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En muy poco tiempo los circuitos se han venido miniaturizando a medida que pasa el
tiempo. Una placa de circuito informtico es un componente electrnico que le permite a un
computador realizar tareas como permitir que los grficos cada da sean ms realistas. La
complejidad de una placa de un circuito impreso es muy elevada, tanto as que se compara
con un edificio donde mediante los elementos que la componen se conectan entre ellos de
tal forma que realiza el trabajo para que lo disean de manera, esta placa estn construidas
por fibra de vidrio y cobre. Las tarjetas tienen dos etapas para su construccin una es la
parte exterior, que es colocar todos los elementos que van a conformar la placa en la
superficie despus de esto son fijados con un tipo de soldadura de aleacin cobre-plomo,
despus de con una maquina se le instalan los componentes elctricos a una gran velocidad
colocndolos de manera exacta, luego otra mquina coloca componentes ms fciles de
colocar, luego se lleva a un horno donde las piezas se pegan a la tarjeta, seguido de esto
personal colocan varios conectores, en seguida se pasa a ser soldados por una aleacin
estao-plomo, enseguida se hace un test de conexin de los circuitos y finalmente con un
computador se hacer un test de funcionamiento.
Los chip de silicio est presente en casi todos la mayora de los equipos electrnicos utilizan
uno y construir un chip de esto es bastante complejo. En Sherman Texas Estados Unidos
se encuentra la empresa MEMC, la cual es una fbrica de las lminas de silicio la base de
los chips, el silicio tiene la propiedad de ser semiconductor, esta propiedad le permite ser
la base de miles de transistores. El silicio inicia como polisilicio se somete a un proceso que
inicia en un horno que est a 1420 C, de ah se obtiene silicio liquido al cual se le colocar
un cristal de silicio para obtener un solo bloque de silicio. Paso seguido se le hace pruebas
de pureza, luego pasa a una cortadora que corta al silicio en obleas, las cuales solo tienen
un grosor de 2/3 de milmetro de espesor y una pureza de 99.999%, pero como an le
quedan impurezas se pasan por dos pulidoras una es labrado y luego mediante un proceso
qumico para dejarlas lista para que se le coloquen sobre ella una gran cantidad de
transistores. Lo cual est a cargo de las empresas fabricantes de chip como los es la
empresa Texas Instruments, es bueno recordar que en 1958 el primer chip contena un solo
transistor el cual fue inventado por del circuito integrado actualmente se colocar cerca de
mil millones de transistores pero cada vez que se quiere colocar ms transistores se quiere
que los chips sean ms pequeos, lo cual es un desafo para los fabricantes de microchips,
para la fabricacin de un microchip pasa por ms de 1500 pasos, dichos procesos se
realizan en una ambiente de un nivel de limpieza de mxima limpieza. Uno de los problemas
centrales es miniaturizar para luego imprimirlos, esto lo hacen mediante un proceso que se
llama fotolitografa, donde se cumbre la lmina con productos qumicos y con un lente se
miniaturizan y cuando se quitan los productos qumicos el diseo es como una imagen
fotogrfica. Para colocar los componentes se colocan capa a capa mediante diferentes de
proceso lo cual va cambiando las propiedades de cada capa. Cada lamina silicio puede
llevar hasta mil microchip y hasta 4 billones de componentes de circuitos.
Los semiconductores se crearon en 1948 en los estados unidos, el diseo de los circuitos
electrnicos se quemaba sobre lminas de silicona siendo hacia el invento del siglo, es as
como la miniaturizacin dio a que los grandes computadores se hicieran ms pequeos.
internacionales. El diseador fue Shozo Sato un ingeniero de menor antigedad para ese
momento en Toshiba. Las empresas de los estados unidos quedaron asombradas de la
capacidad de la dram y su capacidad cudruple.
Los ingenieros de Toshiba desarrollaron otro semiconductor diferente al dram, Fujio Masoka
fue quien desarrollo el semiconductor de memoria flash nando, lo que diferenciaba del dram
era que los datos se perdan en la flash no tena esta necesidad, para ese Toshiba era una
compaa muy fuerte y las memoria flash tena un futuro prometedor en el mercado en el
mercado. En 1989 Toshiba se convirti en la principal empresa productora de
semiconductores. Durante el apogeo de Toshiba los ingenieros viajaban a otros pases
ensear a otros ingenieros. 1986 Tsuyoshi Kawanishi recibi una peticin de Corea de Sur
de la empresa Samsung Electronics quienes haban mejorado la tecnologa dram. A
Kawanishi Samsung decidi mostrarle su planta y en contra parte Samsung pidi que se le
mostrar la planta de Oita la principal planta de Toshiba, y tiempo despus Samsung contrato
al jefe de produccin de Toshiba y monto una planta parecida a la de Toshiba. A principios
de los noventa con la burbuja econmica del Japn, las ventas de electrnica de Toshiba
bajaron y los proyectos de semiconductores bajaron, lo cual no permita continuar invertir
en memoria dram a Toshiba ni en investigacin y desarrollo.
Samsung ofreci desarrollo conjunto de las memorias nando flash a Toshiba, ya que
Toshiba esperaba que disminuyera el costo de produccin y aumentara las ventas, Toshiba
intercambio el intercambio de tecnologa, y en en un momento Toshiba supero a Samsung,
sin embargo Samsung se dio cuenta del futuro de las memorias de nando flash.
Despus de 1993 Toshiba perdi el liderazgo con Samsung y algo que an ms golpeo a
Toshiba fue que disminuyo el valor del dram debido a los fabricantes coreanos y
taiwaneses. En el 2001 disminuyo el valor de los dram de Toshiba
y los beneficios
Toshiba retiro los chips de memoria dram en 2001, en la actualidad la competencia entorno
de las memorias de flash los cuales estn presentes en la mayora de los equipos
electrnicos los cual est liderado por Samsung.
Masoka Saito present una propuesta para relanzar los semiconductores de Toshiba, los
ingenieros trabajaron solo en las memorias flash y se invirtieron 840 millones de euros y
aumentaron en un 40% en el mercado global superando a Samsung.
En octubre de 2005 Saito solicito mayor inversin para el desarrollo de las memorias flash
ya que Samsung estaba haciendo lo mismo. Saito pidi 500 millones de euros para tres
meses aun cuando ya se haban invertido 1600 millones de euros. Lo cual no fue visto con
viabilidad por algunos ejecutivos, pero uno de los ejecutivos ms antiguos apoyo a Saito.
Pero era un valor muy alto y dejaron en manos del presidente de Toshiba. Teniendo en
cuenta el anuncio de Samsung de invertir 31 mil millones euros para un periodo de 7 aos,
creando nueve lneas de semiconductores para cuadruplicar las ventas. El presidente de
Toshiba Atsutoshi Nishiba decide que si se haga la inversin colocando unas condiciones.
Toshiba con esta inversin decidi poner en manos de las memorias flash su futuro.
En septiembre de 2005 Masuoka viajo a los Emiratos rabes Unidos, donde la compaa
Unisantis quien busca investigadores para apoyarles la investigacin. En esta reunin
Masuoka solicito que se colocaran centros de investigacin en Japn y Unisantis acepto
sabiendo que la investigacin lleva tiempo.