UNACH Merino Bryan, Monteros Andreina

UNIVERSIDAD NACIONAL DE
CHIMBORAZO
Bryan Merino, Jazmin monteros
Riobamba-Ecuador
Jazminmonteros03@gmail.com

Resumen El presente informe tiene con fin evidenciar lo

realizado en el laboratorio, como es la medida de voltaje y
corriente en diferentes diodos y al mismo tiempo la realizacin de
la curva caracterstica de los mismos, teniendo en cuenta la
polarizacin inversa y directa.
Palabra Clave diodo

I INTRODUCCIN
El diodo est formado bsicamente por una juntura de
semiconductores extrnsecos N (electrones como portadores
mayoritarios) y P (huecos como portadores mayoritarios). La
caracterstica de esta juntura es dejar pasar corriente en un
solo sentido (al sobrepasar su tensin umbral) y oponerse al
paso en sentido inverso.
Existen dos formas de polarizar al diodo, en Directa y en
Inversa. La polarizacin directa se da cuando el positivo de la
fuente se conecta con la zona P del diodo, y la parte negativa
de la fuente a la zona N. Cuando la tensin aplicada al diodo
supera la tensin de umbral (aproximadamente 0,7 V para el
Si y 0,3 V para el Ge) el diodo conduce la corriente elctrica.
La polarizacin inversa se da cuando el positivo de la
fuente se conecta con la zona N del diodo, y la parte negativa
de la fuente a a la zona P. En esta polarizacin el diodo no
conduce corriente elctrica.
II

OBJETIVOS

Determinar el estado del diodo (conduccin)

aplicando la polarizacin directa e inversa.

Construir la curva caracterstica (real) de los

diodos semiconductores.

III

FUNDAMENTO TEORICO

Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como

conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico
en el que se encuentre. El elemento semiconductor ms usado
es el silicio [1]
Semiconductor tipo N

Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo

un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de cargas libres (en este
caso, negativas). El propsito del dopaje tipo N es el de
producir abundancia de electrones portadores en el material.
Semiconductor tipo P
Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso positivo). [2]
Diodo
Es un dispositivo que permite el paso de la corriente
elctrica en una nica direccin Es un elemento que tiene
polaridad, o sea un lado negativo conocido como ctodo y un
lado positivo conocido como nodo. Para que un diodo
conduzca se debe polarizar correctamente, esto es colocar la
parte positiva con el positivo de la alimentacin y la negativa
con el negativo de la fuente. Esta caracterstica de conduccin
es debido a que los diodos son componentes dopados, sus
materiales de construccin se conocen como materiales P y
materiales N.
Cuando se polariza correctamente el diodo, las cargas
positivas comienzan a entrar y a hacer presin sobre el polo
positivo o capa P. En el centro del diodo se combinan los
protones y los electrones, de esta manera se convierte en una
regin neutra, pero al existir una sobredosis de cargas
positivas, entonces las negativas se ven en la obligacin de
pasar esta zona neutral y as comenzar a combinarse, con lo
cual se establece una corriente y de esta manera un equilibrio,
donde el diodo est conduciendo. En el caso contrario, al
entrar las cargas positivas en el polo negativo o capa N, los
electrones no se ven obligados a pasar sobre la regin neutra
para combinarse, sino que se combinan de su lado,
aumentando dicha zona neutral, y por lo tanto haciendo ms
grande la barrera a vencer, de esta forma es que el diodo no
conduce. [3]

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VI. CALCULOS

VII. RESULTADOS

Fig1. Polarizacin del diodo

VIII. CONCLUSIONES

Fig2.Curva caracteristica

IV. EQUIPOS Y MATERIALES

EQUIPOS
-Protoboard
-Multmetros; Analgico y
Digital
-Fuente de voltaje variable de
0 a 30 V.
-Generador de seales
Osciloscopio
-Lote de varios materiales de
conexin

MATERIALES
-2 diodos de silicio IN4001
o IN4004
-2 diodos de Germanio 0 a
90
-2 led de diferente color
-1Resistor de 220 a W
-1 Resistor de 1k a W
-1 Resistor variable de 10k

V. PROCEDIMIENTO
Se realiz la medicin con el multmetro en la escala de
resistencia elctrica de varios diodos, para verificar dichos
valores de resistencia. En la prctica se observ que el diodo
en directa tena una resistencia muy alta; y en inversa no
puedo medir ya que es muy alta. De este modo se
identificaron los extremos de varios diodos, la rayita del
diodo indica el extremo N.

En la presente prctica pudimos observar de manera

prctica el funcionamiento de un diodo en directa y
en inversa en corriente continua, as como observar
de manera prctica la curva caracterstica de dicho
dispositivo.
En el primer caso, se realiz la medicin de la
corriente que circulaba a travs del diodo y la tensin
que caa en l, observando que luego de pasar la
tensin de umbral (aproximadamente 0,7 en el
Silicio) el diodo comenz a conducir mucha
corriente, formando una curva exponencial en la
grfica
Para el segundo caso invertimos el diodo obteniendo
como resultado que las corrientes son cero, aunque
en ciertos valores de voltaje como por ejemplo 0.5 si
nos dio un valor muy pequeo de corriente.
Se pudo observar que al medir la corriente del diodo
de modo inverso por lo general la corriente es cero,
aunque en algunos valores de voltaje nos da valores
muy pequeos de corriente.
El diodo led con un valor mnimo de voltaje no se
enciende necesita un valor alto.

IX. RECOMENDACIONES

Usar correctamente los instrumentos de laboratorio

Investigar todo lo posible acerca del tema para tener
un mayor conocimiento.
Poner en practica todos los conocimientos tericos
adquiridos en clase
Ubicar correctamente los elementos al momento de
armar el circuito en la protoboard para no contar con
errores.

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Comprender muy bien la polarizacin del diodo.

X. REFERENCIAS

El Diodo, Disponible en: http://unicrom.com/diodosemiconductor/

[2] [3] R. L. Boylestad, L. Nashelsky, Electrnica: teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, 10th ed., Mxico:
Prentice Hall, 2009, pp. 10-20
[3] Electronicacompleta.com/lecciones/el-diodo/
[1]

BIOGRAFIA
Realizado por:
Mi nombre es Jazmn Monteros
actualmente tengo 20 aos me encuentro
cursando el tercer semestre de Ingeniera
Electrnica en la Universidad Nacional de
Chimborazo soy de la provincia Bolvar,
pero me encuentro viviendo en la ciudad
de Riobamba por motivos de la
Universidad me gradu en el colegio
Corina Parral Bachiller Fsico matemtico.