UNIDAD I Ciecuitos Con Diovos Diopo Semiconouctor: Es un elemerito bi- polar de Si ¢ Ge que posee una inidn pn y per= mite el flujo de corriente en un solo seftide. SIMBOLO EN GENERAL: ._Q—. ALGUNOS TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES: Rectificador Zenner Switcheo LED Fotodiodo Varactor Schot tky Turel oC NOTA: Cada simbolo deberd estar deftro de un circulo, pero en muchas ocasiones se onile por Facilidad . Existen diodes quéno son semiconduétores como el tubo de vaclo 9 gas. SIMBOLO: A « POLARIZACION DIRECTA DEL DIODO + cuReutTo ) T Convescional POLARIZACION INVERSA DEL DI0D0 jew |, cuRcutto I Convencional #0 IMPORTANTE: Se acostumbra decir diodo ¢n directa d diodo gn inversa solamerte. Mopetos Det Diovo Diado Ideal (D1) Diodo con caida unica Aproximacién lineal 4%, Diooo Toe. (D1) 4 —« El Diodo Ideal es un INTERRUPTOR CONDICONAOO a) Si eldiodo esta en directa el interruptor es cerrado. »),- $i el diode esfa en inversa el wherruplor es abierlo,GRAFICA YOLTASE- CORRIENTE. ian Unk 28 MODELO CON CAIDA UNICA Wr=0TV para $1 V=Voltyje de Unbral Wr o3v para ce GRAFICA VOLTAJE-CORRIENTE bax - Ua tye 38 Moveto Linea a GRAFICA VOL TAJE ~ CORRIENTE boa Vax Vr Lo grafica cumple ‘as dos condiciones siq.: @) Para Un< VP = imeo 4) Para Vand Vr —~ Vac = Vt+ Laxtp (Observese la malia) 6 tans Fp Ue ave Ys mx +b lq pendieste es mets Yp= resistencia promedio Los modelos del diode ayvdan al analisis rdgido y general de circuitos con diados. DIODO REAL Grafica Voltaje- Corriente . Undv) Polarizacidn en directa Formuta Ew Digecta: . an im = Is(@°™ - 1) Iss Corriente inversa de saturacicn = 1600 Wet para Ge % 122 para St Tes Te+ 233° Tus Temperatura en grados Kelvin Te: Tenperatura en grades centigrados AMPLIFICACION DE POLARIZACION (VERSA bx ‘We Is aproximadamente constanle Regia de Ts($i)= 100A ‘avalancha [s6e) = 2ATERMINOS DE LOS MANUALES MAS USADOS: Ve Noltaje directo ak para una corriente Tr = bak Ta Corrieste inversa aun Va(Voltoje en inversa) By (Break V) Voltaje de ruplura PIV, PRY C — Capacidad (pF) a un voltaje inverse tre Tiempo inyerso de recobro T Temperatura maxima de trabajo Dependiendo de la aplicacién 5 tipo de diode $e mejora alguna caracteristica Disminuyenda trr—Diodo de switche Aumentando BV — Rectificador PROBLEMAS En el siguiente circuito considere el diodo ideal y encuetire 1a cortiente mdxima que Circula por et diodo. Dibyjar Usal. y Vax. = 20 SOLUCION: Analizondo el Semicicio positive Y Fxactamesie en el pico CiReuire EQUYALENTE : ot Va = (ioKil22%) loi 22%) + 10K = (20V)= 8.15¥ OTRO CAMINO: Usande Thever Rw * Ov 2K. & En el punto maximo: a a oe Obteniendo aw @ 2 Ry Vw ’ Rrw= 1OKIIOK = SKA Vans Vat. OK _. 20V = IOV Tok + 10KCalcviese la corrvente que circula por el re- sistor de 12K. usando el modelo con caida Unica 33K: s oxa WK SOLUCION: Aplicando Thevenin fd ann; Obteniendo ov e / Rew Vw 10K — b Rw = BKLIIOKL = TGTKR Vw = (0K __). (gy "= (aul aae (ov) = 1398 Agregando al modelo de Thevenin la carga que S@ hab™@ elimnado y ademas susfitvyendo el modelo con caida unica para el diod, Rue TET Kk ‘or TH Vs 1.385v iw} ike: 188-01. Gosean axa 1585-01 _"0.038mA] OTRO CAMINO: Usando mallas (2. 4 FEI diode de lo Figura tiene las siguientes espe- cificaciones Te nde. = 150 mA Ie=20mA a 1 Yolt Utilice lo aproximacién lineal y obtenga Lak -—w——— 100.2 sv Ys t—__] SOLUCION: Por ser el diodo ideal de Si, V#=0:W y con los pun tos: (0.2v , Omay CAV 5 20ma) Pucde obfenerse la pendiente x 20-0. 20mA ° 1-07 Ov Te= 93¥. 1 isn. Fama ine > S-03 2 4.3V 2 Signa] q TooHs Tis Observar que Irmdx fue dato redundante pendiente = m= Para el siguiente circuito dibuje Ue, Uae y ‘Usil. resaltando ta relacion de fase y va— lores mdximos.Considere Frecuencia dé linea. Resolver para 4) Modelo Ideal ») Modelo cow cavda unica 2) Modelo lineal Dd 3KS wae ') ow. Tak St —_ Ve tka Usai 6 = 334 + 10(i 44) 431,40 =6 ONS 12ig + toll HY) 10Ly + 224) 20.7 a6 toot] _ 40 Ve= iosenut 0 2 IMPORTANTE: Para cualquier modelo convie~ ve usar Thevenin para decidir si el DI esta Cerrado © abierto.SOLUCION: £) Usando el Madelg Lineal } Usando el Modelo DI Asumiendo que seTonon lecturas al diode para or o obtener tp= ®) 1 « ‘ | Seniciclo postive Semicdo neget Para la linea F=COWz 5 peride T= + ico = (Uepeo Vo) AK (190.4) 1K ” ferme (OT) eve, Vedhiico= BUN | Vsrepican VPS (AK prea) lp Unemde = 1-01. 3.2hmh tiered Uni pico = O14 (8.21 mA) -(1D) = 0.792 5) Usando el Modelo con calda Unica een or Ne * — Eldiodo weal 0! se Ou tka Url cierra cvando Ve so~ ~ brepasa el umbral VT. De asta manera se po= ne en directa NOTA: Enel Vax la ceccion cayoda tiene exactomenie la misma forma de la entrada y la mds oscura tie we la forma Sencidal amorfiguada. Para Calcvlar 6 eal (sen @ 201 4 = sent OL & = 4.01" Para Catcular At +08 Te fe At omeey, Va -10 f-----. Observar que Vax es una seccidn exoca del Voltaje de entrada Va= SS eS SS SS — eS SSS SS SS CONCEPTO DE RECTA DE CARGA Para el siguiente circuito: Vx Te est a US circurto MooeLo Lo malla es Yent= Var s inne Colocando la ecvacién tal que y=mx4b bax = LU + ‘Vent i ms — qs pendieste ya Ri se le conoce como resistencia de carga por el efecto que causa Para dibujar la recta con las condiciones de “j cruce : Si ine20 = Uae Uert Saxo > Ue Bet (0 PCVent, 0) : Vel) Re PUNTO Q: Es al punto donde trabaja el diodo Fl concepte recta de carga es una herramieila de analisis que puede ser my vil COMENTARIOS DE LA RECTA DE CARGA ¥ DEL. PUNTO Q EN EL Di0DO PUNTO Q EsTATICO ic PUNTO @ DINANICO Al varia su valor 1a fuente obliga o cambiar 'a posicién det punto @ VARIACION DE PARAMETROS EN EL CiRcUITO MODELO. #FIANDO RL Avmestondo Vert + @, Dismuinayendo Vets @y Tne Aumertando Ru: Q, Disminvyendo Res Ga tax Aumestande Vert y Re Produce recta | Dismavyendo Vent y Re Produce recta 2 tax CONCEPTO DE RESISTENCIA DINAMICA Ft La corrienfe en un diode es funcidn del Une tax = 1a(¢ 51) os Uoee Tse tye Tse kth pore Ise >>Ts j Ts = pAmpersOblemendo la derwada ds Rte GRAFICA DE TRANSFERENCIA Stax = bux oe dU. Te resistencia dindmica slaw Rin A temperatura ambiente 25°C y considerando = ya que en la parte lineal n=! para bey Si rs 254275 ——~s— (Ying wt Toy " Veot Ul r= 25.6 m¥| 9 Esta ewacidén sera ton Tamil muy usada en el ransisto ransisfor Usile 54 Metz) CARACTERISTICA DE “TRANSFERENCIA i —_ Cale enla resictencta de 10.2 de —_ = Je salida eitiagg | CIRCUITO Vedlida Usa = 54 0,5 Vent — 2.5 —_ Usil= 2.5 + 0.5 Ved] EcuACN De GRAFICA DE TRANSFERENCIA TRANSFERENCIA Used Teal tet Si se dispane de la curva de transferencia & delas ewaciones de transferencia se pueden probar diferentes entradas y prosesticar fa Pora cualquier cirevito la caracter(stice de correspondiente salida, Transferencia depende solo de los ehemenloe ¥ €8 INDEPENDIENTE del thpo de entrada, # Para ch ejempio anterior obtenga Usd! para un Yeni =" 2 sen uit EJEMPLOS: #ObIenga la curva de transferencia: *Mediante la ecvacidn de transferencia Usil= 2,540.5 Veit tet Usdl = 2.54 0,5(2 senut) toe i B 2.5 + senut Por division de tensién s sil = Ty ent: Equacién de sdlida a partir de la ecuacidn de tronsferencia. 0.5 Vent J ECUKGN DE TRANSFERENCIA& @ DL abierto si Vent VF ya que no circula corriente por Rt Y por lo tanto no hay catdo de voltaje, © DI cerrado s Vert> V7 Ushi = (Vest Vx) —B tt (eva) Ba tem ot ave CURVA DE TRANSFERENCIA Usdl Nokese te Falta de lineatidad del cirevito. e redaz 4 Woite ve La recla 1 es horizaital con limite Vet= Vo £ La reda 2 es otra seccidn de recta con gendiente = Bx Ree Rp RECORTADORES. Son crcuitos que Formon senales de otras al ser ‘truncadas. A menos que sé aclaré lo confrario en este subtema se considera el Modelo Idea de diode, EJEMPLO: Obfener Ja salida para la entrada qe se mestra. 4 Obtens a ‘ta ecuacién y Ia curva de trans= Feteneia Con sidere el modelo lineal R ent. Vsil. v sil, ——__—_——_. Veit= Yp senut pera Ye>V SOLUCION + Sustituyendo ¢ modelo lineal SOLUCION: Sustituyendo ei Modelo Ideal El circudo tiene eb interruptor condicienade OT porlo tanto es la base o referencia. -——— = ewe eee eT ew ee eee ee Se© EL DE cerrado si Vent< Vv vs. py Vert Yetey | Dado que el interruptor esta cerrado Usdi=¥ @ E| DI adierio si Vest ZV, el circuito equi- valente eo Vent: Usdl= Vest La curva de trancferencia tendrd dos secciones: fed A= pendieste= { seccido 1 seccién 22 Veil= Vet] yyy Fara la eritrado propucsta se dibyja la sdlida posible Observar {a relacién de tiempos. Ademas Vp es ‘gual en Ja entrada com mo en la sdlido porque may 3 # Obtenga ta sdlida del siguierte circvito para para la entroda de diente de sierra que se propone Beak Vest. Vesa, SOLUCION: | Sustitugengo €l modelo ideal br ‘« OI cerrado cvando Vest < 3¥ Vsdt= Vert ] OF abierte cuando Vent 2 3¥ | Usd = 3v | Ue tsa) j Considere Vv) <¥2SOLUCION: Para: Vent T no se cumple lo anilerior puede suceder Wo sigue Se observa la descarga det condensader. t RECTIFICADORES Tnecouccion Valor Promedio Vprom. = EV (Discretos) Ww Yoram = [pat (Cestines) Valor Eficaz Ves, (Discretos) JE Ff'urat Contos) Ve lecturas N= Nimero total de leeluras ‘Ue funcide en et tiempo Ts Perioda dev Vet. EJEMPLO: #Obtenee Vyrom y Ver Verom= ZV we 142g 0-1-1, 1 = 0.355¥ 6 % 3 [prom = 0,333 Veh. /Zvts [ieee vs ce OF PB 7% € se NOTA: Comparar valoreslencias de energia de un tips a otra". We Vo-seno Veron = 0 B Para una s¢fial constantes aa Vet = = (#{eat)* 4 Ge” "(ve -sena)?de) Yeti = Yee sented XY coma: Betas peor 4 Veft = ee: fecos 2x) da aw 2. Mitty Yet Ja Nett (Fae ‘Bt [yeas 10 2 “El volor eficaz es el Vsado para equiva- PARA CUALQUIER SENOIDAL! €3 igual a le negative o cos Bada = as aoe Yel: -# en So sen ra emt H. Weft s Yen[ 4 (20) 9] wet [ ts apres se} Veft= xé[~]- Qs a senda , NOTA‘ & Para cvalquier senoidat sin imporfar sy free cuencia él valor eficaz cumple: Vef.= O.101Yp Yp = IZ-Vek. © Cualquier voltimetro en ce 8 cO mde va~ lores promedios. 120V/60Nz = 120 Volts eficaces /60 sigs. GEL voltimetio CA se calibra pare medir $2 601 J valores eficaces y @s una escala diferente He ala de cc. Te pa Be O0lehsey= Hed msg, , vo. @ Un medidor presenta diferentes impedane UeNpesenut —y wa rahe ro) 31125 cae en CA ay lo aclara en la caratula Ya Vp- sen 317E del medidor para’ cada uno. SS @ Es imposible mesir con voltimelro valores eficoces para frecuencias superiores ¢ 6OHz Vpp=Voltaje de pico a pico debido @ que no tiene rechficadores que Fespondon a altos Frecuenciag. Vp» Voltaje de picomn reeeeae Se BS SESE SBS SB SB 222 WEI osciloscopio mide en CC la seal tal = Cual eS Con su componente de direda. En CA Se agrega Un condensador para elimina esta’ componente de directa. ENTRADA T ty tS Ua a Sefal amedir si Z Se selecciona CC U/; es Seal a medir ci Se Selecciona CA BZEn el asciloscopio una buena lectura se hace = $1 se ocupa toda fa paritalla. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA SERIAL CONTINUA Vests Vp-seo {ee Xlocwcw cero | cao an Vprn.e ("wat = [Vo Seraaa + fo como feenauda = = cove Shy y ya se denosto: v roy 13 Vprom = ~ cosa ~Z& (wos cos 0) Veron = -Peer -1t)e- fe) = Np +futs al {Ver sarae + flora] Nef'= ‘ 1 sen 2«] : 4 Seenada = [$= ae v Vfl Wet[pa-psenaa]" te ian 4 = Oyde Vebt= Yet Lar- Lsenam- 24 psend] Veft= Mtl ©T_o-040]2 Vet ef Ye [ F-0-0 40] Vee RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRANSFORMADOR CON ODERIVACION (TAP) CENTRAL. + RL teal iPara O certass 14 era RECTIFICADOR DE ONDA COMPLE TA TIPO PUENTE ~ Vent, ® et © Vorom = spfieat Tnitegrondo de 0 a y con respecte al dngulo: Veron = ef Vp sena-dat= Ye [- cos af Vprom. = HF [cos cos] = fey 6 ONDA cOMPLETA CON = TAP CENTRAL PVeht= tyre - Integrando un periodo (0 a 1) con respecto al Gngulo: a Nets a LTipsersiacm MB [Sead y yase Fesolvid! ques (senta da. \ Vebte METS ~ tsenaa]” D, y Ds en direca Dy y Dy eninversa ® Semiciclo Neqativo: L sen 20 ax- b sen D, yDs en inversa Da y Dy en directa Sustituyendo limites: Vef? = wel g- sen 20— $0) + b sen 240)] Vel? = eT 9-040] es) T_ Vel? = Ye? ONDA COMPLETA 1180 PUENTE. ONDA COMPLETA CON Las cypresiones de Vprom. y Vek. para el TAP CENTRAL ‘tipo puerte pueden denostrarse igual que las anteriores, ~~ —_ nt fet et feta ea eee Ee16 Vefes el misino que et_de la linea g) Voltaje amedirenla sdlida con multimetro 3 (ONDA COMPLETA en ¢¢ oe THPo PUENTE hy Voltaje a medir en la. sdlida con multnetie en ca MEDIA JONDA | “Tio. ONDA _|ComPLe Tal Niners de diodos Trans con tap Ceafral Entrade picel Vp | 2%p | ve SOLUCION: jt Mow Séiida pico] ve |v ve Ne fp Vee Neve 4 (120)= 40 Vrms Vp 2p 2Np My g fo cc a aw Vent ¥ p= |e Pent Vp. sen ut Sdlida Ye Ye | Ne Vo= 4i'Vel = 12"Uov) = 56.5, Sey |_| i Wi diets 23,46 }60 Ha) = 31 /e PvWVelioje el] vp | 2ve | vp = Beefs 2(3,1416)(60H2)= 3 Pico Inverso) Jes DP Vent= 56.5 sen 377 t Volts Freevencia Wi Nou Ottis GONE} 120k] ONE Schda ANALISIS DEL PIV MEDIA ONDA MPLE TA NDA ¢ abierta Diodes eninversa: dd) PlV= Sé.5v Da y Da 2) Petencia = ¥ diz Ye. S&S¥. 28.29 a Veh sdi= Yes S&5¥= 28.28V fw Vp Pe 0.18 wots EJEMPLO: 4+ Para 2) siguiente cirevito obtener: a) Grdftca ae Yert §) Gonz 4) Grdfico de sdi Rus ik a iw i ] J J J J a a I NOTA: Vp es el pico de salida y noel de enlroda t I J I | @) Yorom= Ye ©) Grafica de Var | 4) pv b) Vef= 2a.28V €} Wattye requendo en R F) Freevencia de sida + ADT: Las potencies cspimbles de sskrcis | sons ty 4, 4, 1,2,5, 10 y 20Wati- La polencia de las resistencias normalmente es funcicn del maferial det que estea hechas y de sv Taman. FILTRAVE ae ~~ TPRANSFORMADOR a ues | aeoueTOR ectiescaooR} | Fierro] Wa “Fer wt ve COLO Cade FILTRO —— A+ ANTES DE co10- CAR EL FILTRO t “boo iy TTF FILTRAIE IDEAL ALLELE Lis Fl filtroje serd ideal si Veo = Vp FILTRAJE APROXIMADAMENTE BEAL joltoje de rizo (rms) Vcc = Volfaje promedio de la eélida, EI Piltraje € acerco a fe Ideal \ T--O% Si se requiere filtrar una edlida rech ficada @s convenient rectificar unda completa MEDICION RAPIDA DEL FACTOR DE Rizo(r) 6 #Nee se Fora come tectura. *EI rizo se considera sonoidal ys Ve= 0.101 Vp T= 101 Vp delrite 199%, Vee EJEMPLO: 4 Obtener el factorde rizo: F2 o10U50nY) .yoayy= By Teo01 2} EJEMPLO: Ala sdlida de un cirevito rechficador fil trade se toma la lectura de IZV en cc, si tiene un fac- tor de rizo dé 0.3% cual esel valor pico a pico de ta componente de alterna. 0.107 (0.089) (10%) SOLUCION: Ve rms) (igor Ye) (100%) (.3%IUR) _ 0.036N 00% p= {2"Vr(rac)= {2'(0.036V) = 0.05031 ¥ Npp= 108,82 mV. FILTRO CON CONDENSADOR (Detector De Pico} ce} | RECTIFICADOR +=e mmm ee ee Eee ESS ANTES DE COLOcAR EL CONDENSADOR: Az : )eoL0cANo0 EL CONDENSADOR: aida exponencial Forma senoidal ++ 8 e+ or Cerrado Tt © Sp El condensador se carga a un valor siguiendo 1a ) entrada hasta detectar el méximo & peo | 120m + br a+ 6OHe abierto c Al diswinuir la evtroda se abre ef diode porque €1 condensador esta a un potencial mds alte y queda polarizado en jnversa. El condensader ‘tignde a descargarse a fraveés de R de Forma exponencial. Rc grande RC pequeria t Hormalmerte R es et circuite que abmesia el filtro, por le tafe el disefo se reduce a elegir el con ‘densador. Es deseable que RC>>T donde T es ci periodo dela sdlida rectificada, CALCULO RAPIDO DE Cr RO>>T RCD I0T > © 7 EJEMPLO: + Calcular un rectificador con filtro para la carga siguiedte: Teng ¥ nv ‘APARATO SOLUCION: =~ Se elige un rectificader tipo puerte porque ¢s €l que mds voltaje proporciona con un mismo ‘trans formadore La resistencia que represefta la carga es: Rs ¥ we 20.0. caRcUITOS Transformador con voltaje en el secundaria de 9V(rms) ROWT oR T= 833mseg para rectificador de onda completa c> ‘or Cy 0838 nse) 2 Gade 120.8 CY 694 uF aun voltaje superior a IV SALIDA IDEAL DEL CIRCUITO PROPUESTO:QP @ eo Pe SBS RE SB RB SESE RE RE RE EEE SE 18 NOTA: Al emplear filtro RC el valor del Circuuto equivalente cuando conducer los Condensador altera [a corrienite instantanea: dicdos Dy y Os C_Pequetia: 1; b Reece (Resistencia del secundario) iempode conducadn del diodo: grande (2 Nayiny ( Resistencia del primario reflejada © Grande Cs secundaria) we 88 en a-b vO “4 ndximo = = [Porque al arranque el condensador ex un cot (ws pico grande EJEMPLO : + Para el rectificador tipo pueate con secundario de 24Virms) y R= A.D, limitese la corrsente | € transiteria a Amp. ++ El tiempo de conducciéndel diode es pequeno. SOLUCION: Ae Lox = {2+(24V) _ 8,49 Amp, 1s ha, es PRECAUCION: Al clevar el valor del condensador lo corriente pico instantanea que paso por el diodo aumenta, RESISTENCIA DE SOBRECARGA Inds = BGA _ sy Bote Fog PAL Rum= on -4X Rum= 34¥ 4g= if Sr Ah= 138 VALOR COMERCIAL + Ges ez a]MULTIPLICADORES DE VOLTAJE Neto. Gov oe puntle wgertir de wee evel Al sumertar Io mut tipticocién die minvys ta de alterna, requocida. Notese lo repeticién de Tamas al aumeitar 22 la mol tiplicacién. Pe © Por cada multiplicacide existe igual nimere c de condensadores y diedes. we &) Zo, c & © Los cendensadores que #¢ agregar para aumertar la multiplicaciée de voltaje son en serie, lo que hace que A ¢ equivalente disminuya y por lo tanto el filfraje sea pobre. REGULACION DE VOLTAJE Rw 0 sence Weostro — Segilonse de a] La Fueite tiene una regulacdn ideal si cumple para cualquier valor de Ru un voltaje cons- it tarte. @ Semicido Positivo: oan DOBLADOR CURVA DE REGULACION IDEAL tpt a= Feguacidn en % = Yarcuito obierte ~ Velene carga__,(100%,) a Vplena carga Tdealmente \_ debe tender a O% -TRIPLICADOR_ . Pat Volena tig L Tptena carga CURVA DE REGULACION NO IDEAL 8 Wc ) CUADRUPLICADOR Velena conga Rise = “ Tpena cargaeee ee ee DIODO ZENER Trabaja on aaycrea come cower Teabuja en directa come ded SIMBoLO: —— APROXIMACION CON CAIDA _UNICAS A} Ns Eniaversa trabaja om diode nornat hasta alcanzar sv voltge ener En directa es un diode normal ve Naw Vab Usd Va VOuTAJE, ENR CIRCUITO. TAPICO: Se (Vta)>Vz Entonces Uedt.= Vz. EXEMPLO: OR Stel zener es de 8.2V. Dibyjar Vedi. y et Yoltaje en la resistencia. FUENTE DE. ALTERMA| ENTE Po de DiRECTA oyALGUNOS CiRCUITOS CON ZENER ‘e, Para aumestor ef wattoje © para “iz diferentes voltaes. Evempuo: Circuito Recowtapor 6 LimiTADOR R Vest Veil. ——__ EJEMPLO: Si Vaya SiV y Vagz th y lo etitro- da es un voltaje triangular de 15V ae picos +nv sv FUENTE REGULADA CON ZENER + Encventre el valor del voltae de entroda para encender el zener. 100.0, ait, tL Vow non a 120 Vez Tarp late 0.545 Yeat. vet Voit « Hing = hag = 22v Went > 22V + Para el ejemplo anterior calcule las corrientas @n cada ‘elemenlo cuando: Q) Vert = 30V b) Vert.= 25v +ny, fy tot ae L ve 120.0, Lamon = 3022. Yo 180mA 100.0. DH 20 —12Y a 100mA Tan T20 Tz= Une — Inigo = '80mA=100mA= BOmA w- Temes SUSU 5 Bie HOA Tne Yo Tose SIR mw 10OmA Tx = Ineo = Tao = 130mA= OMA = 30mA F#Enel dibyjo siguente obtener las corrientes en cada elemento y los wattajes. a) sin carga (Rus =o) b) con carga Ru» 120.5. woe OV: Vie’ LN f 008. tT + V- Fy | av Toa AOW = 18Y__ 220mA 160 Wawoa= I?R= (720mA)(100.2) = 4.84 Wattsz= Tron = 220 mA Wr = Va-ls = (18v\(220mA) = 3.96 wat ts von. we * 14 b).- 40 1A ™ Si09 Tr= 4V-18V 2 220 mA 100.2, Laiman 1 = 150mA mee oR Te = Teims—Tavo2= 220mA-150mk= TOmA Wawa = (220mA)2(100.8) = 4,84 W Weizod= (180mA)*(120.0) = 2.1W Wa = *(18V)(T0mA) = 1,26 W * Se tiene un circuito que se requiere altmestar Con las sig. caracter{sticas, voltaje de alimen- tacidn 5.1V y consume 100mA. Disenar el circvito de aimestacién: CARA Voutase vet SECUNDARIO Vze 54V 6V (ree) lane SOLUCION: Rum GVA 5.AV _ Vprom = V2 100mA + LmA ‘In + Lamin. Vprom = {E Veh = (F (v) = B.48y (Se esta considerando Ypron=Vp como filtraje ideal ) > Rem = = 33.5 8,48 — 5.1 NOlmA Se elige valor comercial: Rum 2 33. wz Trreal = Vprom= Vz 5 8,48 5.1 2 102,5mA MB Rum Calcio de Potenciass Wee Vel El zener disapard ba maxima potencia cuando no exista carga ya que toda la cortieste paa— 5 ra por el Wz = 6¥)(102.5md) = 0.52 W270.51W Wea = Ti? Rum = (102.5 A332) = O.346W arr Va IW Rum s 33. a Yow Calculo dei_Condensador + La carga se puede representar por una resistencia: Ae SW. 51 ‘oma Re QLAsa Vprom T cae T= 8.33 mse5, Para rectificador de onda Completa Cy 10(8,33mseq) RL CX 1006.8 uF Se ¢lige valor comercial:a ee eS eS SS S| SS S| SS UNIDAD II BJT (BirouaR JUNTION Transistor) NPN Tipos de Transistores {one de db de E enisor B base C ,colector dc 7 dep dd TRANSISTOR NPN EY TRANSISTOR PN iP “Phe iV smart + En cuanto a dimensiones Fisicas, et colector es elmds grande y la base la mds pequetia. ¥ La purita de la fecha indica el material tipo N. # La Flecha es el emisor. # La Flecha indica (a corrieafe convencional 23 Q Conve Ncionat: de ta- CRITERIOS DE (Potensigl atte @ bajo) FLUJO DE corniente | @Reacs de-a+t (Los electrones se muever @ los twecos) POSIBLES POLARIZACIONES : (1000 _BE [01000 BC Direcla || Directo Accidn Directa Inversa 4 Amplificadora Tnversa_{ Directo Inversa__| lnversa En region activa, pequefias corrientes de base controlan corrientes mayores de colector Parg el NPN: CORRIENTES CONVENCIONALES (USADAS PRACTICAMEN TE) Pora_el_ PNP CORRIEN FES CONVENCIONALESHEeeEne Ee SB BRB SS eo Ss ea Se Se Se 2s = — Para CuaLquier Transistor NPN O PNP SIEMPRE SE CUMPLE i ie de | Esto implica que: (Een| EL NPN Hiperbola de mavima potencia Vee Te; < 182 < ley < leq <... < Lop Hoy infinite cantidad de corvas. @ Tesat . Nee © Veen. BNce Oa® Regidn de Saturacion @aQ® Regisn Activa @a@ Regidn de Ruptura Icest. Corriente de colector de saturacion.. Vcesct — Voltaje colector emisor de saturacién. BVce Voltaje colector emisor de ruptura 24 Tefp Te(ma)} Te(md) BC bee) ‘ mS Ty 9 Ty: temperaturas re Woh Te Nee Brceo Iceo Corriente colectoremisor de corle estando abierta ta bose BVceo Voltaje colector emisor de ruptura abierta |o bose Vee sot: < 1.5 Volts APROxIMACIONES GeneRALES RapioAs: Vee sat. = 0,8V Vee ser, =0,2VEVEMPLOS: OS. un trangietor jropoyundo sv wey You zo7¥ y Voa= SV. Decir si el transistor esta an re = gicn activa y el valor del Vee. Vee = Vee + Yee = 5V + O.1V = Vee = 5.7V $1 esta en region activa porque Vee >1.5v @Si pvoria de 20.0 sooicvasto varia x? Para evalquier transistor: Tex Ie +18 dividiendo erire Le + por totatto I ede _ “ote tx =e ° Int Boe por lo tanto I= 3 Si p=20 « xe = 0.982 $8 B10 «x= G80 = 0.991 0,952¢% < 0.991 @Caleviar ta ganancia de corrienie 25 Ie Bae Adm Pa rata” 20° Bo= 205nA_ 205 100 pA A que serd igual B si un Vce=15V de la recta se observa que ¢8 producido por una T= 21 mA. = inh = 210 pa ak ®@obtener Iceo = 1qy=0V = 9: Teco = JOV=8V. = OLA Toro = 0.4pA ®obtener Vee si Tceo= O-1pA WV = Vee + ceo (sox) Vee = \0V - Tceo (10k 2) Vee = 10V - (.1MAYIDK.2) = 9.999 Yee = 9.999 Enel siguiente arcurto equivatente de un transistor la x=0.99 Calcular Ic, Ja y Vee s les 20mA. ie SiSOLUCION: Te = (0.39)(L0mA) = 19.8 90h Tc = 19.8mA Ie=Ie+le Tq Ze -Ic © 20mA~19.8mA~ 0.2 mA Te = 200pA Susti tuyendo el Modelo de Caida Unica : OG / e Vee = Lo(50.02 + Vax Vee = (200pAN50L) + 0.1V = O,TIV Vee = 0.71 QDenel problema asterior Vee 1V y d= 0.99 Caicular Te. Vor = To(50.2) +Vak= WV = evan = US O.DV = 6m Te it SEY = 6mA Tes le+Tq= 4le+Ip Te(1-©) = Ts Te= Ti 0.55} ~ S00"4 Te = GoomA Way Base Comin Emisor Comin Colector Comin Conrieuraciones De Porarizacion La términal del transistor que este conecta- da al punto comin de las fuentes, determi- a el nombre de la configuracién, EJEMPLOS PARA LOS NPN: Emisor Comin a k Colector Comin En las tres confiqurociones generolmente se usa una sola fuente y resistencias. Povarizacion De La CoNFIGURACION Base Comun. Para el PNP: Re Mec Re a Yeo ave Y | rmolla Base Emisor (entrada): —Vee + TeRe + Vee =O [ie Mee a8] = malla de Base Colector (Salida) + Veo + TeRe + Yee #0 [Nee= Vee = TeRe | aesan pn SE SE SE ES ESE SESEEEQ SCS BEBE 2 22 = Te ¥ Te IMPORTANTE: Parg cualquier transistor sala regida de activa se aceptus Vee .7V (Silicio) = Ves} Lee 7 0.3V(Germanio)= Ves | EJEMPLO: Calevlar las corrientes y voltajes Te igo, I Entroda sdlida Vec=1oy malia Base Emisor Nes + Vac + LeRe =! y Vee=0.7v ~9 OT 4 TelA.tk)=0 Te = (9-01 _ 1 1694 TKR a= Te, 6 go te” Ber * Agr = 0.994 Tea Ie=.76mA 2 Tee Lom _ 911A Tee gon Hag = 8m Ie 9.77pA alla Colector Base : + Veo = TeRe + Veo, Vee = Voc - TcRe = 10V~ (1-16 mA) 2.1K) Vee= 5. 248V Vee = Veo-4+Vee = 5.248 + 0.1 = 5.94BV Vee= 5.948 Cotecton Comin. Para el NPN: \ROLaRizaciOn De LA CONFIG URACION aT Se Distweve PRACTICAMENTE Por: © Vee se conecty direclamerite al colector &. La salida s¢ toma en el emsor ’ "Se conoce como sequidor de emisor’ mala Base Emsor (Entrada): ~Vec+ Toe + Ver + TeRe=0 Tes In4 Tc = Ip+ ples (pele, Sust —Vee+ TeRe + Vac + (P+1)IpRe To [Ro+ (BAORe] = Voc Vee Tp = Nec— Vee Re + (BHR matia Colector Emisor ; —Vec + Vor + TeRe=0 woo Noe = Veo - TeRe EJEMPLO: Calculer las corrientes y voltoes de poloriza~ cion CC para el circurto de Figura Yec= lov Del mamval 6¢ lee Bi tigica)= 45 malla Base Emsor: ~Nec + ToRe + Vor + IeRew0 Jes (pt0Le Veo + ToRe + Vor + (Ati) IeRe #0 10+ Le(00K.2) + Voge + (45 +1)1p(22K2)e0, Vee 0.7y ~ 10+ To(lOK 2) $0.1 + (4541) Ig(2.2K2)=0 Ty = U0= 0.1) = Ab DLpA Ooo + (asraaaKay ~ “6m Te= 46.22 4A Tee ple = 45(46.22qA) = 2.079mA Tee 2.079 mATe = (Bt Te= (45 +1)46.22pA) = 2.126mA Tg = 2.126 mA Ve = UeRe = (2,126mA)(2.2KR)= A.GTTV malla Colector Emisor Veo = Vee +Ve Veg = Nee -Ve = (0V-4.67TV = 5.323V Vee = 5.323V = Vee + VE Vea = Vee =Vac = 5.3230 - 0.1V- 4623V Vea = 4.623V Para este ejemplo él Vca también se puede entrar de (a. sig. manera: Veo= TaRe = (46.2yA)(UO0K2)= 4.62Y Povarizacion De LA ConFIGURACION Emisor COMUN ._ 28 malia Golector Emisor (Sdlida) Vcc = IeRe + Vee Ate Blake + Vee Vee = Vee=BTaRe EJEMPLO: Obtener las corrientes y voltajes para el transistor: [Mer 4R¥ - Nee Voc j Esto configuracidn mds popular! malla Base Emisor: IV = Tg(220K 2) + Voge Vee = 0.7V Toe 2U= Vor 12V-0.7V © gy sc. q DOKL ~~ 0K Tp= 51.36 yA To = Ble = 50(51. 35) = 2. 568mA Tc = 2.568mA= — Te=IctIg= 2.568mA+ 51, 36pA Ty = 2.619 mA mata Cojgctoy Emisor 12 = Le (2.2 KMS + Vee Nee (2 ~ Te(2.2K£)= ION (2.619mA)(2.2K5) Vee = 6.35V Nee= Vee- Vee = 6.35V~ 0.TV= 5.65 Vep= 5.65V Problema de estabilidad de polarizacion. Bla temperatura del transistor aumeita al discipar potencia y el punlo se mveve de Oa @. & Lucgo al aumentar @ y mantener ta entrada constarite, también aumentard la corrieste de colector : Tc = Ble El punto se mueve de Oa® Yel proceso ¢s repetitive y puede ser degenerativo @ Para combatir este problema se considerd una resistencia en el emisor come en la Siquiedte configuracisn : 29 Circurto Emisor CoMUN Con ResisTENCIA De EMISOR p+ Nec Re compensa las Variaciones de B por causa de la temperatura Vec = TeRa+Vor + 1eRe Te= Ict+Ip= BletIp= (BANS Vec = leRe+ Vee +(6 +1) Tae Tg2 Ne=v + (Bt Re Al aumentar B debido la temperatura, Gumerta el derominador dela expresion y la Tg disminuye, Pero como Ic=Ble y Paumenty’ y a Ie disminyo, la Ic tien- de a permanecer constante en d valor que tenia antes de que avmentard p. malla Colector Emisor: Nec = TcRe+ Vee + Te Re Nee = Wee = TeRe -TeRe Considerando q=t= Ze Te Vee = Veo = 1cRe - TeRe Vcc = Ie(Re +Re)Powarizacion Emisor CoMUN Cow Divisok De Tension Con ES TABILIDAD De Pavamrracion, (Polarizacién independiente de @) +Vec 3B Re gy 7 Se sbtiene ViwyRrw SR El circuito equivalente de Théyenin queda: alla Base Emisor: Vow = Tota + Vee + eRe Je = Tete = p+ pls = (ptV1e Vu = IpFia + Vee + (B+1) Ip Re Ta [ Pr + (pt Re] = Vtu~ Vee Tp = mn vee Ras GtoRe | malia Colector Emisor Veg = Taig + Veet ley Nee = Mec -EcRe ~TeRe Considerando X= feat [Me = Nec = Te(Re +e) Ics Bln Se = pf Vins Vee © Rw ae) haciendo la siguiente aproximacion: Bort. (BHN=B Ke etn) dividiendo entre B: Ie = Mev 6S HEE Re Si Am CK Re ecilonces Re > 10R a Por lo tanto el arreglo serd independiente de B si se cumple lo sig. condicién: Rep Re | | Re> aan Y si esto sucede san vdlidas las siguientes aproximaciones: Nee # Voc ~ Tc(Re+Re) EJEMPLO: Colcular las corrientes y voltajes dé siguien- te circurto:RV —_— SSS ee SOLUCION: Yuc=49v I Ke Malla Base Emisor Vu = TaRry + Vee + TeRe Ics [c+ Te= hreTa + To (bre +1)Te Vues IpRta+ Vor + (hee+ \)T eRe 158V = Ta(0.82K9) +0.7V + (80-+1) Ta( 1k) = ASBV=OIV = Q.y Tom Capa giamay ~ (THA Tc = fee Ig = 80(10.76pA) = 0.86 mA Te = Ic +1a= 0.86mA + 10.76pA= 0.87 mA malla Coleclor Emisor: Nec = TcRe + Vee + TeRe Vee = Vec~ IcRe - TeRe Vee = 9V— 5.6K2(0.86mA) - (4K.2(0.8T mA) Vee = 9V~A.B16V = 0.87V = 3.31 Vee= Vee -Vee = 3.31V- 0.7V= 2.61V Resultados: Vee=3.31V 0 Vep=2.61V Vee=0.7V Ige10.76pA Ie 0.86mA Te = 0.87mA OBSERVACION: Probando la condicidn de independen- ciade hee, 0 sea: Re > WOR fee 1K > 10(0.82K.0) 80 (KN >0.1025K Si cumple ta condicidn.Por to tarto son vélidas las 3iguiertes aproximacioness Te = Miwa Voe . 1.58V-C-1V . 0.880A Re Aka. Tc & Te =0.88mA Vee = Voc - Le(Re +Re) Nee = $V— 0.8BmA(S.GKR+ 1K2) Vee = 3.192 Observar que se tiene ahorro en los cal- culos si se cumple la condicidn de indepen dencia de bre. “POLARIZACION CON REALIMENTACION De Cotector #Vec malla Base Emisor: Nec = (Le +Te)Re + TeRe + Vae Vec - Vee = (BletTa)Re + TaRa Vec Ver = Ie[ (B+ + Re] (HOR + Re molio Colector Emisor: Vee = (Le + 1B)Re + Vee. Nec = ( Plat Ie)Re + Vee Vee = (B+!) ToRe + VeeEJEMPLO: Calcular las corricntes y voltayes det transistor. Vee = 12V Re = 1k SL Ra= 100K. tre = 200 Malla Base Emisor: Nec =(Le+ Le)Re + Toke + Vor Nee = (bre +t) TpRe + Tpfte +Voe 12V = (200 +1) Tg (1K) + Ig (100K 2) + 0,7 —V-0W ___g 37. Spy TOOK. + (2004)C1KR) Ip= Tc = hee Tg = 200(31 5yA)», Z5mA, Te = Te+Ig= T5mA+31.5pA= 158m, malia Colector Emisor Nec = (Le + Ig)Re + Vee Vee = Voc — (Te + LepRe Vee = 12V — (15mA + 31.5HA)IKGL = 4.469 Noe = Vee ~ Vee= 4.46V~ 0.1V = 3.76V Nees 4ACV = Vegs3.76V Veer 0.7V ge 375 pA IcetSmA Tee 7.53ma CONCEPTO DE RECTA DE CARGA La recta de cargo se araliza en la sélida (malla Coiector emisor). Ejemplo: 32 malia colector emsor: Vee w Tel t Veg Ie = —Mc=Mee Re Forma GENERAL De UNA Recta: yemx + Peescribiende fa ecvacion y comparandola con ia ecvacidn general de una recta PUNTOS CARACTERISTICOS Cuando Yee=0, Te= Teast = Cuando Tc=05 Vee = Vee corte = Vee Te Voc & lee @ Vv Veg Vee NSE Porto Q + Es et puto de trabajo estético y Fepresenta el punto donde esta trabajando el transistor en ceReacts de conga Cf 1 Thame de re purto'@. hes a veer Ms ve, se mueve el gue, se ave 34 RELACION DE FASE ENTRADA Y SALIDA ecto end BNotese la accidn amplificadora ¢ inversora de Fase. WEI punlo @ se mueve a troves de la recta de carga. COMPARACION DE POLARIZACIONES DESVENTAJAS] SOS Re Re £5 simple Sensible alas} Cirevites de coumu- Variaciones de | tacidn y 8 digitates Polarizacién de base Fee fm SRe Buena respuesta a bajas Frecuencias Realimentacica => dé_colector jae Q depende dep Re = BRe para Q central Amplificadores de pequena sefial, +e Re 11Q es estable ante los canbios de femperotura [Dwisor de voltaje Aresistencias, de polarizacisn Amplificadores en generalVee = +20¥ 2 VARIACION DE PARAME TROS: Re A PIVANDO Re Wh )Venaleov B00 b) Vg 850 _ Bumenitando Vec alf ©) Vee= 1.45V isminuyendo V. aisminayen “ Q) Vea =1.65V malla Base Emisor (Entrada): Jp= 08-Vae_- 1.65V-0.1V__ 5a ® Re Tora, 7 S8HA Nee Te = BIg =100(95pA)=9.5mA malla Colector Emisor (Salida): 2. FIJANOO Veo Vee =Vee-1cRe = 20V= 9.5mA(1KS)=10.5V Te _— Bismiauyend Re __-aumertande Re Te= (00(115pA) = 11,5mA Vee = 20- 11-5mAL1K.2) = 8.5V C) Vap= 1.45V voxa,—~ SHA Te= (00(t5HA) = TS mA Veg = 20V- L5mACIKB)= 12.5 3. FIJANDO Vee @ Ie (Punto @) minvyendo Voc y Re Me Re qumentando Vee y Re ANALISIS GRAFICO Si Vea es la siguiente sefal: EJEMPLO: Analizar el siguiente circuito con les valores de Vp_ dados. “TTrenrnenreaeeaeee ERE BE = : alg =< xTe Pe eee ee eB eR ee ee || DISENO DE POLARIZACION Bavicamerite el disefio de potacizacign consiste en buscar elementos comercia= les y ajustarlos a satisfacer princi- palmente un purto deseado (ce, Ie). A este punto se le conoce como purito Q (Veg, Leg) IMPORTANTE: 18 Ic se ajusta con la malia de Base Emi, Sor ya que él transistor en regidn ac- tiva mantiene aproximadamente cong fante la Te ~y Una vez ajustada I,, se qjusta ci Vee con la maila Colecior Emisor y princi- Palmente con Re ya que en caso de que exista una Re, esta afecta tambizn ala malla de BE. malia CE 12V= Te(Ik2) + Vee 1 iv o=- ave + are (recta ce) Q central sera’ (GV, mA) Tes —siqVee + 120A ‘ Jew Ne 6 2 ce, La Icg deseada es GmA = ky. Gr s tao Fee fpf toWee SSSR RE REE RRRESRSE SES Para lograr ta Ip deseada se analiza ta mala BE MV = Tey 1 Voe Ro = LV = Ue Y= 0.0¥ Tg 40 eA Se elige Re= 270K2 (valor comercial) Recaiculando valores: 282.5 K 0. Ty= Mee=Ver _ 12V-0- _ gy gouy Re 210K Te = BIg= '50(41.85,A)= 6.27 mA Vee = 12V- (6.20mAIK2) = 5.73V Tel QLesperado practicamente] AQ [deseadaj Nee) 318 6 % EVJEMPLO: Disefie elsig. circuito con G Cenitral. Ademds se deseo que el transistor disipe 250 mw. i tov R Re te SEK ie SOLUCION: La potencia enel transistr= Yeeg-Tcg= 250nW Como Q se desea centrat y Vcce 40V entonces Veeq Q (Neeq= 5¥y Tca= 50mA) malla_ CE: Vec= (la+Ic)Re + Vee Sustituyendo Te= 4B Necw (Ff + TedRe + Vee =(p +U)ReI Vee despejando: T¢=— ——! Vee ion che Ge +0) Recta de carga cc Be despejando Re: 6 =Nanvee _ 10V- SV Re NE = Som = YOO. (gi eusie Gono, valor Ts cequerida's i Ome feral) Sm, To= th =. 256 mA maiia BE Nec = (Ie+Ie)Re + IeRe +Vpe RB Nec ~ Vee - (Ip+Je)Re Te Rp = lOV207V= (256 A+ SOWA) COM) — 16-748 25GpA cligiendo Re= 15k. (valor comercial) Recaiculando valores: Veo = (1g +1c)Re + TaRe + Yar Yeo = (Ty + pTa)Re +1 Re+t Vase Nec = (1+ 8) Ipc + TaRe+ Vac 1 Yeo = Vae 8° Tp Re + Re Tg = —10¥-0.2V oo = 269 nA T+ 195K100R) + aK A 78M Tcg=Tg(6) = 269A (195) = 52.4mA de la malia CE+ Veeg= Veo- (Ta + Tc)Re Veeq= 10Y—~ (269yA+ 524 mA)(100.2) =, ABBY, (A.T3V(52AmA)= 248mW P= Veeglcq recta de corga: Te=—qpgqVee + {Qh Tels) 109 Teenage + 100m QLesperada) | Q [deseado} Veeww) ats 5 103 % Disefor el sig. circuito haciendolo nde- —y penaieni¢ a igs variacioncs de A devidas a to temperatura. Ademas ubicar t Q (CV, mA) Nec = +15V Breica=95 18 Se escoge uno Fracciga de Vcc que sea Ve. Arbitrariamenie: Ve = ty Mcc = & (15W) = 15v QCalcular Re considerondo Ip = Te Ve= TeRe Re= tes phe € tomando valor comercid + Re 2180S. enfonces VewIgRe = (8mA) 180.2) = 144 38 Ve = Vy Vet Vag = (-44V+0.1V = 2.140 (4B Colcular & y Re , | ame 2. 2IAV = 0.14 Ri + Re iy nls de lo condicién para que a modelo sea independiente de p: 1ORw Re> 3 Re 10 (_RiRe seams won (sre) Analizando la des:qualdad en condicién hmi~ te y sustituyendo 0 2, (0.143) "SS" (80895) _ gan (io 0.143) tomando R,=12K2 (valor comercial) gon = despejando Ri = Vou 3 de WB ut Ro Ras 0.1dSR + 0.1458 Ps (1-0.143) = OBR 20145 se despeja Re Ry2 0438 O143C2K) ogg (i= 0.148) 0.887 Se toma Rr=1.8kS (valor comercial) Probando la condicidn de independencia dep: Roy RURe = (AKDT BKL) = 1.56KR tea send) 1BOL> 164.2K2 Si Se comple condicién KOIS¥) Ie Macvee Caceres OV. 698mA ee Re 160.8. La Ie no esta ajystada; Para oumentar Tc s¢ oumento Ve. para que aumente Ty Disminuyendo R\=10k.A ovmentard Ve 1BKLCISY) ) KE + 10K atv OL 6.8mA Ge)Calevtar Re considerando Te=Ie malig ce: Veo = eRe + Vee + Ve Rew Men vee=Ve_ _Nec~ Wow — Tee Te To ke 13V- OV~ (8.8 mA G00) 843 Bind Se escoge un valor comercial: Gi R= 820M ; Vee '5V~ 8.8mA (820.2 +180L)= 6.2V Si Ro= IKL 5 Voe= SV 8.8mAlIKL+ 180-2) = 4. 6V Te (mA) Finalmente Rn OK Rea tBke 48 Re 620R Re = (G0. NoTAt en wr Ne) Valores exactos esperados: olla 8E Ke \ av Van 18 (rg e229 Rave LOKAM KL 1525Vra= IpRrw +¥ee + TeRe Nan = TR t Ype t (GHT BRE Jan Mte- Vac OF Rr (PD Re Joe o2:29V-0.V agua 132! RF (954 HIGOD) Bla~ 95(85yA)=6.0mA malia Colector Emisor: Veg = Veo - TeRe - Te Re Vee= Veo~ TeRe — (Te + Le Re Vee = 15¥~ (8,0mA)(820 1)~(BOmA +85 sA0(180.2) Vee = 6.9V El punto Q exaclo esperado sera: Q(6.9V, 8.0m) IMPORTANTE: Eneldisetio de arreglos siempre sera de- terminante el acercarse lo mas posible a lo deseado mediante algun ajuste practica. Por to cual se requiere condcer el funcia- namiento y la forma come afecta cada clemento. Cada ¢aso es bien especifico y puede tra- tarse por distintos cominos, pero siempre con idea de lo que se loqrara y nunca al tanteo: TRANSISTOR COMO CONMUTADOR Consiste en hacer trosgjar al transistor solo en dos puntos de la recta de carga: 12EN CORTE: El transistor se comporta como Circuito abierto. 22 EN SATURACION: Ej transistor se compor- ta como corto circuito entre Colector y Emisor. ptve TRANSISTOR EN CONFIGURACION INVERSORA, Vert. [ved [Transistor en? alto | bajo | satwracidn bajo jaito | corte Wee, Te#0) CIRCUITOS EQUIVALENTES? Para CORTES Para SATURACION: Nec Re c og (Maal Valto corta circu to entre ce Voge “yd I Circuito apierto entre CE Una aproximacién buena para Vcesgt es Veesat. << 1.5V. y por tomar un valor: Vee sdt = 0.2V Yy para Vee sit. tomaremos 0.8V %) EJEMPLOS: Disemar un inversor con las siguientes carac~ teristicas + Vert Weal, Re = KD of y Re Vv. Bonin) = G0 Para Corte: Net Novas Con 0.5V no alcanza a encender @! diodo BE y el corte esta garanti- zado,Para Saturacién: Nec - Vsai Vw 8.8mA " Ka 880A S80k 2 60 aa Tesat = Ta sat » 2esat mala Base Emigor: Vent Tecate + Veecat Vee sat = 0.8V Ry Venta Varsct_ BV -0.8V 2 44. oka. To sat. TaTHA S€ Usa Rp=I2k0 NOTA: Se elige [a Brin por siel transis- tor trabajara’ otra B mayor reatmente, ayvde a la saturacién yq que aumentando Ig= BIg aumenta la caida en Re y el Vee se acerque a cero. KDisefar un inversor que cumpla \o sig. Vent. Vad. 3V Bovina activada | ZV | Bobioa desactivada_|} Se alimenta aun rele’ cuya resistencia de bobina es 1202 a IV, Circuito svgerido: +Mee R(rete) 39 Circuito equivalente en saturacion: Vee w +1029 R-s0-0 Vou sat Tesot = 10.2V-0.2V = 83,3mA V20.2. Tacat = —Icsot = 833A = 2.08mA Bin 40 Fijando Vrw gat 1V para que circule Te sot. malia Base Emisor: Viksat= TesatRra + Veesat Ray = —Ntsat—Noeset = IV— Tasat 2.08mA Rin 96SU Viasat = VentBe_ = sv—Re =W Ri +Re R+Re Re W R+R2 v7 02 Yo Ree Soe Rke RitRe Aespejando f= Mh _ IGM, 4802 \ CHa)? de Rae R; je Pa =0.2 s¢ despeja Re despejando Re= 0.2% +0.2Ra (t=0,2)Re = 0.28 Ree (22k = nee = (200. 8 1=0.27 Comprobando ei corte cuando Veat= 2V con valores Vin = sig. ___) we (ea) comerciales R= 470. (Vqn204) <0.7V Rys 120-2) Si funciona el corte.El circuito resulta: Vec=+10.2V Roreié) ros. Vsdl NOTAS: Puede en muchos casos no considerarse Ja caida de Vee gat = 0.2V y no existe considerable diferencia si se considera Vee = 0. Los retes aciaran su voltaje optimo para conmitar, aun cuando” puede |o- grarse esto con un voltaje muy infe- ior , lo cual no es recomendable ya que se tendrian falsos contactos. El rele se trabaja como resistencia Para descargar rapidamente el rele s¢ acostumbra usar Un diodo de descarga @ {o bobina + diodo de descarga Observacién: VOLTAJE | ACTIVA SATURACION Vee 0.tY >0.1V Vee > 1.5V 1.5) Voltajes tipicos VouTAe | ACTIVA | SATURACION Vee OW 0.8V Vee 20.1V 0.2¥