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Dpartement de Physique

Filire SMP Semestre 5 - PHYSIQUE DES MATERIAUX I

Chapitre 9

MATERIAUX
SEMICONDUCTEURS
Pr. A. Belayachi
belayach@fsr.ac.ma

SOMMAIRE
1. Approche qualitative de la notion de bandes dnergie
dans les solides
2. Proprits lectriques des semi-conducteurs
2.1 Matriaux semi-conducteurs
2.1.1 Elments de la colonne IV
2.1.2 Les cristaux IIIV
2.1.3 Les cristaux IIVI
2.1.4 Les oxydes mtalliques
2.1.5 Autres matriaux semiconducteurs
2.2 Dopage dun semiconduteur
2.3 Conductivit lectrique dans un semiconducteur
3. Applications
2

1. Approche qualitative de la notion de


bandes dnergie dans les solides
Lors de la formation du solide le
rapprochement des atomes modifie le nombre
des niveaux dnergie disponibles pour les
lectrons autour du noyau. linfluence des
atomes les uns sur les autres tend modifier les
niveaux dnergie. Les lectrons voient leur
niveaux dnergie non plus distribus sur des
tats discrets mais plutt sur des bandes
discrtes dnergie comme le montre la figure
ci-dessous, spares par des bandes interdites.
3

=0

(eV)

(eV)

=0

Eg

Niveaux dnergie dans latome isol et dans un


cristal
4

Aux couches les plus proches du noyau qui sont


saturs pour latome isol correspondent ainsi
des bandes satures pour ltat solide. A
lintrieur de ces bandes, tous les niveaux
nergtiques sont occups et aucun lectrons
supplmentaire ne peut y pntrer.
La premire bande prsentant un rel intrt
est la bande de valence qui correspond aux
lectrons de valence. Cette bande est
gnralement sature mais ses lectrons peuvent
en sortir plus ou moins facilement suivant la
nature du solide.

Enfin, aprs la bande de valence on rencontre


la bande de conduction; elle est suivant les cas
vide ou incomplte.
La sparation dnergie Eg entre la bande de
conduction et la bande de valence, appele
largeur de la bande interdite, dtermine le
comportement lectrique du corps.
Un isolant est un corps dont la bande de
valence est sature alors que la bande de
conduction est entirement vide ces deux bandes
tant spares par une bande interdite ou gap
de valeur Eg suprieure 6 eV.
6

Les matriaux ayant une largeur de la bande


interdite < < , sont appels les semiconducteurs intrinsques.
Ils sont caractriss par une rsistivit trs
suprieure celle dun bon conducteur et trs
infrieure celle dun bon isolant.
En gnral, les isolants tendent avoir une
prdominance des liaisons ioniques, alors que les
semi-conducteurs
tendent

avoir
une
prdominance en liaisons covalentes. Cependant
Certains semiconducteurs sont de bons exemples
de substances qui sont partiellement ioniques et
partiellement covalents.
7

Dans un conducteur un lectron libre possde une


nergie cintique suffisante pour pouvoir circuler
librement dans le cristal, son niveau dnergie
cintique correspond la bande de conduction. La
largeur de la bande interdite Eg est nulle, il y a alors
un chevauchement entre la bande de conduction et
la bande de valence. Ainsi la bande de conduction est
partiellement remplies par des lectrons libres qui
proviennent de la bande de valence. Dans cette
reprsentation, la position exacte la surface du
mtal ne peut pas tre prcise. Un lectron peut
circuler librement lintrieur du mtal et
participer la conduction mais il ne peut pas sortir
du mtal du fait de lexistence dune barrire de
potentiel la surface du mtal.
8

E
E

(eV)

=0

Chevauchement des bandes de valence et de


conductions dans un conducteur
9

Les lois de la statistique de Fermi-Dirac


permettent de dterminer une temprature
donne la distribution des lectrons aux
diffrents niveaux.
Dans le cas particulier des mtaux on peut par
diffrents procds extraire des lectrons, ce
phnomne sappelle mission lectronique et a
une grande importance pratique.
Une importante distinction entre les
conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs
est que la conductivit des conducteurs dcrot en
fonction de la temprature, alors que celle des
deux autres crot en fonction de la temprature.
10

Dans certains matriaux le bas de la bande de


conduction a une nergie trs lgrement infrieure
au haut de la bande de valence. Un lger
chevauchement des bandes de valence et de
conduction qui conduit des faibles concentrations
en lectrons dans la bande de conduction. Ces
matriaux sont appels des semi-mtaux. Parmi les
semi-mtaux on trouve des lments du groupe V
comme larsenic As, lantimoine Sb et le bismuth Bi.
Leurs atomes sont associs par paires dans le rseau
et la maille lmentaire contient ainsi deux ions et dix
lectrons de valence, on observe un lger
chevauchement des cinquime et sixime bande.
11

Remarque importante
Le terme "isolant" est appliqu aux matriaux dont
la fonction principale est d'isoler un systme
lectrique de son environnement. Lutilisation des
matriaux isolant ncessite la prise en considration
non seulement des qualits lectriques mais aussi
dautres qualits:
- Proprits lectriques: rigidit, permittivit,
rsistivits normale et superficielle, coefficient de
temprature, facteur de perte.
- Proprits mcaniques: rsistance la traction et
la flexion, duret, lasticit.
- Proprits chimiques: rsistance aux acides, aux
solvant, toxicit.
12

Le terme "dilectrique" est appliqu des matriaux


isolants dont les caractristiques entrent comme
paramtres dans la description d'un systme
lectrique. Le rsultat exprimental le plus important
sur les dilectriques isolants tait la dcouverte faite
par Faraday et qui montre que la capacit d'un
condensateur crot si l'espace entre les armatures du
condensateur est rempli par un matriau dilectrique
isolant. Si C est la capacit du condensateur rempli et
C0 la capacit du condensateur vide; le rapport C/C0 ,
est suprieure 1, indpendant des dimensions des
armatures mtalliques et dpend uniquement des
caractristique du dilectrique utilis. On pose alors:
=
O er est appele permittivit relative ou "constante
13
dilectrique".

Dans le systme international de mesure la


permittivit d'un dilectrique est dfinie par:
=
est une constante lectrique reprsentant la
permittivit du vide et qui vaut e0 = 8.854 10-12 F.m-1.
Le terme "constante dilectrique" est parfois utilis
pour e et er la fois. Pour viter les confusions, il est
prfrable d'utiliser les termes permittivit et
permittivit relative. En plus, le terme constante
dilectrique est un peu "trempeur" puisque la
permittivit e dpend de la frquence et n'est
constante que dans un domaine trs restreint de
frquence (Chapitre 11: Proprits dilectriques).
14

2. Proprits lectriques des semi-conducteurs


Les semi-conducteurs sont tous des cristaux
covalents, contenant parfois une trace de liaison
ionique. Au zro absolu, un cristal pur, parfait, de
nimporte quel semi-conducteur serait isolant. Les
proprits caractristiques des semi-conducteurs sont
habituellement dues :
- lagitation thermique;
- aux impurets;
- aux diffrents dfauts du rseau (Chapitre 2: Les
structures);
- au dfaut de stchiomtrie (cart par rapport la
composition chimique nominale).
15

La ralisation du premier transistor bipolaire en


germanium en 1947, dont le fonctionnement fait
intervenir la fois les lectrons et les trous, est
lorigine de la rvolution moderne dans les domaines
de llectronique et de linformatique. Plus tard, le
silicium est devenu le semi-conducteur, par
excellence, le plus utilis dans la fabrication de la
plupart des dispositifs lectronique.
Parmi les dispositifs dont le fonctionnement est bas
sur les proprits des semi-conducteurs on peut citer les
diodes, les transistors, les amplificateurs oprationnels,
les circuits intgrs linaires, les circuits intgrs
logiques; les microprocesseurs, les dtecteurs et les
cellules photovoltaques.
16

2.1 Matriaux semi-conducteurs


2.1.1 Elments de la colonne IV
Les lments semi-conducteurs simples sont ceux qui
appartiennent la colonne 14 du tableau priodique.
Le carbone, sous forme de diamant, est plus
convenablement class comme isolant, puisque la
largeur de la bande interdite est de lordre de 5.5 eV.
Le silicium et le germanium, qui cristallisent dans la
structure diamant, sont les deux semi-conducteurs
fondamentaux les plus importants. Le Si et Ge
peuvent tre considrs comme des solides o les
lectrons ne sont pas fortement localiss au voisinage
des curs ioniques. Le silicium et le germanium ont
des proprits similaires, avec quelques diffrences.
17

2.1.2 Les cristaux IIIV


Les cristaux qui apparient des lments des colonnes
III et V du tableau priodique sont encore moins
ioniques. Ils adoptent presque tous la structure de la
blende caractristique des cristaux covalents. La
plupart se comportent comme des semi-conducteurs
plutt que comme des isolants, ce qui constitue une
indication de leur nature ionique trs faible. Ce sont
des bons exemples de substances qui sont
partiellement ioniques et partiellement covalentes.
On dnombre 9 composs binaires rsultants de la
composition des lments In, Ga, Al avec Sb, As et P :
InSb, InAs, GaSb, InP, GaAS, AlSb, AlAs, GaP et
AlP.
18

2.1.3 Les cristaux IIVI


Les composs II-VI sont isotype de PbS, PbSe et PbTe, de
structure calchognide. D'autres types de semi-conducteurs
II-VI ont t largement tudis et utiliss pour la fabrication
de plusieurs dispositifs. On peut citer titre d'exemple :
CdS, Cu2S, ZnS, Bi2Te3. Les liaisons interatomiques sont en
partie covalentes, en partie ioniques.
2.1.4 Les oxydes mtalliques
Certains oxydes de mtaux ont un comportement semiconducteur avec une large bande interdite. Certains de ces
oxydes ont t largement tudis tels que le Cu2O, le ZnO
(qui fait lobjet actuellement dintensives recherches dans le
domaine de la spintronique) et le NiO. D'autres oxydes
mtalliques comme le V2O3 et le VO2 prsentent une
transition structurale entranant un changement de
structure de bande et par la suite une transition mtal/semiconducteur.
19

2.1.5 Autres matriaux semiconducteurs


Le carbure de silicium (SiC) est un matriau qui
prsente de nombreuses formes polymorphiques
appeles polytypes (Chapitre 2: Les structures).
Elles diffrent essentiellement par leur structure
cristalline et plus prcisment par des structures
varies le long d'un axe cristallographique. En
principe, les proprits physiques du carbure de
silicium en feraient un matriau semiconducteur
idal pour l'lectronique de puissance et pour des
tempratures leves. Sa technologie en vue
d'applications lectroniques est nanmoins peu
dveloppe jusqu la fin du sicle dernier.
20

En plus des cristaux semiconducteurs classiques, on


rencontre des phases semiconductrices parmi les
composs qui ralisent localement la saturation des
liaisons l'intrieur de la cellule unitaire du rseau
cristallin. Cette saturation peut tre due des
structures cristallines trs anisotropes construites en
gnral sur des sous-rseaux danions. Ce sont des
structures de type lamellaire comme des halognures
du type PbI2 ou des chalcognures du type MoS2. Ce
sont aussi des structures en chane comme des
phosphures ZnP2. La saturation locale des liaisons
peut galement tre due la formation de liaisons
entre cations (composs polycationiques) comme
GaSe.
21

Les matriaux semiconducteurs se rencontrent


aussi au sein de la famille plus complexe des
composs de mtaux de transition, avec des phases
du type pyrite comme NiS2 ou marcassite comme
FeS2, et des phases prsentant des degrs de
symtrie plus bas.
Parmi les systmes non cristallins, il existe des
verres semiconducteurs comme le sulfure de
germanium GeS2 ou des chalcognures (Se,
As2Se3). Des alliages liquides donnent galement,
dans certains domaines de composition, des
proprits semiconductrices comme Tl-Te.
22

Un semiconducteur amorphe important est le


silicium amorphe
a-Si. Le silicium amorphe de
qualit est en fait un silicium hydrogn obtenu par
dposition partir d'un plasma de silane.
Enfin, il existe des semiconducteurs parmi les
polymres qui ont dans leur structure des liaisons
conjugues.
Cette
famille
des
polymres
semiconducteurs, s'ouvre vers l'lectronique
molculaire, domaine appel un dveloppement
important.
Le tableau ci-dessous donne les valeurs de la
largeur de la bande interdite 0 K et 300 K
pour quelques matriaux semiconducteurs.
23

Cristal
Diamant
Si
Ge
Sn-a
InSb
InAs
InP
GaP
GaAs
GaSb
AlSb
4H-SiC
Te
ZnSb

Eg (eV)
0 K
300 K
5.4
1.17
1.11
0.744
0.67
0.00
0.00
0.23
0.17
0.43
0.36
1.42
1.27
2.32
2.25
1.52
1.43
0.81
0.68
1.65
1.6
3.0
0.33
0.56
0.56

Cristal
HgTe
PbS
PbSe
PbTe
CdS
CdSe
CdTe
ZnO
ZnS
SnTe
AgCl
AgI
Cu2O
TiO2

Eg (eV)
0 K
300 K
-0.30
0.286
0.34-0.37
0.165
0.27
0.190
0.29
2.582
2.42
1.840
1.74
1.607
1.44
3.436
3.2
3.91
3.6
0.3
0.18
3.2
2.8
2.172
3.03

Largeur de la bande interdite pour quelques


semicondcuteurs.
24

2.2 Dopage dun semiconduteur


L'atome de silicium ayant quatre lectrons de
valence, il tablit quatre liaisons covalentes avec
quatre
atomes
voisins.
Il
est
appel
semiconducteur intrinsque.
A T = 0 K, seuls les niveaux d'nergie infrieure
une certaine valeur EFi, appele niveau de Fermi
intrinsque, sont occups pour un semiconducteur intrinsque. Si le niveau de Fermi,
EFi, est situ dans la bande interdite, tous les
niveaux de la bande de valence sont occups par
des lectrons, tandis que tous ceux de la bande de
conduction sont vides. Le semi-conducteur est
alors isolant.
25

E
+4

+4

(eV)

+4
Bande de conduction
vide

+4

+4

E Fi

+4

Bande de valence
remplie
+4

+4

+4

Semiconducteur intrinsque T = 0 K
26

Pour > K, certains niveaux au-dessus du


niveau de Fermi peuvent tre occups. L'nergie
ncessaire pour que les lectrons y accdent est
fournie par l'agitation thermique. L'ordre de
grandeur de l'nergie d'agitation thermique, lie
la temprature T, en K, est , avec , la
constante de Boltzmann, qui vaut:
= 8,6 10-5 eV.K-1
= 1,38 10-23 J.K-1
Lorsqu'un lectron passe de la bande de valence
la bande de conduction, il laisse un trou dans la
bande de valence.
27

La statistique de Fermi-Dirac donne, pour une


temprature T le nombre d'lectrons libres par
unit de volume dans la bande de conduction, not
et le nombre de trous par unit de volume dans
la bande de valence, not .

avec, pour du silicium intrinsque 300 K :


Nc = 2,82 1019 lectrons.cm-3
Nv = 1,83 1019 trous.cm-3
28

DEn = Ec EFi reprsente la diffrence d'nergie


entre le niveau Ec de la bande de conduction et le
niveau de Fermi, EFi.
DEp = EFi Ev reprsente la diffrence d'nergie
entre le niveau de Fermi, EFi, et le niveau Ev de la
bande de valence.
Pour un semi-conducteur intrinsque, le nombre
d'lectrons libres par unit de volume dans la
bande de conduction est gal au nombre de trous
par unit de volume dans la bande de valence. Le
tableau
suivant
donne
les
principales
caractristiques du semiconducteur intrinsque.
29

. =

: concentration intrinsque

Si

: constante de Boltzmann

ni

1019

1016

: Temprature en kelvin

mn

0.55me

1.1me

mp

0.35me 0.55me

g : largeur de bande interdite

Ge

n: masse apparente de l'lectron

p : masse apparente du trou


: constante de Planck

Formules relatives au semi-conducteur


intrinsque
30

E
+4

+4

+4

+4

+4

+4

(eV)

+4

+4

E Fi

+4

Semiconducteur intrinsque T 0 K
31

Lintroduction en quantit trs faible de certaines


impurets dans un semiconducteur intrinsque,
peut
augmenter
dans
des
proportions
considrables le nombre de porteur de charges.
Pour un semi-conducteur au silicium dop
larsenic, un atome darsenic, As, remplace un
atome de silicium dans le rseau. L'atome As ayant
cinq lectrons de valence, il forme quatre liaisons
covalentes avec des atomes de silicium voisins ; il
reste un lectron libre qui peut participer la
conduction lectrique. L'atome darsenic tant
donneur d'lectron, on parle de dopage de type n (n
pour ngatif).
32

E
+4

+4

(eV)

+4
e- libre

+4

As
+5

+4

+4

ED
+4

+4

Dopage dun semiconducteur par un atome


donneur
33

un atome dopant possdant trois lectrons de


valence, comme lindium, In, conduit un dficit
d'lectron de valence dans le rseau, appel trou.
Ce trou peut tre combl par un lectron de
valence d'un atome de silicium voisin, dplaant
ainsi le trou. L'atome dindium tant accepteur
d'lectron, on parle de dopage de type p (p pour
positif). Les lments dopants gnrent des niveaux
d'nergies dans la bande interdite. Ces niveaux
sont proches des bandes de valence ou de
conduction. Le tableau ci-dessous donne les
principales caractristiques du semiconducteur
dop ou extrinsque.
34

+4

+4

+4

(eV)

Trou

+4

In
+3

+4

EA

+4

+4

+4

Dopage dun semiconducteur par un atome accepteur


35

Densit d'accepteurs
Densit de donneurs
Densit d'accepteurs non ioniss (accepteurs
neutres lectriquement)

Densit de donneurs non ioniss (donneurs


neutres lectriquement)

+ = + Semi-conducteur neutre lectriquement


. =

+ = +

Semi-conducteur l'quilibre
Temprature suffisante pour que tous les
donneurs et accepteurs soient ioniss
p n, semi-conducteur fortement dop N
n p, semi-conducteur fortement dop P

Formules relatives au semiconducteur extrinsque


36

2.3 Conductivit lectrique dans un semiconducteur


Dans les semiconducteurs le phnomne de
conduction est assez complexe. A la temprature
ambiante lnergie cintique des lectrons est
importante, il en rsulte la rupture de certaines
liaisons et la production de porteurs de charge.
Un lectron qui est agit autour dune position
moyenne par effet thermique devient libre ds
que son nergie atteint une valeur suprieure ou
gale au gap. Il passe alors de la bande de valence
la bande de conduction. Il se comporte alors
comme un lectron libre dans un mtal.
37

Lorsquon cre un champ lectrique par


application dune diffrence de potentiel aux
extrmits du semiconducteur, llectron se
dplace dans le sens inverse du champ ce qui
permet la source de tension de dbiter le
courant lectrique. Le vide qua laiss llectron
qui a rompu sa liaison est appel trou. Latome
qui a perdu llectron est dans un tat instable, il
se lie alors llectron de valence dun atome
voisin. Le trou est alors supprim pour le premier
atome mais un nouveau trou sest produit dans
latome voisin. Donc tout se passe comme si le
trou se dplace dans la direction du champ
lectrique lorsque la d.d.p est applique.
38

Remarque: Un semiconducteur ne possde pas de


charge positive mobile, les seuls porteurs de charge
mobiles sont les lectrons , le courant lectrique est
d un double dplacement de ces lectrons qui se
trouvent des niveaux diffrents :
- les lectrons de conduction qui sont dans la bande
de conduction;
- les lectrons qui comblent les trous et qui sont dans
la bande de valence.
Dans le calcul on doit tenir compte du fait que ces
deux types dlectrons contribuent la conductivit
lectrique s mais en tenant compte du fait quils ont
des proprits caractristiques diffrentes.
39

Par souci de simplification on raisonnera en


terme de trous pour le deuxime type dlectrons.
Par analogie avec les conducteurs on posera:
=
s: la conductivit lectrique;
: la concentration en porteurs de charges;
: la charge lmentaire;
m: la mobilit des porteurs de charges.
Pour le semiconducteur, on doit faire la distinction
entre la mobilit des lectrons et celle des
trous. On dsignera par la concentration des
lectrons et par la concentration des trous. On a:
= +
40

Sous l'action de forces lectriques, dues


l'application d'un champ lectrique , les
lectrons et les trous se dplacent avec des vitesses
apparentes respectives et . En fait, les
porteurs de charge sont anims d'un mouvement
dsordonn, accompagn de multiples collisions.
L'intervalle de temps moyen, sparant deux
collisions successives, s'appelle temps de
relaxation tn ou tp, selon que les porteurs de
charge sont des lectrons ou des trous. Le tableau
ci-dessous prsente les formules essentielles
concernant la conductivit des semiconducteurs.
41

Symboles et formules
=
=
.
=

.
=

= . + .
= . + .

Dfinitions
: vitesse de l'lectron
mn : mobilit de l'lectron
: vitesse du trou
mp : mobilit du trou
tn : temps de relaxation de l'lectron
n: masse apparente de l'lectron
tp : temps de relaxation du trou
p : masse apparente du trou
: densit du courant de conduction
: densit de trous
: densit d'lectrons
s : conductivit du semi-conducteur

Relations de conductivit dans un semiconducteur


42

3. Applications
Application 1: Coefficient de temprature
La concentration intrinsque en lectrons et en trou dans un
cristal semi-conducteur pur est donne par :

= .

- B : grandeur caractristique du semi-conducteur suppose
constante;
- T : temprature absolue du cristal en K ;
- Eg : largeur de la bande interdite;
- kB : constante de Boltzmann de valeur 1,3806210-23 J.K-1;
- e : charge lmentaire de valeur 1,60 10-23 C;
1. Exprimer la conductivit du semi-conducteur intrinsque
pour lequel = = , en fonction de , , , ,
et , les mobilits des lectrons et des trous.
43

2. Calculer s 300 K pour les semi-conducteurs suivants:


Eg (eV)

B ( )

Ge

0,67

7,9

3600

1800

Si

1,12

1,7

1350

480

AsGa

1,43

1,8

8000

300

Cristal

. . .

3. Donner lexpression du coefficient de temprature du semiconducteur dfini par:



=

Calculer sa valeur pour chacun des semi-conducteurs 300 K.
4. La courbe ci-dessous donne les variations de la rsistivit
r du cuivre sur un domaine de temprature compris entre
20 C et + 100 C.
44

r10-9 (W.m)

20

14
20 C

t (C)
+20 C

+60 C

a. Modliser les variations de la conductivit du cuivre dans cet


intervalle de temprature.
b. En dduire le coefficient de temprature du cuivre donn
par:

=

c. Evaluer 300 K. Comparer la valeur obtenue avec celles
des 3 semi-conducteurs.
d. Conclure.
45

Application 2: Rsistivit haute temprature

Un cristal semi-conducteur possde les


concentrations ni = pi = 2,41013 cm-3, a
pour mobilits de trous et dlectrons mn =
3000 cm2.V-1.s-1 et mp = 1500 cm2V-1s-1. Il est
dop avec ND = 1017 cm-3. Tous les atomes
donneurs sont supposs ioniss.
1. Calculer les concentrations et ainsi
que la rsistivit r 300 K.
2. A 450 K, la concentration intrinsque est
multiplie par 140, calculer , et r 450 K.
46

Bibliographie
1. INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DE
LETAT SOLIDE
Charles Kittel - Dunod-Universit (3me
dition)
2. PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS ET
DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES
H. MATHIEU ET HERVE FANET Sciences
Sup Dunod (6me dition)
47