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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA


LABORATORIO DE TEORA DE COMUNICACIONES

PRCTICA 5
MODULACIN AM
1. Objetivos:
Estudiar las caractersticas de la modulacin AM
Implementar un modulador AM de audio utilizando el circuito
integrado XR-2206
2. Marco Terico:
Modulacin de amplitud (AM)
Es el proceso de cambiar la amplitud de una portadora de frecuencia
relativamente alta de acuerdo con la seal de amplitud modulante. Las
frecuencias que son lo suficientemente altas para radiarse de manera
eficiente y propagarse por el espacio libre se llaman radiofrecuencias
(RF). Con la modulacin en amplitud, la informacin se imprime sobre la
portadora en la forma de cambios de amplitud. La modulacin de
amplitud es una forma de modulacin relativamente barata y de baja
calidad de modulacin que se utiliza en radiodifusin de seales de
audio y video. La banda de radiodifusin comercial de AM abarca de 535
a 1605 KHz. La radiodifusin comercial de televisin se divide en 3
bandas, 2 de VHF y 1 de UHF. La modulacin de amplitud tambin se
usan para las comunicaciones de radio mvil de dos sentidos tal como
un radio de banda civil (26.965 a 27.405 MHz).
Un modulador AM es un aparato no lineal con dos seales de entrada de
informacin: una seal portadora de amplitud constante y de frecuencia
sencilla y la seal de informacin. La informacin acta sobre o
modulada la portadora y puede ser una forma de onda de frecuencia
simple o compleja compuesta de muchas frecuencias que fueron
originadas de una o ms fuentes. Debido a que la informacin acta
sobre la portadora, se le llama seal modulante. La resultante se llama
onda modulada o seal modulada.
La envolvente de AM.
Aunque hay varias clases

de

modulacin

de

amplitud,

la

que

probablemente se usa con mayor frecuencia es la de AM de portadora de

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mxima frecuencia y de doble banda lateral, a este sistema se llama


tambin AM convencional o simplemente AM. La siguiente figura ilustra
la relacin entre la portadora (V c Sen 2fct), la seal moduladora (Vm Sen
2fmt). All se ve como se produce una forma de onda de AM cuando una
seal moduladora de una sola frecuencia acta sobre una seal
portadora de alta frecuencia. La forma de onda de salida contienen
todas las frecuencias que forman la seal de AM, por consiguiente la
forma de onda modulada se llama envolvente de AM.

Figura 1

Espectro de frecuencia de AM y su ancho de banda.


Un modulador AM es un dispositivo no lineal, por lo tanto no ocurre una
mezcla no lineal y la envolvente de salida es una onda compleja
compuesta de un voltaje de corriente directa Cd, la frecuencia de la
portadora y la frecuencia de suma (F c + fm) y diferencia (fc fm) (es decir
como los productos cruzados). La suma y diferencia de frecuencias son
desplazadas de la frecuencia portadora por una cantidad igual a la
frecuencia de la seal modulante. En la siguiente figura se muestra el
espectro de frecuencia para una onda de AM. El espectro de AM abarca
desde (fc fm (max)) a (fc + fm (max)) en donde fc es la frecuencia de la
portadora y fm es la frecuencia de la seal modulante mas alta. La banda

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de frecuencia de (fc fm (max) y fc se llama banda lateral inferior (LSB) y


cualquier frecuencia dentro de esta banda se llama frecuencia lateral
inferior (LSF). La banda de frecuencia entre (f c + fm (max)) y fc se llama
banda lateral superior (USB) y cualquier frecuencia dentro de esta banda
se llama frecuencia lateral superior (USF).

Figura 2

Coeficiente de modulacin y porcentaje.


Coeficiente de modulaciones un trmino utilizado para describir la
cantidad de cambio de amplitud (modulacin) presente en una forma de
onda de AM. El porcentaje de modulacin es simplemente el coeficiente
de modulacin establecido como un porcentaje. Ms especfico, el
porcentaje de modulacin proporciona el cambio de porcentaje en la
amplitud de la onda de salida cuando est actuando sobre la portadora
por

una

seal

modulante.

Matemticamente,

el

coeficiente

de

modulacin es

m
En donde:

Em
Ec

m= coeficiente de modulacin.
Em= cambio pico en la amplitud de voltaje de la forma de

onda de salida.
Ec= amplitud pico del voltaje de la portadora no
modulada.

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Y el porcentaje de modulacin (M) es

Em
*100
Ec

Las relaciones entre m, Em y Ec se muestran en la siguiente figura.

Figura 4

Si la seal modulante es una onda seno pura de frecuencia simple y el


proceso de modulacin es simtrico (es decir, las excursiones positivas y
negativas de la amplitud de la envolvente son iguales), el porcentaje de
modulacin puede derivarse de la siguiente manera.
El cambio pico en la amplitud de la onda de salida (E m) es la suma de los
voltajes de la frecuencias laterales superiores e inferiores por lo tanto, ya
que Em=Eusf+Eisf y Eusf=Eisf.
En donde:

Eusf = amplitud pico de la frecuencia lateral

superior
Eisf = amplitud pico de la frecuencia lateral inferior
Del coeficiente de modulacin puede observarse que el porcentaje de
modulacin llega al 100% cuando Em = Ec.

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CIRCUITOS MODULADORES DE AM
En un transmisor el lugar donde se hace la modulacin determina si el
circuito es un transmisor de bajo nivel, con modulacin de bajo nivel,
esta se hace antes del elemento de salida de la etapa final del
transmisor.

Una ventaja de la modulacin de bajo nivel es que se requiere menos


potencia

de

seal

moduladora

para

lograr

modulacin

de

alto

porcentaje. En los moduladores de alto nivel donde la seal portadora


tiene su amplitud mxima y por ello requiere una seal moduladora de
mucho mayor amplitud para lograr un porcentaje razonable de
modulacin.
Modulador de AM de bajo nivel
Un amplificador de seal pequea de clase A, como el de la siguiente
figura se puede usar para la modulacin de amplitud; sin embargo el
amplificador debe tener 2 entradas, una para la seal portadora y otra
para la seal moduladora. Cuando no hay seal moduladora presente, el
circuito funciona como un amplificador lineal de clase A, y a la salida no
es ms que la portadora amplificada por la ganancia de voltaje en
reposo. Sin embargo cuando se aplica una seal moduladora, el
amplificador funciona en forma no lineal y se produce la multiplicacin
de seal que se describe con la Ec de Vam(t) en la figura la portadora se
aplica a la base y la seal moduladora al emisor. En consecuencia a esta
configuracin de circuito se llama modulacin por emisor. La seal
moduladora vara la ganancia del amplificador con tasa senoidal igual a
su frecuencia, la cantidad de modulacin que se obtiene es proporcional
a la amplitud de la seal moduladora.

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Una ventaja de modulacin de bajo nivel es que se requiere menos


potencia de la seal modulante para lograr un alto porcentaje de
modulacin. Una desventaja obvia de la modulacin de nivel bajo est
en las aplicaciones de potencia alta cuando todos los amplificadores que
siguen la etapa del modulador deben ser amplificadores lineales, lo cual
es extremadamente ineficiente.

Figura 7

Moduladores de AM en circuito integrado lineal

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Los generadores de funciones en circuito integrado lineales usan un


arreglo exclusivo de transistores y FET para hacer la multiplicacin de
seales que es una caracterstica que los hace ideales para generar
formas de ondas de AM, los circuitos integrados a diferencia de la
contrapartes discretas, pueden compensar con presicin el flujo de
corriente, la ganancia de voltaje del amplificador y las variaciones de
temperatura. Tambin estos moduladores de AM en CI ofrecen una
excelente

estabilidad

modulacin,

de

frecuencia,

miniaturizacin

de

caractersticas

circuitos,

menos

simtricas

de

componentes,

inmunidad a la temperatura y simplicidad de diseo y de localizacin de


fallos.
El generador monoltico de funciones XR 2206 es ideal para hacer
modulacin en amplitud. La siguiente figura muestra su diagrama de
bloques. El XR 2206 consiste en 4 bloques funcionales, un oscilador
controlado por voltaje (Vco), un multiplicador analgico y un conformador
senoi8dal, un separador de ganancia unitaria y un conjunto de
conmutadores de corriente.

3. DESARROLLO DE LA PRCTICA
Se dise un circuito modulador AM con el circuito integrado XR2206 que trabajaba con las frecuencias de portadora en el rango
de 8 kHZ. Este circuito obtena su seal modulante a travs de un
generador de seales, con seal sinusoidal (Tono) que poda estar
en el rango de frecuencias de 300Hz a 3.4kHz, pero en vista de
que no sali la prctica como se esperaba, se procedi a simular
para comprobar su funcionamiento.

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Como se pude apreciar en el grfico, la entrada de la seal


moduladora se la realiza por medio del pin1 de integrado XR-2206,
as como por el pin2 se realiza la salida de la seal modulada. Por
otro lado en el pin3 se regula factor de multiplicacin de la salida.
En el pin4 como en el pin11 se realiza la alimentacin del circuito.
En los pines 5, 6, 7 se regula el rango de frecuencias para la seal
portadora, as como por los pines 13 y 14 se regula la amplitud de
la misma.
Los factores de capacitancia y resistencia fueron calculados con la
ecuacin:
fp

Dando como resultados

1
RC * C

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Capacitancia para pines 5 , 6, y 1 :

10nF

Resistencia variable para pin7 entre: 100 [] a 125 []


Resistencia variable para los pines 13 y 14 entre: 0 [] a 1 [k]
En la comprobacin de los valores conseguidos gracias a la
variacin de la amplitud de la seal portadora se explican a
continuacin en base al ndice de modulacin.
Podemos definir entonces la envolvente de modulacin como una
fraccin "m" de la amplitud de la portadora sin modular o bien
como un porcentaje de la portadora.

de la definicin y las grficas anteriores podemos deducir:

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equivale al 100% de profundidad de modulacin. Veamos otro


ejemplo; sea la siguiente forma de onda modulada:

en este caso equivale decir 50% de profundidad de modulacin.


Una condicin particular se presenta cuando m > 1, en la que se aprecia
sobre modulacin y se puede notar en la representacin que se aprecia
ms abajo. Esta seal se obtiene en un circuito real, dado que
matemticamente el resultado sera otro.

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Bajo estas condiciones, la envolvente resulta una poli armnica (ya


no es una senoidal), sino que se representa por una fundamental y
numerosas

armnicas;

estas

armnicas,

producen

tambin

muchos pares de bandas laterales originados por la distorsin.


4. Conclusiones
La causa principal en el fallo de la obtencin de la seal portadora es
debido a que se debe polarizar correctamente al XR-2206, manteniendo
la configuracin bsica en el diseo y realizando la variacin en los
lugares correspondientes y as obtener la seal portadora buscada.
La amplitud mxima que puede alcanzar el par de bandas laterales, en
condiciones normales de modulacin, es solo la mitad de la portadora
sin modular, cuando m = 1.
Si se pretende transmitir una informacin cuya frecuencia mxima es de
3.4 Khz., el ancho de banda del canal y de todo el sistema debe ser, el
doble de la frecuencia mxima que se desea emitir.

La difcil obtencin de las ondas deseadas se debi a que la


variacin en los potencimetros encargados de la regulacin de
frecuencia y amplitud de portadora era de carga demasiada
grande para obtener una medicin precisa de frecuencia y
amplitud.

La labor del integrado XR-2206 acta para llevar dos seales


sinusoidales de diferentes frecuencias a una seal con modulacin
AM reguladas con circuitos a base de resistencias y capacitancias.
5. Recomendaciones
Probar etapa por etapa el circuito a implementarse, es decir,
probar el correcto funcionamiento del micrfono, luego la

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etapa de amplificacin, y todos los dems bloques de


nuestro modulador AM.
Al momento de alimentar a nuestro circuito con CC, fijarse la
polaridad en la que se asign al circuito para que ningn
componente resulte daado.
Revisar las puntas de prueba antes de conectarlas al
osciloscopio, as como los conductores alimentadores del
circuito.
Tener muy en cuenta la frecuencia a la que se le asigno
nuestro modulador, esta debe estar fuera del rango AM
comercial de nuestro pas.
6. Bibliografa
Data Sheet XR2206.
Comunicacin Digital, Msc. Mara S. Jimnez, EPN, Ecuador, Cap.
Demodulacin Analgica
http://es.geocities.com /joaquin@gte.esi.us.es
http://es.geocities.com/jose958/historia1.htm

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