Diodo tnel

Descubrimiento
El diodo tnel fue descubierto por un estudiante de investigacin
llamado Leo Esaki en 1958 mientras l estaba investigando la emisin por
efecto de campo interno en una unin de germanio p-n degenerada.
Descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de
contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual
exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular.
Sus caractersticas (Figura 16.13), son diferentes de las de cualquier
diodo que tienen una regin de resistencia negativa. En esta regin, un
incremento del voltaje terminal reduce la corriente en el diodo. La regin
en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta
(entre Vp y Vv) se llama zona de resistencia negativa.
- Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a
conducir debido a que el diodo tunel tiene un voltaje de ruptura 0.
- Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta
llegar un punto despus del cual la corriente disminuye (Voltaje picoCorriente pico).
- La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo
(Corriente de valle-Voltaje de valle).
-Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente
continuar aumentando conforme aumenta la tensin.
Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el
diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico.

Esaki explico esta anmala caracterstica con el concepto de tnel

cuantico y obtuvo una razonable coincidencia entre la teora y los
resultados de sus experimentos.

Efecto tnel
La mecnica cuntica nos dice que el efecto tnel permite que un electrn (o partcula
cuntica) penetre o atraviese una zona que, en principio, estara prohibida, con esto se hace
referencia a que el electrn no tiene suficiente energa cintica (la que tiene debido a su
velocidad) para atravesar una zona, porque hay un potencial elctrico, por ejemplo, que
debera impedir su paso por ah.

Este efecto depende de manera crtica de la distancia que tiene que atravesar
el electrn, del ancho de esa distancia (banda prohibida) prohibida. La
dependencia es exponencial decreciente con la distancia, esto es, que en
cuanto aumenta la distancia la probabilidad de que ocurra disminuye
exponencialmente; Este comportamiento exponencial hace que observar este
efecto sea realmente difcil.

El fenmeno de tnel es un efecto de portadores mayoritarios. Adems, el tiempo de efecto

tnel de portadores a travs de la barrera de energa potencial no se rige por el concepto de
W
tiempo transitado convencional
( = v , donde W es la anchura de la barrera y v
es la velocidad del portador), sino ms bien por la probabilidad de transicin cuntica por
2 k ( 0) W
unidad de tiempo el cual es proporcional a la exponencial de: e
, donde k(0) es
el valor promedio del impulso encontrado en la trayectoria del efecto tnel correspondiente
a un portador incidente con un impulso transversal cero y energa igual a la Energa de
Fermi. El reciproco nos da el tiempo de tnel (tunneling time) que es proporcional a la
2 k ( 0 ) W
exponencial de: e
. Este tiempo de tnel (tunneling time) es muy corto, permitiendo
el uso de dispositivos de tnel dentro de la regin de ondas milimtricas.

Fabricacin
El diodo tunel fue primeramente manufacturado por Sony en 1957
seguido por General Electric y otras compaas del ao de 1960, y hay
algunas que todava siguen haciendo algunos en bajo volumen. Los
diodos tunel son usualmente hechos de Germanio, pero tambin pueden
ser hechos por Arseinuro de Galio (GaAs) y materiales de Silicio (Si).
El diodo tnel se fabrica dopando los materiales semiconductores que
formaran la unin p-n a un nivel de 100 a varios miles de veces el de un
diodo semiconductor tpico. Esto reduce en gran medida la region de
empobrecimiento, a una magnitud de 10-6 cm, o por lo general a

aproximadamente (1/100) del ancho de esta regin en el caso de un

diodo semiconductor. Esta delgada region de empobrecimiento, a travs
de la cual muchos portadores pueden penetrar en lugar de que
intenten superarla, a bajos potenciales de polarizacin en directa es la
responsable del pico que aparece en la curva de la FIGURA.

Esta regin de empobrecimiento reducida hace que los portadores la

penetren a velocidades que exceden por mucho las disponibles con
diodos convencionales. El diodo tnel se puede utilizar por consiguiente
en aplicaciones de alta velocidad, como en computadoras, donde se
desean tiempo de conmutacin de nanosegundos o picosegundos.