Tcnicas para la caracterizacin de

materiales
Difraccin de rayos X
Ley de Bragg,
Clculo de parmetros de red

Microscopa ptica
Microestructura
Tamao de grano

Microscopa electrnica
SEM (Scanning Electron Microscopy)
TEM (Transmission Electron Microscopy)

Microscopa de barrido por tunelaje:

STM (Scanning Tunneling Microscopy)
AFM (Atomic Force Microscopy)

Difraccin de Rayos X
Espectro electromagntico
Frecuencia Hz

Longitud de onda (m)

Es adecuada para la caracterizacin de materiales porque

separacin atmica
Resolucin de la tcnica:
No tiene resolucin en separaciones <
La separacin es la distancia entre los planos de tomos
paralelos

Produccin de rayos X

ionizacin
L

N n=4
M n=3
L

n=2

n=1

Fenmeno de la difraccin
Dispersin

Onda 1

Interferencia
constructiva

Amplitud

Onda 1

Onda 2

Onda 2

Interferencia
destructiva
Onda 3

Onda 3

Rayos X para determinar la estructura cristalina

Rayos X entrantes se difractan de los planos cristalinos.

Distancia
extra
recorrida
por la onda 2

Las reflexiones deben

estar en fase para
Detectar la seal

Distancia
entre
Planos (dhkl)

Interferencia constructiva si: SQ + QT = n

n = dhkl sin +dhkl sin = 2dhkl sin

con n=1, 2, 3, = orden de difraccin.

Ley de Bragg:
2 d Sen = n

La distancia entre dos planos atmicos paralelos adyacentes es funcin de los ndices
de Miller y del parmetro de red.
Para una estructura cbica:

Medicin del ngulo crtico, c, permite el clculo de la distancia entre planos, d.

Intensidad
Metalurgia de polvos

n
d=
2 sin c

Rayos-X

(del
detector)

c
La ley de Bragg es una condicin necesaria pero no suficiente para la difraccin de cristales
reales.
Especifica cundo ocurrir la difraccin para celdas que tienen tomos posicionados en los
vrtices.
Sin embargo, tomos situados en otras posiciones (como en la FCC o BCC) actan como
otros centros de dispersin que producen dispersin fuera de fase de a ciertos ngulos de
Bragg. El resultado es la ausencia de ciertos picos que de acuerdo con la ley de Bragg
deberan estar presentes.
Para que ocurra difraccin en una estructura BCC h + k + l debe ser par
FCC h, k, l deben ser todos pares o todos
impares

Patrn de difraccin en Rayos-X

z

Intensidad (relativa)

c
a
x

c
b

y (110)

a
x

c
b

a
x (211)

(200)

ngulo de Difraccin 2

Patrn de Difraccin para un policristal de hierro- (BCC)

Difractmetro
Aparato para determinar
los ngulos a los cuales
se presenta el fenmeno
de la difraccin en la
muestra
Emisor
monocromtico

Detector

Ejemplo:
Calcule la distancia entre planos (220) y el ngulo de difraccin para el
hierro BBC. El parmetro de red para el hierro es 0.2866 nm. Tambin
asuma que la radiacin monocromtica tiene una longitud de onda de
0.1790 nm y que el orden de reflexin es 1.
n= Orden de reflexin
= Longitud de onda
a= Parmetro de red
hhkl= Distancia entre planos
= ngulo de difraccin

d hkl =

Intensidad
(del
detector)

0.2866nm

h +k +l
2 +2 +0
(1)(0.1790)
n

sin =

2d hkl

n = 2 dhkl sin c

Rayos-X

2(0.1013)

= 0.1013nm

= 0.884 = sin 1 (0.884)

Por lo tanto el ngulo de difraccin es 2=124.26

Ejercicios
3.60 .El rodio tiene una estructura cristalina FCC. Si el ngulo de difraccin
para el conjunto de planos (311) esta a los 36.12 (para una reflexin de
primer orden) y una radiacin monocromtica con una longitud de onda de
onda de 0.0711 nm. Calcule lo siguiente:
a) La distancia entre planos para el conjunto de planos dado.
b) El radio atmico del rodio

Ejercicios
3.65 En la figura se muestran los primeros 5 picos de difraccin para el tungsteno
que tiene una estructura cristalina BCC. Se utiliza una radiacin monocromtica
cuya longitud de onda es 0.1542 nm. Determine:
a) Los planos hkl para cada uno de los picos
b) La distancia entre planos para cada uno de los picos
c) Para cada pico determine el radio atmico del Tungsteno

Microscopa
ptica
Electrnica
Barrido
Transmisin

Fuerza atmica

Estudio Microscpico
Cristalitas, (cristales, granos) y Fronteras de grano. Cambian
considerablemente en tamao. Pueden ser muy grandes
ej: Monocristal grande de cuarzo o diamante o Si
ej: Granos individuales: Barra de Aluminio o bote de basura
Cristales (granos) pueden ser muy pequeos (mm o menos)
Necesarios para observarlos con el microscopio

Resolucin de la Microscopa
Resolucin ptica. 10-7 m = 0.1 m = 100 nm
Para mayor resolucin se necesita mayor frecuencia
Rayos X.
Electrones
Longitud de onda 3 pm (0.003 nm)
(Magnificacin - 1,000,000X)

Resolucin Atmica posible

El haz de electrones se enfoca mediante lentes magnticas.

Comparacin de los microscopios; ptico,

transmisin y barrido

Microscopa ptica

Luz Polarizada
Anlisis metalogrficos a menudo utilizan luz polarizada para
incrementar el contraste
Tambin se emplea en muestras trasparentes como algunos
polmeros

Microscopa ptica
til hasta una magnificacin de 2000X
Pulido remueve las irregularidades de la superficie (e.g., rayas)
Ataque qumico cambia la reflexin, dependiendo de la orientacin
del cristal

Planos cristalogrficos

Micrografa del
Latn (Cu-Zn)

0.75mm

Microscopa ptica
Fronteras de Grano
son imperfecciones,
son ms susceptibles
al ataque,
Se revelan como lneas
obscuras,
cambio en la orientacin
del cristal de frontera a
frontera.

Superficie pulida

(a)

Ranura en la superficie
Frontera de grano

Tamao de
Grano ASTM

N = 2n-1

Fe-Cr alloy
(b)

nmero de granos/in2
Magnificacin de 100x

Ejercicio
Determine el tamao de grano bajo la norma ASTM para un espcimen
metlico cuya metalografa se muestra en la imagen. Y para este misma
muestra determine cuantos granos por pulgada cuadrada deben haber a 85X

log N = (n 1) log 2
N=Nmero de granos por pulgada cuadrada
n=Tamao de grano ASTM

log10 N
+1 = n
log10 2
Para una magnificacin distinta de 100X
2

100 X
1 pulgada

M
n 1
NM
=2
100
NM =Nmero de granos por pulgada cuadrada a
X magnificacin
M= Magnificacin
n=Tamao de grano ASTM

Microscopa electrnica

M. electrnica

Transmisin
Max Knoll and Ernst
Ruska en Alemania
1931

Barrido
1938 ( Von Ardenne)

Los

microscopios electrnicos son

instrumentos cientficos que utilizan
un haz de electrones para examinar
objetos a escalas muy pequeas
MEB surgen por las limitaciones de
los microscopios pticos

Microscopa electrnica de barrido MEB (SEM)

Por qu es importante MEB?
Topografa: Caractersticas de la superficie
Morfologa: Forma y tamao de las partculas
Composicin: Cantidades relativas de las partculas
Informacin cristalogrfica: ordenamiento de los tomos

Funcionamiento del MEB

10-10 a 10-11 Torr

La tcnica consiste en colocar la

muestra en la cmara de vaco del
MEB y retirar todo el aire que se
encuentra dentro de ella. De manera
inmediata se enciende el emisor de
electrones para bombardear la
muestra. Los electrones viajan a
travs del arreglo de lentes diseados
para obtener un haz convergente de
electrones. Las bobinas ubicadas
bajo el arreglo de lentes dirigen al haz
de electrones de izquierda a derecha
y de arriba a abajo de tal forma que
se realiza un barrido en toda la
superficie de la muestra que se
encuentra en la base de la cmara de
vaco. Los electrones que golpean la
muestra salen difractados hacia el
detector. Este ltimo capta esa seal
y la manda a un procesador donde se
convierte en imagen.

Emisores
Filamento

Emisores

Emisin
de campo

Punta de Tungsteno 0.1 micras

Campo elctrico muy alto
Electrones son extrados mas fcil
Alto vaco

Filamento

Punta de emisin

Interaccin con los slidos

Haz de electrones
Catodolumisencia
Rayos X
Electrones
retrodispersados
Auger

Electrones
secundarios

Muestra

Vlumen de interaccin
Haz de electrones
Auger

Secundarios
Retrodispersados

Rayos X

Penetracin de los electrones

5 kV

1 kV

15 kV

Detectores
Para reconstruir la imagen de MEB, se debe de utilizar el detector adecuado y as
convertir la radiacin que sale de la muestra en una seal elctrica apropiada de tal
forma que se pueda reconstruir una imagen para mostrarla en pantalla.

EDS
Secundarios
Retrodispersados

Detector de electrones secundarios

Estos electrones se originan debido a las
colisiones elsticas entre electrones primarios
(del haz de electrones) y los electrones
dbilmente ligados en la banda de conduccin o
con los electrones fuertemente ligados en la
banda de valencia. Estos electrones tienen la
suficiente fuerza para interactuar con el slido y
salir del mismo con informacin.

Se emplea normalmente para obtener una imagen de la muestra

Emerge de la superficie de la muestra con una energa inferior a 50 eV
Slo los que estn muy prximos a la superficie tienen alguna robabilidad
de escapar.
Dan una imagen tridimensional
Rango de 10 a 200.000 aumentos

EDS (Energy dispersive X-Ray Spectrometer)

El detector EDS convierte la energa individual de cada uno de los rayos x en una
seal de voltaje proporcional a la energa de los rayos x. Esto ocurre en tres
pasos. En el primero se convierte los rayos x en una carga debido a la ionizacin
de los tomos en el cristal semiconductor. En el segundo paso la carga se
convierte a una seal de voltaje mediante un preamplificador y finalmente la seal
de voltaje entra a un procesador que realizar la medicin

Detector de electrones retrodispersados

Los electrones retrodispersados se deben a las colisiones inelsticas entre
los electrones entrantes y los ncleos del atmos de la muestra dado que
estos electrones son de alta energa no pueden ser recolectados por una
rejilla como los secundarios, se utiliza un detector de barrera que se coloca
por arriba de la muestra.

Detector
Electrones
retordispersados

Energa mayor de 50eV

Imagen de zonas con distinto Z
A mayor numero atmico mayor intensidad. Este hecho
permite distinguir fases de un material de diferente
composicin qumica.
Las zonas con menor Z se vern mas oscuras que las zonas que
tienen mayor nmero atmico.

Preparacin de muestras
Cinta doble cara (carbono o cobre)
Recubrir muestras no conductoras
Cada material tiene sus particularidades en
la preparacin
Para MEB

Imgenes obtenidas con MEB

Nanofibra de carbono en matriz

Termoplstica

Sn-Zn

Fractura

Fibras de Asbesto

Mosca

Microscopa de transmisin
Emisor
Cmara
de
vaco

Ctodo
nodo

1931 y 1933 por Ernst Ruska

Arreglo espacial
Cristalografa

Lente
condensador
Lentes
objetivas

Muestra
Imagen
intermedia

Lente
de proyeccin

Imagen
final

Pantalla
fluorescente

El microscopio electrnico de transmisin emite

un haz de electrones dirigido hacia el objeto que se
desea observar a una mayor magnificacin. Una
parte de los electrones rebotan o son absorbidos
por el objeto y otros lo atraviesan formando una
imagen aumentada de la muestra. Para utilizar un
microscopio electrnico de transmisin debe
cortarse la muestra en capas finas, no mayores de
un par de micras. Los microscopios electrnicos de
transmisin pueden aumentar un objeto hasta un
milln de veces.

Interaccin con los slidos

Emisor
Haz de
electrones

E. Auger

E. secundarios
E. Absorbidos

E. difractados

Electrones
Transmitidos
Detector

Muestra
espesores
mnimos

Imgenes obtenidas de microscopa de

transmisin
Determinar estructura cristalina
Conocer parmetros de red
mediante un indexado
Espacio Recproco

Fotografas de patrones de difraccin de

electrones de baja energa en la
superficie
(111)
de
platino.
Las
fotografas corresponden a diferentes
energas de los electrones. (Cortesa de
G. Somorjai y M. Van Hove).

Esfera de Ewald

Representacin esquemtica de los parmetros involucrados en la deduccin de constante de cmara

Ley de Bragg
O
ko

2 d Sen = n

O
k

d= distancia interplanar
=longitud de onda

O rhkl

= ngulo del haz incidente

sobre la superficie
n=1
L= Distancia de trabajo

R= distancia entre El
haz mas intenso (haz
trasmitido) y cualquier
otro punto del patrn

Para ngulos pequeos

2Sen = 2

O
Pantalla fluorescente
Tan 2 =R/L

2d=n

R
2 =R/L

R/L d =

depender de las condiciones

a las que se tomo la foto

R d = L

Constante
De cmara

Ejercicio

Calcular la distancia interplanar del oro

mediante su patrn de difraccin
obtenido
por
microscopa
de
transmisin. Las condiciones alas que
fue tomada la imagen son 120 K V a
una distancia de L= 100cm.

Voltaje de
aceleracin (kV)

Longitud de onda
(relativista) nm

Masa
X m0

Velocidad
C x 108 m/s

100

0.00370

1.196

1.644

120

0.00335

1.235

1.759

200

0.00251

1.391

2.086

R1

1.41 cm

R2

1.63 cm

R3

2.33 cm

R4

2.71cm

R5

2.83 cm

dhkl R= L

R3
R5

R4

R2
R1

Fichas JCPDS

Usamos (si existe) la ficha JCPDS de la posible fase cristalina. Ah

revisamos si las distancias existen en esa fase.

indexado
220
R3

111

-111
R1

200

-200

R2

000
R4

-1-1-1

1-1-1

-2-20

Microscopa de fuerza atmica (MFA)

La MFA se ha establecido como una tcnica para determinar la topografa de
superficies con una alta resolucin. Esta tcnica tambin se utiliza para estudiar
materiales cuya microestructura es del orden de nanmetros.
Photodiode
Fotodiodo
Laser
Retroalimentacin
Feedback
and
Cantilever
y control
del
Muestra
Sample
x,y,z,escner
Scan
Control
x,y,z, Piezo
Tube Scanner

En la MFA se emplea una viga flexible en voladizo (cantilever) que tiene, en su extremo libre, una
punta del orden de nanmetros. La viga tiene una constante de resorte del orden de 1 N/m y
cuando la punta se acerca lo suficiente a la superficie de un material comienza una interaccin
entre la punta y la superficie debida a las fuerzas de atraccin y repulsin. La fuerza de
interaccin entre la punta y la superficie de la muestra ocasiona pequeas deflexiones de la viga
siguiendo la ley de Hooke. Estas deflexiones son detectadas empleando distintos modos. Dentro
de los mas importantes tenemos el modo de contacto y el modo de no contacto

Puntas

Modos de operacin
Topografa

Contacto
En este modo la fuerza entre la muestra y la punta
es constante y provoca una deflexin muy pequea
y homognea al presionar la punta contra la
muestra. La fuerza aplicada es del orden de las
fuerzas interatmicas.

No contacto
Cuando se incrementa la separacin entre la punta
y la superficie de la muestra (10-100 nm)
nicamente se encuentran presentes fuerzas de
interaccin de largo alcance (fuerzas de Van Der
Waals, electrostticas y magnticas).

Contacto intermitente

Fuerza aplicada
10-7 a 10-9
Superfcie suave

Perfilometra
Identificacin de fases
Fuerza aplicada
10-9 a 10-13

Fuerza aplicada
10-9 a 10-10 N

Sensibilidad de AFM

Fuerza:
Desplazamiento:
Resolucin en el tiempo:
rea de contacto:

10-14N (picoNewtons!)
0.01nm (0.1 Angstroms)
Milisegundos - segundos
10 nm2

Imgenes obtenidas por AFM

Perfilometra