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Fsica de Semiconductores

Curso 2007
Ing. Electrnica- P2002
Ing. Electrnica/Electricista P88
3er. Ao, V cuat.

Trabajo Prctico Nro. 7: Corrientes en la juntura PN. Ecuacin de Schockley:

diodo ideal. Influencia de la temperatura.
Objetivos:
Estudiar el comportamiento fsico de la corriente en una juntura PN
abrupta al aplicar polarizacin directa y polarizacin inversa. Obtener y comparar
resultados numricos. Analizar la dependencia con la temperatura.
Bibliografa sugerida:
El diodo PN de unin - G. Neudeck
Semiconductor physics & devices. Basic principles. - D. Neamen
Semiconductor devices an introduction.- J. Singh
Electrnica fsica y modelos de circuitos de transistores (Cap. 2) - S.E.E.C. vol. 2
Dispositivos electrnicos para Circuitos Integrados (Cap 3) - Mller y Kamins
Introduccin: Caracterstica tensin-corriente de una juntura PN ideal.
Para encontrar la relacin entre la tensin y la corriente en una juntura PN se harn las
siguientes consideraciones, a fin de simplificar la resolucin del problema:
1- La regin de carga espacial tiene lmites abruptos y fuera de esta regin el
semiconductor se supone neutro.
2- Las densidades de portadores en los lmites de la regin de carga espacial estn
relacionadas por la diferencia de potencial a travs de la juntura.
3- Las densidades de portadores minoritarios son pequeas comparadas con las
densidades de portadores mayoritarios (rgimen de baja inyeccin).
4- No se produce ni generacin ni recombinacin en la regin de carga espacial, de
modo que las corrientes de electrones y huecos son constantes a travs de esta
regin.
En equilibrio trmico la concentracin de portadores es prcticamente igual a la
concentracin del dopaje en cada regin. Denominamos nno y npo a las concentraciones
de equilibrio de electrones en las regiones N y P, respectivamente. Del mismo modo,
ppo y pno son las concentraciones de equilibrio de huecos en las regiones P y N,
respectivamente. El potencial de contacto Vbi queda determinado por:
Vbi

kT
ppo nno
ppo nno
ln
VT ln
2
q
ni
ni 2

Como debe cumplirse la ley de accin de masas:

ppo npo = nno pno = ni2
el potencial de contacto Vbi queda dado por:
nno
Vbi VT ln
npo
De aqu resulta que:
nno npo e Vbi/VT
ppo pno e Vbi/VT

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La densidad de electrones y de huecos en los lmites de la regin de carga espacial
queda relacionada con el potencial electrosttico de contacto Vbi, en el equilibrio
trmico. Podemos esperar que la misma relacin se mantenga si se aplica un potencial
externo V. En tal caso, V= - VR , es negativo si se aplica un potencial inverso, V = VF,
es positivo si se aplica un potencial que polariza directamente a la juntura. En forma
general, para el caso de los electrones:
nn np e (Vbi - V)/VT
donde nn y np son las densidades en los bordes de la regin de carga espacial en los
lados N y P, respectivamente, cuando se aplica un potencial externo V. En condiciones
de bajo nivel de inyeccin, la densidad de portadores minoritarios inyectados es mucho
menor que la densidad de portadores mayoritarios, de modo que: n n nno. La
concentracin de electrones en el borde de la regin de carga espacial sobre el lado P
nn nno npo e Vbi/VT np e (Vbi - V)/VT
(x= -xp) queda dada por:
np npo e V/VT
np - npo npo (e V/VT - 1)
Se puede encontrar una expresin similar para los huecos en el borde de la regin de
carga espacial sobre el lado N (x = xn).
pn - pno pno (e V/VT - 1)
pn pno e V/VT

Se observa que las densidades de portadores minoritarios en los bordes -x p y xn se

incrementan por sobre sus valores de equilibrio para polarizacin directa y decrecen por
debajo de sus valores de equilibrio para polarizacin inversa. Lejos de los bordes de la
regin de carga espacial, en la regin neutra, las concentraciones tienden a los valores
de equilibrio trmico. En las figuras 1 y 2 se muestran las concentraciones de
portadores para los casos de polarizacin directa e inversa de la juntura.
w

ppo

ppo

nno

nno

pn

np

pn
pno

np

npo

pno

npo
x
-xp
Figura 1

xn

x
-xp

xn

Figura 2

3
La ecuacin de continuidad aplicada a los portadores minoritarios en la regin neutra N
resulta:
d 2 pn
dx 2

pn
0
Dp p

donde pn = pn - pno es el exceso de concentracin de huecos, portadores minoritarios

en la regin N. Las condiciones de contorno del sistema estn dadas por:
pn(xn) pno e V/VT
pn(x ) pno

La solucin aplicando las condiciones de contorno da:

pn pn - pno pno (e V/VT - 1) e - (x - xn)/Lp
donde Lp = (Dp p)1/2 es la longitud de difusin de los huecos en la regin N.
Utilizando un procedimiento similar se obtiene para los electrones en el lado P:
d 2 np

np
0
dx 2 Dn n
np np - npo npo (e V/VT - 1) e (x xp)/Ln
-

donde Ln = (Dn n)1/2 es la longitud de difusin de los electrones en la regin P.

La densidad de corriente total en la juntura PN puede expresarse a partir de las
densidades de corriente de difusin, para electrones y huecos, en los bordes de la zona
de carga espacial:
J Jp x=xn + Jn x= -xp
(1)
donde Jp y Jn son, respectivamente, las densidades de corriente de difusin de
portadores minoritarios, huecos y electrones, en las regiones neutras N y P. La densidad
de corriente de huecos Jp, en el borde entre la regin de carga espacial y la regin
masiva tipo N, es causada bsicamente por difusin y puede ser expresada como la
derivada espacial de la distribucin de huecos en x = xn, es decir:
Jp(xn) - q Dp

dpn(x)
dx

x xn

q Dp pno
e VT 1
Lp

Del mismo modo para los electrones en la regin P:

La densidad de corriente total se puede escribir como:
V/VT - 1 )
J Jn(- xp) Jp(xn) Js ( exp
V

Jn(- xp) q Dn

dnp(x)
q Dn npo VT
e
1
x xp
dx
Ln

La ecuacin anterior es conocida como ecuacin de Schockley para una juntura ideal.
Js se denomina densidad de corriente de saturacin y se expresa por:

Js

q Dp pno q Dn npo

Lp
Ln

La ecuacin de Schockley corresponde a un comportamiento ideal de la juntura PN. Las

figuras 4 y 5 muestran la densidad de corriente para polarizacin directa e inversa de la
juntura.
J

J = Jn + Jp
Jp

J = Jn + Jp
Jn

Jn

Jp

Jp

Jn
x

- xp
xn
Figura 3: polarizacin directa

- xp
xn
Figura 4: polarizacin inversa

La figura 5 muestra la caracterstica corriente-tensin de una juntura expresada por la

ecuacin de Schockley.

directa
I

Ejercicios propuestos
V
Ejercicio 1
La siguiente figura muestra inversa
una juntura PN de Silicio a T= 300 K polarizada en forma
directa con V = +0.610V. La regin N est dopada con 1016 tomos donores/cm3 y la
Figura 5
regin P con 5x1016 tomos aceptores/cm3. El tiempo de vida de los minoritarios es n =
0.05 s y p = 0.01 s, y los coeficientes de difusin Dn= 23 cm2/s y Dp = 8 cm2/s.

N
x = -xp

x =0

x = xn

Calcular:
w
a) el exceso de concentracin de huecos como una funcin de x para x 0.
b) la densidad de corriente de difusin de huecos en x= xn + 3x10-4 cm

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c) la densidad de corriente de electrones en x= xn + 3x10-4 cm
Ejercicio 2
a) La ecuacin que representa la corriente total I en un diodo PN idealizado est dada
por la ecuacin de Schockley:
I = A q ( Dp pno + Dn npo ) ( eV/VT - 1 )
Lp
Ln
Discutir desde un punto de vista fsico cada uno de sus trminos.
b) La ecuacin anterior puede escribirse: I = Is (e V/VT - 1)
donde Is es la corriente de saturacin inversa dada por:
Is = A q ( Dp pno + Dn npo )
Lp
Ln
Considerando una juntura abrupta de silicio con los siguientes datos:
lado P

NA= 1017 cm-3

p = 0.1 s
p = 450 cm2/Vs

lado N

ND = 5x1017 cm-3
n = 0.01 s
n = 900 cm2/Vs

Calcular la corriente de saturacin debida a huecos y a electrones y la corriente total.

c) Si T=300K calcular I para V= -10V, -1V, -0.1V y +0.2V. Graficar los resultados en el
plano I-V. Comparar resultados y sacar conclusiones.
d)

Calcular Is a T= 400K, 500K y 600K. Comparar los resultados obtenidos con

el valor de Is a T= 300K.

e) Qu conclusiones pueden extraerse de la comparacin de resultados?

Ejercicio 3
Una juntura abrupta de Si tiene los siguientes datos: NA= 5x1015 cm-3, ND = 1015 cm-3,
ni= 1.5x1010 cm-3 rea transversal A= 10-4 cm-2 , n= 0.4 s y p= 0.1 s.
Datos: T=300K, n= 1350 cm2/Vs, p= 480 cm2/Vs, Dn= 34.9 cm2/s, Dp= 12.4 cm2/s
Calcular:
a) la corriente de saturacin debida a los huecos y la corriente de saturacin debida a los
electrones.
b) la concentracin de huecos en x= xn si V= Vbi/2 (V: potencial externo aplicado).
c) la corriente de electrones en x=xn+Lp/2 para V=Vbi/2

Ejercicio 4
Una juntura P+N de silicio est dopada con ND = 2x1016 cm-3, Dp= 12 cm2/s y p= 0.1

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s. El rea de la juntura es A= 10 -4 cm2. Calcular la corriente de saturacin Is y la
corriente I para una polarizacin de 0.6V. Justificar aproximaciones.
Ejercicio 5
Disear una juntura PN de Silicio (r =11.7) tal que Jn= 20 A/cm2 y Jp = 5 A/cm2 para
una tensin V= 0.65V. Considerar: ni =1.5 x1010 cm-3, Dn= 25 cm2/s, Dp= 10 cm2/s, n
= p = 5x10-7 s.
Ejercicio 6
Una juntura abrupta ideal de silicio (r =11.7) est dopada con NA= 1017 cm-3 y ND=
0.5x1016 cm-3. El rea de la juntura es de 1.5x10-5 cm2 y se conocen n = p = 5x10-7 s.
a) Calcular la corriente de saturacin a T= 300 K
b) Calcular la corriente para V= 0.65 V.