Vous êtes sur la page 1sur 99

,( ) "

' /0 1
(

!
% /2 /
9*+ ) " 0

" #
/32/ 45 6
0::

%&& '( ) *( ) + ,
/#
7
/
/8 : ;;

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

-.
/8
<

/6
1

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

! "#$ %& # % '&! (# #(%) $!%$*+&! &!


!% +(%+ &!
, )%#' ! '# % &"$(
+(%&+ &% . (#'$! !
+! !+ '& (#! /# %$(+'$& & '#
!% +(%+ &
, )%#' 01 & &"$(
+(%&+ 2 & /# %$(+'$&
'& !&"$ (
+(%&+ &!% '& !$'$($+" &%
'3 01 & &!% '# !$'$(& $ 4
'35&+ & #(%+&''& '# %&(5 ' 6$&
# / $! + & &0%& !$
( !$ ) # '& # ! '#
.# $(#%$
&! ($ (+$%! $ %)6 )! (# $' /& "&% + & &0% 7"& "$ $#%+ $!#%$ 4
&..&%8 '&! ( "/ !# %!
(
+(% !- ! % /# "$ '&!
&! / !!$ $'$%)! 3$ %)6 #%$
# ! '&
'&!
% $"/ !)!
!& );&' //& % &''&! #+!!$

&"$
+(%&+ ! 9 6 $''& $! ')& , &%#' 01 & &"$
/'+! $"/ %# %! & '3)'&(%
$*+& " & &4
% :! / +!!)& #$ !$ *+& '&! /& . "# (&! #%%&$ %&!
"#$ & + +") $*+& &% '&! #//'$(#%$ ! # #' 6$*+&!
9 6 # & ;$%&!!&4

' &!%
( /# %$(+'$: &"& % $"/ %# % & ( "/ &
& '& . (%$
&"& % &
'# (#/#($%)
8 !% +(%+ & *+$ &!% 9 '# #!& & (&%%& %&(5 ' 6$&4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

& !% +(%+ &

&!% (

!%$%+)&

3+ & ( +(5& 3 01 & $! '# % , $ - 3)/#$!!&+ < = $ ('+!& & % &


/)- &%
+ & ( +(5& & ")%#' , ' + $'$($+" % :! . %&"& %
+ !+ !% #% & $'$($+"4
AB
# ! (&%%& !% +(%+ & '&!
/#$!!&+ 3 01 & <

/#$!!&+

&! & 6 # &+ ! ! %


= *+&'*+&! $>#$ &! &
# ":% &!

+ !+ !% #% *+&'*+&! ? @ &
"$''$":% &!

)%#'
01 &

&"$(

+! #'' ! % +% 3#
+! $ %) &!!& 9 '# !% +(%+ & )%#' A$ &
#;# % & /#!!& 9 '# !% +(%+ &
9 / / &"& % /# ')4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

+(%&+

&"$(

+(%&+

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

A
!$ )
* !

! + ")%#' &% + !&"$(


=

C & ")%#'
C!
C & !&"$(
C!
C!

+(%&+

# ! '& ;$ &

; /

&!% (# #(%) $!) /#


% #;#$' & ! %$& &
"4
+(%&+ &!% (# #(%) $!) /#
% #;#$' & ! %$& &
&%
#..$ $%) )'&(%
$*+& &
4

&! &+0 !1!%:"&! ! % $ )/& # %!8 '&!


$;&#+0 & & "$ # ! (5#(+
D&+0 ! %
&!/&(%$;&"& % 9 '# $!%# (& &
" &% &
+
$;&#+ + ;$ & , A-4
&'$

! (&!
&+0 !1!%:"&! /#
+
.$'
(
+(%&+
$'! )(5# 6& % & 'D) & 6$& &% ( !%$%+& % +
!&+' !1!%:"& %5& " 1 #"$*+&8
'&! $;&#+0 & & "$ !D#'$6 & %4
' &
)!+'%& + & $..) & (&
( %#(%8 # #' 6+& 9 '# %& !$
'# E (%$
? 8
)& /#

e.Vd = e.m e.S

& / %& %$&'


& $..+!$

&
&

(eV )

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

A
(&%%& $..) & (& & / %& %$&' A !

% #!! ($)!

dV
E=
dx
(x )
d 2V
=
2

dx

+ (5#"/ )'&(% $*+&


&%
+ & (5# 6& D&!/#(&

D#"/'$%+ & + (5#"/ )'&(% $*+& &% '# & !$%) & '# (5# 6& D&!/#(& ! % D#+%# %
/'+! $"/ %# %&! *+& '& 6 # $& % + / %& %$&' &!% 6 # 8
/+$!*+& A F(%& &!% .$0) /# '# $..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& " !8
&! ;#'&+ ! ! % 3#+%# % /'+! 6 # &! *+& '# $!%# (& & % & '& ")%#' &% '&
!&"$(
+(%&+ &!% .#$ '&4
(
;

;
#

>

# #

#// (5 ! "#$ %& # % & /'+! & /'+! '& ")%#' + !&"$(
+(%&+
&! (5# 6&! #//# #$!!& % #+ ; $!$ #6& & '# !+ .#(& + ")%#' &% #+ ; $!$ #6&
'# !+ .#(& + !&"$(
+(%&+ 4
G
B
H
# "#%+ &! &!% A FA 8 '# (5# 6& &!%

% '# %& !$

&

& % & '&!

F 4A4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

A
G
B
H
# "#%+ &! &!% A FA 8 '# (5# 6& &!%

% '# %& !$
F 4A4

A FA F(%&8 !$
F 4A

A )%# % ( !%# %8 !$ '# $!%# (& & % & '& ")%#' &% '&
$"$ +&8 '# (#/#($%) &% /# !+$%& '# (5# 6&8 #+6"& %& %4

& /'+!8 '# (5# 6& % %#'& );&' //)& # ! '& ")%#' &!% )6#'& &%
(5# 6& % %#'& );&' //)& # ! '& !&"$(
+(%&+ 4

// !)& 9 '#

# & !$%) D)%#%! )%# % &#+( +/ /'+! 6 # & # ! '& ")%#'


*+& # ! '& !&"$(
+(%&+ 8 (&! (5# 6&! ! % !+/& .$($&''&! # !
'& ")%#' &% !D)%& & % #;# %#6& # ! '& !&"$(
+(%&+
# (5# 6& D&!/#(& # ! '& ")%#' )!+'%& & '# ;# $#%$
& '#
; $!$ #6& & '# !+ .#(&
# (5# 6& D&!/#(& # ! '& !&"$(
+(%&+ )!+'%& & '# ;# $#%$
& / %&+ ! '$ &!8 & &% % +!8 #+ ; $!$ #6& & '# !+ .#(&4
*

?
; ?

# ! '# "&!+ & 2 '& $;&#+


$' & )!+'%&
K
K
8
A

& % & '&!

J")%#' /&%$%
J 6 #
& !$%)

I& #+

& '#

& !$%)

& & "$ &!% .$0) /# 'D)*+$'$


K
A
B
L I

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

& %5& "

1 #"$*+&
A
4
8

A
# #%+ & & '# (5# 6& D&!/#(& &% '# ( + + & &! # &! ! % .
D+ & /# % + %1/& + !&"$(
+(%&+ ,
+ - &%
D#+% & /# % & '# $..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& &
" &
4

$ %1/&
F(%&
"

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

(%$

$ %1/&
F(%&
"

A
+ .$0& '&! $ )&!8 ; $($ '&! ;#'&+ !
&! % #;#+0 & ! %$& &
& $;& ! ")%#+0
! "

"

9*+ '" =

+ ( "' +

&

$( "' '" =

&! #..$ $%)! )'&(%


$*+&! & &%
+!+&'!4
%$& "#0$"+" &
"#0 &!

'

'

&! % #;#+0

&

+ ( "' +

!$ )

!+

& %1/&

&% ;#'&+ ! &'#%$;&! &! % #;#+0 & !

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

%$& + ")%#' &% +

4
10

" N
A A" &!% )6#%$.8 &! (5# 6&! )6#%$;&! !& );&' //& % # ! '&
!O
&% &! (5# 6&! / !$%$;&! !& );&' //& % # ! '& ")%#'
&! (5# 6&! / !$%$;&! # ! '& ")%#' )!+'%& % D+
)/# % D)'&(%
! & '# !+ .#(&4
)!+'%& % D+ & #((+"+'#%$
I& ;& ! '# !+ .#(&8
&! (5# 6&! )6#%$;&! # ! '&
'# # & & ;#'& (& &% '# # & & (
+(%$
!& ( + & % ;& ! '& #!4
&
&!% $% &
#
> ;;
8
B

" F
A A" F@8 '# %& !$
'&! # &! &!%& % 5

& $..+!$
&!% +''&8 #+(+ & (5# 6& D#//# #P%
$> %#'&!8 '&
&!% $% &
#
?

!F

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

11

" O
A A" &!% / !$%$. & ! %& *+& &!
(5# 6&! / !$%$;&! !& );&' //& % # ! '&
&% &!
(5# 6&! )6#%$;&! !& );&' //& % # ! '& ")%#'
&! (5# 6&! )6#%$;&! # ! '& ")%#' )!+'%& % D+ & #((+"+'#%$
I& 9 '# !+ .#(&4
&! (5# 6&! / !$%$;&! # ! '&
)!+'%& % + )/# % I& &% / ;$& & %
>
;
>
;
;
#
;
5
>
> #
;
?
A; /
;
'# $"$ +%$
& '# & !$%) )'&(%
$*+& &!% #!! ($)& + & ( + + & &! # &! ;& !
'& 5#+%4

/N $N

$ '& 6 # $& % & / %& %$&' &!% &'#%$;&"& % .#$ '&8 '# & !$%) & % +! &!%&
&+ ! ( !%$%+& % #' ! 'D&!!& %$&' & '#
$ .) $&+ & 9 $ ,/N $N -8 '&! $ !
#
4
(5# 6& D&!/#(&8 '& !&"$(
+(%&+ &!% $%
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

12

$ '& 6 # $& % & / %& %$&' &!% /'+! $"/ %# %8 '& ).$($% D)'&(%
!8 &% /# !+$%& '#
& !$%) & % +! #+6"& %&4
!*+& '# & !$%) & % +! &;$& % !+/) $&+ & 9 $
, N $N /-8
A
A
B
8
$% *+&
'&
&!% & "B C + > =+" ( 4
#$! !$ '# & !$%) & % +! &!%&
$ .) $&+ & 9 '# & !$%) &
&+ !
, N $N /N - 'D&!!& %$&'
& '#
(5# 6& D&!/#(& &!%& +& #+0 $ !
#
&+ !8 '&
&!% $% &
4
8 ?
!
/N

, -

B
A

A
8 ,&-

.$ !$ '& 6 # $& % & / %& %$&' &!%


N /- '# (5# 6&
%&' *+& , N $N
D&!/#(& &;$& % (
$%$
)& /# '#
/ )!& (&
&! % +! '$ &! #+
; $!$ #6& & '# !+ .#(&8 '&
&!% $%
#
8
!
4
&
N/

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

13

!O

" N
B

!F

" F
B

/N $N
" O

/N

" OO

N/

" OOO
D

88

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

;8/ '4
14

D
& '# & !$%) D)%#%! )'&(%
/# % ,T @ (" -8

B
$*+&

& '#

G
&

& (

+(%$

L
+ ")%#'

D+ &

&! & !$%)! )*+$;#'& %&! D)%#%! &! # &! & (


+(%$
&% & ;#'& (&
S
!&"$(
+(%&+ D#+% & /# % ,T @ (" 9 '# %&"/) #%+ & #" $# %&-

&% &! & !$%)! &


&+ ! + D#((&/%&+ ! ,T @ M @ R(" -8 'D&0%& !$
!/#%$#'& & '# (5# 6& D&!/#(& &!% % :! $..) & %& !+$;# % !# #%+ &

# ! '& ")%#'
o '# (5# 6& &!%& ' (#'$!)& !+ + & . #(%$
$ & $6 + &+!&"& % 9 '# !+ .#(&4

# ! '& !&"$(
+(%&+
o '&! (5# 6&! D$ ;& !$
+ D#((+"+'#%$
!D)%& & % !+ *+&'*+&!
# ":% &! ,** "-8
o '&! (5# 6&!
&
)/')%$
!D)%& & % !+ *+&'*+&! (& %#$ &!
&
/#6&4
# ":% &! ,O** @@ "- !+$;# % 'D$"/ %# (& +

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

& ( +(5& #% "$*+&8 (D&!% 9

15

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

16

# ! '# !% +(%+ &


, )%#' ! '# % &"$(
+(%&+ D$ %& ;#''& & % & '& ")%#' &% '& !&"$(
+(%&+ &!% &"/'$ /# + $! '# %4
+
;
#
;
;
>;
%E > F
;
;
C( C
(;
;
/
# ! '# "&!+ & 2 'D$! '# % /&+% 7% & !+// !) /# .#$%8 (&'%& !% +(%+ & / )!& %& '&!
"7"&! $#6 #""&! ) & 6)%$*+&! *+& (&+0 &/ )!& %)! !+ '&! .$6+ &! +
% # !/# & %! R4

D$! '# % &!% #' ! (# #(%) $!) /#


!
6#/ B$ &% /#
!
#..$ $%) )'&(%
$*+& &$4

&$

B$

KA$

# 5#+%&+
& # $: & & % & '& ")%#' &% '& !&"$(
+(%&+ &!%
% +E + !
)& /# '# $..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& +
")%#' &% + !&"$(
+(%&+

Vd = m S

(&%%& . $! ($8 '# # $: & !D)%&


& /# %$& # ! '& !&"$(
+(%&+ &%
& /# %$& # ! 'D$! '# %4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

17

!+// !) /# .#$% ,#+(+ & (5# 6&-8 'D# !& (& & (5# 6& & % #P &

>

dV
=a
dx

d 2V
=0
2
dx

V ( x ) = a.x + b

3$! '# % &!% & ( %#(% #;&(


@
# ;
;
;
@

&! (
$%$ ! #+0 '$"$%&! ;
)%& "$ & % '&! ( &..$($& %! # &% 4
A

AB

$ !$ '& / %& %$&' AB #//'$*+) #+ ")%#' !& )/# %$% & % & '3$! '# %
&% '# U &!/#(& + !&"$ (

+(%&+

(VG VS ) .x + V

L
A

A
L

K
L

Vi = VG VS

VSC = Vsc ( surface ) Vsc (volume ) = Vs 0 = Vs

0F@ A,0F@-FA FO FA
0F ,)/#$!!&+ & '3 01 &- A,0F -FAB
$ !$ '# ;# $#%$
+ / %& %$&' # ! '3 01 & &!%
V (x) =

a=

)& /#

(VG VS )
d

L
A
A

3 K

V4
D

G
;
;
8 &
&;# (5&8 '&! (5# 6&! *+$ !31 );&' //& %
& % #P & % + & ( + + & &! # &! & (
+(%$
&% & ;#'& (&4 # . "& & '#
# $: & # ! '&
&!%
( . (%$
& '# $!% $ +%$
& '# (5# 6& D&!/#(&4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

18

$ !$8 '&! $#6 #""&! ) & 6)%$*+&! ; % 7% & . (%$


+ 6 # $& % & / %& %$&'
*+$ &0$!%& & % & '& ")%#' &% '& !&"$(
+(%&+ 4
& 6 # $& % & / %& %$&' # &+0 $6$ &! *+$ ! %
D+ & /# % '# $..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& & % & '&! &+0 "#%) $#+08
D#+% & /# % '# $..) & (& & / %& %$&' )!+'%# % & '# / '# $!#%$
D+ "#%) $#+ /# #// % 9 'D#+% &4

'&! .$6+ &! + R &/ )!& %& % 'D&..&%


/ '# $!#%$
+''&8

& '#

$..) & (&

);& %+&''&

&! % #;#+0

'&! .$6+ &! !+$;# %&! &/ )!& %& % 'D&..&% & '# / '# $!#%$
!% +(%+ & & )6$"& & # &! /'#%&! " F 4

&

& !

%$& 9

!+// !# % '#

+! 'D#(%$
& '# / '# $!#%$
'# !% +(%+ & ); '+&
D+ )6$"& D#((+"+'#%$
9 + )6$"& D$ ;& !$
& /#!!# % /# '&! )6$"&! & # &! /'#%&!
&% & )/')%$ 4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

19

B
A

, #;&( "T! ! +! / '# $!#%$


D
3 =
!
;

5
(E

88
5
;

,/#;&( "T! ! +! / '# $!#%$


;

#
;

8#

,
#

H
H

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

H =
;
;

@
?
H ;

=5 4

;
;
# /
20

B
# ! '& (#! 6) ) #' ," '& )6$"& & # &! /'#%&! D&!% /#!
%& + / + ABF @ "#$! / + ABF A K F
" 4
/# %$(+'$& 8 ! +;& % " N 8 (&($ & % #P & # ! '& (#! 3+ !&"$(
+(%&+
&
%1/& 8 + & / )/ '# $!#%$
+ $!/ !$%$. #;&( ( + + & & # &! ;& ! '& #!8
( + & > & )/&+/')& (5# 6)& N@ #//# #P% / :! & '3$ %& .#(& #;&( '3 01 &4
+% & '# $..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& &% '# / '# $!#%$
&0%) $&+ &8 + #+% &
/5) ": & " $.$& '# # $: & & / %& %$&' &% /# !+$%& '&! $..) & %! )6$"&! &
4
. (%$
&"& % '# / )!& (& & (5# 6&! ' (#'$!)&! 9 'D$ %& .#(& $! '# % &"$
;
;
( E5 'D&0/) $& (& " % & *+& '# & !$%) D)%#%!
' (#'$!)! 9 'D$ %& .#(& $! '# % !&"$(
+(%&+ &!% & 'D
& & *+&'*+&! @ @(" 8
*+&'! *+& ! $& % '& %1/& & !$'$($+" &% '# %&(5 $*+& D 01 #%$ 8 &% *+& (&! (5# 6&!
D$ %& .#(&! ! % % +E + ! / !$%$;&! ,O@-4
&! (5# 6&! D$ %& .#(&
$ +$!& % # ! '& !&"$(
+(%&+ + & (5# 6&
F
4
)*+$;#'& %& &% & !$6 & // !)
' &0$!%&
( & % & '& ")%#' &% '& !&"$(
+(%&+ V = V V = Qm = QSC = QSS
m
S
Ci
Ci
Ci
+ & $..) & (& & / %& %$&' # $%$
&''& )!+'%# %
& '# / )!& (& & (&! (5# 6&!8
)& /#
2
&/ )!& %& '# & !$%) & (5# 6&! D$ %& .#(& &%
$! '# % /# + $%) & !+ .#(&4 $ F $?
$ '# (#/#($%) & 'D
)/#$!!&+ 4
2 $ &!% '# ( !%# %& $)'&(% $*+& & 'D$! '# % &% !
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

21

& "7"&8 &! (5# 6&! / !$%$;&! $ ('+&! # ! '3 01 & ,! +;& % &! $ !
/&+;& % $ +$ & &! (5# 6&! )6#%$;&! # ! '& ")%#' &% '# !&"$ (
+(%&+ 4
9& ( &
# + & / )/ '# $!#%$

#W-

SC
A

W W
W W
W

' &0$!%&
( & % & '& ")%#' &% '& !&"$(
+(%&+ + & $..) & (&
# $%$
&''& )!+'%# % & '# / )!& (& & (5# 6&! # ! '3$! '# %

V = Vm VS =

& / %& %$&'

Q
Q
Qm
= SC = OX
Ci
Ci
Ci

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

22

$ !$8 & / & # % & ( !$


D+ & /# % '# $..) & (&
D#+% & /# % '# / )!& (&
# %& !$
& / '# $!#%$
/'#%&! !D)( $%

) #%$
&! % #;#+0 & ! %$& &%
&! (5# 6&! D$ %& .#(& &% &! (5# 6&! # ! '3 01 &8
A K )(&!!#$ & 9 'D)%# '$!!&"& % + )6$"& & # &!

VFB = ( m S )

QSS QOX

Ci
Ci

A K &!% #//&')& %& !$


# &! /'#%&! , '#% K#

# ! '# "&!+ & 2 " N 8


% +E + ! / !$%$. &%
& *+#'$%)-8
K
!$ )
! /# &0&"/'& + & !% +(%+ & & %1/&

*
!
! ;
A 5E =
! ;

=$9 A %5 =

A.5

>
% ;

=/

&
-4

)6'$6&# '& , 01 & & % :!


G
A
LB
A 4
$

A.52 =

/
>-

A %%
J#

5
>

;
;
8 ; K :

=$9 A

5 =

>>

,I

/ (
/ %%;

$/;

,
88
H 6
5
;
;
? ,=
!
# ; /
# ( +(5& 3$ ;& !$
/&+% 7% & . ")& "7"& / + AB F @4
& % # !$!% &!% #' ! <
=4
&! &..&%! & '# $..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& &% &! )%#%! D$ %& .#(& &% 3 01 &
+! #'' ! (#'(+'& (& & $& &
)%# % # $%$.! #;&( 'D&..&% & '# / '# $!#%$ 8
+ '&! / &
& & ( "/%& $' !+..$ # & '&!
!+// !# % +'! '&! % $! / &"$& !4
D
G
L
4
#E +%& #+ )!+'%#% .$ #'4 D
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

23

+! ).$ $

! '# !% +(%+ &

'&! % #;#+0 & !

$ )#'& /# '&! (

%$& + ")%#' &% + !&"$(

$%$

+(%&+ !

! !+$;# %&!
% )6#+0 F
!8

' D&0$!%& /#! D)%#%! D$ %& .#(& & % & 'D$! '# % &% '& !&"$(

+(%&+ 8

'D$! '# % &!% /# .#$%8 $4&4 D&!% '& !$:6& D#+(+ ( + # % ,% # !.& % & (5# 6&!-8 $'
& ( "/ %& #+(+ &! (5# 6&!4 &! !&+'&! (5# 6&! *+$ &0$!%& % ! % (&''&! $ +$%&!
/# '3#//'$(#%$
& '# / '# $!#%$
A !+ '# 6 $''& & ")%#'4 ''&! ! % )6#'&! &%
// !)&! !+ '# ")%#' &% '# !&"$ (
+(%&+ 4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

24

!$ )
! + !&"$(
9 'D)*+$'$ & %5& "
! +! + & / '# $!#%$
% &/ )!& %)! /#

+(%&+ & %1/& / '&! $#6 #""&! ) & 6)%$*+&!


1 #"$*+& &%
/ !$%$;& + ")%#' /# #// % #+ !&"$(
+(%&+ 8

,%1/& /3

,%1/& /-

& " &% &


&!/&(%$;&"& % '&! % #;#+0 & ! %$& + ")%#' &% + !&"$(
+(%&+ 8
&$ &% &
&!/&(%$;&"& % '3#..$ $%) )'&(%
$*+& &! & & '3$! '# % &% + !&"$
(
+(%&+ 8
A &!% '& / %& %$&' & !+ .#(& + !&"$(
+(%&+ 8
# *+# %$%) $ &/ )!& %& # ! '& !&"$ (
+(%&+ 8 '# $!%# (& + $;&#+ & & "$
#+ $;&#+ & & "$ $ % $ !:*+&4
$ + $ &/ )!& %& '# / !$%$
+ $;&#+ & & "$ + !&"$(
+(%&+ $ % $ !:*+&4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

25

&!% . (%$
&! & !$%)! D)%#%! &'#%$;&! & '#
# & &(
+(%$
&% & '# # & & ;#'& (&
"#$! & !D)' $6 & E#"#$! &#+( +/ + "$'$&+ + 6#/4
$

!*+& '& $;&#+ & & "$


&!%
#+ &!!+! & $ '& !&"$(
+(%&+ &!% & %1/&
' !*+3$' &!% #+ &!! +! $' &!% & %1/& 4

# .$6+ & .#$% #//# #P% & + ( $!&"& % & % & $


&% 8
+! #//&''&
! 0$8 '3# !($!!& & (& / $ %
& ( $!&"& %
(& / $ % '& !&"$ (
+(%&+ &!% $ % $ !:*+&8
9
$%& $' &!% & %1/& 8
9 6#+(5& $' &!% & %1/& 4
,
8#
;
;
L
#
H !
/

Ei =

EC + EV 1
N
+ kT ln V
2
2
NC

ABO@

"

1/&

1/&

# ( + + & & # & # ! '& !&"$ (


+(%&+
&/ )!& %& '# ;# $#%$
&
'3) & 6$& / %& %$&''& X&A &! )'&(%
!8 $4&4 #+ !$6 & / :! '# ;# $#%$
+ / %& %$&'4
& / %& %$&' ;# $& &
CAF@ # ! '# )6$
&+% & + !&"$ (
+(%&+ 9
+(%&+ 4
CAFA & 0F@ 9 '3$ %& .#(& & $! '# % !&"$(
= *+ ( '+ ' +*

+ ) "$ ,+

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

+C

,(

) ,'+) "4
26

&0#"$ # % (& $#6 #""&8


/&+%
% # +$ & '& .#$% *+& '&! $;&#+0 & & "$
!
$ & %$*+&!
# ! '& ")%#' &% '&
!&"$(
+(%&+ /# '3)*+#%$

e m e S +

EG
+ eFi 0
2

3#// 0$"#%$
.#$%& $($ %$& % ( "/%& +
.#$% *+&
+! #; ! ( !$ ) ) *+& '&
$;&#+ & & "$ $ % $ !:*+& !& !$%+#$% #+
"$'$&+ & '# # & $ %& $%& $4&
E
EC E Fi G
2
&"# *+

! & .$

*+&

4
, ;

H ?

# ! '# )6$
&+% & + !&"$(
'&! & !$%)! 3)'&(%
! @ &%
&! & !$%)! & % +! /@ ! %

;
+(%&+ 8

n0 = n i e eFi / kT
p0 = n i e eFi / kT

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

eFi = E F E Fi
27

& / !# %
#.$

& &

eFi = E F E Fi
& !$6 $.$(#%$. '& !$6 & & '3&0/ !# %8 '&! &0/ &!!$

n0 = n i e eFi / kT
p0 = ni e eFi / kT

! &;$&

& %

eFi = E F E Fi

D $6$ & + / %& %$&' )%# % / $!& # ! '# )6$


&+% & + !&"$(
& + / $ % 3# !($!!& 0 2 '& / %& %$&' &!% A,0-8
'&! & !$%)! & / %&+ ! ,0- &% /,0- ! %
)&! /#

+(%&+ 8

e (V ( x )Fi ) / kT

n( x ) = n0 e
= ni e
p( x ) = p0 e eV ( x ) / kT = n i e e (V ( x )Fi ) / kT
eV ( x ) / kT

/# %$(+'$& 8 /+$!*+3
# ;+ *+& '# )6$
$ %) &!!# %& 9 )%+ $& &!% '# !+ .#(&8
&0/ $"& '&! & !$%)! & / %&+ ! 9 '# !+ .#(& ,0F@8 2 A,0-FA -

nS = n0 e eVS / kT = ni e e (VS Fi ) / kT
pS = p0 e eVS / kT = ni e e (VS Fi ) / kT
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

28

M
+
,

%& $ (&%%& & !$%) % %#'& & (5# 6&!


-8 $' .#+% $ %)6 & '3)*+#%$
&
$!!

(x )
d 2V
=

dx 2
S

'

E.d s =

QSC

ES =

# ! '& !&"$(

%& $ '# (5# 6& % %#'&

QSC

);&' //)& # !

E&4 E&3

QSC = S .E S = Sign(VS ).

) (

S kT
eLD

2
&!% '& (5#"/ )'&(% $*+& 9 '# !+ .#(& + !&"$(
&!% '# ' 6+&+ & & 1& + !&"$(
+(%&+

F (VS ) = e eVS / kT + e e (VS 2Fi ) / kT +


3); '+%$
/&+% 7% &
3L
*
;

& '# (5# 6&


%& +& H

3&!/#(&

# ! '&!

;
88

+(%&+

eVS
n eVS
1 0
+1
kT
p0 kT

LD =

1/ 2

$..) & %! )6$"&!

,A -

& .

3 V

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

.F (VS )

S kT
2e 2 p0

(%$

&"& %

8 ;
;

1/ 2

;
#

+(%&+

( x ) = e.(ND ( x ) N A ( x ) + p( x ) n( x ))

# )! '+%$
& (&%%& )*+#%$
/& "&% 3
'& !&"$(
+(%&+ ! +! '# . "&
0M

);&' //)&!

/
29

B
( ) " = P% 0

A N@ FO &A O@
AB

%$& % N @ &% / O/@8 '# & !$%) & % +!


& !+ .#(& &!% /'+! $"/ %# %& *+3& ; '+"&8
'# !% +(%+ & &!% &
#
H ;;
4
&..&%8 &! (5# 6&! )6#%$;&! !3#((+"+'& %
!+ '# 6 $''& ,([%) ")%#'- &% + & (5# 6&
3&!/#(& / !$%$;& !&
);&' //&
# ! '&
!&"$(
+(%&+ %1/&
6 \(& 9 '3#((+"+'#%$
& (5# 6&! " $'&! ,% +!-4
# ! '# . (%$
&!% '& %& "& / )/

eLD

SC
A

&A
"

-----------------------------

&A

&AB

+
+
+ ++
++

!
++++++++++++

.e eVS / 2kT

V
K

/ 2 kT

# (5# 6& +
&!%
( / !$%$;& &% #+6"& %&
&0/ & %$&''&"& %
#;&(
'#
%& !$
&
/ '# $!#%$ 4

&AB

S kT

A N@

,A -8 '3&0/ & %$&''& )6#%$;&


) # % & ! %& *+& F (VS ) e eV

QSC

)6$"& 3#((+"+'#%$

%&> *+& &% / ;# $& % !1")% $*+&"& % /#


9 $ /+$!*+& # ! (&%%& > & 4/F $
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

"

ZF Z

"Z

6 /8

/
5# 6&! " $'&!
5# 6&! .$0&!

- +

#//

/@

& 3#((+"+'#%$
30

B
( ) " = A% 0

K
)6$"& & #

AB

%$& % F @ &% / F/@8


'# !% +(%+ & &!% &
#
?

&! /'#%&! A F@

SC

"

-----------------------------

!
++++++++++++

0
"
6 /8

/
F

5# 6&! " $'&!


5# 6&! .$0&!

- +
F

/@

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

31

B
( ) " %P= P$ 0 A O@ FO &A N@
%$& %
O @ &% / N/@ #;&( / O 8 '#
& !$%) 3)'&(%
! & !+ .#(& #+6"& %& &% '#
& !$%)
&
% +!
$"$ +&8
"#$!
'&
!&"$(
+(%&+ &!%& & %1/& 8
'# !% +(%+ & &!% &
#
/
eV

3&0/ &!!$

M
&AB

&

&/

&A

--

VS

$
!

&AB
"

A O@

SC

&A

+++++++++++

----------------------------5# 6&! " $'&!


5# 6&! .$0&!

- +
W

V
V

"

:!
& '3 01 &8
+! ; 1 !
$&
+ & > &
)/&+/')& 3)/#$!!&+ J &/4
# ! (&%%& > & /8 NN 4
#
( + & (5# 6&
)6#%$;& .$0& )6#'& 9 X& 4
$ AB #+6"& %&8 '&! ( (& % #%$ ! & !+ .#(& ! &%
&% ;& ! $ ? 4
/! ); '+& % &!/&(%$;&"& % ;& !
# % *+& !N
# ! '& !&"$(

1/ 2

S
& ,A - !& ) +$% 9 F (VS )
kT
1/ 2
kT eVS
QSC S .
eLD
kT
# (5# 6& &!%
( $& N@ &% ;# $& ( ""&

AB

)6$"& & )/')%$

8
# !&+'&"& % + & >
+(%&+ / )! & '3 01 &4

&

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

ZF Z

)/&+/')&

"Z

6 /8
@

/@

@F

/
#

U
U

& & )/')%$

& 3$ ;& !$
32

( ) " = Q$ 0
# ! (& )6$"&8 '# ( + + & & # & &;$& %
% :! $"/ %# %& #+ ; $!$ #6& & '3$ %& .#(&
01 & !&"$(
+(%&+ &% $' &
)!+'%& *+& '&
$;&#+ & & "$ $ % $ !:*+& &;$& % $ .) $&+
4
"/%& %& + &
#+ $;&#+ & & "$ )&'
'3&0/ &!!$
&! & !$%)!8
%$& % / N 8 '#
& !$%) 3)'&(%
! & !+ .#(& #+6"& % &% '#
& !$%)
&
% +!
$"$ +&8
"#$!
'&
!&"$(
+(%&+ &!%& & %1/& 8 '# !% +(%+ & &!%
&
#
H !
/
3&0/ &!!$

& ,A - !& ) +$% "#$ %& # % 9


F (VS ) e e (VS 2Fi ) / 2kT

QSC

S kT
eLD

.e e (VS 2Fi ) / 2kT

)6$"& 3$ ;& !$

AB

M
&AB

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

O
&

SC
A

&/

&A$

&A

-----

&A

$
!

+++++++++++

&AB

" --------------------

----------

"

Z
ZF Z "Z
ZW Z
Z
FZ

#
(5# 6&
3&!/#(&
#+6"& %&
9
+;&#+
&0/ & %$&''&"& % #;&( '# %& !$
#//'$*+)&8 "#$!
#;&( + & &0%& !$
!/#%$#'& &#+( +/ /'+! .#$ '&4
/'+! & '# > & )/&+/')&8 $' !& ( )& & % & (&''& ($ &%
'3 01 & + & % :! .$ & ( +(5& 3)/#$!!&+ J$ ; 2 !OO 4
3

A OO@

6 /8
@

/@
#

$
@F

/
U

& & )/')%$

& 3$ ;& !$
33

( ) " = Q$ 0
3 A
&!% #//&')& #$ !$
/+$!*+& & !+ .#(& ,/ :! & 0F@- (& ! %
"#$ %& # %
'&!
)'&(%
!
*+$
! %
"#E $%#$ &! &%
/'+! '&! % +!4
&%%&
+;&''& (5# 6& *+$ ;#+% &
&!%
)6#%$;& ( ""& (&''&
& '# ( +(5&
)/&+/')&4
# !&+'& $..) & (& &!% *+&
B
K
/+$!*+3&''&
/ ;$& %
&! )'&(%
!
& '#
# &
&
(
+(%$ 4
' !& #
( / !!$ '& & .#$ & )/'#(& (&!
)'&(%
! 9 '3#$ &
3+
.#$ '& (5#"/
)'&(% $*+& /# #'':'& 9 '# ( +(5& 3$ ;& !$ 4
3
4

)6$"& 3$ ;& !$

AB

M
&AB

O
&

SC
A

&/

&A$

&A

-----

&A

$
!

+++++++++++

&AB

" --------------------

----------

"

Z
ZF Z "Z
ZW Z
Z
FZ

85
#
0
] # ( +(5& 3$ ;& !$
&!% &0% 7"&"& % .$ & J$ ;T @^
] # > & )/&+/')& &!% /'+! 6 # &8 J &/T'& _"
] 3)/#$!!&+
3 01 & J 0 &!% & 6) ) #' & '3
& &
*+&'*+&! (& %#$ &! 3^4
] & (5#"/ )'&(% $*+& # ! '3 01 & &!% T @ 9 @M A?("
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

A OO@

6 /8
@

/@

$
@F

/
U

& & )/')%$

& 3$ ;& !$
34

K
# ( + & &/ )!& %# % '# ;# $#%$
& & . (%$
&!% &/ )!& %)& $($ ,(#! + !$'$($+" & %1/& #;&(
!& ;& '&! $..) & %! )6$"&! & .
& ;# $#%$
&0/
#
H ;;
8
#
V &
8 ?
!
& ;# $#%$
&0/
#
8
!

(%$

+ / %& %$&' & !+ .#(& A


F 4 @ (" -4

&"& %

& %$&''& &

& %$&''& &

%&> $& *+& # ! '& )6$"& &


. %& $ ;& !$ 8 '# ( (& % #%$
9 '3$ %& .#(& #+6"& %&
3)'&(%
!
&0/ & %$&''&"& % #' ! *+& '#
& !$%) & (5# 6& & )/')%$
,'$)&
#+0 $"/+ &%)!- #+6"& %& &
V
# ;# $#%$
& (&%%& & $: & &!%
( )6'$6&# '& &;# % (&''& &! & 4
+#
'& )6$"& & . %& $ ;& !$
&!% #%%&$ %8 '# '# 6&+
& '# > & &
)/')%$
&!%& / #%$*+&"& % (!%&4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

35

K
/&+% !(5)"#%$!& '&! $..) & %! )6$"&! & . (%$
& '# %& !$
& 6 $''& AB4
# ! '& (#! & '# !% +(%+ &
$ )#'&8 '&! $..) & %! )6$"&! !3 %$& & % ' !*+&
ABN@ )6$"& 3#((+"+'#%$
)6$"& & )/')%$
@NABNA
A NAB )6$"& 3$ ;& !$
+ (&%%& .$6+ &
+! #; ! %& + ( "/%&
!% +(%+ & *+$ & 6&
& + A K @4

&!
!3 %$&

$..) & %!
& %
(/ +

3+ & );& %+&''& / ) / '# $!#%$

& '#

)6$"&!

ABNA K )6$"& 3#((+"+'#%$


)6$"& & )/')%$
A K NABNA
A NAB )6$"& 3$ ;& !$

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

36

]
)6$"& & .#$ '& $ ;& !$
'# (5# 6& 3&!/#(& &!% (
$%$
(5# 6&! & )/')%$
(# '&! (5# 6&! 3$ ;& !$
! % & *+# %$%)
&;# % '# & !$%) 3$ ! #((&/%&+ !4

)& /# '&!
)6'$6&# '&

]
)6$"& & . %& $ ;& !$
#+ ( % #$ & '# (5# 6& 3&!/#(& &!% (
$%$
)& /#
% '# & !$%) & !+ .#(& &!% &#+( +/ /'+! 6 # & *+& (&''& &! #((&/%&+ !4
'&! &
& !&+$' A ] + )6$"& & . %& $ ;& !$
A / + '&*+&' F 4
'# & !$%) 3)'&(%
&% '# ( (& % #%$
9 '# ( (& % #%$
$ !$ '# (

$%$

3&0/ &!!$
)%& "$ &
A ] & . (%$

! & !+ .#(& +

&!/

( #+ / %& %$&'

&!%

& % +! # ! '& ; '+"& &!% )6#'&


3#((&/%&+ ! $ %
+$%&
& . %& $ ;& !$

/& "&%
&
&
&% /# !+$%& '# %& !$
+
/#6&

nS = n i e e (VS Fi ) / kT

N A = p0 = ni e eFi / kT

& % #P & VS Fi = Fi
*

Fi =

& !+ .#(&

N
kT
ln a
e
ni

VS* = 2 Fi

VS* = 2

N
kT
ln a
e
ni

+#
'# %& !$
& 6 $''& &!% #+6"& %)& #+ &'9 & '# ;#'&+ & % #P # % A FA ] 8
9 '3$ %& .#(& #+6"& %& &0/ & %$&''&"& % #' ! *+& '#
'# ( (& % #%$
3&
& !$%) & (5# 6& & )/')%$
#+6"& %& ( ""& V
' & )!+'%& *+& '# ;# $#%$
& (&%%& & $: & &;$& % )6'$6&# '&4
# ! (& (#! '# '# 6&+ & '# > & & )/')%$
&!%& / #%$*+&"& % (
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

!%# %&4
37

L
G

' !+// !) /# .#$% ,#+(+ & (5# 6&-8 'D# !& (& & (5# 6& & % #P &

*> ( *

d 2V
=0
2
dx

V (x) =

VSC = Vsc ( surface )

(VG VS ) .x + V

AB

d
Vsc (volume ) = Vs 0 = Vs

A
@

L
K
L

3$! '# % &!% & ( %#(% #;&(


@
# ;
;
;
@
+& '3

Vi = VG VS
/

/&+% # # 6& & %& # % ( "/%& &! &'#%$

Vi = VG VS =

Q
Qm
= SC
Ci
Ci

V ( x ) = VG +

QSC

Ci =

(x + d )

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

!
;
;

;
;

H
H

X N0N@

38

L
G

*+ +C

,(

) ,'+) "

!+// !# % '# )/')%$


% %#'& !+ + &
/#6& 5 " 6: &
8
/ .
&+ J &% '&
&
$ %)6 # %
&+0 . $! '3)*+#%$
&
$!! 8 '& / %& %$&' & % & @N0NJ &!%

V (x) =
*+$

eN a
(x W )2
2 S
2 S
VS
eN a

E=

1/ 2

6+&+

& '# >


F

?
D

V
x

0F@8 AFA

+! /& "&% 3&0/ $"& '# '

W =

=
x SC . 0

d 2V
q.N A
=

SC . 0
SC . 0
dx 2

eN a 2
VS =
W
2 S

& & )/')%$


;

8 ; =

,/

)6$"& & )/')%$


&%
)/')%$ 8 &''& &!% (
$%$

& .#$ '& $ ;& !$


'# (5# 6& 3&!/#(& )%# % & %1/&
)& /# '&! $ ! #((&/%&+ ! &% /# !+$%&
)& /#

QSC Qdep = eN aW = (2eN a SVS )

1/ 2

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

39

L
&! &0/ &!!$ !
)%& "$ )&! / )() &""& % /& "&%%& %
/ %& %$&' & . (%$
& '3# !($!!& 0
& / %& %$&' & % &

N0N@ &!%

Vi = VG VS
V ( x ) = VG +

QSC

& % #(&

'3#''+ &

& / %& %$&' & % & @N0NJ &!%

VSC = Vsc ( surface ) Vsc (volume ) = Vs 0 = Vs

(x + d )

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

V (x) =

eN a
(x W )2
2 S

40

L
& (5#"/ )'&(% $*+& &!%

) /#

E( x ) =

V ( x ) = VG +
(

QSC

(x + d )

E( x ) =

dV ( x )
dx

QSC

%$& %
( + (5#"/ )'&(% $*+&
!%# % # ! '3 01 &
)& /#

V (x) =

eN a
(x W )2
2 S

$' ;# $&

E( x ) =

eN a

(x W )

( '$ )#$ &"& % #;&( 0

/# %$(+'$& 8 (&%%& &0/ &!!$


3&0/ $"& '& (5#"/ )'&(% $*+& &
# ! '& !&"$ (
+(%&+ 8 F

+! /& "&%
!+ .#(& ,0F@-

& (5#"/ )'&(% $*+& / )!& %& 9 '3$ %& .#(& + &
$!( %$ +$%) & '# ( !%# %& $)'&(% $*+&4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

ES =

$!(

eN aW

%$ +$%)

Qdep

)!+'%# %

QSC

& '#

41

L
+
)!+"& 8 '&! ( + &! &/ )!& %# % '&! ;# $#%$
)'&(% $*+&! ! % / %)&! !+ '# .$6+ & ($ &!! +!4

+ / %& %$&' &%

+ (5#"/

"

&

&
+-

0
=-

AB

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

42

).$ $% '#
& '# !% +(%+ & ( ""& '# %& !$
'3)'&(%
& ")%#''$*+& )(&!!#$ & 9 H
?
#
3&!%
( '# ;#'&+ & '# %& !$
AB & % #P # % A F $4
AB &!%

)& .

(%$

&A

Vi = VG VS =

Q
Qm
= SC
Ci
Ci

& / '# $!#%$


8
!
4

VG = VS

&

QSC
Ci

# ! '# "&!+ & 2 '& !&+$' & . %& $ ;& !$


(
&!/
#+ )6$"& / + '&*+&' '&!
/&+% )( $ & *+3&
&`9 +
(5# 6&! 3$ ;& !$
&;$& & % / )/
) # %&!8
!&+$' '&! (5# 6&! # ! '& !&"$ (
+(%&+ ! % &!!& %$&''&"& % &! (5# 6&! &
)/')%$ 4
&!

%& *+& / + A N $8

)( $ #

VG = VS
'# %& !$
VT = 2Fi

& !&+$' &!%

1/ 2
(
2eN a S 2Fi )
+

Fi =

Ci

kT
N
ln A
e
ni

QSC Qdep = (2eN a SVS )

1/ 2

1/ 2
(
2eN a SVS )
+

Ci

)& / + '# ;#'&+

VT = 2

& AB / + '#*+&''& A F

kT
N
N
2
kT S N A . ln A
ln A +
e
ni
Ci
ni

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

1/ 2

43

VT = 2

kT
N
N
2
kT S N A . ln A
ln A +
e
ni
Ci
ni

1/ 2

$ !$ ).$ $&8 '# %& !$


& !&+$' (
&!/
& .#$% 9 '# ;#'&+
& '# %& !$
AB 9
/# %$
& '#*+&''&
& /&+% /'+! )6'$6&
# ! '# (5# 6& 3&!/#(& + !&"$
(
+(%&+ '&! (5# 6&! 3$ ;& !$
&;# % '&! (5# 6&! & )/')%$ 4
//'$(#%$

+") $*+&

!$ )
! + & !% +(%+ &
( "/ !)& + $
%1/& ( ""& !&"$(
+(%&+ 4
(

( ""& $! '# % &% + !$'$($+" &

0
F @ M(" 8 $F 8 4 @ @(" &% F @@^8 a ?&F M"A 9 @@b 8 $F 8
?("
( $F@4 A &% $F 8Q 4 @ Q ?(" 8 F @F 4@M4 @
(

4 @

?("

+;& JF@4 @ _" &% A F@4SR A4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

44

A
C
C

B
K

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

45

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

46

# !% +(%+ & &!% )*+$;#'& %& 9 &+0 (#/#($%)! & !) $&8


'3+ & )!+'%& & '# / )!& (& & '3$! '# % $ &%
'3#+% & & '# (5# 6& 3&!/#(& + !&"$(
+(%&+

# (#/#($%) #!! ($)& 9 '# (5# 6& 3&!/#(& + !&"$(


+(%&+
&!%
( !%$%+)& 3+ & "# $: & 6) ) #'& & / %&+ ! '$ &! &% & (5# 6&!
.$0&! #$ !$

QSC = QS + Qdep

!& ( "/ !&

( & &+0 %& "&!

C SC = C S + C dep
&!% '# (#/#($%) 1 #"$*+& )!+'%# %
(5# 6&
+& #+0 / %&+ ! '$ &! &%
!

& '# ;# $#%$

& '#

&/ )!& %& '# (#/#($%) 1 #"$*+& #!! ($)& 9 '# ;# $#%$
& % # !$%$
& '# E (%$
. ")& /# '# > & & )/')%$ 4

&/

&/

$ !$ '# (#/#($%) 6'

#'& & '# !% +(%+ & !3)( $%

1 1
1
=
+
C Ci (CS + Cdep )
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

47

LB

# (#/#($%) 1 #"$*+& #!! ($)& 9 '# (5# 6& 3&!/#(& +


!&"$(
+(%&+
)!+'%&
& '# " +'#%$
& '# (5# 6&
3#((+"+'#%$
&% &!%
)& /# '# (#/#($%) % %#'& &;$& %
(
&! & 6 #
/ &
/
+$! / +
'3#((+"+'#%$
(
&!/
9A
$ !$

"$

&+ ! & (&! (#/#($%)! # ! '& (#! 3+ & !% +(%+ &

1
1
1
=
+
C C i CS
'

+ '3$! '# % F @@@^8 $F 4R@


( $F$? 4 @ R ?(" 8
'&
F @ Q(" 8 + & ' 6+&+
& & 1& &
@@^ ,'$) 9
&! / %&+ ! "#E $%#$ &!-4 # ;#'&+ "$ $"+" & '# (#/#($%)
*+$
R ?("
F@ &!%
"$ @4 @

&% 9 . %$

Ci .CS
C=
Ci + CS

% &#+( +/ /'+! 6 #

C Ci

&! *+&

! "$

OO $-4

C
1 cte
Ci

( !)*+& (& '# (#/#($%) % %#'& & '# !% +(%+ & !& ) +$% 9 $4
(&%%& (#/#($%) &!%&
( ( !%# %& # ! % +% '& )6$"& 3#((+"+'#%$
+ & .#$ '& $"$ +%$
#+ ; $!$ #6& & A F@4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

#;&(

48

LB

# % *+& A 3#%%&$ % /#! '# ;#'&+ $ (


&!/
# % #+ !&+$' & . %& $ ;& !$ 8 '#
(5# 6& 3&!/#(& &!% &!!& %$&''&"& % (
$%$
)& /# '# (5# 6& & )/')%$ 4 #
(#/#($%) 1 #"$*+& )!+'%& # ! (&
"#$ & & '# " +'#%$
& '# (5# 6& &
)/')%$
(

CSC C dep

eN a S
=
=
W
2VS

1/ 2

""& # ! '& (#! & '# E (%$


? 8 (&%%& (#/#($%) !3)( $% ( ""& (&''& 3+
(
& !#%&+ /'#
% '# $!%# (& & % & '&! # "#%+ &! &!% )6#'& 9 '# '# 6&+
&
'# > & & (5# 6& 3&!/#(&4
1
1
1
# (#/#($%) 6' #'& & '# !% +(%+ & !3)( $%
(
=
+

+& '3
/&+% ))( $ & & &0/'$($%# %
'# (#/#($%) & '3$! '# % $F$? &% & )/')%$

2
C
V
1+
2 S
Ci
eN a S d
2
i

1/ 2

Ci

Cdp

&/

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

C
1

Ci
1 + VS

)
49

LB

& / %& %$&' & !+ .#(& A &!% !+/) $&+ 9 $ (


&!/
3&!/#(&
&;$& % !& !$ '&"& % (
$ ;& !$ 8 '# (5# 6&
3$ ;& !$
*+$ #+6"& %& &0/ & %$&''&"& % &;$& % / )/
+%&. $! '# (#/#($%) + !&"$(
+(%&+
)/')%$
&% &! (5# 6&! 3$ ;& !$ 4
(&! &+0 %1/&! & (5# 6&!
"7"& ( !%# %& & %&"/!

& )/

&! (5# 6&! & )/')%$


*+$ )!+'%& %
)/
& % $ !%# %# )"& %4

)/&

% +%

# % #+ !&+$' & . %&


!%# %& &% '# (5# 6&
) # %&4

& "7"&

& % /#! 9 + & ;# $#%$


& '3);#(+#%$

&! /

&! (5# 6&!


& %& !$

&

#;&( '#

%&+ ! "#E $%#$ &!8

&! (5# 6&! 3$ ;& !$


/# ( % & *+$ )!+'%& % & '# ( )#%$
/ %&+ ! "$
$%#$ &! !3)%# '$!!& % #;&( + & ( !%# %& & %&"/!
$"/ %# %&4

%5& "$*+& &


&#+( +/ /'+!

3#+% &! %& "&!8 ' !*+3


!+/& / !& 9 + & %& !$
& / '# $!#%$
!%#%$*+&
#'%& #%$;& 3#"/'$%+ & AB8 '# ;# $#%$
(
&!/
# %&
ABOA + & " +'#%$
& '# (5# 6& 3&!/#(& &!% $..) & %& !+$;# % '# . )*+& (& & " +'#%$ 4
& N?
& N

L
8
8

; O &%
; O4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

50

LB
$ '# "
3$ ;& !$

+'#%$
& %& !$
&!% #!!& . )*+& (&8 '# ;# $#%$
,'# /'+! '& %&- !+$% '# ;# $#%$
& %& !$ 4

& /'+! & )6$"& & . %& $ ;& !$ 8 '# (#/#($%)


&!% / )/
& %$&''&"& % &% & VS &!/&(%$;&"& %4
&/ ;# $# % &0/
'&

)!+'%& *+&

CSC CS =

S
2LD

#'& !& ) +$% & (

) # %& /#

#//

.e e (VS 2Fi ) / 2kT

A O $8
#//&' ! *+3& )6$"& & . %& $ ;& !$
( '3# 6+"& % & '3&0/ & %$&''& &!% / !$%$.8
(& *+$ $"/'$*+& *+& OO $ ( ""& # ! '& )6$"& 3#((+"+'#%$
# (#/#($%) 6'
(
$

& '# (5# 6&

& + & . $! #+ %& "& (#/#($%$. '& /'+! /&%$% $4&4

C
1
Ci
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

51

M
LB

$ '# " +'#%$


& %& !$
&!% 5#+%& . )*+& (&
'&! (5# 6&! 3$ ;& !$
,'&! /'+! '& %&!- & !+$;& % /'+! '#
;# $#%$
& %& !$ 4
)!+'%&
# " +'#%$
& '# (5# 6& 3&!/#(& +
+ $*+&"& % & '# " +'#%$
& '# (5# 6& & )/')%$ 4
FR

( '# (#/#($%) 1 #"$*+&


&!%& ( !%# %& / +
%& !$
& / '# $!#%$
!%#%$*+& AB #+ &'9 & '# %& !$
3&!% '# "7"& (5 !& / + '# (#/#($%) 6'

Cmin =

i Wm + S d

Cmin
=
Ci

#'&

1
1+

S
Wm

,/

# '# 6&+ & '# > & & (5# 6& 3&!/#(& !#%+ &
2 S
2Fi
W
=
m
9 J" (
&!/
# % !& !$ '&"& % 9 A F $4
eN a

iS

CSC Cdep =
1/ 2

Na
4 S kT
ln
=
ni
e 2Na

% +%& #+6"& %#%$


& !&+$' A 4

1
1
1
=
+
Cmin C i CSCm

CSCm =

Ci =

1/ 2

& '#
S
Wm

i
d

iWm
Sd

"
0
*
%$
& #!!& &% 5#+%& . )*+& (& &!% $($ % +%& &'#%$;& '# . %$: & & % & (&! &+0 )6$"&!
( !%# %& & %&"/! 3)%# '$!!&"& % &! (5# 6&! 3$ ;& !$ 8 $4&4 #+ %#+0 & 6) ) #%$
"$
$%#$ &!4
# ! '& !$'$($+"8 (& %&"/! /&+% 7% & & '3
& & '# !&(
&4
;
?
8
; ;
; @
8
;
8
@ %%M D/
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

)/&
& /

& '#
%&+ !

52

K
?

C
1
Ci
$T@8R

1&

"$

)6$"& 3#((+"+'#%$

ABN@

+++++++++++++++++++

Cmin
=
Ci

1
W
1+ i m
Sd

)%#'
$

)6$"& & )/')%$

AB

01 &

& . )*+& (&

#+%& . )*+& (&

%1/&

C
1
Ci

K#!!& . )*+& (&


K?

)%#'

? $F.,A -

)6$"& & 3$ ;& !$

ABO@

AB

01 &
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

%1/&

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

)%#'

AB

01 &

&/

ABOO@

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

"

%1/&

53

+! #;

! )%+ $) '& .

(%$

&"& % & '# !% +(%+ & & '#

LB
$4&4 # ! '& (#! 2 '# %& !$
& / '# $!#%$
AB &!% ( !%# %&4
+! ;&
! *+& (3&!% 9 /# %$ & (& )6$"& *+& . (%$
& '& % # !$!%

LB
&!
$;& ! %1/&!
& . (%$
&"& % ,#((+"+'#%$ 8
)/')%$ 8 $ ;& !$
!3)%# '$!!& % #;&( &! ( !%# %&! & %&"/! % :! $..) & %&! '&! + &! &! #+% &!4
,
88
;
@
8
8 ;
; ;
@
8
;
# ,, /

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

54

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

55

H
$..) & % & (&'+$ + % # !$!%

. (%$
!4

9 E (%$

& % !+

/ $ ($/& % %#'&"& %

'! / !!: & % &!!& %$&''&"& % +


# &#+ (
+(%&+ #//&')
&! #//&')&! &!/&(%$;&"& %
&0% )"$%)! / %& % &! )'&(%

% '&! &+0
4

!*+& '& # &#+ &!% / '# $!) ' 6$%+ $ #'&"& % /# + & %& !$
#$
($ (+'& # ! '& (# #'4
A 8 + ( + # % #//&') ( + # % & #$
D$ %& !$%) & (& ( + # % &!% / / %$
&''& 9 '# (
+(%# (& + (# #'

! + (&

I D = gVDS
&!% " +') /# + !$6 #'
& ( + # %
% # !;& !#' *+$8 #//'$*+) #+ # &#+
/#
'D$ %& ") $#$ &
D+ & )'&(%
&
'#%) #'& #//&')& 6 $''&8 " $.$& '#
(
+(%# (& + (# #'4
#(

+(%# (& + (# #' &!%

g=

S
L

)& /#

F
;

; !
;

5
;

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

= ne n + pe p
#

56

# ;# $#%$
& 6 /&+% 7% &
%& +& /# " +'#%$
! $% '# !&(%$
+ (# #'
! $% /# " +'#%$
& '# & !$%) & / %&+ ! 8/4
*

!
J

@
;

88

;
S !

& % # !$!% 9 &..&% & (5#"/ 9 E (%$ 8


, +
# + & )'&(%
& & ( ""# & ( !%$%+)& /# + & E
& $ ;& !&4 # ;# $#%$
& '# !&(%$
(
+(% $(&
" +'#%$
& '# '# 6&+
& '# > & & )/')%$
;# $#%$
& '# %& !$
& / '# $!#%$ 4

&

g=

S
L

88J
;

(%$
$&'
..&(% # !$!% (%$
'#%) #'&8 / '# $!)&
+ # &#+ &!%
%& +& /#
& '# E (%$
)!+'%# % & '#

# ! '& % # !$!%
9 &..&% & (5#"/ 9 # $: & & (5 %%a18
&"$(
+(%
$&'
..&(% # !$!% & / (&!!+! "$! & E&+ &!% '& "7"& *+& / )() &""& % "#$! '# > &
&!%
%& +& /# / '# $!#%$
$ ;& !& D+ & $ & (5 %%a14
# ! + % # !$!% 9 &..&%
..&(% # !$!% - +
,
'# (
+(%# (& + (# #' &!% "
# (#/#($%)
&!% / '# $!)&
# ! '& (# #' *+& ( !%$%+&
#//'$*+) 9 '# 6 $''&4

,
&

%#'

)/')%$

& (5#"/ 9 6 $''& $! ')&8 B


, !+'#%& B#%& $&'
&%#' 0$ & &"$(
+(%
$&'
..&(% # !$!% +')& /# ;# $#%$
& '# & !$%) & / %&+ !4
& )6$"& & . %& $ ;& !$ 8 '# & !$%) & / %&+ !
'# ( +(5& D$ ;& !$ 8 &!% " +')& /# '& !$6 #'

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

57

# ! % +! (&! % # !$!% ! '& ( + # % &!% % # !/


D&!% '# #$!
/ + '#*+&''&
'&! *+#'$.$& &
/ + '&! $..) & ($& +
2 '&! &+0 %1/&! & / %&+ ! !

# $!%$ (%$
E (%$
&(

? ,
-8
(5 %%a1 ,
)%#' 0$ &

C ( $+'
?

- +& ( &
&"$(
+(%&+ ,

! &!% '#

#%+ &

& '#

-4

? ?

%&+ 4

# ! '# "&!+ &

'# /'+! $"/ %# %& & % & % +! (&! % # !$!%


% ['& *+$ /&+% 7% &

! $% + & E (%$
! $% + & E (%$
! $% + & E (%$

@6 ;
5
% "$! & E&+4

%) /# + !&+' %1/& & /

6
#

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

58

. (%$
& (&! ).$ $%$ !8 '# .$6+ &
$ ;& %#$ &
!+$;# %& % #(& +
8
+
;#!%&
"
&
&!
% # !$!% ! 9 &..&% & (5#"/

# ! '& +% & !$"/'$.$& '& . "#'$!"&8


!+// !& # '& (#! )(5)# % & .
'# ' + &+ &! )*+#%$ ! # ! (& *+$ !+$%
*+& '# ! + (& &!% / %)& 9 '# "#!!&8 A F@4
&! %& !$ ! & / '# $!#%$
#$ ! + (& &% 6 $''& ! + (& !D)( $
A FA A FO A FA 8
AB FAB A FO AB FAB4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

(%$

&

% ! $%

59

B
S M8 4 $'$& .&'
& 'D $;& !$%) & &$/>$6
)( $% + )')"& % *+$ &!!&" '& #+ % # !$!%
#(%+&'4

X
)/ !& +
, )%#'

&;&% # ! '&*+&' $'


01 & &"$(
+(%&+ -

&/& # %8 (& D&!% *+& ;& ! SM@8 '# %&(5 ' 6$& #1# % !+..$!#""& % ); '+)8 *+&
& %&'! % # !$!% ! /&+;& % 7% & )#'$!)! #;&( !+((:! ,
&%
!+ '& "7"&
!+ !% #% 4
CT
32% 5

?
;

88 5

# ?

3.3
!

!
?

C( '
/

&
3&!%8 &
/# %$(+'$& 8 *+& ' !*+& '&! /
':"&!
D$ %& .#(&
01 &
!&"$(
+(%&+
% /+ 7% & )! '+! 6 \(& 9 'D#..$ &"& % & '# %&(5 ' 6$& # ! '&
"#$ & $/ '#$ &8 *+& '&! #..$ &"& % &*+$! / +
%& $
&! % # !$!% ! &
"&$''&+ & *+#'$%)
% )%) )#'$!)!4
+E + D5+$
'& % # !$!%
( !%$%+&8 /# !# !$"/'$($%) & .# $(#%$
&% !&! /&%$%&!
$"& !$ !8 'D)')"& % .
#"& %#' &! ($ (+$%! $ %)6 )! +") $*+&! 9 '# 6&
)(5&''&4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

60

& $!/ !$%$. )( +'& $"") $#%&"& % & '#


!% +(%+ &
)%+ $)& #+ (5#/$% &
/ )() & %4

# !% +(%+ & & #!& + % # !$!%


&/ )!& %)& !+ '# .$6+ & ($ ( % &

&!%
+ !% #%

& % # !$!%
$..+!$ !

&!% ( !%$%+) D+ !+ !% #%8 6) ) #'&"& % & %1/& /8 # ! '&*+&'


W(
!%$%+& % '&! )'&(%
&! & ! + (& , - &% & #$ , -4

)#'$!& !+ '& !+ !% #% + & (#/#($%)


D)'&(%
& & ( ""# & & '# (#/#($%)

& % & '# ! + (& &% '& #$ 4


( !%$%+& '# 6 $''& + % # !$!%

&+0

,B-4

$% '# $!%# (&


#$
+ (& &%
U '# $"& !$
% # !;& !#'& & '# !% +(%+ &4
'D# !& (& & % +%& / '# $!#%$ 8
'D)%#% )'&(% $*+& & '# !% +(%+ & &!% (
/&+% 7% &8 !+$;# % '#
$..) & (&
!&"$(
+(%&+
& )6$"& D#((+"+'#%$
& # &! /'#%&!
& )/')%$
+ D$ ;& !$ 4

$%$
) /# 'D)%#%
&! % #;#+0
& !

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

& '# (#/#($%)


*+$
%$&
+ ")%#' &%
+

61

X
5#(+
&!
/ &"$& !
( !%$%+)& & &+0 E (%$

)6$"&! !& % # +$!& % /# + & !% +(%+ &


! %7%& 7(5&8 (D&!% 9 $ & $! '# %&4

& !&+' ( + # % *+$ /&+% #' ! )!+'%& D+ & / '# $!#%$


( + # % $ ;& !& & 'D+ & + 'D#+% & &! E (%$ !4
, ;
8 ? 5
# #
/

#$

#$

! + (&

! + (&8 &!%

( '&

6 $''& !+ !% #% &!% &


)6$"& D$ ;& !$
,
8 !$ '# (#/#($%)
)6$"&-8 + (# #' 9 '# !+ .#(& + !&"$(
+(%&+ &'$& '# ! + (& &% '& #$ 4
' & )!+'%& *+D+ & / '# $!#%$
#$ ! + (&
&
+! #//&''&
! ( + # % & #$ , -4
! + (& *+&

#$!!# (& 9 +

( + # %

+ + & %& !$
#$ ! + (&
)&8 (& ( + # % &!% D#+%# % /'+! $"/
'& (# #' &!% /'+! (
+(%&+ 8
& '# (#/#($%) &!% /
()4
(D&!% 9 $ & *+& '& )6$"& D$ ;& !$

:"&

#$

%# % *+&

L
B
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

4
62

.#$% '# (
+(%# (& + (# #' & / )!& %&
!% +(%+ & &!% & )6$"& & . %& $ ;& !$ 4

& ;#'&+ #// )($# '& *+& '

!*+& '#

&+0 (#! /&+;& % !& / )!& %&


$ '# (#/#($%)

&!% &

)6$"&

& . %& $ ;& !$

&

'D# !& (&

,<

& / '# $!#%$


=-8

'& (# #' &!% & &..&% /&+/') & / %&+ !8 '& ( + # % &
#$ /&+% #' ! 7% &
$% *+& '&
$"$ +) &% ' *+) /# + & %& !$
6 $''& & / '# $%) ( ;& # '&8
% # !$!% . (%$
& & )6$"& D#//#+; $!!&"& %4
(
C( @
/
$ #+ (

% #$ & '# ( +(5& D$ ;& !$

D&0$!%& /#! & 'D# !& (& & / '# $!#%$


,<
=-8

'& (# #' &!% ;$ & & / %&+ !4


& 3&!% *+3& / '# $!# % '# 6 $''& /# + & %& !$
ABOA *+& '& ( + # % #$ /&+% ($ (+'& 8
8 ;
#

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

!+/) $&+ & 9 '# %& !$


>

& !&+$'

63

+% &8 $' &0$!%& &


#!!+ )& /# '&! )'&(%

&+0 %1/&! & % # !$!% !


!+$;# % *+& '# (
! , # #' - + /# '&! % +! , # #' -

# ! '& (#! & % # !$!% ! 9 (# #'


!&"$(
+(%&+ & %1/& 8 (&%%& ( +(5&
# ! '& (#! & % # !$!% ! 9 (# #'
!&"$(
+(%&+ & %1/& 8 (&%%& ( +(5&

# %& !$
9 #//'$*+& #+ % # !$!%

!$%$;& / + + % # !$!%
)6#%$;& / + + % # !$!%
)6#%$;& / + + % # !$!%

!$%$;& / + + % # !$!%

+(%$

&!%

8 + & ( +(5& 3$ ;& !$


&!% ( ))& # ! +
3$ ;& !$
)%# % #' ! ( !%$%+)& 3& 4
8 '# ( +(5& 3$ ;& !$
&!% ( ))& # ! +
3$ ;& !$
)%# % #' ! ( !%$%+)& & % +!4

& .#`
9 (& *+& '& % # !$!%
9 & $(5$!!&"& %
9 & $(5$!!&"& %
9 #//#+; $!!&"& %
9 #//#+; $!!&"& %

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

+$!& !& #

64

$ ($/& & .

(%$

&"& % + % # !$!%

'D# !& (& & % +%& / '# $!#%$


B

# (#/#($%)
&!% &
)6$"&
& )/')%$ 8 '& % # !$!%
&!%
"#'&"& % ' *+)4

+ !% #%

CAB F@
CA F@

*
U

;
!

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

65

& % # !$!%
&!% "#$ %& # % / '# $!) # ! 'D)%#% (
+(%&+ /# + & %& !$
& !&+$' A & '# (#/#($%)
6 $''& ! + (& AB / !$%$;&8 !+/) $&+ & 9 '# %& !$
& ( +(5& D$ ;& !$
& %1/&
(
+(%&+ *+$ &'$& '# ! + (& #+

( )& +
#$ 4

(# #'

&
#$ &!% / '# $!) / !$%$;&"& % /# #// % 9
'# ! + (& /# + & %& !$
A ,O@-8 + ( + # % &
($ (+'& # ! '& (# #'4
#$
#$!
& '# / '# $!#%$
+
#$ 8 '# (#/#($%)
&!% " $ ! / '# $!)& ([%)
#$ *+& ([%)
&!% /'+!
! + (&8 &% /# !+$%& '# ( +(5& D$ ;& !$
$"/ %# %& ([%) ! + (& *+& ([%) #$ 4

= A%

= Q='
B

W
W

= PP=
W

+ !% #%

D#+% & /# %8 (&%%& ( +(5& D$ ;& !$ 8*+$ ;# $& '&


% +% '& ' 6 + (# #'8 ); '+& #;&( '# %& !$
A 4
A NNA !#%
# %& !$
& #$ &!% .#$ '&8
'# ;# $#%$
& (
+(%# (&
+ (# #' &!%
)6'$6&# '&8
'& ( + # % &
#$ ;# $& / / %$
&''&"& % 9
'# %& !$
#$ ! + (&8
'& % # !$!% . (%$
&&
#
/
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

66

& % # !$!%
(#/#($%)

&!% % +E + ! / '# $!)

# ! 'D)%#% (

A NA !#%
+#
'# %& !$
#$ ! + (& #+6"& %&8 '#
;# $#%$
& '# %& !$
& / '# $!#%$
& '#
(#/#($%)
'& ' 6
+ (# #'
&;$& %
# ! '# ( +(5&
$"/ %# %&8 '# & !$%) I&
D$ ;& !$
$"$ +&8 '# (
+(%# (& + (# #'
$"$ +&4
& ( + # %
&
#$
/ )!& %& #'
;# $#%$
! +! '$ )#$ & #;&( '# %& !$
! + (& &% #" (& + & !#%+ #%$ 4
+
(

! + &
#$

+(%&+

= A%

,AB OA -

= Q='
B

& '#

= A=
W

+ !% #%

+ & (& %#$ & ;#'&+


& A '# (#/#($%)
D&!% /'+! & $ ;& !$
([%)
#$ 8 '#
+(%$;$%) + (# #' !D# +'& #+ ; $!$ #6&
;
8
#$ 8 (D&!% '& #

'# %& !$
#$ ! + (& (
&!/
# %& &!%
=
#//&')&
'& ( + # % (
&!/
# % &!% #//&') ( + # %
& !#%+ #%$
!#%4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

67

X
& % # !$!%

&!% / '# $!) # ! 'D)%#% (

+(%&+ ,AB OA - & '# (#/#($%)

A OA !#%
+#
'# %& !$
#$ ! + (& #+6"& %& #+
&'9
& '# %& !$
& !#%+ #%$ 8 '# )6$
; $!$ & +
#$
D&!% /'+! & $ ;& !$ 8 '& / $ %
& /$ (&"& %8
% '& / %& %$&' &!%& ( !%# %8 !&
)/'#(& ;& ! '# ! + (&4
D&0() & % & %& !$
&! & '# > & &
'& / $ % & /$ (&"&
V K
LB

A A
)/')%$
% &% '&
HA

, -

!& &% +;& #+0


*+$ !D)%# '$% & % &
#$ 4

!#%

= A%

= Q='
B

= Q=

+ !% #%

@;
# *QE% V
0
'# ;# $#%$
&'#%$;& ?
& '# ' 6+&+
+
(# #' &!% .#$ '&8 '# (
+(%# (& + (# #' &!%&
( !%# %&8 '& ( + # % & #$ &!%& ( !%# % &%
)6#' 9 !#%4
E
@;
;
*P % V
0
'& #(( + ($!!&"& % + (# #' &!% !$6 $.$(#%$. &%
!# (
+(%# (& #+6"& %&8
( '& ( + # % &
#$
#+6"& %& #+ &'9
+ ( + # %
&
!#%+ #%$ 8
)& /# I D = I Dsat / (1 L / L )
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

68

X
& % # !$!%

&!% / '# $!) # ! 'D)%#% (

+(%&+ ,AB OA - & '# (#/#($%)

& ( + # % &!% % # !/ %) /# '&! / %&+ !


'$ &! # ! '& (# #' (
+(%&+ E+!*+D#+ / $ %
& /$ (&"& %8
(&! / %&+ ! ! % & !+$%& / /+'!)! ;& !
'D)'&(%
& &
#$ /# '& (5#"/ )'&(% $*+&
*+$ :6 & # ! '# )6$
& (5# 6& D&!/#(&4
3

= A%

& )!& %&

= Q='
B

, -

= Q=

+ !% #%

!*+& '# %& !$


#$ ! + (& #+6"& %&8 '&
)6$"& & /$ (&"& % &!% #%%&$ % D#+%# % /'+!
#/$ &"& % *+& '# (#/#($%)
&!% / (5& +
)6$"& D$ ;& !$ 8
(D&!% 9 $ & *+& '# %& !$
6 $''& ! + (& &!%
; $!$ & & '# %& !$
& !&+$' A 4
$ '# %& !$
& / '# $!#%$
& '# 6 $''& &!%
$ .) $&+ & 9 A ,ABNA -8 '& % # !$!% &!% ' *+)4
*
-

;
;
W @;

@;

5 >

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

69

"

%&> *+& ( % #$ &"& % 9 '# (#/#($%)


8 *+$ &
)6$"& D$ ;& !$
#$!
+ %&"/! &
& /&+% /#! 7% & " +')& & 5#+%& . )*+& (& &
/&+% *+# % 9 '+$ 7% & " +') & 5#+%&
!% (a#6&8 '& % # !$!%
. )*+& (&4
&..&% '&! / %&+ ! "$
$%#$ &! *+$ # ! '# (#/#($%)
! % $!!+! &
'# !&+'& 6) ) #%$
%5& "$*+&8 ! % $($ . + $! /# '&! )6$ ! W &
! + (& &% & #$ *+$ ( !%$%+& % &! )!& ; $ ! 9 )'&(%
!4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

70

X
+ (#'(+'& '& ( + # % &

#$

+! .&

! /'+!$&+ ! 51/ %5:!&!

'# (#/#($%)
&!% & )6$"& & # &! /'#%&! 9 / '# $!#%$
+''&8 $4&4 *+& '#
$..) & (& &! % #;#+0 & ! %$& + ")%#' &% + !&"$(
+(%&+ &!% +''& "!F@4
*+& '&! / %&+ !
% + & " $'$%) ( !%# %& # ! % +%& '# > & D$ ;& !$ 4
& !$"/'$.$(#%$
6 !!$: & "#$! *+$
% #;#$''& &
( !$!%& 9 !+// !& *+& '3

& *+#
"7"& 3#!!&>
! )!+'%#%!
)6$& & . %& $ ;& !$
:! *+& AB OA 8

$4&4 *+& / #%$*+&"& % % +% '3&0(:! & %& !$


AB A ;# 7% & +%$'$!) 9 (5# 6& '#
( +(5& 3$ ;& !$
;$# '# (#/#($%) 3 01 & $4

B
+%$'$!# % '&!
%#%$ !
& '#
.$6+ & &% & ( !$ ) # % &+0 / $ %!
3# !($!!& 1 &% 1W 18
!
8
@ H ? ;
;
;
0

C ( y ) = ox .

Zdy
W ox

AB

0$

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

1
71

X
&%%& (#/#($%) &!% (5# 6)& /# + & %& !$
*+$ )/&
AB1 A 2 AB1FAB A1
A1 &/ )!& %& '# %& !$
& 1 # ! '# ( +(5& 3$ ;& !$
# (5# 6& & '# ( +(5& 3$ ;& !$

Q( y ) = C ( y ).(VGy VT ) = ox .

&!/

& (&%%& # !($!!& 1


,/#

!$ )
(%$

Zdy
Zdy
.(VGy VT ) = ox .
.(VGS VyS VT )
W ox
W ox

! *+& '&! & 6# & + & "


& 1 # ! % +%& '# > & 3$ ;& !$

!8 '& ( + # % &

ID = Q( y ).

$'$%)

,1- &!% '& (5#"/ #//'$*+) # ! '& /'#


& '# ( +(5&
3$ ;& !$
+ % # !$!%
/# '# / '# $!#%$
A 8
( 9 '3# !($!!& 1 (& (5#"/ ;#+%
+%$'$!# % (&! &0/ &!!$

% 9 '# ! + (&-4

# % 9 (&%%& (#/#($%) &!%

#//'$*+# % A O@
'&! & *+$ /&+/'& % '# > & &% ( !%$%+& % (&%%& (5# 6& !&
)/'#(& % #;&( + & ;$%&!!& 3& % #P &"& % A,1- (& *+$
,%&"/! "$! & % & 1 &% 1W 1 A,1-? 1/
+$% '& ( + # %
!$
+! (
!%# %& & .

#//

V (y )
dy

V ( y ) = n E( y )

dVyS
d ( y )
E(y ) =
=
dy
dy

#$ /&+% !3)( $ & ! +! '# . "&

dVyS
Z
I D = ox .
. n .(VGS VT VyS )
dy
Wox
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

72

X
$ %)6 # % & '# ! + (& #+

#$ 8 $4&4 & '3# !($!!& 1F@ 9 1F


V

DS
Z
. n .(VGS VT VyS ).dVyS
I D dy = ox .
W ox
0
0

I D = ox .

Z n
2
. 2(VGS VT )VDS VDS
2LWox

Ci =

ID =

ox
Wox

Ci .Z. n
2
. 2(VGS VT ).VDS VDS
2L

#$

#;&( '#

&%%& )*+#%$
# %
# )%) )%# '$& & "# $: & 6) ) #'& &
% +%&. $! *+& '# ( +(5& 3$ ;& !$
&!% . ")& /# % +%4

!+// !# %

# &'#%$
/ )() & %&
%& !$
#$ ! + (& A

& '# ' $


&% '# %& !$

& ;# $#%$
+ ( + # %
& 6 $''& AB 4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

&

73

X
B
+

& .#$ '&! ;#'&+ ! & A

'3&0/ &!!$

&..&% !$ A NN VGS VT

ID =

Ci .Z. n
2
. 2(VGS VT ).VDS VDS
2L

&

!& !$"/'$.$&4

ID

Ci Zn
.(VGS VT ).VDS = g.VDS
L

ID g.VDS
(

; = /

&! /& %&! &! (# #(%) $!%$*+&! ! % . (%$


& '# 6) ")% $& + % # !$!%
% #;& ! & U8 8 &% 0 &% & '# %& !$
& / '# $!#%$
6 $''& ! + (&4
0/ &!!$
& '# % # !(
+(%# (& &% '# (
+(%# (& &
#$
+ % # !$!%
)6$"& '$ )#$ &
,

'
%&> *+& 6

; 0

; 0

I D
VDS

gd =

ZnCi
.(VGS VT )
L

I D
gm =
VGS

gm =

ZnCi
.VDS
L

gd =

#+
&

&!%& % +E + ! / !$%$. (# ABOA

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

74

X
B
+#
'# %& !$
#$ ! + (& #+6"& %& #+ &'9 + )6$"& '$ )#$ &8 '# & !$%)
!+ .#($*+& & / %&+ ! '$ &! )( P% #+ ; $!$ #6& +
#$ &% '& ( + # %
#$
! +! '$ )#$ & #;# % 3#%%&$
& + )6$"& & !#%+ #%$ 4
/ )!& %& + & ;# $#%$
# %& !$

& !#%+ #%$

!#%

&!%

%& +& / + A FA

!#%

,1-F@ & 1F 4

/&+% #' ! )( $ & *+& AB FA ,'& !&+$' 3$ ;& !$


&!% #%%&$ % #+ $;&#+
& &..&% '# &'#%$
A WA BWAB F@ &!% % +E + ! ;) $.$)&8
( A !#%FAB A
*+& '3
/&+% ))( $ & A FAB AB

C .Z. n
2
ID = i
. 2(VGS VT ).VDS VDS
2L
A

IDsat

IDsat
!#%FAB

&

-8

C Z
Ci Z n 2
2
.VDSat i n .(VGS VT )
2L
2L

C Z
Ci Z n 2
2
.VDSat i n .(VGS VT )
2L
2L

!*+& A OA !#% '& / $ % & /$ (&"& % + (# #' ,$ %& +/%$


& '# ( +(5&
3$ ;& !$ - *+$%%& '& #$ &% &(+'& ;& ! '# ! + (&4 & ( + # % ( %$ +& 9 ($ (+'&
&% 6# & + & ;#'&+ / (5& & !#% !$ '& / $ % & /$ (&"& % &!%& / :! & 4
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

75

X
)!&#+
& (# #(%) $!%$*+&!
! %$& ,A '# ( + & & / $ %$'')! &/ )!&
'# ' $ & ;# $#%$
+ ( + # %
. (%$
&
!#%+ #%$
!#% &
%& !$
& !#%+ #%$
A !#%4

ID g.VDS

IDsat

&
%&
&
'#

M
# #(%) $!%$*+& & % # !.& % &
)6$"& &
!#%+ #%$
( + # % & !#%+ #%$
!#%,AB+ ABNA '& ( + # % & #$ &!% +'4
+ ABOA
'& ( + # %
& !#%+ #%$
#+6"& %& *+# #%$*+&"& % #;&( AB A 4

C Z
Ci Z n 2
2
.VDSat i n .(VGS VT )
2L
2L

AB

!#%

/& %& FO
% # !(
+(%# (&

AB

gm =

AB OAB

Z nCi
.VDS
L

AB
gd =

Z nC i
.(VGS VT
L

/& %& FO (

+(%# (&

)
A

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

AB

AB
76

X
+ .$ $ 8 '&! )!&#+0 & (# #(%) $!%$*+&!

Q
,AB - &%

,A - &! $..) & %!

AB

AB

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

77

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

78

bJ A

bJ A
C
C

B
,A-c

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

79

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

80

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

81

$..+!$ 8
5 % '$%5 6 #/5$&8
B #;+ &c

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

82

$
$

&!% #+ $;&#+ #!
&!% #+ $;&#+ 5#+%

&!% ' *+)8


(
+$%
(
+$%8
&!% ' *+)

&!% #+ $;&#+ 5#+%4


&!% #+ $;&#+ #!4

+Vdd

(# #'

F
PMOS
E

(# #'

NMOS

@
@

Gnd
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

83

$..+!$ 8
5 % '$%5 6 #/5$&8
B #;+ &c

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

84

Symbole

&! / %&!
! % 9 '#
$6$%#'&! &! ($ (+$%!4
&
%&
% # !$!% !

&!% (
9 (# #'

&! (&''+'&!
Equation
logique

!%$%+)& + $*+&"& %
+

# / %&
&!% d+ $;& !&''&e
$;&#+ & ! %$& 9
!$ % +! '&!
! % 9 @4

FO )#'$!#%$

#!&

$;&#+0

& S = E1 + E2

Table de vrit

E1

E2

D& % )&

& % +! '&! !1!%:"&! $!( &%!4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

85

Porte NAND

Porte XOR

OUT

OUT = A . B

OUT

OUT = A B

VDD
A

VDD

B
A
OUT

B
OUT

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

86

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

87

& % # !$!% 9 &..&% & (5#"/ 9 E (%$


'3#//&''&
/ +
(%$
$&'
..&(% # !$!%
,& . # `#$!
8 %& "& (D&!% % :! /&+ +!$%)-4
/ + # 6 !! "
#!!$"$'&
'# < 6#%& = ,6 $''&- 9 '# #!& D+ % # !$!% + $/ '#$ &8
'& #$ #+ ( ''&(%&+ &%
'# ! + (& 9 'D)"&%%&+ 4
D&!% !&+'&"& % + & $"#6& ; +! /& "&%%# % & ; +! &/) & 4
. (%$
&"& % &!% % :! !&" '# '& 9 (&'+$
( "/ %&"& % $..: &
%# '&"& % + % # !$!%
#!!$6 )& 9 (& ( "/ !# % ! $% '# "7"&4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

+
8 &% ( ""& '+$ !
$/ '#$ &8 $& *+& '# .$ #'$%)

88

*& !
# " #
+
) ),- #
(%
),- .
-/%) '% 0 1 +)%/
2/%) %
3
'
# )% 4 % )
+
/'%+ 4 %
%
' +/'% )0 %
5 /'%+ 6
/ +
%
) 7 ' -/) )
-/ )8- %% --/%)7
/'%+
2/ +)/ (%
+
-/ % 1
4%
/ +
(%
/ ) 9)% 7 '
-/) )
1( )8 - % % --/%) 7
/'%+

*& !
# "
+
) ),- 6
(%
),- # .
2/%) %
3
'
-/%) '% 0 )%/'
)% 4 % )
+
/'%+
4%
%
' +/'% )0 /'%+
5 % 6
/ +
%
) 7 ' -/) )
1( )8- %% --/%)7
/'%+
2/ +)/ (% +
-/ % 1
4%
/ +
(%
/ ) 9)% 7 '
-/) ) -/ )8 - % % --/%) 7
/'%+

# ! &#+( +/ & !&"$(


+(%&+ !8 '# " $'$%) &! )'&(%
! &!% /'+! 6 # & *+&
'# " $'$%) &! % +!8 '&
/ !!: & + & "&$''&+ & (
+(%# (& &% + &
. )*+& (& & ( +/+ & /'+! 6 # & *+& '&
& "7"&! (# #(%) $!%$*+&!4
,>
;
5
>
5
$+'
/
Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

89

' 1 # # #' 6$& / &!*+& % %#'& & % & '&


'# (
&!/
# (& & % &
+ & 5#+%&+ & (# #' &%
+ & (5# 6&4

&/%

)/

:' +

*& !
; 5;

<= >

A1(
A1(
A1(

1 %
/

1 %
)'%1

&% '&

;? B B C; C
<= >D +)
;?
?D
<= >
=;? >
?E 8
<=">E
?E ? )D +)

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

9(

$%$

& .#$ &

& !
; 5 ;!

@= >

;? B B C; ;!C
@ = >D +)
;?
?D
@ =>
=;? >
?E 8
@ =">E
?E ? )D +)

90

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

91

&
/&+% 7% & "$! ! +! + & &/ )!& %#%$
!$"/'& 6) ) #'&"& %
)& ! +!
'# . "& 3+ *+# $/['& & 8 ( ""& $ $*+) !+ '# .$6+ & !+$;# %&8
+ " $ ! & (& *+$ ( (& & '# /# %$& $ % $ !:*+& + % # !$!% 4
B (#/#($%)! & % & 6 $''& &% ! + (& &%
#$
3#+% & /# % ,*+&'*+&! /$( .# # ! & 6) ) #'-4
B (#/#($%)! & % & 6 $''& &%
& 6) ) #%&+ & ( + # % 6"4AB &
( "/%& & '3&..&% % # !$!% 4
.#$% '351/ %5:!& *+& BT@ , )!$!%# (& 3& % )& &% *+3$'
$% / &
& & ( "/%& '# &'#%$
$ F 6" ;B W
; 4
(# #(%) $!& + 6) ) #%&+ & ( + # % ( ""# ) & %& !$
6"4;B 8
'# )!$!%# (& + (# #' &!% &/ )!& %)& /# '# )!$!%# (&
,6 # & (# '& /$ (&"& % &!% #%%&$ %-4
$
B

;B

6 "; B

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

92

bJ A

bJ A
C
C

B
,A-c

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

93

/ #%$*+&8

+%$'$!& '&

# ! &+0 "

&! $&

$!%$ (%!

& > & '$ )#$ & 2 $' !& % & )!$!%# (& ( ""# )& & %& !$ 4
& > & & !#%+ #%$ 8 2 $' /&+% 7% & ( !$ ) ) ( ""& + 6) ) #%&+
( + # % ( ""# ) /# + & %& !$ 4

&

&..&%8 $' / !!: &


& )
"& $"/) # (& 3& % )& ,& ( %$ + T @ @ @ ff-8
( (3&!% +
$!/ !$%$. *+& '3
/&+% ( ""# & & %& !$ 4
& (
+(%# (& & ! %$& .#$ '& # ! '# )6$
!#%+ )&8
( / !!$ $'$%) &
"&%% & + & $"/) # (& & (5# 6& )'&;)&8 3 2 + 6#$ & %& !$
)'&;)&4
#/#($%)! .#$ '&! ,. (%$
&"& % & . )*+& (&-4
#$ '& +$% & .
4

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

94

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

95

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

96

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

97

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

98

Physique des dispositifs semiconducteurs, J. GRISOLIA, INSA DGP 2004

99

Vous aimerez peut-être aussi