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Chapitre 9
MATERIAUX
SEMICONDUCTEURS
Pr. A. Belayachi
belayach@fsr.ac.ma
SOMMAIRE
1. Approche qualitative de la notion de bandes dnergie
dans les solides
2. Proprits lectriques des semi-conducteurs
2.1 Matriaux semi-conducteurs
2.1.1 Elments de la colonne IV
2.1.2 Les cristaux IIIV
2.1.3 Les cristaux IIVI
2.1.4 Les oxydes mtalliques
2.1.5 Autres matriaux semiconducteurs
2.2 Dopage dun semiconduteur
2.3 Conductivit lectrique dans un semiconducteur
3. Applications
2
=0
(eV)
(eV)
=0
Eg
avoir
une
prdominance en liaisons covalentes. Cependant
Certains semiconducteurs sont de bons exemples
de substances qui sont partiellement ioniques et
partiellement covalents.
7
E
E
(eV)
=0
Remarque importante
Le terme "isolant" est appliqu aux matriaux dont
la fonction principale est d'isoler un systme
lectrique de son environnement. Lutilisation des
matriaux isolant ncessite la prise en considration
non seulement des qualits lectriques mais aussi
dautres qualits:
- Proprits lectriques: rigidit, permittivit,
rsistivits normale et superficielle, coefficient de
temprature, facteur de perte.
- Proprits mcaniques: rsistance la traction et
la flexion, duret, lasticit.
- Proprits chimiques: rsistance aux acides, aux
solvant, toxicit.
12
Cristal
Diamant
Si
Ge
Sn-a
InSb
InAs
InP
GaP
GaAs
GaSb
AlSb
4H-SiC
Te
ZnSb
Eg (eV)
0 K
300 K
5.4
1.17
1.11
0.744
0.67
0.00
0.00
0.23
0.17
0.43
0.36
1.42
1.27
2.32
2.25
1.52
1.43
0.81
0.68
1.65
1.6
3.0
0.33
0.56
0.56
Cristal
HgTe
PbS
PbSe
PbTe
CdS
CdSe
CdTe
ZnO
ZnS
SnTe
AgCl
AgI
Cu2O
TiO2
Eg (eV)
0 K
300 K
-0.30
0.286
0.34-0.37
0.165
0.27
0.190
0.29
2.582
2.42
1.840
1.74
1.607
1.44
3.436
3.2
3.91
3.6
0.3
0.18
3.2
2.8
2.172
3.03
E
+4
+4
(eV)
+4
Bande de conduction
vide
+4
+4
E Fi
+4
Bande de valence
remplie
+4
+4
+4
Semiconducteur intrinsque T = 0 K
26
. =
: concentration intrinsque
Si
: constante de Boltzmann
ni
1019
1016
: Temprature en kelvin
mn
0.55me
1.1me
mp
0.35me 0.55me
Ge
E
+4
+4
+4
+4
+4
+4
(eV)
+4
+4
E Fi
+4
Semiconducteur intrinsque T 0 K
31
E
+4
+4
(eV)
+4
e- libre
+4
As
+5
+4
+4
ED
+4
+4
+4
+4
+4
(eV)
Trou
+4
In
+3
+4
EA
+4
+4
+4
Densit d'accepteurs
Densit de donneurs
Densit d'accepteurs non ioniss (accepteurs
neutres lectriquement)
+ = +
Semi-conducteur l'quilibre
Temprature suffisante pour que tous les
donneurs et accepteurs soient ioniss
p n, semi-conducteur fortement dop N
n p, semi-conducteur fortement dop P
Symboles et formules
=
=
.
=
.
=
= . + .
= . + .
Dfinitions
: vitesse de l'lectron
mn : mobilit de l'lectron
: vitesse du trou
mp : mobilit du trou
tn : temps de relaxation de l'lectron
n: masse apparente de l'lectron
tp : temps de relaxation du trou
p : masse apparente du trou
: densit du courant de conduction
: densit de trous
: densit d'lectrons
s : conductivit du semi-conducteur
3. Applications
Application 1: Coefficient de temprature
La concentration intrinsque en lectrons et en trou dans un
cristal semi-conducteur pur est donne par :
= .
- B : grandeur caractristique du semi-conducteur suppose
constante;
- T : temprature absolue du cristal en K ;
- Eg : largeur de la bande interdite;
- kB : constante de Boltzmann de valeur 1,3806210-23 J.K-1;
- e : charge lmentaire de valeur 1,60 10-23 C;
1. Exprimer la conductivit du semi-conducteur intrinsque
pour lequel = = , en fonction de , , , ,
et , les mobilits des lectrons et des trous.
43
B ( )
Ge
0,67
7,9
3600
1800
Si
1,12
1,7
1350
480
AsGa
1,43
1,8
8000
300
Cristal
. . .
r10-9 (W.m)
20
14
20 C
t (C)
+20 C
+60 C
Bibliographie
1. INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DE
LETAT SOLIDE
Charles Kittel - Dunod-Universit (3me
dition)
2. PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS ET
DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES
H. MATHIEU ET HERVE FANET Sciences
Sup Dunod (6me dition)
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