UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, MAYO 2012

Informe de Laboratorio 7 - El Transistor MOSFET

en Circuitos Amplificadores
Eric F. Herrera, Ivan L. Ramrez, David E. Ramrez
Cod. 285843, Cod. 223313, Cod. 223327
Bogota, Colombia

AbstractThis article shows the results obtained in the

three basic configurations of MOSFET transistor amplifiers:
Common Source, Common Gate and Common Drain; including
analysis of the correct transistors bias. To this, were designed,
implemented and studied various circuits for each of the
configurations already mentioned, and verify the behavior of
the transistor and the amplifier by measuring the real gain
obtained, and the input impedance and output the amplifier.
The amplification is the main application of the transistors, so
it is essential to know and understand the real behavior of an
amplifier, so that they can be designed properly and used in
various electronic devices that require them.

la amplificacion, debe estar bien caracterizado el transistor

para que los calculos teoricos se asemejan a los obtenidos
en el laboratorio. Finalmente cabe resaltar que el estudio de
los transistores como amplificadores, nos involucra mucho mas
en el mundo de la electronica moderna, y que sera una de las
bases de la ingeniera.

II. M ARCO T E ORICO

A. Polarizacion de un transistor MOSFET

ResumenEste articulo muestra los resultados obtenidos en

las tres configuraciones basicas de amplificadores con transis Drenaje Comun
y Compuerta
tores MOSFET: Fuente Comun,
incluyendo el analisis de la correcta polarizacion de los
Comun;

transistores. Para esto se disenaron,

implementaron y estudiaron
diversos circuitos, para cada una de las configuraciones ya
mencionadas, y se verifico el comportamiento del transistor
y del amplificador por medio de la medicion de la ganancia
real obtenida, y de las impedancias de entrada y de salida
del amplificador. La amplificacion, es la principal aplicacion
de los transistores, por esto es clave conocer y entender el
comportamiento real de un amplificador, para que estos puedan

ser disenados
correctamente y utilizados en diferentes equipos
electronicos que los requieran.

1) Configuracion de Polarizacion en Retroalimentacion:

En la Figura 1 se proporciona un arreglo comun de polarizacion para los MOSFET de Enriquecimiento. El resistor RG
proporciona un voltaje suficiente grande a la Gate para crear
el canal en el MOSFET. Para esta configuracion existe una
conexion directa entre el Drain y la Gate (RG no tiene ningun
efecto en la polarizacion debido a que se encuentra aislada
y no tiene corriente), por lo tanto VGS = VDS [1]. Esta
caracterstica nos garantiza que el transistor esta siempre en su
zona de saturacion debido a que siempre se cumple la relacion
VDS VGS VT .

Palabras ClavesPolarizacion de un Transistor, Amplifi Drenaje Comun,

Compuerta Comun.

cador,Fuente Comun,

I. I NTRODUCCI ON
Un amplificador electronico es un circuito que tiene como
funcion incrementar la intensidad de corriente, la tension
o la potencia de una senal que se aplica en su entrada,
obteniendo la senal aumentada en la salida. Un transistor es un
dispositivo semiconductor que tiene como principal aplicacion
la de amplificacion de senales electricas. Los transistores han
creado un revolucion tecnologica que a conseguido un gran
avance en todo tipo de dispositivos electronicos, debido a
que permitieron la creacion de los circuitos integrados y por
medio de estos la fabricacion de los microprocesadores que
son la base de la tecnologa moderna. El objetivo principal
de la practica es entender y analizar el comportamiento de
un transistor MOSFET, utilizado en diferentes estructuras de
circuitos amplificadores. Para esto se implementaran las configuraciones principales de circuitos amplificadores utilizando
transistores MOSFET y se verificara su comportamiento de
acuerdo a la ganancia obtenida en cada circuito. Es importante
tener en cuenta que para obtener los resultados esperados en

Fig. 1.
[2]

Polarizacion de MOSFET en configuracion por Retroalimentacion

Las ecuaciones que definen esta configuracion son :

VGS = VDS

VDS = VDD ID RS

2) Configuracion de Polarizacion con Divisor de Voltaje:

En la Figura 2 aparece un segundo arreglo de polarizacion
comun para el MOSFET de Enriquecimiento. El hecho de
que la Gate se encuentre aislada y que la corriente, implica
que IG =0 y se genera un divisor de tension que determina
la tension VG [3]. Por ley de tension de Kirchoff se puede
determinar la tension VGS .

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Fig. 2.
[2]

Polarizacion de MOSFET en configuracion por Divisor de Tension

Resistencia de Entrada: REnt = RG = R1 ||R2

0
Resistencia de Salida: RSal = RL
= r0 ||RD
Ganancia de Voltaje: Av = gm (r0 ||RD ||RL )

2) Configuracion Drenaje Comun (Common Drain):

Tambien conocido como Seguidor de Fuente, es otra topologia
de amplificador que utiliza transistores MOSFET. Este circuito
es utilizado como acoplador de impedancias. En este modelo,
la senal que se va a amplificar se coloca en el terminal
Gate y la salida la obtenemos en el terminal Source [5]. Su
configuracion principal se presenta en la Figura 5.

Las ecuaciones que definen esta configuracion son :

R2
VG = VDD
VGS = VG ID RS
(R1 + R2)
B. Amplificadores de Pequena Senal con Transistores MOSFET
1) Configuracion Fuente Comun (Common Source): Es una
de las topologias principales de amplificadores con transistores
MOSFET, que se utiliza principalmente como amplificador de
voltaje y de transconductancia. Para este modelo, colocamos la
senal que queremos amplificar en el terminal Gate, y la salida
la obtenemos del terminal Drain [4]. Este tipo de amplificador
recibe su nombre del terminal que queda libre, el terminal
Source (Fuente). Su configuracion principal se presenta en la
Figura 3.

Fig. 5.

Amplificador NMOS en configuracion de Drenaje Comun [5]

El modelo equivalente para pequena senal, mediante el cual

facilitamos el analisis de este circuito se presenta en la Figura
6.

Fig. 3.

Amplificador NMOS en configuracion de Fuente Comun [4]

Para facilitar el analisis se utilizan modelos de circuitos

equivalentes que se aproximan al comportamiento real del
amplificador. Para pequena senal, es decir cuando se cumple
que Vgs <<< 2(VGS VT ), el modelo equivalente, para este
circuito que es polarizado mediante un divisor de tension seria
el de la Figura 4.

Fig. 6.
Circuito Equivalente en pequena senal para un amplificador de
Drenaje Comun [5]

Por medio del analisis de este circuito podemos obtener las

ecuaciones que determinan sus principales caractersticas:

Resistencia de Entrada: REnt = RG = R1 ||R2

Resistencia de Salida: RSal = r0 ||Rs || g1m
= g1m
0 ||RS ||RL )
Ganancia de Voltaje: Av = (r (r
||R ||R )+ 1
0

Fig. 4. Circuito Equivalente en pequena senal para un amplificador de Fuente

Comun [4]

Por medio del analisis de este circuito podemos obtener las

ecuaciones que determinan sus principales caractersticas:

gm

3) Configuracion Compuerta Comun (Common Gate): Es

la ultima topologia principal de amplificador de una etapa
que utiliza transistores MOSFET.Es la configuracion menos
utilizada, pero sin embargo funciona como acoplador de
impedancias y como amplificador de voltaje [5]. Para este
circuito la senal de entrada es colocada en el terminal Source
y la senal amplificada o de salida la tomamos en el terminal
Drain. Su configuracion principal se muestra en la Figura 7.

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Fig. 7.

Amplificador NMOS en configuracion de Compuerta Comun [5]

El modelo equivalente para pequena senal, mediante el cual

facilitamos el analisis de este circuito se presenta en la Figura
8.

Fig. 8.
Circuito Equivalente en pequena senal para un amplificador de
Compuerta Comun [5]

Fig. 10.

Polarizacion con configuracion de Divisor de Voltaje

Estos circuitos fueron disenados de acuerdo a la caracterizacion realizada en la practica anterior en la cual se obtuvo
que para el transistor MOSFET utilizado (Circuito Integrado
CD4007): K= 0.20372 mA/V2 y VT = 1.527V. Es importante
aclarar que estos valores fueron corregidos debido a que los
obtenidos anteriormente fueron mal medidos y se presentaban
incoherencias a la hora de realizar los calculos teoricos.
Ademas se tuvo en cuenta que la corriente que debia circular
por la Drain (ID ) debera ser de 2/3 mA (0.667 mA), y que
la tension de alimentacion (VDD ) es de 11 V.
Por medio de la ecuacion caracterstica del transistor: ID =
k(VGS Vt )2 , podemos calcular el VGS requerido:
0.667mA = (0.29372mA/V 2 )(VGS 1.527V )2

Por medio del analisis de este circuito podemos obtener las

ecuaciones que determinan sus principales caractersticas:

Resistencia de Entrada: REnt = RG = RS || g1m

Resistencia de Salida: RSal = RD
Ganancia de Voltaje: Av = gm (RD ||Rl)

III. P ROCEDIMIENTO
A. Polarizaciones Basicas
Para el estudio de algunas de las formas de polarizar los
transistores MOSFET se implementaron los circuitos de las
figuras 9 y 10.

VGS = 3.337V
Para el circuito de polarizacion con retroalimentacion; por
medio de este resultados y utilizando las leyes de Kirchhoff,
calculamos que RD =11.5K. La resistencia RG no es necesario calcularla, sin embargo hay que tener en cuenta que
debe ser bastante alta para que no altere la impedancia de
entrada del circuito, por esta razon escogimos una resistencia
de 10M.
Para el circuito de polarizacion con divisor de voltaje es
necesario escoger dos de las cuatro resistencias que lo componen, de acuerdo a algunos criterios prendidos en clase. Escogemos R1 =6M, una resistencia alta para que la impedancia
de entrada del circuito tambien lo sea; y RS =2K, no tan alta
para que la tension en el terminal Gate sea mayor que cero.
Ademas tomamos como referencia la tension VGS calculada
para el circuito anterior, y por medio de un divisor de tension
calculamos R2 :
11V (

R2
) = VG = 4.66V
R2 + 6M
R2 = 4.43M

Fig. 9.

Polarizacion con configuracion de Retroalimentacion

Por medio de la ecuacion VDS VGS Vt , comprobamos

teoricamente que el transistor se encuentre en la zona de
saturacion para ambas polarizaciones.
Para verificar la correcta polarizacion del transistor, en el
laboratorio se midieron los voltajes VGS , VDS y VD , y la
corriente ID .

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B. Amplificador Fuente Comun

Para el estudio del transistor como amplificador se analizara
primero la configuracion Fuente Comun (Common Source).
Para esto se implementara el circuito de la Figura 11.

Fig. 12.

Amplificador NMOS de Drenaje Comun

D. Amplificador Compuerta Comun

Fig. 11.

Amplificador NMOS de Fuente Comun

Por ultimo se analizara la configuracion de Compuerta

Comun (Common Gate).Para esto se implementara el circuito
de la Figura 13.

La polarizacion de este circuito es la misma utilizada en

la polarizacion de divisor de tension utilizada anteriormente.
Para este circuito fue necesario calcular la capacitancia de los
condensadores, para que estos funcionaran correctamente de
acuerdo a la relacion XC = 2f1 C <<<< rc , donde XC es la
reactancia del capacitor y rc es la resistencia que tiene debe
ser puesta en cortocircuito.
Al realizar los diferentes calculos obtuvimos valores muy
pequenos de capacitancia. Debido a que estos valores no se
consiguen facilmente en el mercado y que entre mayor sea la
capacitancia, menor sera la reactancia y por ende se comportara mejor como un corto; decidimos utilizar condensadores
de 10F en todos los casos.
Se verificara el correcto funcionamiento del circuito obteniendo la forma de onda de salida en el osciloscopio, y
verificando mediante mediciones en el laboratorio la ganancia
de voltaje y las resistencias de entrada y de salida del circuito.

Fig. 13.

C. Amplificador Drenaje Comun

Tambien se estudiara la configuracion de Drenaje Comun
(Common Drain).Para esto se implementara el circuito de la
Figura 12.
Para este circuito tambien se obtendra la forma de onda de
salida del circuito en el osciloscopio, y se verificaran los
valores de la ganancia de voltaje y las resistencias de entrada
y de salida del circuito.

Amplificador NMOS de Compuerta Comun

Para este circuito se realizara el mismo procedimiento que

con los anteriores.

IV. A N ALISIS
DE R ESULTADOS
A. Polarizaciones Basicas
Para estos circuitos se obtuvieron magnitudes relativamente
cercanas a las halladas tanto en la simulacion como en los
calculos realizados previamente a la practica. Los errores
se atribuyen a diferentes factores como la precision en la
medicion de la constante k del transistor, al porcentaje de

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tolerancia que existe tanto en las resistencias utilizadas en

la polarizacion, como en los errores de medicion debidos a
las resistencias internas existentes en los equipos de medicion
(Osciloscopio y Multmetros).
Al simular los circuitos descritos anteriormente se obtuvieron los resultados de las Figuras 14 y 15.

consiste en conectar un condensador en paralelo a la resistencia RS , provocando de esta manera que la senal alterna ignore
esta resistencia viendola como un corto circuito en el momento
de amplificar, evitando as cualquier alteracion para la senal
de salida y de la polarizacion. Los resultados obtenidos en
simulacion para este circuito se muestran en la Figura 16

Fig. 16.
Comparacion Senales de Entrada y de Salida obtenidas en
Simulacion para el amplificador de Fuente Comun

Fig. 14.
Resultados obtenidos en simulacion para la Polarizacion en
Retroalimentacion

En la Figura 17 aparecen la senal de salida y la senal

de entrada obtenidas en el osciloscopio, mostrando una comparacion entre estas dos senales y la relacion de amplificacion,
incluyendo el desfase de 180 que presenta la senal de salida.

Fig. 15. Resultados obtenidos en simulacion para la Polarizacion con Divisor

de Voltaje

Al verificar el comportamiento de estos circuitos, obtuvimos

los siguientes resultados:

Tabla I
DEL
DATOS O BTENIDOS PARA LOS C IRCUITOS DE P OLARIZACI ON
TRANSISTOR NMOS

B. Amplificador Fuente Comun

Una vez realizada la polarizacion de los circuitos se inicio
el proceso de amplificacion. La conexion de fuente comun,

Fig. 17.
Comparacion Senales de Entrada y de Salida obtenidas en el
Osciloscopio para el amplificador de Fuente Comun

Para obtener las impedancias de entrada y de salida del

amplificador se midieron las corrientes y tensiones de entrada
y de salida, y se obtuvieron los siguientes resultados:
Entrada: IEnt =0 A(RMS) y VEnt =175 mV(RMS)
Salida: ISal =4 A(ARMS) y VSal =40 mV(RMS)
Por lo tanto, los resultados obtenidos para este amplificador
fueron los siguientes:
Impedancia de Entrada: ZEnt =2.3M
Impedancia de Salida: ZSal =10K
Ganancia de Voltaje: Av =4.6
Estos resultados son coherentes con los obtenidos
teoricamente, por lo que se comprobo el correcto funcionamiento del amplificador. ES importante tener en cuenta
que la impedancia de entrada de este tipo de circuito debe
ser alta, para que al trabajar con una senal de entrada de

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impedancia alta, no se pierda senal debido al divisor de tension

que se genera.
C. Amplificador Drenaje Comun
En este circuito de amplificacion, se presenta una disminucion de la amplitud de la senal de entrada, en vez de una
amplificacion. Esto se debe a que la ganancia depende de
la comparacion entre dos resistencias:RS y 1/gm .Si 1/gm es
mucho mas grande que RS entonces la ganancia maxima de
voltaje sera 1. Si no, como en este caso la ganancia disminuira
y la senal de salida sera menor que la senal de entrada.
Los resultados obtenidos en simulacion para este circuito se
muestran en la Figura 18

Como se observa en los resultados , este circuito nos entrego

una senal de salida con menor amplitud que la senal de
entrada. Esto se debe a que el factor de amplificacion depende
de la relacion que hay entre RS y 1/gm . Cuando la primera sea
mucho mayor que la segunda, la ganancia maxima sera de 1,
sino esta ganancia disminuira. Ademas la impedancia de salida
del circuito es relativamente baja comparada con los otros
amplificadores, y la podemos ajustar de acuerdo al paralelo
entre RD y 1/gm . Por esta razon es que este circuito es
ampliamente utilizado como un transformador de impedancias.
D. Amplificador Compuerta Comun
Esta conexion tambien funciona como amplificador, pues
ahora la fuente de senal alterna es conectada en la entrada
source del transistor mientras la entrada gate es conectada a
un condensador el cual va conectado a tierra. Ademas la salida
es obtenida en el terminal drain del transistor. En la Figura ??
los resultados obtenidos en simulacion para este circuito.

Fig. 18.
Comparacion Senales de Entrada y de Salida obtenidas en
Simulacion para el amplificador de Drenaje Comun

La Figura 19 muestra la senal de entrada respecto a la salida,

en este caso no existe un desfase entre las dos senales.

Fig. 20.
Comparacion Senales de Entrada y de Salida obtenidas en
Simulacion para el amplificador de Compuerta Comun Comun

La Figura 21 nos muestra la senal de entrada respecto a

la senal de salida en el osciloscopio, en las que tampoco
obtenemos desfase.

Fig. 19.
Comparacion Senales de Entrada y de Salida obtenidas en el
Osciloscopio para el amplificador de Drenaje Comun

Al medir las tensiones y corrientes de entrada y de salida,

obtuvimos los siguientes resultados:
Entrada: IEnt =0 A(RMS) y VEnt =176 mV(RMS)
Salida: ISal =86.6 A(ARMS) y VSal =97 mV(RMS)
Por lo tanto, los resultados obtenidos para este amplificador
fueron los siguientes:
Impedancia de Entrada: ZEnt =2.5M
Impedancia de Salida: ZSal =1.12K
Ganancia de Voltaje: Av =0.53

Fig. 21.
Comparacion Senales de Entrada y de Salida obtenidas en el
Osciloscopio para el amplificador de Compuerta Comun Comun

Al medir las tensiones y corrientes de entrada y de salida,

obtuvimos los siguientes resultados:
Entrada: IEnt =0 A(RMS) y VEnt =175 mV(RMS)
Salida: ISal =4 A(ARMS) y VSal =40 mV(RMS)

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Los resultados obtenidos para este amplificador fueron los

siguientes:
Impedancia de Entrada: ZEnt =800
Impedancia de Salida: ZSal =10K
Ganancia de Voltaje: Av =3.1
En este circuito podemos observar que la amplificacion no fue
completa. Esto se debe a que al tener una impedancia baja
de entrada, y al tener el generador de senales un impedancia
tambien baja, se produce un divisor de tension que reduce la
amplitud de la senal casi a la mitad. Sin embargo los resultados
son coherentes con los obtenidos en la teora.
Es importante aclarar, que en los tres amplificadores la corriente de entrada dio 0 A en los multimetros debido a que
la mnima lectura de estos es de 1uA. Sin embargo estas
corrientes no son exactamente 0, son corrientes muy bajas
(de nA) que no pueden ser medidas con los multimetros.
Por lo tanto para la obtencion de las impedancias de entrada
fue necesario medir directamente con el o hmetro teniendo
en cuenta que se deban tener la fuentes y los generadores
apagados.

(para un transistor MOSFET tipo N de enriquecimiento).

Por ultimo es necesario tener en cuenta que los modelos
de analisis utilizados, solo sirven para pequenas senales,
por lo tanto para que la amplificacion se asemeje a los
resultados teoricos debemos tener en cuenta ademas que
Vgs <<<< 2(VGS Vt ). Ademas cabe resaltar que
una sola tapa de amplificacion en muchas ocasiones
puede ser insuficiente y/o ineficiente. por lo tanto sera
recomendable utilizar diferentes etapas de amplificacion
que nos permitan obtener la tension deseada, y las
impedancia de entrada y de salida reuqeridas.

Para la amplificacion con Fuente Comun, son elevados

los valores de amplificacion que se pueden obtener, pero
de igual forma la resistencia RD debe ser grande, por
lo que puede ser ineficiente al momento de polarizar el
transistor, debido a que se puede llegar a necesitar un alto
voltaje. Para este caso ocurre un desfase de 180 entre
la senal de salida y la senal de entrada. Su resistencia
de entrada depende del tipo de polarizacion utilizado,
sin embargo normalmente puede ser considerada alta.
Su resistencia de salida depende principalmente de la
resistencia RD y normalmente tambien sera elevada.
Para la conexion con Compuerta Comun, la ganancia es
menor a 1. Su principal utilidad es la de transformar
un impedancia de salida alta en una impedancia de
salida baja, debido a que esta depende de 1/gm que
normalmente sera baja. Para este caso no hay desfase de
la senal de salida respecto a la de entrada. Su resistencia
de entrada tambien dependera del tipo de polarizacion
utilizado aunque normalmente sera elevada.
Para la conexion Compuerta comun, esta tambien funciona como amplificador ya que su ganancia siempre sera
mayor que 1. En este tipo de amplificador tampoco ocurre
ningun desfase entre la senal de entrada y la de salida .Su
resistencia de entrada depende de 1/gm por lo que esta
normalmente sera baja. Su resistencia de salida depende
principalmente de la resistencia RD , que comunmente
sera alta.
En la siguiente tabla podemos comparar las caractersticas
principales de cada uno:

V. P REGUNTAS S UGERIDAS

Que consideraciones tuvo para el diseno de las

polarizaciones en region de saturacion?, Que variaciones
debera realizar para cambiar la region de trabajo a trodo
o corte?
Para que el transistor quedara correctamente polarizado
y se encontrara en la zona de saturacion es necesario
que la tension VDS sea mayor o igual a la tension
VGS menos la tension Vt (VDS VGS Vt . Esta es
la consideracion principal que se tuvo en el diseno del
circuito para garantizar que el transistor estuviera en
la zona de saturacion, ademas de la condicion mnima
de creacion del canal en el transistor (VG S > Vt ),
teniendo en cuenta las caractersticas iniciales (ID , VDD
determinadas por la gua para el circuito.
Para cambiar de zona al transistor, sin alterar las
condiciones iniciales dadas, se necesita disminuir la
tension VDS , para que la desigualdad ya no se cumpla.
Por la tanto las opciones serian aumentar la resistencia
RD para que tenga mas cada de tension y baje la tension
VD , y/o aumentar la resistencia RS para que la tension
VG tambien sea menor, enviando al transistor a la zona
triodo. Tambien es posible disminuir la resistencia R1
o aumentar la resistencia R2 para que la tension VGS
disminuya y el transistor se encuentre en su zona de corte.

Que condiciones debe tener en cuenta para una

polarizacion que garantice una buena amplificacion?
Primero se deben conocer correctamente los parametros
detallados del transistor, su constante K y su tension
de umbral VT , ya que es por medio de llos que
podremos realizar unos correctos calculos teoricos
y obtener buenos resultados. Ademas es necesario
garantizar las condiciones de polarizacion mnimas para
que el transistor se encuentre en zona de saturacion,
principalmente que VGS > Vt y que V DS V GS V T

Que puede concluir en cada una de las configuraciones

de amplificacion? Realice una comparacion de estas.

Tabla II
ENTRE LOS D IFERENTES T IPOS DE A MPLIFICADORES
C OMPARACI ON
MOSFET

Que sucede al variar la amplitud de la senal de entrada?

Al variar la senal de entrada se tienen varias consecuen-

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cias. Primero puede que crezca lo suficiente para que

ya no pueda ser considerada pequena senal, es decir
que ya no se cumpla que Vgs <<<< 2(VGS Vt )
y por lo tanto los modelos de analisis teoricos ya no
serian confiables. Ademas si la onda crece mucho al
amplificarse, llega un punto en que esta se recorta debido
a que el transistor puede salirse de su zona de saturacion,
ya que se incumple que V DS V GS V T , porque la
tension variable (Vgs ) se monta sobre la tension continua
de polarizacion (VGS ).
VI. C ONCLUSIONES

La polarizacion de un transistor MOSFET por retroalimentacion es la mas sencilla, debido a que basicamente
consta de una resistencia que nos fija la tension en el terminal drain, y de otra resistencia que altera la impedancia
de entrada. Para esta polarizacion la tension VDS es igual
a la tension VGS , por lo que siempre se garantiza que el
transistor entrara en la zona de saturacion.
La polarizacion de un transistor MOSFET por medio de
un divisor de Voltaje es una de las mas utilizadas debido
a que nos permite ajustar las tensiones en los terminales
del transistor a nuestra conveniencia. Consta de cuatro
resistencias que fijan los voltajes VG ,VD y VS .
Existen diversas configuraciones de amplificadores que
utilizan transistores MOSFET. Cada uno tiene caractersticas propias que son u tiles en determinadas aplicaciones.
Los modelos de circuitos equivalentes de amplificacion
utilizados en los calculos teoricos, solo sirven para el
analisis de pequenas senales, debido que es cuando
la amplificacion puede considerarse lineal y depende
u nicamente de ID .
El amplificador de Fuente Comun es el mas utilizado.
Este nos permite aumentar la amplitud de una senal de
entrada, y su ganancia dependera principalmente de el
valor de la carga, y de las resistencias que se encuentren
en paralelo con esta. La senal de salida siempre tendra
un desfase de 180 con respecto a la senal de entrada.
El amplificador de Drenaje Comun no es utilizado como
amplificador (debido a que su ganancia maxima sera
de 1),sino como acoplador de impedancias, ya que su
impedancia de salida depende principalmente del inverso
de la transconductancia (1/gm ), que predominara ante
cualquier otra resistencia que se encuentre en paralelo
con esta y que normalmente sera de una valor bajo.
El amplificador de Compuerta Comun puede ser usado
como amplificador o tambien como transformador de
impedancias. Al tener una baja impedancia de entrada es
importante verificar que la senal de entrada no disminuya
debido a que se puede generar un divisor de tension.
La impedancia de los instrumentos de medicion (Multimetro y Osciloscopio) pueden generar variaciones en
la operacion de los circuitos amplificadores debido a las
bajas corrientes que se manejan.
La principal aplicacion de los transistores, es la de amplificadores. En la actualidad son utilizados en enormes

cantidades, por medio de los circuitos integrados y los

microprocesadores.
R EFERENCIAS

[1] Chuto,
Armando.
(2012)
Capitulo
6
POLARIZACION
DEL FET.Recuperado el 12 de Mayo del sitio web:
http://www.slideshare.net/armandorob/electronica-polarizacion-del-fet
[2] Configuraciones
polarizacion
de
FET.
Recuperado
el
12
de
Mayo
del
sitio
web:
http://usuarios.multimania.es/instrumentacio/sergiom/transistores.htm
[3] Vasquez G., Sergio. (2009)Polarizacion de Transistor de Efecto de Campo
(FET) Universidad del Valle de Mexico. Recuperado el 21 de Mayo
del sitio web: http://www.slideshare.net/projectronicsuvm/polarizacin-fet1765772
[4] Villalba M., German; Zamora I., Miguel A. TEMA 5 SENAL.

AMPLIFICADORES DE PEQUENA
Recuperado el 21 de
Mayo del sitio web: http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemaselectronicos/material-de-clase-1/tema-5.-amplificadores-de-pequenasenal.pdf
[5] Tema 4: Amplificadores de pequena senal. Recuperado el 21 de
Mayo del sitio web: https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitoselectronicos-analogicos/transparencias/tema-4Subir