TCNICAS DE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (CVD)

DIEGO NICOLS ARVALO BUITRAGO

UNIVERSIDAD PEDAGGICA Y TECNOLGICA DE COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA. ESCUELA DE METALURGIA
LINEA DE PROFUNDIZACIN I (TRATAMIENTOS SUPERFICIALES)
TUNJA
2016

TCNICAS DE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (CVD)

Presentado por:
DIEGO NICOLS ARVALO BUITRAGO

Presentado a:
PhD. CARLOS MAURICIO MORENO TELLEZ

UNIVERSIDAD PEDAGGICA Y TECNOLGICA DE COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA. ESCUELA DE METALURGIA
LINEA DE PROFUNDIZACIN I (TRATAMIENTOS SUPERFICIALES)
TUNJA
2016
2

TABLA DE CONTENIDO

1. Introduccin a la tcnica. .................................................................................................................5

2. Aspectos generales. .........................................................................................................................6
2.1. Ventajas de la tcnica. ..............................................................................................................6
2.2. Desventajas de la tcnica. .........................................................................................................7
3. Proceso de la deposicin qumica de vapor.....................................................................................7
4. Requerimientos de un equipo bsico de CVD..................................................................................8
5. CVD asistida por plasma...................................................................................................................9
5.1. Etapas de la reaccin. ...............................................................................................................9
6. Clasificacin de las tcnicas de CVD.............................................................................................. 10
6.1. Clasificacin por la presin de funcionamiento. .................................................................... 11
6.1.1. A presin atmosfrica ECV (APCVD): .............................................................................. 11
6.1.2. CVD de baja presin (LPCVD): ......................................................................................... 11
6.1.3. Ultra vaco (UHVCVD):..................................................................................................... 12
6.2. Clasificacin por las caractersticas fsicas de vapor. ............................................................. 13
6.2.1. Aerosol CVD asistida (AACVD): ....................................................................................... 13
6.2.2. Inyeccin directa de lquido CVD (DLICVD): .................................................................... 13
6.3. Mtodos con plasma: Microondas asistida por plasma CVD (MPCVD) ................................. 14
6.3.1. Mejorada por plasma CVD (PACVD): .............................................................................. 14
6.3.2. Remoto mejorada por plasma CVD (RPECVD): ............................................................... 15
6.3.3. Rpido CVD trmico (RTCVD): ......................................................................................... 15
6.3.4. Epitaxia de capas atmicas (ALE): ................................................................................... 16
6.3.5. CVD de metalorgnicos (MOCVD):.................................................................................. 17
6.3.6. CVD de lecho fluidizado (CVD-FB): .................................................................................. 17
6.4. CVD asistido por lser. ........................................................................................................... 19
7. Ejemplo: Deposicin de capas de SiO2 mediante de CVD. ............................................................ 20
8. Aplicaciones. ................................................................................................................................. 22
3

8.1. Aplicaciones electrnicas: Semiconductores. ........................................................................ 22

8.2. Aplicaciones pticas. .............................................................................................................. 23
8.3. Recubrimientos antirreflectantes. ......................................................................................... 23
8.4. Otras aplicaciones. ................................................................................................................. 24
9. Bibliografa e infografa. ................................................................................................................ 25

NDICE DE ILUSTRACIONES
Ilustracin 1: Influencia de la capa lmite en el transporte de gases hacia la superficie del
substrato. .............................................................................................................................................5
Ilustracin 2: Esquema de un sistema LPCVD para la obtencin de pelculas de Si3N4. ......................9
Ilustracin 3: Esquema del proceso PECVD. ..................................................................................... 10
Ilustracin 4: Clasificacin de las tcnicas de CVD............................................................................ 11
Ilustracin 5: Modelo de las velocidades de los gases. .................................................................... 13
Ilustracin 6: Esquema de un reactor PACVD. .................................................................................. 14
Ilustracin 7: Proceso de deposicin de capas de ZnS a partir de HS y ZnCl2 como gases
precursores. ...................................................................................................................................... 16
Ilustracin 8: Sistema CVD FB para la deposicin de recubrimientos de al sobre aleaciones de Ti. 18
Ilustracin 9: Esquema de un reactor LCVD...................................................................................... 19

NDICE DE TABLAS
Tabla 1: Ejemplos de diferentes tipos de reacciones de CVD. .............................................................8
Tabla 2: Datos comparativos de difusividad y espesor de la capa lmite en las tcnicas APCVD Y
LPCVD. Magnitudes relativas. ........................................................................................................... 12
Tabla 3: Propiedades y aplicaciones de las capas de SiO2 como recubrimiento. ............................. 20
Tabla 4: Datos comparativos del SiO2 obtenido por CVD a diferentes temperaturas. ..................... 21

TCNICAS DE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)

1. Introduccin a la tcnica.
El Chemical Vapor Deposition (CVD) o en espaol: Deposicin qumica
de vapor, es un proceso de recubrimientos que se utiliza usando un
sistema de plasma a baja presin. Este proceso permite depositar capas
extremadamente delgadas sobre una superficie. La tcnica de
recubrimiento inicia bsicamente calentando la superficie a una
temperatura elevada antes de canalizar un monmero en la cmara,
este monmero deja un recubrimiento sobre cualquier material que el
fabricante desee emplear.
Ilustracin 1: Influencia de la capa lmite en el transporte de gases hacia la
superficie del substrato.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

Este proceso tiene infinitas aplicaciones en el campo de los

semiconductores, para aplicar pelculas finsimas sobre sus superficies.
5

Generalmente estas superficies son recubiertas con capas de carbono,

silicio, nanotubos de carbono, carburo de silicio o nitruro de silicio.
Esta tcnica tambin tiene amplios usos en la produccin de los
llamados diamantes sintticos.

2. Aspectos generales.
El proceso consiste en la reaccin de uno o varios compuestos en forma de vapor
para dar un producto slido (recubrimiento). Existen dos tipos de reacciones
qumicas:
Homognea: Fase gas. Polvo cermico.
Heterognea: Superficie. Recubrimiento.
La reaccin de sntesis parte de gases o lquidos como precursores, que
reaccionan qumicamente en la fase vapor para depositar un slido en forma de
una fina capa sobre una superficie. Esta tcnica permite depositar una gran
variedad de materiales, fundamentalmente metales y compuesto metlicos.
Este proceso permite controlar la composicin qumica del depsito sobre la
superficie y tiene la gran ventaja sobre otras tcnicas de poder realizar
recubrimientos uniformes y conformes, este ltimo trmino se refiere a recubrir
piezas en 3D sin importar el sustrato. Adems, utiliza una tecnologa simple, es
decir, no requiere de alto vaco para ser llevada a cabo y deposita el recubrimiento
a temperaturas relativamente bajas.

2.1. Ventajas de la tcnica.

o Versatilidad (aislantes, conductores, etc.)
o Compatibilidad con otros tratamientos y procesos.
o Posibilidad de escalado a nivel industrial.
6

o Posibilidad de controlar la composicin del producto y obtener capas de

composicin prefijada.
o Homogeneidad de espesor.

2.2. Desventajas de la tcnica.

o Factibilidad de la reaccin.
o Cintica de reaccin compleja.
o Formacin de subproductos, reaccin homognea (polvo).
o Dao por radiacin (PECVD, lser).
o Manejo de gases peligrosos.

3. Proceso de la deposicin qumica de vapor.

Este proceso utilizado para generar productos de alta pureza y de alto rendimiento
inicia exponiendo el sustrato a uno o ms precursores voltiles que reaccionan o
se descomponen en la superficie del sustrato para producir el depsito deseado.
Es muy comn producir subproductos voltiles que son eliminados por medio de
un flujo de gas que pasa a travs de la cmara de reaccin.
Los procesos de fabricacin CVD se emplean ampliamente en la deposicin de
materiales de diversas formas, por ejemplo: Monocristalinos, policristalinos,
amorfos y epitaxial. Estos materiales incluyen silicio, fibra de carbono, nanofibras
de carbono, tungsteno, carburo de silicio, nitruros de silicio, etc.

Tabla 1: Ejemplos de diferentes tipos de reacciones de CVD.

TIPOS

REACCIONES

Pirlisis

SiH4(g) Si(s) + 2H2(g)

Reduccin

WF6(g) + 3H2(g) W (s) + 6HF

Oxidacin

SiH4(g) + 4N2O(g) SiO2(s) + 4N2 + 2H2O

Hidrlisis

Al2Cl6(g)+3CO2(g)+3H2 Al2O3(s)+6HCl(g)+3CO(g)

Formacin de nitruro

3SiH4(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 12H2(g)

Formacin de carburo

TiCl4(g)+CH4(g) TiC(s) + 4HCl(g)

Desproporcin

2GeI2(g) Ge(s) + GeI4(g)

Reaccin organometlica

(CH3)3Ga(g) + AsH3(g) GaAs(s) + 3CH4(g)

Transporte

6GaAs(s)+6HCl(g) As(g)+As2(g)+GaCl(g)+3H2(g)

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

4. Requerimientos de un equipo bsico de CVD.

Sistema de transporte de los gases de reaccin al reactor (incluye gases de
purga, control del flujo de gases, etc.).
Reactor + Sistema de activacin de gases: Horno, descarga, etc.
Equipo de medida y control de la presin de los gases, temperatura, etc. en
el reactor.
Equipo de vaco (para evitar reaccin de los gases con la atmsfera del aire
y extraccin de subproductos de la reaccin).

Ilustracin 2: Esquema de un sistema LPCVD para la obtencin de pelculas de Si3N4.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

5. CVD asistida por plasma.

La deposicin qumica de vapor asistida por plasma (PECVD) es una forma
superior de CVD. En este proceso se emplea plasma para acelerar el proceso de
recubrimiento de superficies. Esta tcnica consiste en la reaccin de una mezcla
de gases en el interior de una cmara de vaco (reactor) para dar lugar a la
formacin de un material en forma de capa delgada. Los subproductos de la
reaccin son evacuados hacia el exterior mediante un sistema de alta velocidad de
bombeo.

5.1. Etapas de la reaccin.

1. Transporte de los reactantes hacia la capa lmite.
2. Difusin de los reactantes a travs de la capa.
9

3.
4.
5.
6.

Absorcin/difusin en la superficie del substrato y reaccin qumica.

Nucleacin de la pelcula sobre el substrato.
Desorcin de los productos.
Transporte de los subproductos hacia el exterior.

A continuacin se presenta un esquema del proceso interno de PECVD:

Ilustracin 3: Esquema del proceso PECVD.

Fuente. GMEZ, Jacobo; VALLE, Milson; PEREZ, Kevin. Procesos de fabricacin. CVD.

6. Clasificacin de las tcnicas de CVD.

Con objeto de aumentar la velocidad de reaccin de los gases es preciso llevar las
molculas a un estado ms energtico y por tanto ms reactivo. Este proceso,
denominado activacin de los gases se puede llevar a cabo aportando energa
extra a la reaccin bien sea mediante temperatura, descargas elctricas o
radiacin electromagntica (fotones). Continuacin se enuncia un cuadro con las
diferentes tcnicas empleadas en el proceso CVD:

10

Ilustracin 4: Clasificacin de las tcnicas de CVD.

TIPOS DE
ACTIVACIN

EQUIPO UTILIZADO

Trmica

Calentamiento por resistencia,

induccin de RF, radiacin IR, etc.

Plasma

Descarga elctrica en CC o CA (RF,

microondas, etc.)

Fotones

Lser, lmpara de Hg, etc.

DENOMINACIN (*)
CVD o LPCVD.
PACVD.
LCVD.

(*) LPCVD: Low Preassure CVD.

PACVD: Plasma Assisted CVD.
LCVD: Laser Assisted CVD.
Fuente. GMEZ, Jacobo; VALLE, Milson; PEREZ, Kevin. Procesos de fabricacin. CVD.

6.1. Clasificacin por la presin de funcionamiento.

6.1.1. A presin atmosfrica ECV (APCVD): Proceso de CVD donde
se traba a una atmsfera de presin aproximadamente, o simplemente a
la presin del ambiente.

Presin de los gases p. atmosfrica.

Reaccin en fase gaseosa con velocidad alta.
Problema: Formacin de polvo (con tamao de grano fino).
Fcil de implementar (no necesita equipo de vaco).

6.1.2. CVD de baja presin (LPCVD): Proceso de CVD a presiones

subatmosfricas, presiones reducidas tienden a reducir reacciones no
deseadas en fase gaseosa y mejorar la uniformidad de la pelcula sobre
el substrato (oblea). Los procesos CVD ms modernos son bien LPCVD
o UHVCVD.
Difusin de gases alta:

Acceso de los gases a zonas no directamente situadas en la lnea

de flujo
11

 Reaccin de los gases en superficie (control cintico:

Recubrimientos muy homogneos.

Posibilidad de recubrimiento de piezas en 3D.
Posibilidad de depositar sobre un gran nmero de piezas o en
superficies grandes.
Economa del proceso (problemas de agotamiento de gases en
algunas regiones del reactor).

6.1.3. Ultra vaco (UHVCVD): Son procesos de CVD a una presin muy
baja, por lo general por debajo de 10-6 Pa (aproximadamente 10-8 torr).
Es importante tener en cuenta que en otros campos, la divisin inferior
entre el alto y ultra alto vaco, es a menudo de 10-7 Pa.

Tabla 2: Datos comparativos de difusividad y espesor de la capa lmite en las

tcnicas APCVD Y LPCVD. Magnitudes relativas.

PARMETRO

PRESIN BAJA

PRESIN ALTA

Presin (P)

1000

Difusividad (D)

1000

Velocidad de gases (v)

10-100

Densidad de gases ()

1000

Espesor de capa lmite (x)

3-10

Velocidad de deposicin (Vdep)

Comparables

Consumo de reactantes

Bajo

Alto

Recubrimiento

Conforme

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

12

Ilustracin 5: Modelo de las velocidades de los gases.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

6.2. Clasificacin por las caractersticas fsicas de vapor.

6.2.1. Aerosol CVD asistida (AACVD): Un procedimiento de CVD en la
que los precursores son transportados al sustrato por medio de un aerosol
lquido/gas, que puede ser generado por ultrasonidos. Esta tcnica es
adecuada para su uso con precursores no voltiles.
6.2.2. Inyeccin directa de lquido CVD (DLICVD): Un procedimiento de
CVD en la que los precursores se encuentran en forma lquida (lquido o
slido disuelto en un disolvente conveniente). Las soluciones lquidas se
inyectan en la cmara de vaporizacin mediante inyectores (por lo general
inyectores de automviles). A continuacin, los vapores precursores son
transportados al sustrato como en clsico procedimiento de CVD. Esta
tcnica es adecuada para su uso en precursores lquidos o slidos. Altas
tasas de crecimiento se puede alcanzar con esta tcnica.

13

6.3. Mtodos con plasma: Microondas asistida por plasma CVD

(MPCVD)
6.3.1. Mejorada por plasma CVD (PACVD): Proceso que utiliza
CVD de plasma para mejorar la velocidad de reaccin qumica de los
precursores. El procesamiento PECVD permite la deposicin a
temperaturas ms bajas, lo cual es a menudo crtico en la fabricacin
de semiconductores.
Activacin de los gases de reaccin mediante una descarga elctrica
en forma de plasma, debido a la excitacin de las especies presentes
en el plasma (iones, radicales, molculas, etc.).
Ilustracin 6: Esquema de un reactor PACVD.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

14

Efecto de la frecuencia del campo elctrico aplicado: Los

plasmas de corriente alterna de frecuencia elevada dan lugar a
oscilaciones de los electrones del plasma, aumentando el grado de
ionizacin del plasma. Los rangos de frecuencia ms utilizados son:
Radiofrecuencia (13,56 MHz) y microondas (2,45 GHz).
A veces se aade un campo magntico H para obtener fenmenos
de resonancia en la frecuencia de giro de los electrones alrededor del
campo H Tcnicas de ECR.
Caractersticas de las tcnicas de PACVD:
Velocidad de deposicin alta, incluso a T bajas
Presin gases en el reactor baja Recubrimiento conforme.
Reacciones complejas en la fase gas Atrapamiento de
especies excitadas en la pelcula.
Difcil control de la composicin (estequiometria) de la capa
depositada
Dao por radiacin sobre la capa y el substrato.
6.3.2. Remoto mejorada por plasma CVD (RPECVD): similar a
PECVD excepto que el sustrato (oblea) no est directamente en
la regin de descarga de plasma. La separacin de la oblea de la
regin del plasma permite procesar menores temperaturas hasta
la temperatura ambiente.
6.3.3. Rpido CVD trmico (RTCVD): Proceso de CVD que
utiliza lmparas de calefaccin u otros mtodos para calentar
rpidamente el sustrato de la oblea. Calentar slo el sustrato en
lugar de las paredes de gas o cmara ayuda a reducir las
reacciones en fase de gas no deseadas que pueden conducir a la
formacin de partculas.
Las tcnicas de CVD son ampliamente utilizadas en la obtencin de una gran
variedad de compuestos en capa delgada. En muchos casos es preciso introducir
variaciones en las tcnicas convencionales para conseguir capas con una
estructura especfica. Entre estas variantes se encuentran las denominadas como:
Epitaxia de capas atmicas (Atomic Layer Epitaxy o ALE), CVD de
organometlicos (Metal organic CVD o MOCVD) y CVD de lecho fluidizado
(Fluidised Bed CVD o FBCVD)
15

6.3.4. Epitaxia de capas atmicas (ALE): En la tcnica de ALE, los

gases de reaccin (por ejemplo, A y B, para dar un producto AB), se
alimentan en el reactor de forma secuencial en un proceso
intermitente:
I) Primero uno de ellos, el gas A, con objeto de que las
molculas queden adsorbidas sobre el substrato.
II) A continuacin se hace una purga del reactor con un gas
inerte para eliminar del reactor las molculas no absorbidas.
III) Finalmente, se aade despus el gas B con objeto de que
reaccione con las molculas A adsorbidas en la superficie del
sustrato para dar el compuesto AB. La repeticin continuada
de este proceso permite el crecimiento de capas con una
composicin muy homognea y con una estructura cristalina
de tipo epitaxial.
Ilustracin 7: Proceso de deposicin de capas de ZnS a partir de HS y ZnCl2 como
gases precursores.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

Un aspecto crtico del proceso es la dosificacin de cada uno de los

precursores, A y B, ya que tiene que ser la adecuada para formar
una monocapa de la superficie de la capa en crecimiento. Se dice
que la tcnica es autolimitante en lo que se refiere a la ritmo de
crecimiento del depsito, ya que est limitada por la cantidad de
reactante suministrada en cada ciclo. En cualquier caso, la duracin
de un ciclo completo suele ser del orden de 0,1 s, y se pueden
conseguir un ritmo de crecimiento de 500 nm/h.

16

6.3.5. CVD de metalorgnicos (MOCVD): El uso de compuestos

orgnicos en forma de radicales de hidrocarburo unidos a un metal
ha sido usado frecuentemente en la tecnologa de circuitos
integrados para el depsito de materiales metlicos y
semiconductores en capa delgada, como alternativa a los
correspondientes hidruros metlicos que presentan serios problemas
de seguridad debido a su carcter txico explosivo. Tanto en el caso
de los metales como los semiconductores, los compuestos ms
usados son aquellos que contienen un radical alquilo (metil, etil,
isopropil, etc). Normalmente se presentan en estado lquido y tienen
una alta presin de vapor. Aunque son relativamente econmicos, sin
embargo es preciso purificarlos a niveles altos (sobre todo en las
aplicaciones en microelectrnica) y presentan serios problemas de
manejo, ya que tienen una alta afinidad por el oxgeno y el vapor de
agua. Por ello, el transporte del precursor al reactor se hace a travs
de un frasco burbujeador empujando con un hidrgeno gaseoso.
Es frecuente tambin combinar los precursores con otros precursores
de elementos dopantes para formar el semiconductor. Una reaccin
tpica de MOCVD para la obtencin de GaAs mediante trimetilgalio
(TMGa) y AsH3 es la siguiente:
(CH3)3Ga + AsH3 GaAs + 3CH4
Los reactores de MOCVD son muy similares a los que se utilizan en
las tcnicas convencionales de LPCVD, trabajando adems en
condiciones muy similares (rango de presiones medias o bajas). Sin
embargo, cuando se pretende obtener capas epitaxiales es preciso
trabajar en niveles de alto vaco.

6.3.6. CVD de lecho fluidizado (CVD-FB): Las tcnicas de APCVD

presentan ciertos problemas de homogeneidad cuando se trata de
recubrir grandes piezas de geometra compleja. El uso de baja
presin (LPCVD) tampoco resulta adecuado para grandes series
debido al elevado coste de la operacin en vaco. Como alternativa
surgen las llamadas tcnicas de CVD en lecho fluidizado (CVDfluidized bed o CVD-FB), que operan tambin a presin atmosfrica.
La muestra se encuentra suspendida en el interior de un reactor
17

vertical que contiene un lecho de partculas que pueden se inertes a

los gases de reaccin (Al2O3, en el ejemplo de la ilustracin 8) o
participar en la reaccin para dar un depsito del mismo material. En
la parte inferior del reactor existe una placa porosa que permite el
paso de la mezcla de gases de reaccin al interior distribuyndose de
forma homognea.
La transferencia de calor a travs de las partculas del lecho permite
que el sistema alcance rpidamente la temperatura de equilibrio, con
lo se pueden obtener recubrimientos muy uniformes, y con espesores
elevados. La tcnica es muy verstil, y puede ser utilizada para la
obtencin de un gran nmero de recubrimientos. La tcnica ha sido
tambin utilizada para el recubrimiento de polvos.

Ilustracin 8: Sistema CVD FB para la deposicin de recubrimientos de al

sobre aleaciones de Ti.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

18

El ejemplo de la figura muestra un sistema de CVD-FB para la

deposicin de recubrimientos de Al sobre aleaciones de Ti a partir de
una mezcla de gases precursores de HCl y H2, utilizando Ar como
portador. El lecho est formado por partculas metlicas de Al. La
reaccin del HCl con las partculas de Al produce un producto
intermedio, AlCl3, que posteriormente se descompone sobre el
substrato para dar el depsito de Al.

6.4. CVD asistido por lser.

Este mtodo consiste en la deposicin asistida por fotones mediante la
transferencia de energa de los reactantes utilizando como medio de
iluminacin o excitacin el lser o la lmpara de luz ultravioleta.

Ilustracin 9: Esquema de un reactor LCVD.

Fuente: Albella J.M. Tcnicas de deposicin en fase vapor.

19

Caractersticas de las tcnicas de LCVD

En general son similares a las de PACVD:
Velocidad de deposicin alta, incluso a T bajas.
Dificultad de adaptar la frecuencia de la radiacin a la energa de
excitacin de las molculas. Se llevan a cabo reacciones complejas
en fase gas.
Atrapamiento de especies excitadas en la pelcula.
Difcil control de la composicin (estequiometra) de la capa
depositada.
Problemas de deposicin en las ventanas.

7. Ejemplo: Deposicin de capas de SiO2 mediante de CVD.

Caractersticas de las capas de SiO2.

Tabla 3: Propiedades y aplicaciones de las capas de SiO2 como recubrimiento.

PROPIEDADES

APLICACIONES

Aislante elctrico

Aislante de circuitos integrados

Estabilidad qumica

Recubrimientos protectores sobre metales

Indice de refraccin bajo

Pelculas antireflectantes
Mscaras para implantacin. Empaquetamiento
de circuitos. Membranas cermicas.

Bajo coeficiente de difusin

Fuente: PIERSON, H.O. Handbook Of Chemical Vapour Deposition.

Mtodos de deposicin.
Baja temperatura (300-500C):
SiH4 + O2 SiO2 + 2H2

(CVD)

SiH4 + N2O SiO2 + 2N2 + H2

(PACVD)

20

Adicin del dopante:

4PH3 + 5O2 2P2O5 + 6H2

Temperatura media (500-800C):

Si(OC2H5)4 SiO2 + subproductos

(MOCVD, LPCVD)

Temperatura alta (900C):

SiCl2H2 + N2O SiO2 + 2N2 + 2HCl

(LPCVD, PECVD)

Tabla 4: Datos comparativos del SiO2 obtenido por CVD a diferentes temperaturas.

xido
trmico

SiH4 + O2
(450C)

TEOS
(700C)

SiCl2H2 + N2O
(900C)

SiO2

SiO2(H)

SiO2

SiO2(Cl)

Densidad (g/cm )

2.2

2.1

2.2

2.2

ndice de refraccin
Ruptura dielctrica
(106 V/cm)
Velocidad de ataque
con HF (A/min)
Recubrimiento
escalones

1.46

1.44

1.46

1.46

>10

10

10

440

1200

450

450

No conforme

No conforme

No conforme

Parmetro
Composicin
3

Fuente: PIERSON, H.O. Handbook Of Chemical Vapour Deposition.

21

8. Aplicaciones.
Las aplicaciones de la deposicin qumica de vapores (CVD) se pueden clasificar
segn las caractersticas funcionales de los productos obtenidos: Aplicaciones
elctricas, opto-elctricas, pticas, mecnicas y qumicas. Esta clasificacin
corresponde aproximadamente a los diversos segmentos de la industria, tales
como la industria electrnica, la industria ptica, la industria de la herramienta y la
industria qumica. Las aplicaciones de la tcnica tambin se pueden clasificar por
la forma de los productos obtenidos como recubrimientos, polvos, fibras y
composites.

8.1. Aplicaciones electrnicas: Semiconductores.

La tcnica de CVD es un proceso importante en la produccin de pelculas
delgadas que recubren los tres tipos de materiales electrnicos:
semiconductores, conductores y aislantes.
Los materiales semiconductores que se dan en mayor cantidad en
produccin o en desarrollo son silicio, germanio, carburo de silicio y
diamante.
Aunque el silicio no puede competir con otros materiales semiconductores
en reas especficas, es en general un excelente material, un hecho
demostrado por su dominio del mercado durante los ltimos cuarenta aos.
Se obtiene fcilmente con un alto grado de pureza y un relativo bajo coste.
La tcnica CVD es utilizada para la produccin de silicio en dos reas
principales: La produccin de silicio ultra puro y en la preparacin de
pelculas epitaxiales y policristalinas.

22

8.2. Aplicaciones pticas.

SnO2 para el control de emisividad (las denominadas ventanas de baja
emisividad).
Multicapas de xidos con alto ndice de refraccin (TiO2, ZrO2, HfO2, ThO2)
y bajo ndice de refraccin (SiO2) para recubrimientos antirreflectantes.
SiO para filtros.
Nitruros de Ti, Zr, Hf para selectividad ptica.
Pelculas finas de molibdeno para la reflexin de los rayos infrarrojos.

Nota: Los elementos anteriormente mencionados son obtenidos actualmente por CVD,
bien sea en produccin o experimentalmente.

8.3. Recubrimientos antirreflectantes.

La funcin de un recubrimiento antirreflectante es reducir la reflexin de la
superficie de los elementos pticos e incrementar la cantidad de luz
transmitida. El resplandor y las imgenes fantasma de reflexiones
secundarias se reduce al mnimo.
Actualmente se producen recubrimientos mltiples que son capaces de
reducir la reflexin a un 0.3% o menos sobre un amplio rango de
frecuencias. Un tpico material es el fluoruro de magnesio, MgF2.
La mayora de recubrimientos antirreflectantes todava se producen por
evaporacin, pero la tcnica de CVD est gradualmente introduciendo
particularmente en aplicaciones con superficies tridimensionales o huecos
profundos. Los recubrimientos antirreflectantes se utilizan en numerosas
aplicaciones que incluyen rayos lser, lentes para cmaras y prismticos,
paneles de instrumentos, microscopios, telescopios, etc., as como cristales
en la industria de la automocin y arquitectura.
23

El objetivo principal de un recubrimiento reflectante es proporcionar la

mxima reflexin. La principal aplicacin de estos recubrimientos se
encuentra en espejos. Adems de la reflexin, otras propiedades tales
como resistencia a la abrasin y buena adhesin al vidrio a menudo son
requeridas. Un material reflectante comn es el aluminio, que tiene
excelente reflectividad.
Podemos encontrar recubrimientos reflectantes en instrumentos de la
industria aeroespacial, telescopios, espectrmetros, proyectores, lectores
de microfilms, lser y muchas otras aplicaciones.

8.4. Otras aplicaciones.

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Recubrimientos en ventanas.
Tendencias en las aplicaciones pticas CVD.
Recubrimientos para bombillas de descarga de gas.
Recubrimientos para almacenamiento ptico.
Recubrimiento ultravioleta para lser excmero.
Aplicaciones de resistencia al desgaste y corrosin.

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9. Bibliografa e infografa.
ALBELLA, J.M. Preparacin y caracterizacin de recubrimientos y lminas
delgadas. Tcnicas de deposicin qumica en fase vapor (CVD).
GOMEZ GOMEZ, Jacobo de Jess; VALLE CERNA, Milson & PREZ RAMIREZ,
Kevin Alexander. Deposicin qumica fase vapor (CVD). 2015.
PIERSON, H.O. Handbook Of Chemical Vapour Deposition.
MOROSANU, C.E. Thin Films by Chemical Vapour Deposition.

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