Etat de lart des technologies

photovoltaque en vue de la
rcupration dnergie pour
llectronique nomade
S. Nol, S. Perraud, E. Rouvire
CEA/LITEN/DTNM
Laboratoire des Composants de Rcupration
dEnergie (LCRE)
DTNM/LCRE - CRESITT 2009

01 10 2009

CEA: Activits cellules solaire

Liten/INES

Liten/LCRE

Liten LCRE

1. Gnration

2. Gnration

3. Gnration

Si cristallin
Si multi-cristallin

Couches minces
(CM)

Cellules tandem
CIGS (CM)

Si mtallurgique

CIGS

Nanofils (Si, Ge)

Technologie HIT

Substrats flexibles

Points quantiques
(Si, Ge)

2
1,5 m

Sommaire
Principes de la conversion dnergie photovoltaque
Particularit des conditions dclairage Indoor
Technologies photovoltaques et leurs compatibilits aux situations
Indoor
Conclusions

 Principes de la conversion dnergie photovoltaque

Dispositifs de conversion dnergie photovoltaque
Principaux mcanismes de perte et gnrations de dispositifs
photovoltaque
Influence de la hauteur de la bande interdite sur le rendement
final
Particularit des conditions dclairage Indoor
Technologies photovoltaques et leurs compatibilits aux situations
Indoor
Conclusions

Rcupration dnergie photovoltaque pour

llectronique mobile
Variations spectrales et dintensit significatives

Principes de la conversion dnergie photovoltaque

1. Absorption de la
lumire
2. Formation dune
paire lectron-trou
3. Transport et
sparation des
charges
4. Extraction des
charges

BP-Solar: http://www.bpsolar.fr/solaire/photovoltaique/effet_en.php

Principales pertes et gnrations de dispositifs

photovoltaque
1.

Transmission

2.

Recombinaison Auger

3.

Pertes la jonction

4.

Pertes lies au dispositif

5.

Recombinaison directe

1. generation:
Technologie base de
silicium cristallin

2. generation:
Technologies couches
minces (CIGSe, CdTe,
silicon (amorphe & polycristallin)

3. generation:
Technologies innovantes
haut rendement et bas
cot (concentrateurs,
organique, nanotechnologies)
7

UNSW: http://www.pv.unsw.edu.au/Research/3gp.asp

Exploitation dnergie spectrale

 Challenges
 Ajustement
de
la
hauteur
de
bande
interdite: Optimisation
de
labsorption
du
spectra
disponible
(solaire, indoor)

Radiance
(W.cm-1m-1)

A)

Photons non-absorbs
E<Eg=23.5%
B) Energie photonique en excs
(Thermalisation)
E>Eg=33%

Eg 1.1 eV (T=300K)

Energie exploite
par une cellule
gap unique

2.48

1.24

0.8

0.6

E(eV)

Absorption optique dune cellule gap unique

exploitant un spectre solaire

Le rendement thorique dune cellule gap unique

est limit par les lois de la Physique
8

L.L. Kazmerski, Solar photovoltaics R&D at the tipping point: A 2005 technology
overview, J. Electr. Spectr. Rel. Phenom.150 (2006) 105

Influence de la hauteur de bande interdite sur le rendement de

conversion nergtique final pour un spectre solaire

Pour une distribution spectral type solaire la hauteur de bande interdite

idale est de 1.5 eV

 Principes de la conversion dnergie photovoltaque

Particularit des conditions dclairage Indoor
Exploitation spectrale
Technologies photovoltaques et leurs compatibilits aux situations
Indoor
Conclusions et perspectives

10

Particularits des conditions dclairage Indoor

Sources dclairage Indoor

directes
Lumire solaire (fentres)
Tubes fluorecents
Lampes halognes
Composantes indirectes:
Rflections extrieures
(arbres, btiments, )
Rflections intrieures
(murs, sol, plafond, )

A. Virtuani et al., Solar Energy Materials & Solar Cells (2006) 2141-2149, Randall J.F., Jacot J., Renewable Energy 28 (2003) 1851-1864

11

Exploitation spectrale
Lien entre la hauteur
de bande interdite et le
rendement quantique
du dispositif
photovoltaque
Adaptation spectrale:
Moins de lumire IR
=> Matriau gap plus
grand

Eg 1,1 eV

Eg grand

La rduction du
dcalage spectral
conduit une
meilleure conversion
photon-lectron
Consquence:
Tension de dispositif
croissante
A. Virtuani et al., Solar Energy Materials & Solar Cells (2006) 2141-2149

12

 Principes de la conversion dnergie photovoltaque

Particularit des conditions dclairage Indoor
Technologies photovoltaques et leurs compatibilits aux situations
Indoor
Silicium cristallin
Technologies en couches minces
Dispositfs photovoltaques base de nano-fils de silicium
Conclusions et perspectives

13

Cellule solaire haut rendement base de silicium cristallin (structure

PERL)
lments optiques:

Electrical elements:

Couche anti-reflet

Jonction p-n

Texturation de surface

Champ arrire p-p+

Rflecteur arrire

Passivation de surface
Contacts mtalliques

Limitations du silicium cristallin en

utilisation Indoor:
Gap in-direct
Hauteur de gap fixe
Perte significative de rendement
pour de faibles intensits lumineuses

http://pvcdrom.pveducation.org/MANUFACT/LABCELLS.HTM

14

Silicium cristallin: Dispositifs industriels pour lintgration

au btiment
Structure standard n+pp+

Metal wrap through (ECN Pin-Up Module, PUM)

Structure HIT (c-Si / a-Si htro-structure, Sanyo)

15

Technologies en couches minces

C-Si (Eg 1.1 eV)

Structures superstrat

CdTe (Eg 1.5 eV)

Silicium amorphe (Eg 1.8 eV)

SiN

Al

p+ Resin
p
Silicon
n+

1.6 m

Crater
Groove
Textured glass

Dimple
Light

Structures substrat

Cu(InxGa1-x)Se2 (Eg(x) 1.04 1.67 eV)

matriaux chalcopyrites

r
E

TCO
Buffer (n-type)
Absorber (p-type)
Back contact
Glass substrate

http://www1.eere.energy.gov/solar/silicon.html

16

Dispositifs photovoltaques base de nano-fils de

silicium

17

18

19

20

Rglage de la hauteur de bande interdite laide du

confinement quantique dans les nano-fils de silicium

7 nm
5 nm
3 nm
2.5 nm
2 nm
1.3 nm
Mesures STM de la hauteur de bande interdite dans
un nano-fils de silicium: 1.7 eV correspond un
diamtre de fils de 2 nm
Read, Phys. Rev. Lett. (1992); Delley, Appl. Phys. Lett. (1995); Ma, Science (2003)]

21

Dvelopement de dispositifs ajusts ou structures

tandem

Technologie de dispositif tandem 100% Silicium cristallin

22

Rcupration dnergie photovoltaque pour

llectronique mobile
Eclairage artificiel

1 -100 mW/cm2

Spectre solaire

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Indentification de technologie
Silicium cristallin: Grandes surfaces et intgration au btiment
conomiquement intressant, bon rendement, Process de
production robuste
Pertes de performance importante en conditions Indoor
Technologies couches-minces
Silicium amorphe: bas-cot, faibles variations de performances
sous faible clairage, faible niveau de performances gnrales
CdTe: bas-cot, bon rendement, hauteur de bande interdite
idale pour un spectre solaire, lments constituants rares et
toxiques ltat initial
Silicium poly-cristallin: bas-cot, faibles rendement, faibles
performances gnrales
CIGSe: bas-cot, bon rendement, faibles variations de
performances sous faible clairage, hauteur de bande interdite
ajustable
Technologie base de nano-fils de silicium
Rglage de la hauteur de bande interdite avec le diamtre du
nano-fils, transfert permettant un procd faible budget
thermique, exploitation des effets quantiques
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 Principes de la conversion dnergie photovoltaque

Particularit des conditions dclairage Indoor
Technologies photovoltaques et leurs compatibilits aux situations
Indoor
Conclusions

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Conclusions
Les conditions dclairage intrieurs sont diffrentes de lclairage
solaire extrieur
La rcupration dnergie photovoltaque intrieure demande une
analyse spcifique des conditions et un dveloppement de dispositifs
adapt
Le manque de lumire IR pousse le choix de matriaux semiconducteurs vers des hauteurs de bande interdites plus importantes,
compar au silicium cristallin standard
Les conditions Indoor spcifiques (clairage direct et diffus) demande
une analyse et demande tre intgr dans le choix du matriau et le
dveloppement du dispositif
Le choix de technologies rglables est prfrable, tels le CIGSe et
les nano-fils

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Merci pour votre attention

DTNM/LCRE - CRESITT 2009

01 10 2009

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