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GELE5223 Chapitre 5 :

Circuits actifs
Gabriel Cormier, Ph.D.
Universit
e de Moncton

Automne 2010

Gabriel Cormier (UdeM)

GELE5223 Chapitre 5

Automne 2010

1 / 76

Introduction

Contenu

Contenu
Bruit

Gabriel Cormier (UdeM)

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Automne 2010

2 / 76

Introduction

Contenu

Contenu
Bruit
Gamme dynamique

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Introduction

Contenu

Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Amplificateurs hyperfrequences

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Automne 2010

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Introduction

Contenu

Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Amplificateurs hyperfrequences
Gain

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Automne 2010

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Introduction

Contenu

Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Amplificateurs hyperfrequences
Gain
Stabilite

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Introduction

Contenu

Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Amplificateurs hyperfrequences
Gain
Stabilite
Design

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Bruit

Effet indesirable qui affecte la performance des circuits


hyperfrequences.
Reduit lefficacite dun syst`eme `a detecter un signal.
Provient de plusieurs sources : agitation thermique des electrons,
rayonnement cosmique, etc.

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Bruit

On veut verifier combien de bruit est ajoute par notre syst`eme.


Plancher de bruit : puissance de bruit `a lentree dun syst`eme.
Pour detecter un signal, sa puissance doit etre plus grande que le
plancher de bruit + un certain SNR.

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Types de bruit

Bruit thermique : bruit cause par des vibrations datomes ou


delectrons.
Shot noise : bruit cause par des variations aleatoires des porteurs de
charge.
Flicker noise : bruit cause par des fluctuations des conducteurs.
Proportionnel `a 1/f .

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Bruit thermique

Bruit thermique

Un corps noir, `a une temperature T , produit une puissance de bruit


Pn = kT B
o`
u k = 1.38 1023 J/K (constante de Boltzmann) et B est la
largeur de bande.
Temp
erature de bruit : temperature dune composante qui
produirait la meme quantite de bruit.
Le bruit thermique a une densite spectrale constante selon la
frequence : cest un bruit blanc gaussien.

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Bruit thermique

Bruit thermique

Pn = kT B
Selon lequation precedente,
Si B 0, Pn 0. Des syst`emes `a faible largeur de bande ramassent
moins de bruit.
Si T 0, Pn 0. Des syst`emes `a tr`es faible temperature gen`erent
moins de bruit.
Si B , Pn . Ceci est faux ; lequation precedente est une
simplification dune equation plus complexe.

Les resistances sont les sources les plus communes de bruit thermique.

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Bruit thermique

Bruit thermique

Si une composante (ex : resistance) gen`ere du bruit blanc, on


modelise ceci par une source ayant une temperature de bruit Te .
Te =

Ps
kB

o`
u Ps est la puissance du bruit genere par la composante.
On utilise typiquement une resistance comme mod`ele de la source de
bruit.

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Bruit thermique

Bruit thermique : mod`ele de resistance

Mod`ele : source de tension et resistance


Puissance fournie par la source `a la
charge :

vn =

4kT R

RL

Pn =

4kT R
vn2
=
= kT [W/Hz]
4R
4R

quand R = RL .
La puissance totale est obtenue en multipliant par la largeur de bande.

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Bruit thermique

Exemple

Bruit thermique : exemple

Calculer la puissance de bruit dun syst`eme ayant une largeur de bande de


1Hz `a une temperature de 290K.
Pn = kT B = (1.38 1023 )(290)(1)
= (228.6 + 24.6 + 0) dBW/Hz
= 204.0 dBW/Hz
= 174.0 dBm/Hz
Ce chiffre (-174 dBm/Hz) represente le plancher de bruit dun syst`eme
ayant une largeur de bande de 1Hz.

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Bruit thermique

Exemple

Bruit thermique : exemple

Calculer la puissance de bruit dun syst`eme ayant une largeur de bande de


200kHz `a une temperature de 290K.
Pf = 174 + 10 log(200 103 ) = 121 dBm

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Bruit thermique

SNR

Rapport signal-`a-bruit (SNR)

Le SNR est definit selon :


SN R =

S
plancher de bruit

o`
u S est la puissance du signal.
Pour detecter correctement un signal, on doit avoir un SNR de 7dB `a
17dB typiquement, selon le type de syst`eme et la modulation utilisee
(QPSK, etc).

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Bruit thermique

Mesure de Te

Mesure de Te
On utilise une methode appelee Y-factor (T1 > T2 ) :
Source 1 (T1 )

G, B, Te

P1 , P2

Applique T1 et T2
Mesure P1 et P2

Source 2 (T2 )

On obtient Te selon :
Y =

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P1
P2

Te =

T1 Y T2
Y 1

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Bruit thermique

Figure de bruit

Figure de bruit

Autre methode pour caracteriser le bruit.


Mesure de la degradation du SNR dans un syst`eme.
F =

SN Ri
1
SN Ro

Dans certains manuels, F est le facteur de bruit, et la figure de bruit


N F est 10 log(F ).

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Bruit thermique

Figure de bruit

Figure de bruit

Par definition, lIEEE a adopte que le bruit dentree Ni dun syst`eme


est Ni = kT0 B, o`
u T0 = 290K.
La figure de bruit dun syst`eme est calculee selon :
F =1+

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Te
T0

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Bruit thermique

Figure de bruit

Figure de bruit : composants passifs

Pour un composant passif (ayant des pertes), on definit un coefficient


de pertes :
1
L=
>1
G
La figure de bruit est :
F = 1 + (L 1)

T
T0

o`
u T est la temperature ambiante.
De facon generale, F = L.

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Bruit thermique

Figure de bruit

Figure de bruit : syst`emes en cascade

Soit des syst`emes en cascade, ayant chacun un gain et une figure de bruit.
G1 , F1

G2 , F2

G3 , F3

La figure de bruit totale est :


Ft = F1 +

F2 1 F3 1
+
+
G1
G1 G2

Le premier composant est critique.

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Bruit thermique

Figure de bruit

Figure de bruit : exemple


Calculer la figure de bruit.

Filtre
passe-bas
C
able
L = 3dB

L = 2dB

Ampli 1
G = 15dB
F = 1.0dB

Ampli 2
G = 20dB
F = 2.0dB

On suppose que T = T0 , donc F = L. La figure de bruit totale est :


1.58 1
1.26 1
1.58 1
+
+
0.5
(0.5)(0.63) (0.5)(0.63)(31.6)
= 4.04 = 6.06 dB

Ft = 2.0 +

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Bruit thermique

Figure de bruit

Figure de bruit : exemple 2


Le meme syst`eme dans une configuration differente.

Filtre
passe-bas
Ampli 1
Ampli 2
C
able
G = 15dB G = 20dB L = 3dB
F = 1.0dB F = 2.0dB

L = 2dB

La figure de bruit totale est :


1.58 1
2.0 1
1.58 1
+
+
31.6
(31.6)(100) (31.6)(100)(0.5)
= 1.28 = 1.07 dB

Ft = 1.26 +

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Bruit thermique

Gamme dynamique

Gamme dynamique

Les syst`emes reels ne sont pas toujours lineaires : ils sont seulement
lineaires pour une gamme dentrees.
Ex : un ampli a un gain de 10dB ; pour une entree de -15dBm, la sortie
sera -5dBm. Mais une entree de +15dBm ne donnera pas
necessairement +25dBm `a la sortie.

Gamme dynamique : plage dentrees o`


u la sortie est proportionnelle
`a lentree.

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Bruit thermique

Gamme dynamique

Gamme dynamique

Le point o`
u un amplificateur cesse de fonctionner de facon lineaire est
definit comme suit :
P1dB est le point o`
u il y a 1dB de difference entre la sortie reelle et la
sortie ideale.

Le signal minimum detectable (MDS) est :


MDS = Pf + F + SNRmin
o`
u Pf est le plancher de bruit.
Gamme dynamique = P1dB MDS

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Bruit thermique

Gamme dynamique

Gamme dynamique

Pout
Ampli ideal

1dB

Saturation

Gamme
dynamique

P1dB

MDS
Plancher de bruit
Pin

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Bruit thermique

Intermodulation

Distorsion dintermodulation

Distorsion dintermodulation : Autre mesure de linearite dun


syst`eme. Cest une indication de leffet des harmoniques.
Point dintermodulation dordre 3 (IP3) : la puissance `a laquelle la
fondamentale et les produits de 3e ordre sont egaux.

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Bruit thermique

Intermodulation

Produits dintermodulation

De facon generale, les harmoniques croissent selon leur ordre : pour


1dB daugmentation de la fondamentale, les produits de 2e ordre
augmentent de 2dB, les produits de 3e ordre de 3dB, etc.
Il ne faut pas operer un syst`eme `a une puissance trop elevee : les
harmoniques risquent de dominer et causer de la distorsion du signal.

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Bruit thermique

Intermodulation

Produits dintermodulation

Si deux signaux de frequence similaire f1 et f2 sont appliques `a un


syst`eme, il y aura modulation : des composantes apparatront `a DC,
f1 , f2 , 2f1 , 2f2 , 2f1 f2 , 2f2 f1 , etc.
Les composants `a 2f1 f2 et 2f2 f1 sont tr`es pr`es de la
fondamentale et ne peuvent pas etre filtres.
On utilise ces composants pour determiner le IP3.

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Bruit thermique

Intermodulation

Produits dintermodulation
Pout
Ampli ideal

OIP3

Saturation

P1

IIP 3 = P1 + 0.5(P1 P3 )
OIP 3 = IIP 3 + G

P3

P1dB = IIP 3 9.66dB

MDS
Plancher de bruit
IIP3

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Pin

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Bruit thermique

Intermodulation

IIP3 : exemple
Soit un amplificateur `a 2GHz ayant un gain de 10dB. On applique 2
signaux de puissance egale `a lentree : un `a 2.0GHz, et lautre `a 2.01GHz.
` la sortie, on mesure 4 frequences : 1.99GHz (-70dBm), 2.0GHz
A
(-20dBm), 2.01GHz (-20dBm) et 2.02GHz (-70dBm). Calculer IIP3 et
P1dB .
Les 2 signaux utiles sont ceux `a 1.99GHz et 2.02GHz (2f1 f2 = 1.99GHz
et 2f2 f1 = 2.02GHz).
Alors,
P1 = Po G = 20 10 = 30 dBm
IIP 3 = P1 + 0.5(P1 P3 ) = 30 + 0.5(20 + 70) = 5 dBm
P1dB = IIP 3 9.66 = 14.66 dBm

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Bruit thermique

Intermodulation

IIP3 et P1dB de syst`emes en cascade


On doit transformer les IIP3 de chaque composant `a lentree, et prendre le
plus faible.

Filtre
passe-bas
L = 3dB

X
C
able
Ampli (LNA)
L = 1dB G = 13dB
F = 2.5dB
IIP 3 = 5dBm

Melangeur
G = 10dB
F = 12dB
IIP 3 = 0dBm
IIP3 du syst`eme

IIP3 du LNA `a lentree est : 5 + 1 + 3 = 1dBm


IIP3 du melangeur `a lentree est : 0 13 + 1 + 3 = 9dBm
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Amplificateurs

Partie II
Amplificateurs

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Amplificateurs

Amplificateurs

Les premiers amplificateurs hyperfrequences utilisaient des tubes ou


des klystrons.
Maintenant, les telecommunications sont basees sur des circuits
integres, dont les amplificateurs `a base de transistors.
Les plus populaires : FET sur GaAs, transistors bipolaires, ou HEMT
(transistors `a haute mobilite delectrons).
On peut se servir de transistors pour amplifier des signaux jusqu`a
environ 10GHz (bipolaire) et 100GHz (FET). On a meme reussi `a
faire operer un FET `a 1THz (mars 2004).

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Amplificateurs

Transistors hyperfrequences

Dans lanalyse de circuits `a transistors, on utilise les param`etres S au


lieu de considerer le comportement physique.
On verra rapidement les mod`eles des differents transistors, mais la
partie importante est les param`etres S.
Generalement, on mesure les param`etres S des transistors.

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Amplificateurs

Transistors hyperfrequences

f
GHz
4
8
12
18
36
60

FET GaAs
Gain Fmin
20
0.5
16
0.7
12
1.0
8
1.2

HEMT GaAs
Gain Fmin

22
0.5
16
0.9
12
1.7
8
2.6

Bipolaire Si
Gain Fmin
15
2.5
9
4.5
6
8.0

HBT GaAs
Gain Fmin

20
4.0
16

10

Note : Donnees de 2004

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Mod`
eles de transistors

FET
Mod`ele petit-signal dun FET :
Param`etres typiques :
Cgd
Grille

Drain
Ri

+
Vc

Rds = 400

Rds
gm Vc

Ri = 7

Cds

Cgs

Cgs = 0.3 pF
Cds = 0.12 pF
Cgd = 0.01 pF

Source

gm = 40 mS
Cgd est tr`es faible : cest le seul param`etre qui determine S12 .
Si on ignore Cgd , alors S12 = 0, et le transistor est dit unilateral.

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Mod`
eles de transistors

FET

Mod`ele petit-signal dun FET :


Cgd
Grille

Drain
Ri

+
Vc

Rds
gm Vc

Frequence `a laquelle le gain du


transistor est 1 (0dB) :

Cds

fT =

Cgs

gm
2Cgs

Source

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Mod`
eles de transistors

Transistor bipolaire
Mod`ele petit-signal dun transistor bipolaire :
Param`etres typiques :
Cc

Grille

Rb = 7

Rb
R

Drain

+
Vc g m Vc

R = 110
C = 18 pF

fT =

gm
2C

Cc = 18 pF
Source

gm = 900 mS

Cc est trop grand pour que le transistor soit unilateral.


gM eleve : meilleur gain `a basses frequences.
Parasites eleves : gain faible `a haute frequences.

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Gain

Gain dun syst`eme `a 2 ports


Soit un reseau `a 2 ports :
Zs
Syst`
eme
`
a 2 ports
[S], Z0

Vs

in

ZL

out

On peut demontrer que :


in = S11 +

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S12 S21 L
1 S22 L

out = S22 +

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S12 S21 S
1 S11 S

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Gain

Gain dun syst`eme `a 2 ports

On peut definir 3 gains :


Gain G = PL /Pin : rapport entre la puissance dissipee dans la charge
et la puissance delivree `a lentree du reseau.
Gain disponible GA = Pavn /Pavs : rapport entre la puissance
disponible du reseau sur la puissance disponible `a la source.
Gain transducteur GT = PL /Pavs : rapport entre la puissance
disponible `a la charge sur la puissance disponible `a la source.
La difference entre ces gains depend du type dadaptation entre la charge
et la source. Le gain maximum se produit lorsque la source et la charge
sont adaptees ; dans ce cas, G = GT = GA .

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Gain

Gain dun syst`eme `a 2 ports


Les gains sont :
|S21 |2 (1 |L |2 )
(1 |in |2 )|1 S22 L |2
|S21 |2 (1 |S |2 )
GA =
(1 |out |2 )|1 S11 S |2
|S21 |2 (1 |S |2 )(1 |L |2 )
GT =
|1 S in |2 |1 S22 L |2
G=

Si le transistor est unilateral,


GT =

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|S21 |2 (1 |S |2 )(1 |L |2 )
|1 S11 S |2 |1 S22 L |2

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Gain

Amplificateur `a 1 etage
Mod`ele dun amplificateur `a 1 etage :
Zs
R
eseau
dadaptation
`
a lentr
ee
GS

Vs

Transistor
[S], G0

in

out

R
eseau
dadaptation
`
a la sortie
GL

ZL

Trois gains :

GS =

1 |S |2
|1 in S |2

G0 = |S21 |2

GL =

1 |L |2
|1 S22 L |2

Si le transistor est unilateral, in = S11 et out = S22 .


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Stabilit
e

Stabilite

On ne peut pas considerer lamplificateur et ses reseaux dadaptation


separement.
Des reflexions `a lentree peuvent etre amplifiees et reflechies `a
nouveau vers lentree, ce qui produirait S11 > 1 : le circuit oscille.
Pour certaines combinaisons de charge, S12 et S11 , lamplificateur
peut osciller tout seul.
Un circuit instable implique que limpedance `a lentree ou la charge a
une partie reelle negative : |in | > 1 ou |out | > 1.

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Stabilit
e

Stabilite

On definit 2 types de stabilite :


Stabilit
e inconditionnelle : Le circuit est stable pour toutes les
combinaisons de charge et source. |in | < 1 et |out | < 1
Stabilit
e conditionnelle : Le circuit est stable seulement pour
certaines valeurs de charge ou de source. On appelle aussi cet etat
potentiellement instable.

La stabilite dun circuit est fonction de la frequence.

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Stabilit
e

Stabilite

Lors du design dun amplificateur, il faut sassurer que le circuit est


stable pour toutes les frequences.
Ceci peut etre difficile pratiquement ; on sassure quil soit impossible
que la combinaison de charges qui rend le circuit instable puisse exister.

Quarrive-til si un circuit est instable `a une frequence autre que celle


du design ?
Il est possible que le circuit ne fonctionne pas du tout, ou quil oscille `a
une autre frequence.

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42 / 76

Stabilit
e

Stabilite

Les 2 crit`eres `a satisfaire sont :





S12 S21 L

<1
|in | = S11 +
1 S22 L

et




S12 S21 S

|out | = S22 +
<1
1 S11 S

Ce sont des equations qui decrivent des cercles sur labaque de Smith : on
definit des cercles de stabilite `a lentree et la sortie.
Pour un circuit unilateral, la condition est :
|in | = |S11 | < 1

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et

|out | = |S22 | < 1

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Stabilit
e

Cercle de stabilite : sortie


Les cercles sont definis selon :
j1

)
(S22 S11
|S |2 ||2

22
S12 S21


rL =
|S22 |2 ||2
= S11 S22 S12 S21

1
cL

cL =

rL
j0.33

r=0
-1

j3

r = 0.33

r=1

r=3

o`
u cL est le centre du cercle, et rL
est le rayon.

j0.33

j3

j1

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-1

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Stabilit
e

Cercle de stabilite : sortie

Si |S11 | < 1,
= 0
stable

j1

Si |S11 | > 1,
= 0
instable

1
cL

j1

1
cL

rL
j0.33

r=0
-1

Zone
Stable

r = 0.33

rL

j3

r=1

r=3

j3

Gabriel Cormier (UdeM)

r=0
-1

j0.33

j1

j0.33

Zone
Instable

r = 0.33

j3

r=1

r=3

j0.33

j3

j1

-1

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-1

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Stabilit
e

Cercle de stabilite

On peut faire la meme analyse pour les cercles de stabilite `a lentree.


On inverse S11 et S22 .


)
S12 S21
(S11 S22

cS =
rS =
|S11 |2 ||2
|S11 |2 ||2
On peut dessiner les cercles de stabilite `a lentree sur labaque de
Smith. On doit distinguer les 2 cas o`
u |S22 | < 1 et |S22 | > 1.

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Stabilit
e

Crit`ere de stabilite

On peut definir des crit`ere de stabilite comme suit :


Inconditionnellement stable :
||cL | rL | > 1 si |S11 | < 1
||cS | rS | > 1 si |S22 | < 1
Si |S11 | > 1 ou |S22 | > 1, le circuit ne peut pas etre
inconditionnellement stable.

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Stabilit
e

Crit`ere de stabilite (2)

Un autre crit`ere qui permet de verifier la stabilite sans tracer les


cercles sur labaque de Smith est le suivant : un circuit est stable
selon deux param`etres k et b1 , si k > 1 et b1 > 0.
1 |S11 |2 |S22 |2 + ||2
2|S12 S21 |
b1 = 1 + |S11 |2 |S22 |2 ||2
k=

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Stabilit
e

Crit`ere de stabilite (3)

Un troisi`eme crit`ere de stabilite a ete developpe en 1992 :


=

1 |S11 |2
| + |S S |
|S22 S11
21 12

Pour quun syst`eme soit stable, il faut que > 1. De plus, plus est
grand, plus le syst`eme est stable.
Ce crit`ere devient de plus en plus populaire.

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite

Comment ameliorer la stabilite ?


On peut seulement donner des directives generales, puisque chaque
circuit est different.

De facon generale, il faut reduire le gain pour augmenter la stabilite,


ce qui implique un certain compromis `a faire.

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite
Courbe typique de dun transistor non stabilise.
1.4
1.2
1

0.8
0.6
0.4
0.2
0

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10

20

30
40
Frquence (GHz)

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60

70

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite

On utilise une resistance en serie ou en parall`ele `a lentree et/ou `a la


sortie pour stabiliser le transistor.
Si les cercles de stabilite sont du c
ote des faibles resistances, on utilise
une resistance en serie.
Si les cercles de stabilite sont du c
ote des hautes resistances, on utilise
une resistance en parall`ele.

Generalement, il est suffisant de stabiliser `a lentree. Cependant, ceci


augmente le bruit de lamplificateur. Stabiliser `a la sortie aura moins
dimpact sur le bruit.

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite
Exemple :
j1

Ajouter une resistance en


serie dont la valeur est
determinee par le cercle qui
est tangent au cercle de
stabilite, ou

1
cL
rL

j0.33

r=0
-1

j3

r = 0.33

r=1

r=3

j0.33

j3

j1

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Ajouter une resistance en


parall`ele, determinee par le
cercle de conductance qui est
tangent.

-1

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite

Comment reduire leffet des resistances sur le gain ?


R
esistances en s
erie : On ajoute un condensateur en parall`ele, qui
produit une faible impedance `a la frequence dinteret.
R
esistances en parall`
ele : On ajoute un condensateur entre la
resistance et GND, ce qui empeche le DC de sechapper par cette
resistance. Le condensateur doit avoir une faible impedance `a la
frequence dinteret.

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite

Ajouter une inductance `a la source du transistor :


Utiliser une inductance
Utiliser une ligne de transmission terminee par un court-circuit

ou
L

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Stabilit
e

Amelioration de la stabilite
Ex : Microphotographie dun melangeur `a 38.9GHz

FET

Resistance de
700 pour
stabilisation

100m

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Design

Design damplificateurs

Il y a trois types de design :


Design pour un gain maximum : ladaptation est faite au conjugue
des charges, pour un transfert maximal de puissance.
Design pour un gain sp
ecifique : ladaptation est faite `a un gain
plus faible que le maximum, pour ameliorer la largeur de bande.
Design pour faible bruit : ladaptation est faite pour minimiser le
bruit ; on reduit le bruit au depend du gain.

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Design

Design pour gain maximum

Design pour gain maximum

Puisque le gain G0 dun transistor est fixe, les deux gains GS et GL


sont les 2 param`etres `a optimiser.
Le transfert maximal de puissance se produit lorsque in = S et
out = L .
On utilise les equations des pages 36 et 38 pour faire le design.

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Design

Design pour gain maximum

Design pour gain maximum


On peut demontrer que les coefficients de reflexion `a lentree et `a la sortie
doivent etre :
p
p
B1 B12 4|C1 |2
B2 B22 4|C2 |2
S =
L =
2C1
2C2
o`
u
2
B1 = 1 + |S11
| |S22 |2 ||2
2
B2 = 1 + |S22
| |S11 |2 ||2

C1 = S11 S22

C2 = S22 S11

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Design

Design pour gain maximum

Design pour gain maximum : unilateral

Si le transistor est unilateral,

S = S11

L = S22

Le gain maximum est :


GT Umax =

1
1
|S21 |2
2
1 |S | | {z } 1 |S |2
| {z 11 } G0 | {z 22 }
GS

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GL

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Design

Design pour un gain sp


ecifique

Design pour un gain specifique

On trace des cercles de gain constant sur labaque de Smith.


Ces cercles permettent dobtenir le gain voulu et les coefficients de
reflexion (`a lentree et la sortie) pour obtenir ce gain.
On ne fait pas ladaptation `a Z0 ; on le fait `a dautres valeurs qui
donnent un gain plus faible.
On consid`ere le cas unilateral seulement.

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Design

Design pour un gain sp


ecifique

Design pour un gain specifique

Les gains maximums des reseaux `a lentree et `a la sortie sont :


GSmax =

1
1 |S11 |2

et

GLmax =

1
1 |S22 |2

ce sont le gain supplementaire obtenu si les impedances dentree et de


sortie sont bien adaptees.
` laide de ces equations, on peut tracer des cercles sur labaque de
A
Smith.

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Design

Design pour un gain sp


ecifique

Cercles de gain
On calcule les centres selon :
j1

gS S11
1 (1 gS )|S11 |2

1 gS (1 |S11 |2 )
rS =
1 (1 gS )|S11 |2
GS
gS =
GSmax

cS =

G1 > G2
cmax
j0.33

j3
G1
G2

r=0
-1

r = 0.33

r=1

r=3

j0.33

j3

j1

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o`
u cS est le centre du cercle de
gain (entree) et rS est le rayon.
La partie variable est gS .

-1

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Design

Design pour un gain sp


ecifique

Cercles de gain

On peut faire la meme chose pour les cercles de gain `a la sortie. On


remplace S11 par S22 .
Les centres de ces cercles sont tous sur une ligne droite qui debute au
ou S .
centre de labaque et qui passe par S11
22
On peut aussi demontrer que le cercle de 0dB (GS = 1 ou GL = 1)
passe toujours par le centre de labaque.
Lorsque le gain est maximum, le rayon est 0.

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Design

Design pour bruit minimum

Design pour bruit minimum

Comme le design `a gain specifique, si on veut faire un design avec un


bruit minimum, il faut faire certains compromis.
La procedure de design pour bruit minimum est la meme que celle
pour un gain specifique : on trace des cercles de bruit sur labaque de
Smith.
Un amplificateur `a faible bruit (LNA) est typiquement le premier
composant dun syst`eme de communication hyperfrequences.

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Design

Design pour bruit minimum

Design pour bruit minimum

La figure de bruit dun amplificateur est :


F = Fmin +

|S opt |2
4Rn
Z0 (1 |S |2 )|1 + opt |2

o`
u Fmin , opt et Rn sont des param`etres fournis par le manufacturier.
Ce sont les param`etres de bruit du transistor.
` laide de cette equation, on peut tracer des cercles de bruit, o`
A
u la
figure de bruit est constante.

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Design

Design pour bruit minimum

Cercles de bruit
On calcule les centres selon :
j1

opt
j0.33

j3
F1
F2

r=0
-1

r = 0.33

opt
N +1
p
N (N + 1 |opt |2 )
rF =
N +1
(F Fmin )Z0
N=
|1 + opt |2
4Rn
cF =

F2 > F1

r=1

r=3

j0.33

j3

j1

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o`
u cF est le centre du cercle de
bruit et rF est le rayon. La partie
variable est F .

-1

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Design

Design pour bruit minimum

Linearite

Amelioration de la linearite :
Ajouter de linductance `a la source du transistor
Ajouter une resistance de feedback entre le drain et la grille
Ajoute du bruit
Reduit le gain

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Polarisation des transistors

Polarisation des transistors

La polarisation des transistors lors de lutilisation `a tr`es haute


frequences est un peu differente des techniques habituelles.
Il faut faire attention pour que le signal dentree ne se propage pas le
long du circuit de polarisation et demeure plut
ot dans le bon chemin.
Le point doperation du transistor affecte aussi le bruit, la puissance
et le courant.

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Polarisation des transistors

Polarisation des transistors


Le point doperation affecte le comportement du transistor.
con generale :
VGS = 0 De fa
IDSS
0.9IDSS

I : faible bruit, faible


puissance

II

II : faible bruit, puissance


moyenne

0.5IDSS

III

III : haute puissance


IV : haut rendement

0.15IDSS

IV

I
0.5

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1.5
VDS (V)

2.5

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Polarisation des transistors

Polarisation des transistors

Les circuits de polarisation doivent presenter une faible impedance `a


DC et une haute impedance aux frequences doperation.
On a aussi besoin de condensateurs de blocage pour eviter que le DC
se propage dans le reste du circuit.
Deux methodes principales :
Inductance en serie avec la source,
Ligne de transmission /4 terminee par un condensateur.

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Polarisation des transistors

Polarisation des transistors

Option 1 : inductance
Inductance :
impedance nulle
`
a DC, et haute
impedance `
af

+
VD

Condensateur :
bloque DC

Cependant, parfois difficile dutiliser des inductances `a hautes frequences.

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Polarisation des transistors

Polarisation des transistors

Option 2 : ligne /4
a

/4

+
VD

b
Condensateur :
bloque DC

Au point a, cest presque un


court-circuit `a f .
Au point b, la ligne transforme
le court-circuit `a un circuit
ouvert.

` basses frequences, la ligne peut etre trop longue ; mais plus la frequence
A
augmente, plus la ligne devient courte.

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Polarisation des transistors

Polarisation
Ex : Microphotographie dun melangeur `a 38.9GHz

FET
Ligne de 90 `
a
38.9GHz

Condensateur
de 5pF : 0.8 `
a
38.9GHz

DC applique ici
100m

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Conclusion

Conclusion

Les points cles de ce chapitre sont :


Figure de bruit, IIP3, P1dB .
Gain et stabilite des transistors.
Methodes de design damplificateurs.
Polarisation des transistors.

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Probl`
emes sugg
er
es

Probl`emes suggeres

Dans le manuel de Pozar :


10.1, 10.5, 10.6, 11.1, 11.3, 11.11
Et aussi les exemples du PDF.

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