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I.
OBJETIVOS
II.
TEORA
A. Historia
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de
emisor de luz, el LED, de pequea superficie radiante,
idnea para el acoplamiento en Fibras pticas. Por lo que
se refiere a los fotodetectores, los diodos PIN y los de
avalancha a base de Silicio, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecan buenas caractersticas. Sin embargo,
no podan aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. El
Germanio era un buen candidato a ser utilizado para
trabajar entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se dispona de
ellos con elevadas prestaciones elctricas. Sin embargo, la
corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da
motivo a ensayos con fotodiodos con materiales como
InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer
PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en
1977.
B. Principios de operacin
III.
1 BNC-T-adaptador
2 soportes para los componentes de la guia de onda
2 soportes para bases MF
1 dig. Storage osciloscopio 205
EQUIPO A UTILIZAR
Equipos requeridos:
1 oscilador Gunn
1 Aislador
1 PIN-modulador
1 Transicin gua de onda/coaxial
1 Detector coaxial
1 Fuente de poder Gunn con medidor de SWR
Accesorios requeridos:
4 cables BNC, 2m
IV.
CIRCUITO A IMPLEMENTAR
RF
con
Xc=XL=X