Recortadores en paralelo
Negativo simple:

Negativos polarizados:

115

01/10/2013

Recortadores en paralelo
Mixtos

116

01/10/2013

Recortadores
No existe un procedimiento general para analizar circuitos recortadores, sin
embargo hay aspectos que vale la pena tomar en cuenta:
1.

2.

3.

4.

Hacer un esquema mental de la respuesta del circuito basado en la


direccin del diodo y de los niveles aplicados de voltaje.
Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transicin) que causar un
cambio en el estado del diodo.
Estar conscientes continuamente de las terminales definidas y de la
polaridad de vo.
Dibujar la seal de entrada por encima de la de la salida y determinar la
salida para valores instantneos de la entrada.

117

01/10/2013

Recortadores
1.

2.

4.

3.

118

01/10/2013

Cambiadores de nivel

119

01/10/2013

Cambiadores de nivel

Un circuito cambiador de nivel es aquel que cambia una seal a un nivel


diferente de dc.
La red debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo. Tambin
puede emplear una fuente independiente de dc para introducir el
desplazamiento.
La magnitud de R y C debe elegirse de modo que la constante de tiempo
=RC sea lo suficientemente grande para asegurar que el voltaje del
capacitor no se descargue durante el periodo en que el diodo no conduce.

120

01/10/2013

Cambiadores de nivel
Los pasos siguientes pueden ser tiles para analizar circuitos cambiadores de
nivel:
1.
Comenzar el anlisis considerando la parte de la seal de entrada que
polarizar directamente al diodo (aunque esto implique brincarse un
intervalo de la seal).
2.
En el periodo en que el diodo est encendido suponer que el capacitor se
cargar instantneamente al nivel de voltaje determinado por la red.
3.
Suponer que durante el periodo de apagado del diodo el capacitor
mantendr su nivel de voltaje establecido.
4.
Mantener una conciencia de la localizacin y la polaridad de referencia
para vo para asegurar que se obtienen los niveles apropiados de vo.
5.
Tener en mente la regla general de que la amplitud de la salida total debe
coincidir con la amplitud de la seal de entrada.

121

01/10/2013

Cambiadores de nivel
Obtener vo.

0 < t < T/2 vo = 0V

T/2 < t < T

-V-V- vo = 0

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01/10/2013

Cambiadores de nivel
Obtener vo.

T/2 < t < T -20V -5V + Vc = 0


Vc = 25V vo = 5V

T < t < 3T/2 + 10 + 25 - vo = 0


vo = 35V

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01/10/2013

Cambiadores de nivel
= RC = (100k)(0.1F) = 0.01s = 10ms

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01/10/2013

Cambiadores de nivel

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01/10/2013

Diodo Zener

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01/10/2013

Diodos Zener
Pasos para el anlisis:
1. Se debe determinar el estado del diodo.
2. Se sustituye el modelo apropiado.
3. Se determinan las dems cantidades desconocidas de la red.
A continuacin se presenta la grfica de un diodo zener junto con los circuitos
equivalentes aproximados para cada regin (se suponen aproximaciones de
lnea recta en cada punto de ruptura).

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01/10/2013

Diodos Zener
Ejemplo 1. Determinar Vo1, Vo2 y la corriente alrededor de la red.

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01/10/2013

Diodos Zener (Vi y RL fijos)

El uso del diodo zener como regulador utilizando Vi y R fijos en la red


requiere una cierta configuracin bsica del diodo regulador. Esta
configuracin se presenta a continuacin:
El anlisis puede dividirse en dos pasos:
1.

Determinar el estado del diodo Zener


eliminndolo de la red y calculando el
voltaje a travs del circuito abierto
restante.

2.

Sustituir el circuito equivalente


apropiado y resolver para la cantidad
desconocida deseada.

129

01/10/2013

Diodos Zener (Vi y RL fijos)


1.

Determinar el estado del diodo Zener eliminndolo de la red y calculando


el voltaje a travs del circuito abierto restante:

Si V > Vz el diodo zener est encendido y se sustituye por el modelo


equivalente apropiado.
Si V < Vz el diodo zener est apagado y se sustituye por su equivalente de
circuito abierto.

130

01/10/2013

Diodos Zener (Vi y RL fijos)


2.

Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para la cantidad


desconocida deseada.
Si suponemos que V>Vz el estado del diodo es encendido, produciendo la
siguiente red equivalente:

131

01/10/2013

Diodos Zener (Vi y RL fijos)

Ejemplo 2a. Determinar VL, VR, IZ, PZ.

Ejemplo 2b. Determinar VL, VR, IZ con RL = 3K.

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01/10/2013

Diodos Zener (Vi fija y RL variable)

Para determinar la resistencia mnima de carga que encender el diodo zener


simplemente se calcula el valor de RL que ocasionar un voltaje de carga VL
= VZ:
R V

VL VZ

Resolviendo para RL queda:

RL

R RL

R VZ
Vi VZ

Cualquier resistencia de carga mayor que RL obtenida con la ecuacin


anterior asegurar que el diodo zener se encuentre encendido.
La corriente del diodo est limitada a IZM, esto afectar la resistencia
mxima RL.
La corriente IL mnima se obtiene a patir de la corriente del diodo IZ = IR - IL

I L min IR IZM

RL max

VZ
IL min

133

01/10/2013

Diodos Zener (Vi fija y RL variable)

Determinar el rango de RL e IL que hacen que VRL se mantenga en 10V.


Determinar el valor nominal mximo de la potencia en watts del diodo.

134

01/10/2013

Diodos Zener (RL fija y Vi variable)

El voltaje de encendido mnimo que se requiere para que el diodo zener


genere voltaje es:

Vi min

R RL VZ
RL

Ahora, para hallar el voltaje mximo de Vi, se debe tomar en cuenta la


corriente mxima que soporta el diodo zener, y como IZ = IR IL,

I R max I Z I L

Finalmente como IL se mantiene fija e IZ es el valor mximo de corriente


que soporta el diodo zener, el Vi mximo se define como:

Vi max I R max R VZ

135

01/10/2013

Diodos Zener (RL fija y Vi variable)

Ejemplo 3. Determinar el rango de valores de Vi que mantendrn encendido


el diodo zener utilizando el siguiente circuito:

136

01/10/2013

Multiplicadores de Voltaje

137

01/10/2013

Multiplicadores de voltaje

Doblador de voltaje de media onda

138

01/10/2013

Multiplicadores de voltaje

Doblador de voltaje de media onda

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01/10/2013

Multiplicadores de voltaje

Triplicador y cuatriplicador de voltaje

140