TD n4 Fonctions de lElectronique
Modulation et dmodulation damplitude analogique
Exercice n1
Un gnrateur dlivre le signal am(t) :
Figure 1
2) Un signal modul en amplitude est cr avec une onde porteuse de frquence fp = 162
kHz et un signal de modulation sinusodal de frquence fm = 10 kHz1.
a. Quelles sont les frquences contenues dans le signal modul ? Calculer les longueurs
dondes correspondantes. En dduire la largeur spectrale, en frquence et en longueur
donde. On prendra : c = 3 108 m.s-1.
b. Sachant que la puissance totale de lmetteur de France-Inter est PT = 2000 kW et que
le taux de modulation est m = 75%, calculer les puissances transportes respectivement
dans les bandes latrales PB et dans la porteuse PP.
3) Un modulateur de frquence dlivre un signal tel que Sm = 2V, fm = 15 kHz, fp = 10 MHz et
mFM = 1.
a. Calculer lexcursion (ou dviation) de frquence f de ce signal.
b. Dterminer les diffrentes composantes spectrales attendues. Calculer leurs amplitudes
respectives et reprsenter le spectre de londe FM.
4) On considre une porteuse sinusodale damplitude Sm, module en frquence autour de
fp = 10 MHz par un signal modulant sinusodal de frquence fm = 10 kHz. Lindice de
modulation vaut mFM = 3. La puissance du signal est de 25 dBm sur une rsistance de 25 .
On rappelle que la puissance totale P fournie par londe module dans une rsistance R est
gale la somme des puissances vhicules par la porteuse et par les deux bandes
latrales. Celle-ci sexprime selon la relation :
a. Quelle diffrence majeure y a t-il par rapport la puissance totale vhicule par un signal
modul en amplitude avec porteuse ?
b. Dterminer lamplitude Sm du signal modul.
b.
Figure 2
1) La tension dentre est sinusodale du type e(t)=10 cos(0t) de frquence f0=455 kHz. La
constante de temps RC est grande devant la priode T0, s(t) est environ constant :
s(t)=V0=Cte. Calculer V0.
2) La tension e(t) est module en amplitude :
e( t ) = 10(1 + m cos(t )) cos(0 t ) avec << 0. Lenveloppe de e(t) a pour frquence F=5
kHz.
a) On suppose que la constante de temps RC est petite devant la priode T du signal
modulant. Dterminer lexpression de s(t).
b) Lorsque la diode est passante, donner lexpression de id(t) en fonction de R, C et d(t).
c) Montrer que le courant id(t) peut se mettre sous la forme suivante lorsque la diode est
passante :
i d (t) =
V0
R
Pour quil ny est pas de distorsion lors de la dmodulation, le courant id(t) ne doit pas
sannuler lorsque la diode est passante (id > 0). En dduire une condition sur la constante de
temps RC en fonction du taux de modulation m et de F, frquence de la BF.
d) On choisit un taux de modulation m=70 % et RC >10T0 pour liminer la HF. Donner les
valeurs possibles de RC.
Exercice n5
On considre le montage de la figure 2 :
Figure 2
On dispose de deux alimentations symtriques E, les transistors T1 et T2 sont supposs
identiques, et leurs courants dmetteurs obissent la loi exponentielle classique :
V
V
i E1 = I S exp BE1 et i E 2 = I S exp BE 2 avec VT=26 mV
VT
VT
Le potentiel commun des metteurs E1 et E2 tant de lordre de 0.7 V, il est ncessaire que
celui de E, donc aussi celui de B, soient ngatifs pour mnager T une tension VCE
suffisante et assurer ainsi un fonctionnement linaire. Cest le rle du pont (r1,r2).
1) En supposant que le courant iB est petit devant les courants qui circulent dans r1 et r2 ,
montrer que lon peut crire avec une erreur ngligeable la relation :
VB =
r2 u r1 E
r1 + r2
En fait, cette situation est ralise en adoptant r1 et r2 trs infrieures (T) RE. Le signal HF
ve(t)=e sin(t) est de faible amplitude
2) Expression de Vs(t) : distorsion
Dterminer lexpression du courant i, en ngligeant iB devant i, mais en tenant compte dune
chute de tension VBE que lon supposera fixe, de valeur 0,7 V. Dterminer iE1 et iE2.
Montrer que Vs est une fonction tangente hyperbolique de Ve obissant la formule :
V
Vs = R C i tanh e
2VT
On suppose maintenant que u est un signal sinusodal de frquence basse u(t)=U sin(t).
Montrer que Vs est de la forme :
Vs ( t ) = a 0 (1 + m sin (t )) sin (t )
3) Influence de la temprature
La tension thermodynamique VT dpend de la temprature absolue T selon la relation
VT=kBT/q avec kB = 1.38 10-23 JK-1 la constante de Boltzmann et q = 1.6 10-19 la charge
de llectron. Quelle est linfluence dune augmentation de temprature T sur le taux de
modulation m ? sur lamplitude moyenne a0 ?
4) Application numrique
E=15 V ; r1=r2 ; RE=4,7 k ; e=10 mV ; U=2 V. Dterminer la valeur compatible de RC pour
avoir VC1 = VC2 = E/2 lorsque Ve et u sont nulles. Calculer a0 et m.
Quelle serait linfluence dune augmentation de temprature T=20 K, partir de T=300 K ?
Afin de bien faire travailler T en rgime linaire, on impose la condition : VCEmin=2 V. Calculer
dans ces conditions les valeurs maximales possible pour U et m, notes UM et mM.
5) Tension de dcalage (offset)
Si la plupart des transistors au silicium actuels obissent bien la loi exponentielle, il est
difficile den trouver deux possdant le mme courant de saturation Is et il faudrait plutt
crire :
V
V
i E1 = I S1 exp BE1 et i E 2 = I S2 exp BE 2 avec Is1 Is2
VT
VT
Montrer que dans ces conditions, la loi de variation rigoureuse de Vs peut scrire :
V + Ve 0
Vs = R C i tanh e
2VT
avec Ve0 une tension de dcalage dont on prcisera lexpression. Calculer Ve0 et Vs0 =Vs (Ve
= 0) avec les valeurs numriques du c) lorsque IS1=1,1.Is2 et u=0. Montrer que cette tension
de dcalage contribue introduire une composante BF indsirable.