TIRISTORES DE DESCONEXION DE COMPUERTA

(GTO)
ESTRUCTURA BSICA Y CARACTERSTICAS I-V
Hay tres diferencias fundamentales entre un GTO y un tiristor convencional. En primer
lugar, las estructuras de compuerta y ctodo estn muy inter digitadas, con varios tipos
de formas geomtricas para disponer las compuertas y ctodos, incluso estructuras
intricadas complicadas
En segundo lugar, las reas del ctodo suelen formarse mediante el grabado del silicio
que rodea a los ctodos, con contornos como de islas o mesas
Una tercera diferencia importante se observa en la zona del nodo del GTO. En
intervalos regulares, las zonas n_ penetran el nodo tipo p (capa p1) para hacer contacto
con la zona n_ que forma la capa de base n1.
La caracterstica i-v de un GTO en sentido directo es idntica a la de un tiristor
convencional. Sin embargo, en sentido inverso, el GTO no tiene prcticamente ninguna
capacidad de bloqueo debido a la estructura de cortocircuito del nodo.

Ilustracin 1: Seccin transversal vertical y panormica de un GTO.

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN DEL GTO

INCLUSIN DE CIRCUITOS DE AMORTIGUADORES (SNUBBERS) Y
ACCIONAMIENTOS
Es importante apreciar que los GTO solo se usan en aplicaciones de potencia media a
alta, donde no solo los niveles de tensin y corriente son altos, sino tambin es probable
que los dems componentes de estado slido que se puedan usar con el GTO sean muy
lentos. De este modo, el diodo de libre circulacin no es un diodo de recuperacin muy
rpido.
El GTO tiene una subida de corriente rpida en el encendido en comparacin con el
tiempo de recuperacin inversa del diodo debido a la estructura de compuerta-ctodo
muy inter digitada.

 Cuando se apaga el GTO, la velocidad del crecimiento del voltaje de nodo - ctodo,
dv/dt, se debe limitar a niveles especificados. De lo contrario, puede presentarse un
nuevo disparo del GTO de vuelta al estado activo, Por esta razn se incluye un
amortiguador de desconexin como parte del circuito de conmutacin.

TRANSITORIO DE ENCENDIDO DEL GTO

Durante el encendido, tanto la velocidad del incremento de la corriente de compuerta,
diG/dt, como la corriente pico de compuerta, IGM, debe ser grande para asegurar que
todas las islas de ctodos empiecen a conducir y que haya una buena comparticin
dinmica de la corriente andica.
Despus de la finalizacin del encendido debe fluir una corriente mnima continua de la
puerta IGT durante todo el periodo de estado activo para prevenir una desconexin no
deseada

Ilustracin 2: Formas de onda de encendido de un GTO integrado en un convertidor reductor con amortiguadores de
encendido y apagado.

TRANSITORIO DE APAGADO DEL GTO

El GTO se apaga mediante la aplicacin de una corriente negativa grande, como se
observa.

Ilustracin 3: Formas de onda de apagado de un GTO integrado en un convertidor reductor con amortiguadores de
encendido y apagado.

TIEMPOS MNIMOS DE ESTADO ACTIVO Y PASIVO

Se recomienda mucho que el GTO no se encienda hasta que se haya apagado durante un
tiempo especificado por la posibilidad de mala comparticin entre las diversas islas de
ctodos. Algunos portadores minoritarios excedentes permanecen en el GTO por un
tiempo muy extenso, debido a los tiempos de vida largos, y estos portadores remanentes
causan que las pocas islas de ctodos en las inmediaciones de los portadores tengan una
mejor caracterstica de conduccin que el resto de las islas de ctodos
El GTO se debe mantener en estado activo por un periodo especificado antes de iniciar
la desconexin.
El diseador del circuito tambin debe tomar en cuenta que los amortiguadores de
encendido y apagado requieren asimismo un tiempo mnimo en estado activo y un
tiempo mnimo en estado pasivo, respectivamente, para operar bien.

MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE

Si esta tensin excede la tensin de ruptura de la unin, la corriente de compuerta
negativa fluye solo en la periferia del ctodo donde ocurri la ruptura, y no se retira
nada de la carga almacenada remanente, y por ende el GTO no se apaga. Por esta razn,
la tensin VGG_ no debe sobrepasar la tensin de ruptura de la unin de compuertactodo.

PROTECCIN DEL GTO CONTRA SOBRECORRIENTE

El GTO est diseado para una corriente operativa con pico permisible menor que la
mxima corriente controlable por un factor de seguridad. El sensor de corriente debe

detectar el sobre corriente en un GTO. Si la sobre corriente detectada es menor que la

mxima corriente controlable. Sin embargo, si la sobre corriente detectada es mayor que
la mxima corriente controlable provoca una falla del GTO.

Ilustracin 4: Mtodos de proteccin contra sobre corrientes del GTO: a) definicin de sobre
corrientes; b) proteccin contra sobre corrientes debido a un cortocircuito c) proteccin
contra sobre corrientes mediante el encendido de todos los GTO en el puente

TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR (BJT)

ESTRUCTURAS VERTICALES DE TRANSISTORES DE POTENCIA
Un transistor de potencia tiene una estructura de orientacin vertical de cuatro capas de
dopaje alternante de tipo p y tipo n
El transistor tiene tres terminales, como lo indica la figura, que se denominan colector,
base y emisor, respectivamente. En la mayora de las aplicaciones de potencia, la base
es la terminal de entrada, el colector es la terminal de salida y el emisor se comparte
entre entrada y salida (la llamada configuracin de emisor comn).
Se prefiere una estructura vertical para los transistores de potencia porque maximiza el
rea de seccin transversal a travs del cual fluye la corriente en el dispositivo. Esto
reduce la resistencia del estado activo y por ende la disipacin de potencia en el
transistor. Adems, un rea grande de seccin transversal disminuye la resistencia
trmica del transistor y de este modo ayuda tambin a controlar los problemas de
disipacin de potencia.
Los transistores de potencia prcticos tienen sus emisores y bases interfoliadas. El
propsito de este arreglo es sobre todo reducir los efectos de apiamiento de corriente,
fenmeno que produce una segunda ruptura y la posible falla del dispositivo.

Ilustracin 5: Seccin transversal vertical de un BJT de potencia normal tipo npn. Tambin se muestra el smbolo de
circuito para el transistor.

CARACTERSTICAS I-V
Hay un voltaje mximo de colector-emisor que se sustenta a travs del transistor cuando
lleva una corriente sustancial del colector. Este voltaje suele denominarse BV sus.
En el lmite de la corriente de base cero, el mximo voltaje entre colector y emisor que
se sustenta aumenta un poco hasta un valor denominado BV CEO, el voltaje de ruptura de
colector-emisor cuando la base est en circuito abierto.
La zona denominada ruptura primaria se debe a la ruptura convencional de avalancha de
la unin de C-B y el flujo grande de corriente que conlleva. Esta zona de las
caractersticas se debe evitar debido a la gran disipacin de potencia que claramente
acompaa a esta ruptura.
La zona denominada ruptura secundaria tambin se debe evitar porque tambin le
acompaa una gran disipacin de potencia, en particular en lugares dentro del
semiconductor.
La zona denominada cuasisaturacin en las caractersticas de transistores es una
consecuencia de la regin de arrastre del colector un poco dopada en el transistor de
potencia.

Ilustracin 6: Caractersticas de corriente-tensin de un BJT de potencia npn con ruptura secundaria y

cuasisaturacin

Las corrientes trmicas del transistor, IC e IB, se expresan en trminos de estas

corrientes internas. La corriente del colector est dada por:

I C =I nc
I B=I C I E =I nc + I ne + I pe

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
ENCENDIDO DEL BJT
Para conmutar el transistor del estado pasivo al activo, se debe suministrar una carga al
transistor, de modo que se establezcan y mantengan distribuciones de carga almacenada
en el transistor.

Ilustracin 7: Circuito de conmutacin de un BJT inductivamente cargado con un bloqueo de diodo de libre
circulacin.

Ilustracin 8: Formas de onda de corriente y tensin del BJT de potencia cuando se enciende el transistor en el
circuito bloqueado de carga inductiva de la figura anterior

APAGADO DEL TRANSISTOR

El apagado del transistor implica retirar toda la carga almacenada en el transistor. Esto
se logra al reducir slo la corriente de la base a cero y confiar en los procesos internos
de recombinacin en el transistor para retirar la carga. Sin embargo, esto tardara
demasiado para las aplicaciones prcticas, por lo que se obliga a la corriente de base a
volverse negativa para acelerar el retiro de la carga mediante procesos de barrido de
portadores.

Ilustracin 9: Formas de onda de corriente y tensin de un BJT de potencia cuando el transistor se apaga en el
circuito bloqueado de carga inductiva de la figura 13

Ilustracin 10: Formas de onda de corriente y tensin de un BJT de potencia cuando se apaga el transistor en el
circuito bloqueado de carga inductiva de la figura 13 con una corriente grande de base inversa de funcin escaln.

CONMUTACIN DE DARLINGTON MONOLTICOS

El comportamiento de transitorios de encendido de un Darlington monoltico (MD)
integrado en el circuito de la figura 13 tiene las mismas caractersticas cualitativas que
los que acabamos de describir para el BJT sencillo. Sin embargo, hay dos diferencias
cualitativas importantes.

 Primero, el transistor principal no entra en saturacin severa porque la tensin de estado

activo del transistor de accionamiento mantiene la tensin a travs de las terminales de
C-B del transistor principal lo bastante grande para que permanezca en cuasisaturacin.
Segundo, el tiempo general de conmutacin al estado activo es ms rpido para el MD
porque el transistor principal se acciona por una corriente de base ms grande que un
BJT sencillo comparable.

Ilustracin 11: Formas de onda de corriente y tensin en un Darlington de potencia durante el apagado en el
circuito de bloqueo de carga inductiva de la figura 13

PRDIDAS EN ESTADO ACTIVO

Casi toda la potencia disipada en el modo de operacin conmutado de un BJT ocurre
cuando el transistor est en estado activo, por lo regular, en saturacin severa. En esta
circunstancia, la disipacin de potencia est dada por
Penc I C V CE(sat)

V CE(sat)=V BE (enc) V BC ( sat ) +V d + I C (Re + RC )

EJERCICIOS
1. El transistor bipolar de la figura tiene un valor nominal de
intervalo de 8 a 40. La resistencia de la carga es

en el

RC =11 . El

voltaje de suministro de cd es Vcc = 200 V, y el voltaje de entrada al

circuito de la base es

V B =10 V . Si

V CE ( sat )=1.0V

V BE ( sat )=1.5 V

, determinar:
a) El valor de
b) La

RB

que produzca saturacin con un ODP de 5.

forzada

c) la disipacin de potencia PT en el transistor.

Solucin

v cc =200V , min =8, max=40, RC =11 ,ODF=5,V B=10 V ,V CD ( sat )=1.0 V y V BE (sat )=1.5 V .
I CS =200 1. 0)/11

18.1 A

I BS=18.1/ min =18/1.8=2.2625 A .

La corriente de base para un factor de sobresaturacin de 5.

I B=5 2.2625=11.3125 A
a.

RB =

V BV BE (sat ) 101.5
=
=0.7514
IB
11.3125

b.

fortazada=18.1/11.3125=1.6 .
c. La disipacin total de potencia es

PT =1.5 11.3125+1.0 18.1=16.97+18.1=35.07 W

2. La beta ( ) del transistor bipolar de la figura vara de 10 a 60. La

resistencia de carga es

V CC =100

RC =5 .

El voltaje de suministro es

y el voltaje de entrada al circuito de la base es

V B =8 V . SiV CE(sat) =2.5 V y V BE (sat)=1.75 V . Determine:

a) El valor de

RB

que cause la saturacin, con un factor de

sobresaturacin de 20
b) la

forzada

c) la disipacin de potencia

PT

en el transistor.

Solucin

V CC =100V , min =10, max =60 , RC =5 , ODF=20,V B=8V ,

V CE ( sat )=2.5V y V BE ( sat )=1.75 V .
(a)

I CS =(1002.5)/5=19.5 A
I BS=

19.5 19.5
=
=1.95 A
min 10

I B=20 1.95=33 A
81.75

RB =(V BV BE (sat ))/ I B=

(b)

f =19.5/33=0.59
(C)

PT =1.75 33+2.5 19.5=106.5 W

3. La beta (B) del transistor bipolar de la figura vara de 12 a 75. La

resistencia de carga es

RC =15 .

El voltaje de suministro es

V CC

= 40 V, Y el voltaje de entrada al circuito de la base es

V B =6 V . siV CE (sat)=1.2 V y V BE (sat)= 1.6 V y

RB =0.7 , determine

a) el factor ODF
b) la

forzada

e) la disipacin de potencia

PT

en el transistor.

Solucin

V CC =40 V , min =75, RC =1.5 , V B =6 V ,

V CE(sat)=1.2 V y V BE(sat )=1.6 V .
401.2

I CS=
, I BS=25.87 / min =25.87 /12=2.156 A
61.6

I B =
a)

ODF=

I B 6.286
=
=2.916
I BS 2.156

b)

f =25.8/6.286=4.104

c)

PT =1.2 25.87+1.6 6.286=41.104 W

MOSFET DE POTENCIA
MOSFET: Los transistores de efecto de campo por semiconductor de xido metlico
Poseen apreciable capacidad de conduccin de corriente en estado activo y buena capacidad
de tensin de bloqueo en estado pasivo
Un MOSFET de potencia tiene una estructura de orientacin vertical del dopaje alterno de
tipo p y tipo n para una celda individual de las mltiples celdas paralelas de un dispositivo
completo.

Ilustracin 12:a) Seccin transversal vertical, y b) perspectiva de un MOSFET de potencia de canal n.

La fuente est construida con muchos miles de pequeas reas de manera poligonal
conectadas en paralelo y rodeadas por la zona de la compuerta, su forma influye hasta cierto
grado en la resistencia en estado activo del MOSFET
Hay un BJT npn parastico entre los contactos de fuente y drenaje, cuyo encendido es no
deseado, para evitar que este transistor jams se encienda, la zona de cuerpo de tipo p se
pone en cortocircuito con la zona de fuente mediante el traslape de la metalizacin de fuente
sobre la zona del cuerpo de tipo p, generando un diodo parastico conectado entre drenaje y
fuente del MOSFET, este ltimo sirve en convertidores de semi puente y de puente
completo
El traslape de la metalizacin de compuerta a travs de la regin de arrastre n-, intensifica la
conductividad de la regin de arrastre en la interconexin n--SiO2, adems la metalizacin
tiende a actuar como placa de campo cuando el MOSFET est apagado, lo que impide que
el radio de curvatura de la zona de despoblacin del drenaje-cuerpo pn se reduzca
demasiado y de este modo tambin la tensin de ruptura del dispositivo.

Ilustracin 13: Electrodo de compuerta que traslapa la regin de arrastre del drenaje a) para crear una capa de
acumulacin de estado activo y b) para actuar como placa de campo en estado pasivo

CARACTERSTICAS I-V
El MOSFET sirve como interruptor para controlar el flujo de potencia a la carga de una
manera anloga al BJT. En estas aplicaciones, El MOSFET atraviesa las caractersticas
de iD - vDS desde el corte a travs de la zona activa hasta la zona hmica conforme se
enciende el dispositivo.

Ilustracin 14: Caractersticas de corriente-tensin de un MOSFET de modo de intensificacin de canal n: a) salida

(caractersticas de iD-vDS); b) curva de transferencia.

 El MOSFET est en estrangulamiento cuando la tensin de compuerta-fuente es menor

que la tensin de umbral VGS(th), El dispositivo es un circuito abierto y debe rechazar la
tensin de la fuente de alimentacin aplicada al circuito.
En la zona activa, la corriente de drenaje es independiente de la tensin de drenajefuente y solo depende de la tensin de compuerta-fuente.
El MOSFET est en la zona hmica cuando

GS(th )
V V DS> 0

En la zona activa, la corriente de drenaje es independiente de la tensin de drenajefuente y slo depende de la tensin de compuerta-fuente.
En la zona activa, la corriente de drenaje est dada aproximadamente por

GS (th )
V

i D =K

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
MODELOS DE CIRCUITOS MOSFET
Los MOSFET son intrnsecamente ms rpidos pues no tienen portadores minoritarios
excedentes que se deban introducir o sacar del dispositivo cuando se enciende o apaga.
En la zona hmica, el modelo de la fuente de corriente dependiente ya no es vlido
porque la capa de inversin ya casi no est estrangulada en el extremo de drenaje del
canal, sino que tiene un espesor casi espacialmente uniforme, pues vDS es muy
pequeo.

FORMAS DE ONDA DE CONMUTACIN

Ilustracin 15: Tensin de encendido y formas de onda del MOSFET integrado en un circuito con una carga
inductiva fijada por diodo y un diodo de libre circulacin ideal (corriente de recuperacin inversa cero).

Una vez que el MOSFET lleva la corriente de carga llena Io pero an se encuentre en la
zona activa, la tensin de compuerta-fuente se fija temporalmente en V GS,Io, que es la
tensin de compuerta-fuente de la curva de transferencia que se necesita para mantener
iD = Io. La corriente de compuerta completa iG, dada por:

i G=

V V GS , I
RG

Si el diodo de libre circulacin Df no es ideal, sino que tiene una corriente de

recuperacin inversa, se modifican las formas de onda de conmutacin como se muestra
a continuacin:

Ilustracin 16: Efecto de la corriente de recuperacin inversa del diodo de libre circulacin en formas de onda de
corriente de MOSFET en el encendido: a) formas de onda de encendido del MOSFET modificadas por el apagado
del diodo de libre circulacin

LIMITACIONES OPERATIVAS Y REAS DE OPERACIN SEGURA

RUPTURA DE LA TENSIN
Los MOSFET tienen dos tensiones especificadas que no se deben exceder: La mxima
tensin permisible de puerta-fuente VGS(mx.) est determinada por el requerimiento
de que no se debe romper el xido de compuerta por grandes campos elctricos.
El mximo voltaje de drenaje-fuente admisible BVDSS es el voltaje ms alto que el
MOSFET puede repeler sin ruptura de avalancha de la unin pn de drenaje-cuerpo.

Ilustracin 17: Las formas de onda de tensiones y corrientes del MOSFET en el apagado es el circuito de carga
inductiva fijada por diodo. Se supone que el diodo de libre circulacin es ideal.

PRDIDAS POR CONDUCCIN EN ESTADO ACTIVO

Casi toda la potencia disipada en un MOSFET ocurre cuando el dispositivo est en
estado activo. La resistencia del estado activo tiene varios componentes, como las
tensiones de ruptura bajas que contribuyen con mayor o menor igualdad a la resistencia
toral de estado activo. Dos de los componentes de resistencia, la del canal y la de la
capa de acumulacin, se ven afectados tanto por la polarizacin de compuerta-fuente
como por consideraciones de dopaje y dimensiones.

BJT PARSITO
Si se permitiese que flotara la base del BJT parasito, surgiran dos problemas. En primer
lugar, la tensin de ruptura del MOSFET se reducira de BVDSS - BVCBO a BVCEO,
una cada que podra llegar a 50%. Esta cada de la tensin de ruptura podra llevar a
una disipacin de potencia excesiva. En segundo lugar, el potencial de base-emisor
puede crecer lo suficiente para encender el BJT y quiz entrara en saturacin, condicin
que se llama latchup (camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que
produce la destruccin del dispositivo). Esta situacin es peligrosa porque implica una
considerable disipacin de potencia y, peor an, el BJT no se puede apagar por medio
de la terminal de base porque la base no es accesible. La nica manera de apagar el BJT
una vez ocurrido el ctchup es interrumpir el flujo de la corriente de drenaje externo al
dispositivo.