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MEMORIA DE CLCULO
INSTALACIONES ELECTRICAS
PROYECTO:
ALUMNO:
FECHA:
Julio 2015
K=
Larg.
Anch.
Alt.
Hu
(m)
(m)
(m)
(m)
1 PISO
Alumbrado
exterior
Ingreso secundario
2.6
2.5
2.7
1.9
1.33
6.4
2.75
1.95
Car-por
5.6
2.65
2.9
Jardin
2.85
2.6
Estudio
2.8
Ingreso principal
AMBIENTE
Tipo de
Sistema
de
Alumbrad
o
Tipo de Lmpara
Tipo
P(w
)
F(lm)
Directa
F. Compacto
40
3200
1.07
Directa
F. Compacto
25
1300
2.1
1.54
Directa
F. Compacto
25
1300
2.7
1.9
1.39
Directa
F. Compacto
25
1300
2.55
2.6
1.8
1.44
Directa
F. Compacto
25
1300
2.95
1.2
2.6
1.8
0.86
F. Compacto
25
1300
Bao
1.85
1.35
2.6
1.8
0.81
F. Compacto
50
575
Hall
5.05
3.45
2.6
1.8
2.09
Directa
Incandescent
e
Directa
F. Compacto
25
1300
Escalera 1
3.4
2.6
1.8
0.82
Directa
F. Compacto
25
1300
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
Escalera 2
2.25
2.6
1.8
0.69
Directa
F. Compacto
25
1300
Sala
3.9
2.6
1.8
1.77
Directa
F. Compacto
25
1300
Patio de Servicio
3.65
2.5
2.6
1.8
1.52
Directa
F. Compacto
40
3200
Cocina
3.65
2.9
2.6
1.8
1.69
Directa
F. Compacto
25
1300
Comedor
3.9
2.9
2.6
1.8
1.72
Directa
F. Compacto
25
1300
Jardn posterior
7.7
5.85
2.9
2.1
2.96
Directa
F. Compacto
40
3200
Dormitorio 1
3.65
3.3
2.5
1.7
1.98
Directa
F. Compacto
25
1300
Dormitorio 2
3.3
3.05
2.5
1.7
1.82
F. Compacto
25
1300
Bao
2.6
1.4
2.5
1.7
0.96
F. Compacto
50
575
Hall
1.55
2.5
1.7
1.08
Directa
Incandescent
e
Directa
F. Compacto
25
1300
2 PISO
Escalera 1
2.15
2.5
1.7
1.19
Directa
F. Compacto
25
1300
Estar TV.
3.05
2.55
2.5
1.7
1.56
Directa
F. Compacto
25
1300
Cto. Servicio
2.4
2.5
1.7
1.48
F. Compacto
50
575
Bao de servicio
1.1
2.5
1.7
0.87
Directa
Incandescent
e
Directa
Incandescent
e
F. Compacto
50
575
F. Compacto
25
1300
F. Compacto
50
575
Dormitorio 3
Bao de
dormitorio
3 PISO
3.9
2.5
1.7
1.87
3.55
1.2
2.5
1.7
0.98
Dormitorio 1
4.85
3.65
2.5
1.7
2.29
Directa
F. Compacto
25
1300
Dormitorio 2
3.3
3.9
2.5
1.7
2.22
F. Compacto
25
1300
2.35
1.5
2.5
1.7
0.98
F. Compacto
50
575
1.9
2.5
1.7
0.69
F. Compacto
50
575
Hall
3.55
1.4
2.5
1.7
1.08
Directa
Incandescent
e
Incandescent
e
Directa
F. Compacto
25
1300
1.9
2.5
1.7
1.13
Directa
F. Compacto
25
1300
Sala
5.1
2.75
2.5
1.7
1.89
Directa
F. Compacto
25
1300
Comedor
CocinaLavandera
3.9
2.9
2.5
1.7
1.82
Directa
F. Compacto
25
1300
3.55
2.5
1.7
1.83
Directa
F. Compacto
25
1300
Escalera 1
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
de Lamparas=
AMBIENTE
1 PISO
Alumbrado
exterior
Tipo de Lmpara
Tipo
Grado de
Reflexin
P(w
Tech Pare
F(lm)
)
o
d
re
a
(Lu
(m)
x)
Fcd
Fu
NL
0.32
1.26
Directa
F. Compacto
15
960
0.7
0.5
50
8.00
1.35
Ingreso secundario
1.09
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
6.40
1.35
Car-por
1.54
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
14.8
4
1.35
Jardin
1.39
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
7.41
1.35
Estudio
1.44
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
7.14
1.35
0.28
8
0.36
6
0.34
2
0.35
Ingreso principal
0.86
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
3.54
1.35
0.27
Bao
0.81
Directa
Incandescent
e
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
100
2.50
1.35
0.27
Hall
2.09
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
Escalera 1
0.82
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
Escalera 2
0.69
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
Sala
1.77
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
Patio de Servicio
1.52
Directa
F. Compacto
40
3200
0.7
0.5
300
Cocina
1.69
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
Comedor
1.72
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
Jardin posterior
2.96
Directa
F. Compacto
40
3200
0.7
0.5
100
Dormitorio 1
1.98
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
Dormitorio 2
1.82
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
Bao
0.96
Incandescent
e
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
50
3.64
1.35
Hall
1.08
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
4.65
1.35
Escalera 1
1.19
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
4.30
1.35
Estar TV.
1.56
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
7.78
1.35
Cto. Servicio
1.48
Directa
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
50
7.20
1.35
17.4
2
3.40
1.35
1.35
2.25
11.7
0
1.35
9.13
1.35
10.5
9
11.3
1
45.0
5
1.35
1.35
1.35
1.35
0.43
9
0.27
0.27
0.39
8
0.36
3
0.38
7
0.39
1
0.51
7
1
2
2
1
4
1
1
3
3
3
2
4
2 PISO
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
12.0
5
10.0
7
1.35
1.35
0.42
7
0.40
5
0.27
0.28
6
0.30
8
0.36
8
0.35
1
1
2
1
1
1
2
7
Bao de servicio
0.87
Incandescent
e
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
50
3.30
1.35
0.27
Dormitorio 3
1.87
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
11.7
0
1.35
0.41
2
0.98
Incandescent
e
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
50
4.26
1.35
0.27
Dormitorio 1
2.29
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
Dormitorio 2
2.22
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
0.98
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
50
3.53
1.35
0.27
0.69
F. Compacto
50
575
0.7
0.5
50
1.90
1.35
0.27
Hall
1.08
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
4.97
1.35
Escalera 1
1.95
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
7.30
1.35
Sala
1.89
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
Comedor
1.82
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
50
CocinaLavanderia
1.83
Directa
F. Compacto
25
1300
0.7
0.5
100
Bao de
dormitorio
3 PISO
Incandescent
e
Incandescent
e
17.7
0
12.8
7
14.0
3
11.3
1
10.6
5
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
0.45
9
0.45
2
0.28
6
0.29
6
0.41
5
0.40
5
0.40
6
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
2
1
2
2
4
2
3
(b) 40 Amperes.
LA POTENCIA INSTALADA (Pi):
Para el mercado se aplicara las cargas bsicas dadas en la tabla 14 del CNE UTILIZACION
para determinar la Potencia Instalada.
LA MAXIMA DEMANDA (MD):
Es el mayor consumo de potencia a travs de un periodo especificado.
MD=PI xFd
Para los alimentadores de cargas se aplica los factores de demanda indicados anteriormente
y los factores dados para los diversos tipos de locales en la Tabla 14 del CNE UTILIZACION.
Denominacin
MD
(w)
(mm
2)
TD - 1
AT
AL
Electrobomba 2
de 0.5 hp
Intercomunicado
r
Puerta levadiza
TD - 2
AT
Reserva Tablero
General
Denominacin
95.5
4
77.2
6
25
2388.5
2388.5
386.3
386.3
-----
746
746
-----
300
300
-----
1500
1500
95.6
7
25
2391.75
2391.75
7712.55
0.5
3856.28
-----
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
11568.8
3
10
MD
(w)
(mm
2)
Cuadrado
(w)
25
2436.75
2436.75
------
6000
8000
TD - 1
AT
Cocina
97.4
7
1
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
4
4
Lavadora
+Secadora
Calentador
Intercomunic
ador
Denominacin
------
3500
0.8
2800
------
1500
1500
------
300
300
2.5
2.5
2.5
15036.7
5
10
MD
(w)
(mm
2)
Cuadrado
(w)
25
2388.5
2388.5
386.3
386.3
------
6000
8000
10774.8
TD - 1
AT
AL
Cocina
Denominacin
95.5
4
77.2
6
1
MD
(w)
2.5
2.5
4
6
S
(mm2)
TD - 2
AT
Calentador
98.55
25
------
2463.7
5
1500
1
1
2463.7
5
1500
3963.7
5
2.5
2.5
2.5
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
I=
P
(Para circuitos 3 F)
3 x V x Cos
I=
P
( Para circuitos 1 F)
V x Cos
Usamos:
I=
P
3 x V x Cos
11568.83
30.36 A
3 x 220 x cos ( 0 )
ID= 1.25 (IN) = 1.25 (30.36)
ID= 34.01 Amp.
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
1X6 [mm] TW
d) Seleccin de la Dimensin de la Tubera del Conductor Alimentador (Del
C.N.E.Tabla 6):
Con la Seccin Nominal del Conductor Alimentador 3X10 [mm] TW y la Seccin
Nominal del Conductor de Puesta a Tierra 1X6 [mm] TW vamos a la Tabla 6, y
seleccionamos la Dimensin de la Tubera Pesada (mm):
seleccionado es : 20 [ mm ]PVC-P
CALCULO POR CADA DE TENSIN:
Para nuestro caso, debemos constatar que nuestra cada de tensin no sobrepase el
2.5% de la tensin de servicio (220 V), es decir 5.5 V, segn lo establecido en el
Cdigo Nacional de Electricidad. Para calcular la cada de tensin del alimentador
principal, utilizaremos la siguiente formula:
V =IxLxK (CircuitoTrifasica)
V =IxLxK ' (Circuito Monofasica)
+Xsen
R cos
K= 3
+ Xsen
R cos
K '=2
I: Corriente del circuito en Amperios.
L: Distancia en Km.
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
S(mm)
R20(/Km
)
2.5
10
16
25
7.14
4.44
2.79
1.76
1.11
0.7
R=1.76).
V =IxLxK
+ Xsen
R cos
K= 3 x
Dnde:
V =IxLx 3 xR
V =35 x 0.0089 x 3 x 1.76 V =0.95 Voltios
La cada de tensin del Alimentador est bajo los parmetros :
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
b) La cada der tensin total mxima en el alimentador y los circuitos derivados hasta la
salida o punto de utilizacin ms alejado, no exceda del 4%.
Para la utilizacin de los factores de Demanda del o de los alimentadores se debe considerar
lo sgte:
Descripcin
CUADRO DE CARGA
Pi
MD
FD
(w)
(w)
Alumbrado de TD1
1 Piso
(Circuito C-1)
(Circuito C-2)
(Circuito C-3)
Alumbrado de TD2
2 Piso
(Circuito C-1)
(Circuito C-2)
(Circuito C-3)
ELECTROBOMBA
I
(A)
S
(mm)
2500
2500
6000
1
1
1
2500
2500
8000
11.36
11.36
20.99
2.5
2.5
4
2500
2500
1500
746
1
1
1
1
2500
2500
1500
746
11.36
11.36
3.94
1.96
2.5
2.5
2.5
2.5
I=
P
(Para circuitos 3 F)
3 x V x Cos
I=
P
( Para circuitos 1 F)
V x Cos
Usamos:
I=
P
V x Cos
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
I=
2500
I =11.36 A 12 A
220 x cos ( 0 )
En la tabla 2 se dan las capacidades de corrientes para conductores de los diferentes
tipos:
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
V =IxLxK (CircuitoTrifasica)
V =IxLxK ' (Circuito Monofasica)
+Xsen
R cos
K= 3
+ Xsen
R cos
K '=2
I: Corriente del circuito en Amperios.
L: Distancia en Km.
R: Resistencia del conductor a utilizar a la temperatura de operacin en /m.
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
S(mm)
R20(/Km)
2.5
7.14
4
4.44
6
2.79
10
1.76
16
1.11
25
0.7
S(mm)
R20(/Km
2.5
10
16
25
7.14
4.44
2.79
1.76
1.11
0.7
PRIMER PISO
PARA C-1:
Se halla el recorrido real de la distancia del Tablero de Distribucin hasta el punto ms
alejado, el cual fue: (I=11.36A, s= 2.5 mm
R=7.14).
LC2=24.4 m 0.0244 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
R=7.14).
LC1=22.5 m 0.0225 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =11.36 x 0.0225 x 2 x 7.14 V =3.65Voltios
La cada de tensin del C-1 est bajo los parmetros :
R=4.44).
LC3=5.94 m 0.00594 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
SEGUNDO PISO
PARA C-1:
Se halla el recorrido real de la distancia del Tablero de Distribucin hasta el punto ms
alejado, el cual fue: (I=11.36A, s= 2.5 mm
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
R=7.14).
LC1=11.04 m 0.01104 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =11.36 x 0.01104 x 2 x 7.14 V =1.79 Voltios
La cada de tensin del C-1 est bajo los parmetros :
R=7.14).
LC2=15.25 m 0.01525 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
R=7.14).
LC3=6.26 m 0.00626 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =3.94 x 0.00626 x 2 x 7.14 V =3.52Voltios
La cada de tensin del C-3 est bajo los parmetros :
(Del
C.N.E.Tabla 2):
Usamos:
MD
(
Vx 0.8 )
I=
x 1.25
0.9
746
(
220 x 0.8 )
I=
x 1.25 I =5.88 A
0.9
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
La
Seccin
Nominal
del
Circuito
Derivado
(Electrobomba
seleccionado es : 2X2.5[mm] TW
b) Seleccin de la Dimensin de la Tubera del Circuito Derivado (Electrobomba)
(Del C.N.E.Tabla 6):
Con la Seccin del Conductor 2x2.5 (mm) vamos a la Tabla 6, y seleccionamos la
Dimensin de la Tubera (mm):
V =IxLxK (CircuitoTrifasica)
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
+Xsen
R cos
K= 3
+Xsen
R cos
K '=2
I: Corriente del circuito en Amperios.
L: Distancia en Km.
R: Resistencia del conductor a utilizar a la temperatura de operacin en /m.
X: Reactancia de los conductores en sistema Trifsico en /m.
X: Reactancia de los conductores en sistema Monofsico /m.
S(mm)
R20(/Km)
2.5
7.14
4
4.44
6
2.79
10
1.76
16
1.11
25
0.7
R=7.14).
LC1=45.05 m 0.04505 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =5.92 x 0.04505 x 2 x 7.14 V =3.81 Voltios
La cada de tensin de la electrobomba est bajo los parmetros :
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
I=
P
(Para circuitos 3 F)
3 x V x Cos
I=
P
( Para circuitos 1 F)
V x Cos
Usamos:
I=
P
3 x V x Cos
15036.75
39.46 A
3 x 220 x cos ( 0 )
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
seleccionado es : 25 [ mm ]PVC-P
V =IxLxK (CircuitoTrifasica)
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
+Xsen
R cos
K '=2
I: Corriente del circuito en Amperios.
L: Distancia en Km.
R: Resistencia del conductor a utilizar a la temperatura de operacin en /m.
X: Reactancia de los conductores en sistema Trifsico en /m.
X: Reactancia de los conductores en sistema Monofsico /m.
S(mm)
R20(/Km
)
2.5
10
16
25
7.14
4.44
2.79
1.76
1.11
0.7
R=1.76).
V =IxLxK
+ Xsen
R cos
K= 3 x
Dnde:
V =IxLx 3 xR
V =40 x 0.0199 x 3 x 1.76 V =2.43Voltios
La cada de tensin del Alimentador est bajo los parmetros :
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
d) La cada der tensin total mxima en el alimentador y los circuitos derivados hasta la
salida o punto de utilizacin ms alejado, no exceda del 4%.
Para la utilizacin de los factores de Demanda del o de los alimentadores se debe considerar
lo sgte:
Descripcin
CUADRO DE CARGA
Pi
(w)
FD
MD
(w)
I
(A)
S
(mm)
Alumbrado
3 Piso
(Circuito C-1)
(Circuito C-2)
(Circuito C-3) Cocina
(Circuito C-4) Lavadora+Secadora
(Circuito C-5) Calentador
2500
2500
6000
3500
1500
1
1
1
1
1
2500
2500
8000
3500
1500
11.36
11.36
20.99
15.91
6.81
2.5
2.5
4
2.5
2.5
300
300
1.59
2.5
I=
P
(Para circuitos 3 F)
3 x V x Cos
I=
P
( Para circuitos 1 F)
V x Cos
Usamos:
I=
P
V x Cos
I=
2500
I =11.36 A
220 x cos ( 0 )
En la tabla 2 se dan las capacidades de corrientes para conductores de los diferentes
tipos:
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
I=
8000
I =20.99 A
3 x 220 x cos ( 0 )
I=
3500
I =15.91 A
220 x cos ( 0 )
I=
1500
I =6.81 A
220 x cos ( 0 )
I=
300
I =1.59 A
220 x cos ( 0 )
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
V =IxLxK (CircuitoTrifasica)
V =IxLxK ' (Circuito Monofasica)
+Xsen
R cos
K= 3
+ Xsen
R cos
K '=2
I: Corriente del circuito en Amperios.
L: Distancia en Km.
R: Resistencia del conductor a utilizar a la temperatura de operacin en /m.
X: Reactancia de los conductores en sistema Trifsico en /m.
X: Reactancia de los conductores en sistema Monofsico /m.
S(mm)
R20(/Km)
2.5
7.14
4
4.44
6
2.79
10
1.76
16
1.11
25
0.7
S(mm)
R20(/Km
2.5
10
16
25
7.14
4.44
2.79
1.76
1.11
0.7
PRIMER PISO
PARA C-1:
Se halla el recorrido real de la distancia del Tablero de Distribucin hasta el punto ms
alejado, el cual fue: (I=11.36A, s= 2.5 mm
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
R=7.14).
LC2=17.85 m 0.01785 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =11.36 x 0.01785 x 2 x 7.14 V =2.9Voltios
La cada de tensin del C-1 est bajo los parmetros :
R=7.14).
LC1=22.34 m 0.02234 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
R=4.44).
LC3=5.55 m 0.00555 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =20.99 x 0.00555 x 2 x 4.44 V =1.0.3 Voltios
La cada de tensin del C-3 est bajo los parmetros :
R=7.14).
LC2=5.84 m 0.00584 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
PARA C-5:
Se halla el recorrido real de la distancia del Tablero de Distribucin hasta el punto ms
alejado, el cual fue: (I=6.81 A, s= 2 .5 mm
R=7.14).
LC1=4.82 m 0.00482 Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
R=7.14).
LC6=11.92 m 0.01192Km
Luego reemplazando los datos correspondientes en la formula anterior, tenemos:
V =IxLxK '
+ Xsen
R cos
K '=2 x
Dnde:
V =IxLx 2 xR
V =1.59 x 0.01192 x 2 x 7.14 V =0.27Voltios
La cada de tensin del C-6 est bajo los parmetros :
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
ANEXO:
CUADRO QUE SE UTILIZA PARA REALIZAR LOS CALCULOS
Este cuadro se utiliz para determinar el factor de utilizacin (Fu) en funcin al tipo de sistema de
alumbrado y al grado de reflexin:
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
Para el mercado se aplicara las cargas bsicas dadas en la tabla 14 del CNE UTILIZACION para
determinar la Potencia Instalada.
Esta tabla se us para determinar la seccin de los conductores (Alimentador y Circuitos Derivados)
segn el amperaje de los conductores:
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
Esta
tabla se us
para determinar la capacidad nominal (Alimentador y Circuitos Derivados) en funcin a la
capacidad de corriente del conductor:
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA
Esta
tabla
se
us
para
MEMORIA DE CLCULOELECTRICO
PROGRAMACION DE OBRA